JPH10178122A - Ic搭載用多層プリント配線板 - Google Patents

Ic搭載用多層プリント配線板

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JPH10178122A
JPH10178122A JP8354310A JP35431096A JPH10178122A JP H10178122 A JPH10178122 A JP H10178122A JP 8354310 A JP8354310 A JP 8354310A JP 35431096 A JP35431096 A JP 35431096A JP H10178122 A JPH10178122 A JP H10178122A
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JP
Japan
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thickness
hole
wiring board
multilayer printed
printed wiring
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JP8354310A
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Hajime Yatsu
一 矢津
Kenro Kimata
賢朗 木俣
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内層導体配線にクラックによる断線を発生さ
せないIC搭載用多層プリント配線板を提供する。 【解決手段】 複数の樹脂基板12A、12B、12
C、12D、12Eを積層してなるIC搭載用多層プリ
ント配線板において、スルーホール24内のめっき層2
2、26の厚みを8乃至35μm とし、外部リードピン
42とスルーホール内のめっき層22、26を介して当
接していない導体配線14eの厚みを25乃至70μm
としてあるため、スルーホール24内のめっき層22、
26及び導体配線14eにクラックが入り断線を生じる
ことがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、小型化、薄型化、
軽量化及び低コスト化に適したIC搭載用多層プリント
配線板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型化、薄型化、軽量化、低
コスト化の要求が強まってきた中で、セラミックスから
なるICパッケージの代替として、プリント配線板から
なるICパッケージやプリント配線板に複数のICを直
接搭載するマルチチップモジュール化への動きが活発化
してきた。この動きにつれて、IC搭載用プリント配線
板も複雑な構造且つ、細線化、高多層化が進み、その製
造方法も複雑化してきている。
【0003】ところで、従来のIC搭載用多層プリント
配線板は、例えば、図11に示すように、表面に内層導
体配線114を形成した樹脂層112A、112B、1
12C、112D、112Eを積層することにより形成
する。IC52と、外部との接続を取る外部リードピン
142との接続は、IC52からのボンディングパッド
ワイヤ54を、導体配線114から外部へ延在するボン
ディングパッド50まで渡し、該導体配線114を介し
て外部リードピン142へ繋ぐことにより行われてい
る。
【0004】ここで、該外部リードピン142は、スル
ーホール124に挿通され、はんだ148aによりスル
ーホール24内に配設されためっき層126に接続、固
定されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のIC搭載用多層プリント配線板において、長年の使
用において、内層導体配線114に断線が発生すること
がある。この現象を本発明者が検討したところ、理由の
一つに、外部リードピン142とスルーホール124内
のめっき層126を介して当接していない内層導体配線
(図11中に114eとして示す)にて断線が発生して
いるとの知見を得た。ここで、該内層導体配線114e
にて断線が発生するのは、外部リードピン142とスル
ーホール124内のめっき層126を介して当接してい
る他の内層配線114は、該外部リードピン142(樹
脂層112A〜112Eと同様な線形熱膨張率を有す
る)からの応力を受けないのに対して、内層導体配線1
14eは、該外部リードピン142を固定するためのは
んだ(樹脂層と異なる線形熱膨張率を有する)148a
からの応力を、IC搭載用多層プリント配線板全体が加
熱・冷却され熱収縮する度に受けているためと推測し
た。
【0006】本発明は、以上の経緯を鑑みてなされたも
のであり、その解決しようとする課題は、内層導体配線
にクラックによる断線を発生させないIC搭載用多層プ
