JP4122750B2 - 半導体記憶装置および半導体記憶装置のデータ書き込み方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,半導体記憶装置および半導体記憶装置のデータ書き込み方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ベリファイ(検証)機能付きのフラッシュメモリやEEPROM等の不揮発性半導体記憶装置に対して所定のデータがプログラムされる(書き込まれる)場合,データ・ライト動作とデータ・ベリファイ動作が複数回反復される。不揮発性半導体記憶装置が備えるベリファイ回路は,複数のメモリセルのスレショルド電圧Vtをチェックし,それぞれが所望の値に達したとき適合信号を出力する。データ書き込み制御回路は,ベリファイ回路から適合信号を受け取るとそれ以降のライト動作を中止する。この時点で不揮発性半導体記憶装置に対するデータ・プログラミングが完了となる。
【0003】
通常,不揮発性半導体記憶装置において,データ・ライト動作/データ・ベリファイ動作が3回程度繰り返されるとデータ・プログラミングは完了する。つまり,データ・ライト動作/データ・ベリファイ動作の反復は,データ書き込みカウンタ回路に設定されている最大データ書き込み回数(例えば8回)に達する前に終了する。このため,従来,不揮発性半導体記憶装置の製品テスト工程において,データ・ライト動作を最大限繰り返した場合に要する時間を把握することは困難であった。また,メモリセル毎にベリファイがパス(適合)するまでのデータ・ライト動作回数が異なるため,チップ間あるいはウェハ間のメモリセル特性のばらつきを評価することも事実上不可能であった。
【0004】
この問題の解決を図るべく,テストモードに設定されたときにはデータ書き込みカウンタ回路に設定されている最大データ書き込み回数に達するまでデータ・ライト動作/データ・ベリファイ動作を繰り返す不揮発性半導体記憶装置が既に提案されている(特開平11‐086575号公報)。この不揮発性半導体記憶装置によれば,最大データ書き込み回数に達する前にベリファイがパスした場合,それを無視してデータ・ライト動作が繰り返されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,従来の不揮発性半導体記憶装置によれば,ベリファイがパスした後に繰り返される各データ・ライト動作は,ベリファイがパスする以前と同様に,ベリファイ動作を伴っていた。これは,不揮発性半導体記憶装置の製品テストにかかる時間を短縮するという観点からすれば好ましい状態とは言えない。
【0006】
本発明は,上記のような問題点に鑑みてなされたものであり,その目的は,データ・ライト動作を最大回数繰り返す場合であっても,所要時間を最小限に抑えることが可能な,新規かつ改良された半導体記憶装置および半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明の第1の観点によれば,データを格納するメモリセルと,ベリファイ開始信号が入力されると,メモリセルに格納されたデータの検証を行い,所望の結果が得られた場合に適合信号を出力するベリファイ回路と,適合信号が入力されるまでメモリセルに対するデータ・ライト動作を所定回数反復し,各データ・ライト動作の後,ベリファイ開始信号を出力するデータ書き込み制御回路と,テストモードに設定された場合,ベリファイ回路がテストモードに設定された後に最初に出力した適合信号を受けると活性化して,以降データ書き込み制御回路から出力されるベリファイ開始信号を無効化するベリファイ動作省略化手段と,データ書き込み制御回路によるデータ・ライト動作の反復回数をカウントし,当該反復回数に基づいてデータ・ライト動作の終了を判定するデータ書き込みカウンタ回路と,を備えたことを特徴とする半導体記憶装置が提供される(請求項1)。
【0008】
かかる構成によれば,テストモードに設定されると,データ・ライト動作の反復回数が所定回数に達するまでにベリファイ回路が適合信号を出力しても,適合信号無効化手段がこの適合信号を無効とする。したがって,データ・ライト動作を所定回数反復することが可能となる。さらに,テストモードに設定されると,ベリファイ動作省略化手段は,ベリファイ回路が最初に出力した適合信号を受けて活性化する。そして,活性化したベリファイ動作省略化手段は,データ書き込み制御回路から出力されるベリファイ開始信号を無効とする。したがって,データ・ライト動作を所定回数反復するにあたり,データ・ベリファイ動作を省略することが可能となる。
【0010】
活性化されたベリファイ動作省略化手段は,データ書き込み制御回路からベリファイ開始信号を受けると,データ書き込み制御回路に対して,ベリファイ開始信号の出力を停止させる信号を与えることが好ましい(請求項3)。これによって,短い周期でデータ・ライト動作が繰り返されることになる。
【0011】
ベリファイ動作省略化手段が活性化した後のメモリセルに対するデータ・ライト動作は,メモリセルを構成するトランジスタのソース,ドレイン,およびゲートのうち,ゲートにのみ電圧を印加することによって実行されるものであることが好ましい(請求項4)。メモリセルのスレショルド電圧を所定レベルに調整することが可能となる。
【0012】
本発明の第2の観点によれば,通常モードとテストモードを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法が提供される。そして,通常モードに設定された場合,所定回数に達するまで,または,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達するまでデータ・ライト動作とデータ・ベリファイ動作が順番に繰り返し実行される。また,テストモードに設定された場合,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達するまでデータ・ライト動作とデータ・ベリファイ動作が順番に繰り返し実行され,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達した後は,所定回数に達するまでデータ・ライト動作のみが繰り返し実行される(請求項5)。
【0013】
この方法によれば,テストモードにおいて,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達した後は,データ・ベリファイ動作を伴わないデータ・ライト動作が繰り返し実行される。したがって,短時間でテストを終了させることが可能となる。
【0015】
テストモードにおいて所定回数繰り返されるデータ・ライト動作は,メモリセルを構成するトランジスタのソース,ドレイン,およびゲートのうち,ゲートにのみ電圧を印加することによって実行されるものであることが好ましい(請求項6)。メモリセルのスレショルド電圧を所定レベルに調整することが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかる半導体記憶装置および半導体記憶装置のデータ書き込み方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,以下の説明および添付された図面において,略同一の機能および構成を有する要素については,同一符号を付することによって重複説明を省略する。
【0017】
