JP4130182B2 - 水晶薄膜 - Google Patents
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導入された珪素源を酸素と反応させて基板上に水晶を堆積させる工程と、
を含む水晶エピタキシャル薄膜の製造方法であり、前記珪素源を触媒の存在下で酸素と反応させて反応を促進したことを特徴とする水晶エピタキシャル薄膜の製造方法により製造された水晶薄膜であって、
前記水晶薄膜は、その赤外線吸収スペクトルにおいて、OH基を示す波数3585cm-1に吸収が見られ、かつ前記水晶薄膜の結晶の程度を示すX線回折ピークの半値幅が10.0分以内であることを特徴とする。
前記バッファ層の上に、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランおよびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化し、導入する工程と、
導入された珪素源を酸素と反応させて前記バッファ層上に水晶エピタキシャル薄膜を堆積させる工程と、を含む製造方法で製造された水晶薄膜であって、
前記バッファ層の厚みは、25nm以上で80nm以下であることを特徴とする。
その上にエピタキシャル成長させた水晶薄膜の結晶の程度を示すX線回折ピークの半値幅が、前記バッファ層の厚さが50nmのとき約1.0分であることを特徴とする。
2 原料供給部
3 成長部
4 気化器(バブラー)
5 基板
6 ロッド
7 炉
Claims (3)
- テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランおよびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化し、基板上に導入する工程と、
導入された珪素源を酸素と反応させて基板上に水晶を堆積させる工程と、
を含む水晶エピタキシャル薄膜の製造方法であり、前記珪素源を触媒の存在下で酸素と反応させて反応を促進したことを特徴とする水晶エピタキシャル薄膜の製造方法により製造された水晶薄膜であって、
前記水晶薄膜は、その赤外線吸収スペクトルにおいて、OH基を示す波数3585cm-1に吸収が見られ、かつ前記水晶薄膜の結晶の程度を示すX線回折ピークの半値幅が10.0分以内であることを特徴とする水晶薄膜。 - 基板表面に、六方晶を形成する物質によりアモルファス結晶のバッファ層を堆積させる工程と、
前記バッファ層の上に、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランおよびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化し、導入する工程と、
導入された珪素源を酸素と反応させて前記バッファ層上に水晶エピタキシャル薄膜を堆積させる工程と、を含む製造方法で製造された水晶薄膜であって、
前記バッファ層の厚みは、25nm以上で80nm以下であることを特徴とする水晶薄膜。 - 請求項2記載の水晶薄膜において、前記バッファ層は水晶と同じ六方晶の結晶を生ずるGaN、ZnOのいずれかであることを特徴とする水晶薄膜。
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