リント配線板を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1では、導体配線を形成した複数の樹脂層を
積層し、ICを搭載するための開口部と、該開口部内で
ICと電気的に接続するためのボンディングパッドと、
スルーホールとを形成し、該スルーホールに外部接続用
のピンを立設してはんだより固定し、前記導体配線を介
して前記ボンディングパッドと前記ピンとを接続するI
C搭載用多層プリント配線板であって、前記スルーホー
ル内のめっきの厚みを8乃至35μm とし、前記樹脂層
に形成された導体配線であって、前記ピンと前記スルー
ホール内のめっき層を介して当接していない導体配線の
厚みを25乃至70μm としたことを技術的特徴とす
る。
【0008】また、請求項2では、請求項1において、
前記スルーホール内のめっきの厚みを10乃至20μm
としたことを技術的特徴とする。
【0009】また、請求項3では、請求項1又は2にお
いて、前記ピンと前記スルーホール内のめっき層を介し
て当接していない導体配線の厚みを30乃至35μm と
したことを技術的特徴とする。
【0010】請求項1のIC搭載用多層プリント配線板
では、スルーホール内のめっき層の厚みを8乃至35μ
m とし、ピンとスルーホール内のめっき層を介して当接
していない導体配線の厚みを25乃至70μm としてあ
るため、スルーホール内のめっき層及び導体配線にクラ
ックが入り断線を生じることがない。
【0011】請求項2のIC搭載用多層プリント配線板
では、スルーホール内のめっきの厚みを10乃至20μ
m としてあるため、めっき形成に必要な時間が短く、廉
価にIC搭載用多層プリント配線板を形成することがで
きる。
【0012】請求項3のIC搭載用多層プリント配線板
では、ピンと前記スルーホール内のめっきを介して当接
していない導体配線の厚みを30乃至35μm としてあ
るため、導体配線を廉価に構成することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に本発明に係るIC搭載用多層
プリント配線板の製造方法の実施例を図面によって説明
する。図1(A)に示すように、ガラスエポキシ樹脂板
11aの両面に銅箔11b、11b(厚さ30μm)を
ラミネートした銅張積層板11から成る基板12A、1
2B、12C、12D、12Eを出発材料とし、両面の
銅箔11bを常法に従い、パターン状にエッチングする
ことにより、図1(B)に示すように基板12Aの上面
に外層導体配線となる導体回路14aを、また、下面に
内層導体配線となる導体回路14bを形成する。同様
に、基板12Eの上面に内層導体配線となる導体回路1
4e、下面に外層導体配線となる導体回路14fを形成
し、更に、基板12B、12C、12Dの上下面に内層
導体配線となる導体回路14cを形成する。
【0014】本実施態様では、基板12A、12B、1
2C、12D、12Eとしてガラスエポキシ樹脂の銅張
積層板11を用いるが、基板材料としては、ガラスビス
マレイミドトリアジン樹脂、ガラスポリイミド樹脂等の
基板やポリエチレンテレフタレート、ポリフェニルスル
ホン、ポイリミド等のフィルムや射出成形基板等を使用
することができる。
【0015】また、導体回路の形成方法としては、テン
ティング法、半田剥離法、フルアディティブ法等の常
法、予め電解銅めっき等で導体回路を形成し、接着剤や
プリプレグに転写させる転写法等を用いることができ
る。
【0016】引き続き、図2(C)に示すように、基板
12A、12B、12C、12D、12Eの略中央部に
金型パンチング加工によりIC搭載用の開口部40を設
ける。この開口部40の形成は、金型によるパンチング
加工の他にエンドミルによる切削加工等により行なうこ
とができる。また、開口部の穿設は、導体回路の形成前
であっても形成後であっても良い。射出成形基板の場合
には、射出成形の際に形成しておいてもよい。
【0017】次に、図2(D)に示すように基板12A
下面の内層導体配線となる導体回路14b、基板12E
の上面に内層導体配線となる導体回路14e、及び、基
板12B、12C、12Dの上下面の導体回路12cへ
の接着剤の張り合わせ前に、予めソルダーレジスト16
等の絶縁被膜により回路表面をレベリングする。
【0018】図3(E)、図3(F)に示すように基板
12A〜12Eを、予め基板12A〜12Eの開口部4
0に対応する開口部18aを設けた接着剤18を介して
貼り合わせる。即ち、基板12Aの上面にエッチングに
より形成した導体回路14aと、基板12Eの下面に形
成した導体回路14fとをIC搭載用多層プリント配線
板の外層導体配線として露出させるように基板12A、
12B、12C、12D、12Eを積層する。ここで、
接着材18としては接着シートを使用する。この接着剤
18には、予め接着剤を印刷し、開口部をパンチング加
工等で形成した接着シート、又はプリプレグ等が使われ