まず,テストモードに設定された場合,データ書き込みカウンタ回路に設定されている最大データ書き込み回数に達するまでデータ・ライト(データ書き込み)動作/データ・ベリファイ(データ検証)動作を繰り返す半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ100の構成およびその動作について説明する。
【0018】
フラッシュメモリ100は,図1に示すように,メモリセルMC,データ書き込み制御回路WCC,データ書き込みカウンタ回路WCT,ベリファイ回路VC,および適合信号無効化手段3から構成されている。
【0019】
データ書き込み制御回路WCCは,データ・ライト動作(以下,「ライト動作」と言う)の際,メモリセルMCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTに対してプログラム信号PGを出力し,ライト動作終了後にベリファイ回路VCに対してベリファイ開始信号VRを出力する。
【0020】
ベリファイ回路VCは,データ・ベリファイ動作(以下,「ベリファイ動作」と言う)の間,メモリセルMCに対してデータ電圧レベルチェック信号DVCを出力し,メモリセルMCからデータ電圧レベル信号DVを受ける。そして,ベリファイ動作を終了したとき,データ書き込み制御回路WCCに対してベリファイ終了信号VDONEを出力する。さらに,ベリファイ回路VCは,ベリファイがパスしたか否かを示す適合信号VPASSを適合信号無効化手段3に与える。
【0021】
適合信号無効化手段3は,テストパッドTPが論理的高レベル(以下,「Hレベル」と言う)に設定されているときには,ベリファイ回路VCから受けた適合信号VPASSを,その論理レベルを維持して,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。これに対して,テストパッドTPが論理的低レベル(以下,「Lレベル」と言う)に設定されているときには適合信号VPASSをLレベル信号に変換して,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。
【0022】
データ書き込みカウンタ回路WCCは,設定された最大データ書き込み回数に達するまでライト動作が反復されてもベリファイがパスしなかったとき,最終的なデータ書き込みの不良を示すライト動作不良信号FAILをデータ書き込み制御回路WCCに対して出力する。
【0023】
以上のように構成されたフラッシュメモリ100のデータ・プログラム動作を,図2のフローチャートおよび図3のタイミングチャートに基づいて説明する。
【0024】
まず,テストパッドTPをHレベルに固定することによって通常モードに設定されたフラッシュメモリ100のデータ・プログラム動作を説明する。
【0025】
フラッシュメモリ100は,データ・プログラム動作を開始するにあたり,まずデータ・イレース(消去)動作を実行し(ステップS1),続いてライト動作を実行する(ステップS2)。
【0026】
ライト動作が終了した時点で,データ書き込み制御回路WCCは,ベリファイ開始信号VRをベリファイ回路VCに対して出力する。このベリファイ開始信号VRを受けたベリファイ回路VCは,ベリファイ動作を開始する(ステップS3)。
【0027】
ベリファイが終了した時点で,ベリファイ回路VCは,ワンショットのベリファイ終了信号VDONEをデータ書き込み制御回路WCCに対して出力し,それと同時に適合信号VPASSを適合信号無効化手段3に対して出力する。適合信号VPASSは,適合信号無効化手段3に属するNANDゲート1の一方の入力端子に入力される。ベリファイ回路VCからベリファイ終了信号VDONEを受け取ったデータ書き込み制御回路WCCは,ベリファイ開始信号VRの出力を停止する。
【0028】
ベリファイ回路VCは,ベリファイ動作として,メモリセルMCから出力されるデータ電圧レベル信号DVをチェックする。そして,ライト動作によってメモリセルMCのスレショルド電圧Vtが所定レベルに達しなかったと判断するとLレベルの適合信号VPASSを出力し,所定レベルに達したと判断するとHレベルの適合信号VPASSを出力する(ステップS4)。
【0029】
ベリファイ回路VCがLレベルの適合信号VPASSを出力した場合,テストパッドTPがHレベルに調整されている適合信号無効化手段3は,Lレベル信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。
【0030】
ライト動作の繰り返し回数が,データ書き込みカウンタ回路WCTに設定されている最大書き込み回数(ここでは8回)に達していなければ,データ書き込みカウンタ回路WCTはライト動作不良信号FAILを出力せず,データ書き込み制御回路WCCにはライト動作不良信号FAILが入力されない。上述の通り,データ書き込み制御回路WCCは,ベリファイ回路VCからベリファイ終了信号VDONEを受けると,ベリファイ開始信号VRの出力を停止する(ベリファイ開始信号VRをLレベルとする)。そしてこれと同時に,データ書き込み制御回路WCCは,ライト動作不良信号FAILが入力されておらず,かつ,適合信号入力端子(VPASS)がLレベルであることを検出して,メモリセルMCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTに対してプログラム信号PGを出力してライト動作を再実行する。これに対して,ライト動作の繰り返し回数が,データ書き込みカウンタ回路WCTに設定されている最大書き込み回数に達していれば,データ書き込みカウンタ回路WCTは,データ書き込み制御回路WCCに対してライト動作不良信号FAILを出力する(ステップS5)。そして,データ・プログラム動作は「失敗」終了する。
【0031】
ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力した場合,テストパッドTPがHレベルに調整されている適合信号無効化手段3は,Hレベル信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える(ステップS6)。ここでデータ・プログラム動作は「成功」終了する。
【0032】
以上のように,フラッシュメモリ100が通常モードに設定された場合,すなわちテストパッドTPがHレベルに固定された場合,適合信号無効化手段3は,ベリファイ回路VCから出力される適合信号VPASSの論理レベルに一致する信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。そして,フラッシュメモリ100は,ベリファイがパスして適合信号VPASSがHレベルとなるまで,または,ライト動作の繰り返し回数が設定上の最大書き込み回数に達するまでライト動作を反復する。
【0033】
次に,テストパッドTPをLレベルに固定することによってテストモードに設定されたフラッシュメモリ100のデータ・プログラム動作を説明する。
【0034】
テストモードに設定されたフラッシュメモリ100は,ステップS1〜ステップS5については,上述の通常モードに設定された場合と同様に動作する。両者の相違点は,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力した後の動作にある。
【0035】
通常モードの場合,テストパッドTPがHレベルに固定されているため,適合信号無効化手段3は,入力されるHレベルの適合信号VPASSに応じて,Hレベルの信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。この結果,例えライト動作の実行回数が最大書き込み回数に達していなくても,その時点でデータ・プログラム動作は「成功」終了する。
【0036】
ところが,テストモードの場合,テストパッドTPがLレベルに固定されているため,適合信号無効化手段3は,入力される適合信号VPASSの論理レベルとは無関係にLレベル信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与える。つまり,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力しても,適合信号無効化手段3は,適合信号VPASSに代えて,Lレベル信号をデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に与えることになる。このため,データ書き込み制御回路WCCは,再びプログラム信号PGを出力し,ライト動作開始の指示を繰り返す(ステップS6)。
【0037】
データ書き込みカウンタ回路WCTは,データ書き込み制御回路WCCから出力されたプログラム信号PGを受けてライト動作の回数をカウントする。そして,ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達したところでライト動作不良信号FAILをデータ書き込み制御回路WCCに対して出力する。ここでテストモードにおけるデータ・プログラム動作が終了する。
【0038】
図3のタイミングチャートは,フラッシュメモリ100をテストモードに設定した場合のデータ・プログラム動作を示している。ここでは,4回目のベリファイ動作においてベリファイがパスし,適合信号VPASSがHレベルに立ち上がっているが,この時点ではデータ・プログラム動作は終了せず,以後もライト動作とベリファイ動作が繰り返されている。そして,ライト動作とベリファイ動作の繰り返し回数が最大書き込み回数(ここでは8回)に達したところでデータ・プログラム動作が終了している。
【0039】
以上のように,フラッシュメモリ100およびフラッシュメモリ100のデータ・プログラム動作によれば,データ・ライト動作を最大限繰り返した場合に要する時間やメモリセルの書き込み深さを把握することが可能となる。しかし,図3から明らかなように,ベリファイがパスするまで反復される各ライト動作のみならず,途中でベリファイがパスした後に継続反復される各ライト動作にもベリファイ動作が付随している。ライト動作を最大回数繰り返すテストに要する時間を短縮するためには,各ライト動作後に実行されるベリファイ動作を適宜省略することが好ましい。
【0040】
[第1の実施の形態]
本発明の第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ101の構成およびその動作について説明する。
【0041】
フラッシュメモリ101は,図4に示すように,メモリセルMC,データ書き込み制御回路WCC,データ書き込みカウンタ回路WCT,ベリファイ回路VC,適合信号無効化手段3,およびベリファイ動作省略化手段10から構成されている。すなわち,フラッシュメモリ101は,上述のフラッシュメモリ100に対してベリファイ動作省略化手段10が追加された構成を有している。
【0042】
ベリファイ動作省略化手段10は,ラッチ回路LC,NANDゲート5,6,インバータ7,8,NORゲート9,および遅延回路DLCから構成されている。
【0043】
ラッチ回路LCは,ベリファイ回路VCから出力されたHレベルの適合信号VPASSをラッチして,これをHレベルのラッチ適合信号VPLとして出力する。なお,ラッチ適合信号VPLの初期値はLレベルである。
【0044】
NANDゲート5の一方の入力端子は,データ書き込み制御回路WCCのベリファイ開始信号出力端子(VR)に接続されている。また,NANDゲート5の他方の入力端子は,ラッチ回路LCのラッチ適合信号出力端子(VPL)に接続されている。NANDゲート5の出力端子は,遅延回路DLCを介してNANDゲート6の一方の入力端子に接続されている。この遅延回路DLCは,NANDゲート5が出力する信号を所定の時間遅延させた上で,ノードN12を介してNANDゲート6の一方の入力端子に与える機能を有する。
【0045】
NANDゲート6の他方の入力端子は,インバータ8の出力端子に接続されており,NANDゲート6の出力端子は,ノードN13を介してデータ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に接続されている。
【0046】
インバータ8の入力端子は,ベリファイ回路VCのベリファイ終了信号出力端子(VDONE)に接続されている。
【0047】
インバータ7の入力端子は,データ書き込み制御回路WCCのベリファイ開始信号出力端子(VR)に接続されており,インバータ7の出力端子は,NORゲート9の一方の入力端子に接続されている。
【0048】
NORゲート9の他方の入力端子は,ラッチ回路LCのラッチ適合信号出力端子(VPL)に接続されており,NORゲート9の出力端子は,ノードN11を介してベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)に接続されている。
【0049】
適合信号無効化手段3に属するNANDゲート1の一方の入力端子は,ベリファイ回路VCの適合信号出力端子(VPASS)に接続されており,NANDゲート1の他方の入力端子は,テストパッドTPに接続されている。NANDゲート1の出力端子は,インバータ2を介してデータ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に接続されている。
【0050】
以上のように構成されたフラッシュメモリ101のデータ・プログラム動作を,図5のフローチャートおよび図6のタイミングチャートに基づいて説明する。
【0051】
まず,図5のフローチャートを用いて,本実施の形態にかかるデータ・プログラム動作を説明する。
【0052】
フラッシュメモリ101は,データ・プログラム動作を開始するにあたり,まずデータ・イレース(消去)動作を実行し(ステップS11),続いてライト動作を実行する(ステップS12)。
【0053】
ライト動作の後,ベリファイ動作の前に,ライト動作の繰り返し回数がデータ書き込みカウンタ回路WCTに設定されている最大書き込み回数に達しているか否かを判断する(ステップS13)。
【0054】
ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達している場合,データ・プログラム動作を終了する。ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達していない場合,データが書き込まれる対象となるメモリセルMCが既にベリファイをパスしているか否かを判断する。具体的にはラッチ適合信号VPLの論理レベルをチェックする(ステップS14)。この位置にラッチ適合信号VPLの論理レベルをチェックするステップを用意することによって,フラッシュメモリ101がテストモードに設定されたとき,すなわちテストパッドTPがLレベルとされ適合信号無効化手段3が有効とされたとき,フラッシュメモリ101は,一旦ベリファイがパスした後はベリファイ動作を伴わないライト動作を繰り返すことになる。この動作については,後に詳しく説明する。