る。望ましくは、基板と同材質のものがよく、ガラスエ
ポキシ樹脂板11aには、ガラスエポキシを浸漬させた
プリプレグが望ましい。なお、図2(D)を参照して上
述したように内層導体回路14b、14c、14eは、
ソルダーレジスト16により表面がレベリングされてい
るため、回路の凹凸に対してボイドのまき込みが無く、
更に良好な接着が得られる。
【0019】次に、基板12A、12B、12C、12
D、12Eを積層して成る積層体12の所定位置にドリ
ル孔明け加工により図4(G)に示すようにスルーホー
ル用貫通孔20を設ける。その後、図4(H)に示すよ
うに常法により積層体12全体にめっき触媒を付けた
後、無電解銅めっきを施して導体被膜22を0.1から
5.0μm、好ましくは1μm付着する。そして、積層
体12の両面にドライフィルムレジストをラミネートし
た後、図5(I)に示すように露光、現像によって開口
部40のみをめっきレジスト30によりマスクし、図5
(J)に示すように貫通孔20及び貫通孔20の開口部
の周囲に、銅めっき層26を無電解銅めっき被膜22と
併せて少なくとも8〜35μm、好ましくは8〜20μ
m厚付けする。即ち、少なくともスルーホール用貫通孔
20内壁の導体被膜の厚さを8〜35μmとしてスルー
ホール24を完成する。この後、めっきレジスト30を
水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム等により剥離・除
去する。そして、図6(K)に示すようにエッチングに
より不要な導体被膜22を除去する。
【0020】この方法では、スルーホール24の完成後
に、開口部40に設けられためっきレジスト30を除去
し、開口部40内の導体被膜22をエッチングにより除
去する。その後、特願平6−293907号にて、チオ
硫酸ナトリウム等のチオ硫酸塩やチオシアン酸塩あるい
はシアン化合物等の表面処理によって開示されるよう
に、基板表面に残存しているめっき触媒が除去されるた
め、回路間(例えば、ボンディングパッド50間)にお
けるめっき触媒の残存に起因する絶縁不良が起き難い。
【0021】めっきレジスト30の形成方法としては、
上述したドライフィルムのラミネート以外にも、液体レ
ジストの塗布、ロールコーティング、カーテンコーティ
ング、印刷、さらには電着レジスト等の方法を適用する
ことができる。
【0022】その後、図6(L)に示すようにICと電
気的に接続されるボンディングパッド50及び外部端
子、チップ部品実装部を除いてソルダーマスクレジスト
36で保護を行う。
【0023】引き続き、ボンディングパッド50上にニ
ッケル−金めっき又は銀めっき(図示せず)を施す。こ
れは、後述するようにIC52とボンディングパッド5
0とを金又はアルミワイヤーでワイヤーボンディングす
る際の接続を容易にするためである。なお、TAB実装
やフリップチップ実装する場合には、半田めっきを施
す。
【0024】次に、図7(M)に示すように積層体12
を反転させた状態で、図示しないピン立て用治具に固定
された外部リードピン42を、スルーホール24に挿入
した後、はんだペースト48を該スルーホール24内の
外部リードピン42に載置する。そして、図7(N)に
示すように、該積層体12を加熱炉に通して、該はんだ
ペースト48を溶融してなるはんだ48aにて外部リー
ドピン42をスルーホール24内に固定すると共に、両
者間の接続をとる。また、外部リードピン42の基板1
2A側のフランジ42Aと、該スルーホール24との接
続を同様にはんだ49にて取る。
【0025】なお、外部リードピン42は、銅配線及び
基板(ガラスエポキシ)との線膨張率の近似したコバー
ル(Fe−Ni−Co)、リン青銅からなり、先端部分
42Bは、該スルーホール24への挿入が容易なよう半
球状に形成されている。
【0026】本実施態様では、IC搭載用多層プリント
配線板をマザーボードに実装するに際して、スルーホー
ル実装する。なお、スルーホール実装ではなく、表面実
装する場合には、チップキャリアと同様に実装用パッド
が基板の外周付近に配役される。また、マルチチップモ
ジュールの様な形態を成す場合には、コネクター接続端
子が設けられる。
【0027】本実施態様では、発熱量の大きいICを用
いるため、図8(O)に示すように開口部40の裏面側
から銅製ヒートシンク46を取り付けて、ヒートシンク
46に直接IC52を搭載する。その後、図8(P)に
示すように該ICの入出力端子52aとボンディングパ
ッド50との間をボンディングワイヤー54にて接続す
る。なお、この実施態様では、発熱量の大きいIC52
を用いるため、開口部40の裏面側にヒートシンク46
を配設したが、ICの発熱量が小さいときには、最下層
の基板12EにIC載置用の凹部を設け、該凹部にIC
を収容することも可能である。
【0028】図11を参照して上述したように、従来技
術のIC搭載用多層プリント配線板においては、外部リ