【0055】
ラッチ適合信号VPLがHレベルの場合,すなわちメモリセルMCに対して既に1回以上のライト動作を実行しており,しかもベリファイがパスしている場合,再度のベリファイ動作を実行せず,次のライト動作を開始する(ステップS12)。以降,ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達するまで,ベリファイ動作を行うことなくライト動作のみを反復する(ステップS12,S13,S14のループ)。
【0056】
一方,ラッチ適合信号VPLがLレベルの場合,すなわちベリファイが一度もパスしてない場合,ベリファイ動作を実行し(ステップS15),適合信号VPASSの論理レベルをチェックする(ステップS16)。
【0057】
適合信号VPASSがLレベルの場合,すなわちベリファイの結果が「フェイル(不適合)」である場合,次のライト動作を開始する(ステップS12)。適合信号VPASSがHレベルの場合,すなわちベリファイがパスしている場合,ラッチ適合信号VPLをHレベルにラッチし,テストパッドTPの論理レベルをチェックする(ステップS17)。
【0058】
テストパッドTPがLレベルに設定されている場合,すなわちフラッシュメモリ101がテストモードに設定されている場合,次のライト動作を開始する(ステップS12)。テストパッドTPがHレベルに設定されている場合,すなわちフラッシュメモリ101が通常モードに設定されている場合,データ・プログラム動作を終了する。
【0059】
次に,図4の回路図および図6のタイミングチャートを用いて,フラッシュメモリ101の通常モード動作およびテストモード動作を説明する。
【0060】
<通常モード>
テストパッドTPをHレベルに設定することによってフラッシュメモリ101は通常モードにセットされる。
【0061】
データ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのプログラム信号PGを出力してメモリセルMCに対するライト動作を行った後,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力する。このベリファイ開始信号VRは,インバータ7を介してNORゲート9の一方の入力端子に入力されるとともに,NANDゲート5の一方の入力端子に入力される。
【0062】
ベリファイがパスするまでは,ラッチ回路LCが出力するラッチ適合信号VPLはLレベル(初期値)であるため,NANDゲート5の他方の入力端子とNORゲート9の他方の入力端子はともにインアクティブ状態を維持する。
【0063】
したがって,NORゲート9は,データ書き込み制御回路WCCが出力するベリファイ開始信号VRに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号を,ノードN11を介してベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)に与える。
【0064】
また,NANDゲート5は,データ書き込み制御回路WCCが出力するベリファイ開始信号VRとは無関係にHレベルの信号を遅延回路DLCに与える。このため,ノードN12に接続されているNANDゲート6の一方の入力端子はHレベルに固定される。したがって,NANDゲート6は,ベリファイ動作が終了したときベリファイ回路VCが出力するベリファイ終了信号VDONEに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号を,ノードN13を介してデータ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に与える。
【0065】
ベリファイの結果が「フェイル」のとき,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)はLレベルを維持するため,ライト動作が反復される。一方,ベリファイがパスしたときには,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力するため,適合信号無効化手段3は,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に対してHレベル信号を与える。ここで,データ・プログラム動作が終了する。
【0066】
以上のように,通常モードにセットされたフラッシュメモリ101は,ライト動作を繰り返し,ベリファイがパスした時点でデータ・プログラム動作を終了する。
【0067】
<テストモード>
テストパッドTPをLレベルに設定することによってフラッシュメモリ101はテストモードにセットされる。
【0068】
テストモードにセットされた場合も通常モードにセットされた場合と同様に,ベリファイがパスするまでは,ラッチ回路LCが出力するラッチ適合信号VPLはLレベル(初期値)であるため,NANDゲート5の他方の入力端子とNORゲート9の他方の入力端子はともにインアクティブ状態を維持する。したがって,ベリファイ回路VRのベリファイ開始信号入力端子(VR)には,データ書き込み制御回路WCCが出力するベリファイ開始信号VRに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号が入力され,データ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)には,ベリファイ回路VRが出力するベリファイ終了信号VDONEに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号が入力される。
【0069】
ベリファイの結果が「フェイル」のとき,テストモードにセットされたフラッシュメモリ101は,通常モードにセットされた場合と同様に動作する。すなわち,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)はLレベルに維持され,ライト動作が反復される。
【0070】
一方,ベリファイがパスしたときには,テストモードにセットされたフラッシュメモリ101は,次のように動作する。
【0071】
テストパッドTPがLレベルに調整されているため,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力しても,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)は,適合信号無効化手段3によってLレベルに固定される。したがって,ライト動作が反復される。
【0072】
ラッチ回路LCは,Hレベルの適合信号VPASSを受けてHレベルのラッチ適合信号VPLを出力する。このため,以後NANDゲート5の他方の入力端子とNORゲート9の他方の入力端子はともにアクティブ状態を維持する。
【0073】
上述の通り,テストモードにセットされたフラッシュメモリ101は,一旦ベリファイがパスしても以後ライト動作をその回数が最大書き込み回数に達するまで反復する。ただし,ベリファイがパスした後,データ書き込み制御回路WCCからHレベルのベリファイ開始信号VRが出力されると,NANDゲート5,遅延回路DLC,およびNANDゲート6の動作によって,ノードN13およびデータ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)には,ベリファイ開始信号VRに対して所定の遅延を有する信号が入力される。そして,図6のタイミングチャートに示すように,データ書き込み制御回路WCCは,ベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に入力される信号の立ち上がりエッジに同期して,ベリファイ開始信号VRをHレベル(アクティブ)からLレベル(インアクティブ)に遷移させる。
【0074】
遅延回路DLCの時定数を調整して遅延時間を短く設定すれば,データ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力してすぐにベリファイ終了信号入力端子(VDONE)にベリファイ終了信号VDONEのダミー信号を受けることになる。加えて,データ書き込み制御回路WCCは,適合信号入力端子(VPASS)に適合信号無効化手段3からLレベルの信号を受けている。したがって,データ書き込み制御回路WCCは,極めて短い間Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力した後,速やかにプログラム信号PGを出力することになる。
【0075】
また,一旦ベリファイがパスすると,ラッチ回路LCはラッチ適合信号VPLをHレベルに保持し,ノードN11に接続されたベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)はLレベルに固定される。ベリファイ開始信号入力端子(VR)がLレベルであれば,ベリファイ動作は行われず,ベリファイ回路VCはHレベルの適合信号VPSSを出力しない。したがって,ベリファイがパスした後は,ライト動作のみが繰り返され,ベリファイ動作は省略される。そして,ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達したところで,データ・プログラム動作が終了する。
【0076】
以上のように,第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリ101およびそのデータ・プログラム動作によれば,テストモードに設定された場合,ベリファイがパスした後のデータ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力してすぐにベリファイ終了信号入力端子(VDONE)にベリファイ終了信号VDONEのダミー信号を受けることになる。また,一旦ベリファイがパスしてしまえば,ベリファイ回路VCはベリファイ動作を行うことはない。したがって,ベリファイがパスした後は,ベリファイ動作を伴わないライト動作が短い周期で繰り返されることになり,結果として,テストに要する時間の短縮が実現する。
【0077】
[第2の実施の形態]
本発明の第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ102の構成およびその動作について説明する。
【0078】
フラッシュメモリ102は,図7に示すように,メモリセルMC,データ書き込み制御回路WCC,データ書き込みカウンタ回路WCT,ベリファイ回路VC,適合信号無効化手段3,およびベリファイ動作省略化手段20から構成されている。すなわち,フラッシュメモリ102は,上述のフラッシュメモリ100に対してベリファイ動作省略化手段20が追加された構成を有している。
【0079】
ベリファイ動作省略化手段20は,NORゲート15,16,NANDゲート19,インバータ17,18,および遅延回路DLCから構成されている。
【0080】
NORゲート15の一方の入力端子は,データ書き込み制御回路WCCのベリファイ開始信号出力端子(VR)に接続されている。また,NORゲート15の他方の入力端子は,適合信号無効化手段3に属するテストパッドTPに接続されている。NORゲート15の出力端子は,遅延回路DLCを介してNORゲート16の一方の入力端子に接続されている。この遅延回路DLCは,NORゲート15が出力する信号を所定の時間遅延させた上で,ノードN22を介してNORゲート16の一方の入力端子に与える機能を有する。
【0081】
NORゲート16の他方の入力端子は,インバータ18の出力端子に接続されており,NORゲート16の出力端子は,ノードN23を介してデータ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に接続されている。
【0082】
インバータ18の入力端子は,ベリファイ回路VCのベリファイ終了信号出力端子(VDONE)に接続されている。
【0083】
NANDゲート19の他方の入力端子は,適合信号無効化手段3に属するテストパッドTPに接続されており,このNANDゲート19の出力端子は,インバータ17の入力端子に接続されている。インバータ17の出力端子は,ノードN21を介してベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)に接続されている。
【0084】
以上のように構成されたフラッシュメモリ102のデータ・プログラム動作を,図8のフローチャートおよび図9のタイミングチャートに基づいて説明する。
【0085】
まず,図8のフローチャートを用いて,本実施の形態にかかるデータ・プログラム動作を説明する。
【0086】
フラッシュメモリ102は,データ・プログラム動作を開始するにあたり,まずデータ・イレース(消去)動作を実行し(ステップS21),続いてライト動作を実行する(ステップS22)。
【0087】
ライト動作の後,ライト動作の繰り返し回数がデータ書き込みカウンタ回路WCTに設定されている最大書き込み回数に達しているか否かを判断する(ステップS23)。
【0088】
ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達している場合,データ・プログラム動作を終了する。ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達していない場合,テストパッドTPの論理レベルをチェックする(ステップS24)。
【0089】
テストパッドTPがLレベルに設定されている場合,すなわちフラッシュメモリ102がテストモードに設定されている場合,ベリファイ動作を実行することなく次のライト動作を開始する(ステップS22)。以降,ライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達するまで,ベリファイ動作を行うことなくライト動作のみを反復する(ステップS22,S23,S24のループ)。
【0090】
テストパッドTPがHレベルに設定されている場合,すなわちフラッシュメモリ102が通常モードに設定されている場合,ベリファイ動作を実行し(ステップS25),適合信号VPASSの論理レベルをチェックする(ステップS26)。
【0091】
適合信号VPASSがLレベルの場合,すなわちベリファイの結果が「フェイル(不適合)」である場合,次のライト動作を開始する(ステップS22)。適合信号VPASSがHレベルの場合,すなわちベリファイがパスしている場合,データ・プログラム動作を終了する。
【0092】
次に,図7の回路図および図9のタイミングチャートを用いて,フラッシュメモリ102の通常モード動作およびテストモード動作を説明する。