ードピン142とスルーホール124内のめっき層26
を介して当接していない導体回路114eには、クラッ
クが入ることがあった。これに対して、図8(O)に示
す実施態様においては、スルーホール24内のめっきの
厚みを8μm以上とし、また、導体回路14eの厚みを
25μm以上に調整してあるため、クラックが入ること
が後述するようにない。
【0029】なお、スルーホール用貫通孔20を穿孔し
た積層体12に形成される銅めっき層26及び無電解銅
めっき膜(導体被膜)22とを合わせた厚さは8から3
5μmの範囲内であることが好ましい。ここで、35μ
m以下が好ましい理由は、35μmより厚いと、エッチ
ング工程において、IC搭載用開口部40の側壁面や基
板の接着界面にエッチング残りが発生したり、必要以上
のエッチングによって導体被膜の厚みや形状を損ねる危
険性があるからであり、より好ましい膜厚は10から2
0μmの範囲内である。ここで、10μm以上が好まし
い理由は、後述するようにクラックの発生を確実に防ぐ
ことができるからであり、また、20μm以下が好適な
理由は、めっき形成のための時間が短く、IC搭載用多
層プリント配線板を廉価に構成できるからである。
【0030】引き続き、本発明の第1実施態様に係るI
C搭載用多層プリント配線板の銅めっき層26及び無電
解銅めっき膜22(以下両者を併せてスルーホールめっ
き層と称する)の厚さと、外部リードピン42とスルー
ホールめっき層を介して当接していない導体回路14e
の厚みとを変えた際の断線の発生率について、図9及び
図10を参照して説明する。なおここでは、MIL規格
に準じて、150゜C(30分)から−65゜C(30
分)の加熱・冷却を1000サイクル繰り返して試験を
行った。
【0031】図9(A)は、スルーホールめっき層の厚
みを7μmにし、導体回路14eの厚みを25μmから
72μmまで変えた際の故障の発生率について試験した
結果を示している。即ち、図表の縦軸は故障発生率を横
軸は導体回路14eの厚さを示している。
【0032】図9(A)の図表から理解されるように、
導体回路14eの厚さを25μm以上にすることで、故
障の発生率をある程度低下させれるが、20%以下にす
ることはできなかった。
【0033】図9(B)は、スルーホールめっき層の厚
みを8μmにした際の故障発生率を示している。厚さを
8μmとすることで、導体回路14eの厚みを25μm
〜70μmにすれば、故障の発生率を10%以下にでき
ることが分かった。
【0034】図10(C)は、スルーホールめっき層の
厚みを9μmにした際の故障発生率を示している。めっ
き層の厚さを9μmとし、導体回路14eの厚みを25
μm〜70μmにすれば、厚さ9μmと同様に故障の発
生率を10%以下にできることが分かった。
【0035】図10(D)は、スルーホールめっき層の
厚みを10μmにした際の故障発生率を示している。厚
さを10μmとすることで、導体回路14eの厚みを2
5μm〜70μmに調整すれば、故障の発生をほぼ0%
にできることが分かった。
【0036】なお、この試験において、導体回路14e
の厚みを70μm以上にした際に、故障率が上がってい
る。この理由は、導体回路14eの厚みを厚くすること
により、該導体回路14eでのクラックの発生は防ぎ得
るが、スルーホールめっき層側にてクラックが発生して
いるのではないかと考えられる。ここで、該めっき層の
厚みを厚くすることで、このクラックを防ぎ得るとも推
測されるが、厚さを35μm以上にすると、上述したよ
うにエッチング工程において、IC搭載用開口部40の
側壁面や基板の接着界面にエッチング残りが発生した
り、必要以上のエッチングによって導体被膜の厚みや形
状を損ねる危険性がある。このため、スルーホールめっ
き層の厚みを8乃至35μm とし、導体回路14eの厚
みを25乃至70μm とすることが好ましいという結論
に至った。
【0037】なお、導体回路14eの厚みは、30乃至
35μm とすることが特に好適である。この理由は、該
導体回路14eを廉価に構成することができるからであ
る。なお、上記実施態様においては、導体回路14a、
14b、14c、14e、14fの厚みを均一にした
が、導体回路14eの厚みのみを他の導体回路よりも厚
く形成することも可能である。
【0038】上述した実施態様では、図4(H)に示す
ように積層体12全体に導電被膜22を被着した後、図
5(J)に示すように開口部40をめっきレジスト30
にて塞いだ。ここで、導電被膜22を被着する代わり
に、開口部40をめっきレジスト30にて塞いだ後に、
めっき触媒を付着させ、スルーホール用貫通孔20内に
無電解めっきにより導体被膜を付着してスルーホールを
形成することも可能である。ここで、めっき触媒として
はパラジウム系、あるいは、有機導電性ポリマーを用い
ることができ、貫通孔20内の導体被膜は、無電解めっ
きのみで厚付けしても、無電解めっきで薄付けして後に
電解めっきで厚付けしても、あるいは、直接電解めっき
で厚付けし膜厚8μm以上の銅被膜を形成することも可
能である。
【0039】
【発明の効果】本発明のIC搭載用多層プリント配線板
においては、スルーホール内のめっき層の厚みを8乃至
35μm とし、ピンとスルーホール内のめっき層を介し
て当接していない導体配線の厚みを25乃至70μm と
してあるため、スルーホール又は導体配線にクラックが
入り断線を生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)、図1(B)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図2】図2(C)、図2(D)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図3】図3(E)、図3(F)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図4】図4(G)、図4(H)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図5】図5(I)、図5(J)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図6】図6(K)、図6(L)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図7】図7(M)、図7(N)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図8】図8(O)、図8(P)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の製造方法を示す
工程概略図である。
【図9】図9(A)、図9(B)は、本発明の実施態様
に係るIC搭載用多層プリント配線板の試験結果を示す
図表である。
【図10】図10(C)、図10(D)は、本発明の実
施態様に係るIC搭載用多層プリント配線板の試験結果
を示す図表である。
【図11】従来技術のIC搭載用多層プリント配線板を
示す概略図である。
【符号の説明】
12A、12B、12C、12D、12E 基板 14a〜14f 導体回路 18 接着剤 20 貫通孔 22 導体被膜 24 スルーホール 26 銅めっき層 30 めっきレジスト 40 開口部 42 外部リードピン 48a はんだ 50 ボンディングパッド 52 IC

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導体配線を形成した複数の樹脂層を積層
    し、ICを搭載するための開口部と、該開口部内でIC
    と電気的に接続するためのボンディングパッドと、スル
    ーホールとを形成し、 該スルーホールに外部接続用のピンを立設してはんだよ
    り固定し、前記導体配線を介して前記ボンディングパッ
    ドと前記ピンとを接続するIC搭載用多層プリント配線
    板であって、 前記スルーホール内のめっきの厚みを8乃至35μm と
    し、 前記樹脂層に形成された導体配線であって、前記ピンと
    前記スルーホール内のめっき層を介して当接していない
    導体配線の厚みを25乃至70μm としたことを特徴と
    するIC搭載用多層プリント配線板。
  2. 【請求項2】 前記スルーホール内のめっきの厚みを1
    0乃至20μm としたことを特徴とする請求項1に記載
    のIC搭載用多層プリント配線板。
  3. 【請求項3】 前記ピンと前記スルーホール内のめっき
    層を介して当接していない導体配線の厚みを30乃至3
    5μm としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の
    IC搭載用多層プリント配線板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043454A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Hitachi Chem Co Ltd 半導体パッケージ用基板の製造方法とその方法を用いた半導体パッケージの製造方法及びこれらの方法を用いた半導体パッケージ用基板と半導体パッケージ
KR20030010887A (ko) * 2001-07-27 2003-02-06 삼성전기주식회사 비지에이 기판의 제조방법
JP2014003267A (ja) * 2012-06-14 2014-01-09 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrates Solutions Technologies Co Ltd 段状の穴を備えた多層電子構造体

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