【0093】
<通常モード>
テストパッドTPをHレベルに設定することによってフラッシュメモリ102は通常モードにセットされる。
【0094】
データ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのプログラム信号PGを出力してメモリセルMCに対するライト動作を行った後,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力する。このベリファイ開始信号VRは,NANDゲート19の一方の入力端子に入力されるとともに,NORゲート15の一方の入力端子に入力される。
【0095】
通常モードの間はテストパッドTPがHレベルに設定されているため,NANDゲート19の他方の入力端子とNORゲート15の他方の入力端子はともにアクティブ状態を維持する。
【0096】
したがって,インバータ17は,データ書き込み制御回路WCCが出力するベリファイ開始信号VRに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号を,ノードN21を介してベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)に与える。
【0097】
また,NORゲート15は,データ書き込み制御回路WCCが出力するベリファイ開始信号VRとは無関係にLレベルの信号を遅延回路DLCに与える。このため,ノードN22に接続されているNORゲート16の一方の入力端子はLレベルに固定される。したがって,NORゲート16は,ベリファイ回路VCが出力するベリファイ終了信号VDONEに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号を,ノードN23を介してデータ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に与える。
【0098】
ベリファイの結果が「フェイル」のとき,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)はLレベルを維持するため,ライト動作が反復される。一方,ベリファイがパスしたときには,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力するため,適合信号無効化手段3は,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)に対してHレベル信号を与える。ここで,データ・プログラム動作が終了する。
【0099】
以上のように,通常モードにセットされたフラッシュメモリ102は,ライト動作を繰り返し,ベリファイがパスした時点でデータ・プログラム動作を終了する。
【0100】
<テストモード>
テストパッドTPをLレベルに設定することによってフラッシュメモリ102はテストモードにセットされる。
【0101】
データ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのプログラム信号PGを出力してメモリセルMCに対するライト動作を行った後,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力する。このベリファイ開始信号VRは,NANDゲート19の一方の入力端子に入力されるとともに,NORゲート15の一方の入力端子に入力される。
【0102】
テストモードの間はテストパッドTPがLレベルに設定されているため,NORゲート15の他方の入力端子はインアクティブ状態を維持する。したがって,データ書き込み制御回路WCCのベリファイ終了信号入力端子(VDONE)には,ノードN23を介して,自らが出力するベリファイ開始信号VRに対して所定の遅延を有する信号が入力される。そして,図9のタイミングチャートに示すように,データ書き込み制御回路WCCは,ベリファイ終了信号入力端子(VDONE)に入力される信号の立ち上がりエッジに同期して,ベリファイ開始信号VRをHレベル(アクティブ)からLレベル(インアクティブ)に遷移させる。
【0103】
遅延回路DLCの時定数を調整して遅延時間を短く設定すれば,データ書き込み制御回路WCCは,Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力してすぐにベリファイ終了信号入力端子(VDONE)にベリファイ終了信号VDONEのダミー信号を受けることになる。加えて,データ書き込み制御回路WCCは,適合信号入力端子(VPASS)に適合信号無効化手段3からLレベルの信号を受けている。したがって,データ書き込み制御回路WCCは,極めて短い間Hレベルのベリファイ開始信号VRを出力した後,速やかにプログラム信号PGを出力することになる。
【0104】
また,テストパッドTPがLレベルに設定されているため,NANDゲート19の他方の入力端子もインアクティブ状態を維持する。したがって,ノードN21およびベリファイ回路VRのベリファイ開始信号入力端子(VR)は,Lレベルに保持される。したがって,テストモードに設定されたフラッシュメモリ102は,一度のベリファイ動作も実行しないまま,所定の最大書き込み回数に達するまでライト動作のみを反復する。
【0105】
以上のように,第2の実施の形態にかかるフラッシュメモリ102およびそのデータ・プログラム動作によれば,テストモードに設定された場合,初めからベリファイ動作を伴わないライト動作が短い周期で繰り返されることになり,第1の実施の形態と比較して,テストに要する時間の一層の短縮が実現する。
【0106】
[第3の実施の形態]
本発明の第3の実施の形態にかかる半導体記憶装置としてのフラッシュメモリ103の構成およびその動作について説明する。
【0107】
フラッシュメモリ103は,図10に示すように,メモリセルMC,データ書き込み制御回路WCC2,データ書き込みカウンタ回路WCT2,ベリファイ回路VC,適合信号無効化手段3,およびベリファイ動作省略化手段10から構成されている。すなわち,フラッシュメモリ103は,第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリ101に対して,データ書き込み制御回路WCCがデータ書き込み制御回路WCC2に置き換えられ,データ書き込みカウンタ回路WCTがデータ書き込みカウンタ回路WCT2に置き換えられた構成を有している。
【0108】
データ書き込み制御回路WCC2は,データ書き込み制御回路WCCに対してゲート・ディスターブ(以下,「GD」と言う)モードセット端子(GD)が追加されており,データ書き込みカウンタ回路WCT2は,データ書き込みカウンタ回路WCTに対してリセット端子(RST)が追加されている。データ書き込み制御回路WCC2のGDモードセット端子(GD)およびデータ書き込みカウンタ回路WCT2のリセット端子(RST)は,ベリファイ回路VCの適合信号出力端子(VPASS)に共通接続されている。
【0109】
以上のように構成されたフラッシュメモリ103は,「GDモード」を備えることになる。このモードに設定された場合,全てのメモリセルMCに対して"1"を書き込む,いわゆる「FFライト動作」が実行される。
【0110】
次に,フラッシュメモリ103のデータ・プログラム動作を,図11のフローチャートおよび図12のタイミングチャートに基づいて説明する。
【0111】
まず,図11のフローチャートを用いて,本実施の形態にかかるデータ・プログラム動作を説明する。
【0112】
フラッシュメモリ103のデータ・プログラム動作におけるステップS31〜S36については,第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリ101のデータ・プログラム動作におけるステップS11〜S16と略同一である。
【0113】
ステップS37においてテストパッドTPの論理レベルをチェックする。テストパッドTPがHレベルに設定されている場合,すなわちフラッシュメモリ103が通常モードに設定されている場合,データ・プログラム動作を終了する。フラッシュメモリ103のデータ・プログラム動作とフラッシュメモリ101のデータ・プログラム動作の相違点は,ステップS37においてテストパッドがLレベルに設定されていると判断した後の動作にある。
【0114】
テストパッドTPがLレベルに設定されると,フラッシュメモリ103はテストモードとなる。そして,ベリファイ回路VCが出力するHレベルの適合信号VPASSによって,データ書き込みカウンタ回路WCT2がリセットされる(ステップS38)。データ書き込みカウンタ回路WCT2は,リセットされることによってそれまでにカウントしてきたライト動作の繰り返し回数をクリアする。また,ベリファイ回路VCが出力するHレベルの適合信号VPASSによって,データ書き込み制御回路WCC2がGDモードにセットされる(ステップS39)。
【0115】
GDモードにセットされたデータ書き込み制御回路WCC2は,全てのメモリセルMCに対してFFライト動作を行う(ステップS40)。これによって各メモリセルMCにはデータ"1"が書き込まれる。このFFライト動作は,データ書き込みカウンタ回路WCT2に設定されている最大書き込み回数(ここでは8回)に達するまで繰り返される。なお,このGDモードに入る前にステップS32におけるライト動作が何回か繰り返されるが,ステップS38においてデータ書き込みカウンタ回路WCT2がリセットされるため,ステップS32におけるライト動作の回数に関わらずステップS40におけるFFライト動作は最大書き込み回数に達するまで繰り返される。
【0116】
FFライト動作の繰り返し回数がデータ書き込みカウンタ回路WCT2に設定されている最大書き込み回数に達したところで,フラッシュメモリ103はデータ・プログラム動作を終了する。
【0117】
ところで,一般的に,各メモリセルMCに対してイレース動作を伴うFFライト動作("1"書き込み動作)が何度も繰り返されると,スレショルド電圧Vtが上昇し過ぎてしまい,デバイスの絶縁膜に過度のストレスが加わってしまうおそれがある。この点,本実施の形態によれば,ステップS40,S41において全てのメモリセルMCに対してイレース動作を伴わないFFライト動作("1"書き込み動作)が繰り返される。FFライト動作とは,具体的には,各メモリセルMCを構成するトランジスタのドレイン,ソース,およびゲートのうち,ゲートにのみ所定の電圧が印加される動作である。このFFライト動作を繰り返し実行することによって,メモリセルMCのスレショルド電圧Vtが上昇した場合であっても,そのメモリセルMCのスレショルド電圧Vtを低下させてデバイスに加わるストレスを軽減させることが可能となる。
【0118】
次に,図10の回路図および図12のタイミングチャートを用いて,フラッシュメモリ103の通常モード動作およびテストモード動作を説明する。
【0119】
<通常モード>
テストパッドTPをHレベルに設定することによってフラッシュメモリ103は通常モードにセットされる。
【0120】
この通常モードにセットされたフラッシュメモリ103は,第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリ101と同様に,ベリファイがパスするまでライト動作を繰り返す。
【0121】
<テストモード>
テストパッドTPをLレベルに設定することによってフラッシュメモリ103はテストモードにセットされる。
【0122】
テストモードにセットされた場合も通常モードにセットされた場合と同様に,ベリファイがパスするまでは,ラッチ回路LCが出力するラッチ適合信号VPLはLレベル(初期値)であるため,NANDゲート5の他方の入力端子とNORゲート9の他方の入力端子はともにインアクティブ状態を維持する。したがって,ベリファイ回路VRのベリファイ開始信号入力端子(VR)には,データ書き込み制御回路WCC2が出力するベリファイ開始信号VRに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号が入力され,データ書き込み制御回路WCC2のベリファイ終了信号入力端子(VDONE)には,ベリファイ回路VRが出力するベリファイ終了信号VDONEに同期し,かつ,その論理レベルに一致する論理レベルを有する信号が入力される。
【0123】
ベリファイの結果が「フェイル」のとき,テストモードにセットされたフラッシュメモリ103は,通常モードにセットされた場合と同様に動作する。すなわち,データ書き込み制御回路WCC2およびデータ書き込みカウンタ回路WCT2の各適合信号入力端子(VPASS)はLレベルを維持するため,ライト動作が反復される。
【0124】
一方,ベリファイがパスしたときには,テストモードにセットされたフラッシュメモリ103は,次のように動作する。
【0125】
テストパッドTPがLレベルに調整されているため,ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力しても,データ書き込み制御回路WCCおよびデータ書き込みカウンタ回路WCTの各適合信号入力端子(VPASS)は,適合信号無効化手段3によってLレベルに固定される。また,この適合信号VPASSの立ち上がりエッジに同期してデータ書き込みカウンタ回路WCT2がリセットされ,データ書き込み制御回路WCC2がGDモードにセットされる。
【0126】
ベリファイ回路VCがHレベルの適合信号VPASSを出力すると,ラッチ回路LCはラッチ適合信号VPLをHレベルに保持するため,NANDゲート5の他方の入力端子とNORゲート9の他方の入力端子はともにアクティブ状態を維持する。したがって,データ書き込み制御回路WCC2からHレベルのベリファイ開始信号VRが出力されると,NANDゲート5,遅延回路DLC,およびNANDゲート6の動作によって,ノードN13およびデータ書き込み制御回路WCC2のベリファイ終了信号入力端子(VDONE)には,ベリファイ開始信号VRに対して所定の遅延を有する信号が入力される。また,ノードN11に接続されたベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)はLレベルに固定される。この結果,ベリファイ動作を伴わないライト動作が速やかに繰り返される。
【0127】
ただし,このテストモードでは,フラッシュメモリ103は自動的にGDモードにセットされる。したがって,各メモリセルMCに対して,FFライト動作を,データ書き込みカウンタ回路WCT2に設定されている最大書き込み回数(ここでは8回)に達するまで繰り返すことになる。なお,上述のように,GDモードにセットされたときには,ベリファイ回路VCのベリファイ開始信号入力端子(VR)は,Lレベルに固定されているため,FFライト動作はベリファイ動作を伴わない。FFライト動作の繰り返し回数が最大書き込み回数に達したところで,データ・プログラム動作が終了する。
【0128】
以上のように,第3の実施の形態にかかるフラッシュメモリ103およびそのデータ・プログラム動作によれば,第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリ101およびそのデータ・プログラム動作と同様の効果が得られる。
【0129】
加えて,第3の実施の形態にかかるフラッシュメモリ103およびそのデータ・プログラム動作は,GDモードを備えている。このモードでは,イレース動作を伴う"1"の書き込み動作が繰り返される。したがって,過度にスレショルド電圧Vtが上昇してしまうおそれのあるメモリセルMCについて,そのスレショルド電圧Vtの上昇を抑制する効果が期待できる。
【0130】
添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる実施の形態に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0131】
例えば,半導体記憶装置としてフラッシュメモリを用いて本発明の実施の形態を説明したが,本発明は,EEPROM等その他の半導体記憶装置にも適用可能である。
【0132】
また,第3の実施の形態にかかるフラッシュメモリ103が備えるデータ書き込み制御回路WCC2およびデータ書き込みカウンタ回路WCT2を第2の実施の形態にかかるフラッシュメモリ102に適用することも可能である。この場合,テストモードに設定されると初めから各メモリセルMCに対してFFライト動作が実行されることになる。
【0133】
【発明の効果】
以上説明したように,本発明によれば,テストモードにおいてデータ・ライト動作を最大回数繰り返す場合であっても,テストにかかる時間を最小限に抑えることが可能となる。また,本発明によれば,各メモリセルのスレショルド電圧を所定値に調整することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】テストモードにおいてデータ・ライト動作を所定回数繰り返すことが可能なフラッシュメモリの構成を示す回路図である。
【図2】図1のフラッシュメモリの動作を示すフローチャートである。
【図3】図1のフラッシュメモリの動作を示すタイミングチャートである。
【図4】本発明の第1の実施の形態にかかるフラッシュメモリの構成を示す回路図である。
【図5】図4のフラッシュメモリの動作を示すフローチャートである。
【図6】図4のフラッシュメモリの動作を示すタイミングチャートである。
【図7】本発明の第2の実施の形態にかかるフラッシュメモリの構成を示す回路図である。
【図8】図7のフラッシュメモリの動作を示すフローチャートである。
【図9】図7のフラッシュメモリの動作を示すタイミングチャートである。
【図10】本発明の第3の実施の形態にかかるフラッシュメモリの構成を示す回路図である。
【図11】図10のフラッシュメモリの動作を示すフローチャートである。
【図12】図10のフラッシュメモリの動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
3:適合信号無効化手段
10,20:ベリファイ動作省略化手段
100,101,102,103:フラッシュメモリ
DLC:遅延回路
DV:データ電圧レベル信号
DVC:データ電圧レベルチェック信号
FAIL:ライト動作不良信号
LC:ラッチ回路
MC:メモリセル
PG:プログラム信号
TP:テストパッド
VC:ベリファイ回路
VDONE:ベリファイ終了信号
VPASS:適合信号
VR:ベリファイ開始信号
WCC,WCC2:データ書き込み制御回路
WCT,WCT2:データ書き込みカウンタ回路
Claims (6)
- データを格納するメモリセルと,
ベリファイ開始信号が入力されると,前記メモリセルに格納されたデータの検証を行い,所望の結果が得られた場合に適合信号を出力するベリファイ回路と,
前記適合信号が入力されるまで前記メモリセルに対するデータ・ライト動作を所定回数反復し,各データ・ライト動作の後,前記ベリファイ開始信号を出力するデータ書き込み制御回路と,
テストモードに設定された場合,前記適合信号を無効化する適合信号無効化手段と,
前記テストモードに設定された場合,前記ベリファイ回路が前記テストモードに設定された後に最初に出力した適合信号を受けると活性化して,以降前記データ書き込み制御回路から出力される前記ベリファイ開始信号を無効化するベリファイ動作省略化手段と,
前記データ書き込み制御回路による前記データ・ライト動作の反復回数をカウントし,当該反復回数に基づいて前記データ・ライト動作の終了を判定するデータ書き込みカウンタ回路と,
を備えたことを特徴とする,半導体記憶装置。 - 前記データ書き込みカウンタ回路は,前記データ書き込み制御回路による前記データ・ライト動作の前記反復回数が所定の最大書き込み回数に達した場合に,前記データ書き込み制御回路にデータ・ライト動作不良信号を出力し,
前記データ書き込み制御回路は,前記データ・ライト動作不良信号を受けると,前記データ・ライト動作を終了することを特徴とする,請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 活性化された前記ベリファイ動作省略化手段は,
前記データ書き込み制御回路から前記ベリファイ開始信号を受けると,前記データ書き込み制御回路に対して,前記ベリファイ開始信号の出力を停止させる信号を与えることを特徴とする,請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記ベリファイ動作省略化手段が活性化した後のメモリセルに対するデータ・ライト動作は,
前記メモリセルを構成するトランジスタのソース,ドレイン,およびゲートのうち,ゲートにのみ電圧を印加することによって実行されるものであることを特徴とする,請求項1,2,または3に記載の半導体記憶装置。 - 以下の通常モードとテストモードを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法。
前記通常モードに設定された場合:
所定回数に達するまで,または,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達するまでデータ・ライト動作とデータ・ベリファイ動作を順番に繰り返し実行する。
前記テストモードに設定された場合:
メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達するまでデータ・ライト動作とデータ・ベリファイ動作を順番に繰り返し実行し,前記メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達した後は,所定回数に達するまでデータ・ライト動作のみを繰り返し実行する。 - 前記テストモードに設定された場合,メモリセルのスレショルド電圧が所定値に達した後に所定回数に達するまで繰り返し実行されるデータ・ライト動作は,
前記メモリセルを構成するトランジスタのソース,ドレイン,およびゲートのうち,ゲートにのみ電圧を印加することによって実行されるものであることを特徴とする,請求項5に記載の半導体記憶装置のデータ書き込み方法。
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