JP4110763B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4110763B2 JP4110763B2 JP2001331411A JP2001331411A JP4110763B2 JP 4110763 B2 JP4110763 B2 JP 4110763B2 JP 2001331411 A JP2001331411 A JP 2001331411A JP 2001331411 A JP2001331411 A JP 2001331411A JP 4110763 B2 JP4110763 B2 JP 4110763B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- carbide single
- reaction vessel
- mixed gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、欠陥の少ない高品質な炭化珪素単結晶を効率良く製造する炭化珪素単結晶の製造方法及びこれに適した炭化珪素単結晶の製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
炭化珪素単結晶は、高耐圧、高電子移動度という特徴を有するため、パワーデバイス用半導体基板として期待されている。炭化珪素単結晶には、一般に昇華法(改良レーリー法)と呼ばれる単結晶成長方法が用いられる。
【0003】
改良レーリー法は、黒鉛製ルツボ内に炭化珪素原料を挿入すると共に、この原料部と対向するように種結晶を配置し、原料部を2200〜2400℃に加熱して昇華ガスを発生させ、原料部より数十〜数百℃低温にした種結晶に再結晶化させることで炭化珪素単結晶を成長させるものである。
【0004】
この改良レーリー法では、炭化珪素単結晶の成長に伴って炭化珪素原料が減少するため、成長させることができる量に限界がある。たとえ、成長途中に原料を追加する手段をとったとしても、SiCが昇華する際にSi/C比が1を超える比で昇華するため、成長中に原料を追加するとルツボ内の昇華ガスの濃度が揺らぎ、結晶を連続的に高品質に作製することの障害となってしまう。
【0005】
一方、CVDによって炭化珪素をエピタキシャル成長させる技術が、特表平11−508531号公報に開示されている。図6はこの技術を用いた製造装置の概略断面図である。図6に示すように、円筒形状のケース100の中央付近に円筒形状のサセプタ101を配置している。このサセプタ101は高純度の黒鉛等からなる。サセプタ101の上端面には種結晶となる炭化珪素単結晶基板102が配置されている。ケース100の外部におけるサセプタ101の外周に相当する位置には、サセプタ101内の気体を加熱するための加熱手段103が配置されている。
【0006】
サセプタ101の周囲は断熱材である多孔質の黒鉛104により充填されている。そして、サセプタ101の下端において、この断熱材(104)によって漏斗状の通路105が形成されている。ケース100の下端には、炭化珪素単結晶の成長に必要なSiやCを含有する混合ガスを供給する混合ガス導入管106が配置されている。また、サセプタ101の上端面には混合ガスが排気される通路107が形成されており、ケース100の上部にはケース100の外部に繋がるガス通路108が形成されている。
【0007】
このような構成の製造装置では、混合ガス導入管106から供給された混合ガスが断熱材(104)により形成された通路105を通ってサセプタ101内に移動し、混合ガスが加熱手段103により加熱されて種結晶102から炭化珪素単結晶としてエピタキシャル成長される。そして、残留した混合ガスは、サセプタ101の上端面の通路107を通り、ケース100の上部に形成された通路108を通って排気される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このCVDによる炭化珪素単結晶の製造では、サセプタ101に導入するガスに、混合ガス導入管106やガス通路105やサセプタ101における内壁からの剥がれによるパーティクルが混入して巻き上げられ、成長結晶に付着・混入して成長結晶の高品質を阻害する。
【0009】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、混合ガスの導入に伴なうパーティクルの混入による不具合を解消して高品質な炭化珪素単結晶を製造することができるようにすることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1〜6に記載の発明によれば、反応容器内において混合ガス導入管からの混合ガスを障害物に当ててガスの流れを変えてから炭化珪素単結晶基板に導くことにより、反応容器内に導入される混合ガス中にパーティクルが混ざっていても障害物によって除外された状態で種結晶に供給でき、高品質な炭化珪素単結晶が製造できる。特に、請求項1、4に記載の発明によれば、パーティクルが除去でき、さらに、原料ガスを均一に種結晶表面に供給することが可能となる。また、請求項2、5に記載の発明によれば、障害物を加熱することにより当該障害物と混合ガスとの間で熱交換して炭化珪素単結晶基板にいたるガスを当該基板温度よりも高くすることにより、原料ガスに含まれるシリコン、炭化珪素等のパーティクルをガス化して成長結晶に取り込まれることを防止することができる。また、請求項3、6に記載の発明では、障害物に形成された堆積物をX線を用いて検出して障害物に堆積した物質を除去することにより、堆積物によりガスを詰まらせることなく流すことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を具体化した実施の形態を図面に従って説明する。
図1には、本実施形態における炭化珪素単結晶の製造装置の概略断面図を示す。
【0018】
図1において、筒形状の真空容器1は、下部容器2と上部容器3からなる。上部容器3の内部と下部容器2の内部とは連通している。下部容器2は、反応容器としてのルツボ4を入れる部位であり、上部容器3は完成した炭化珪素(SiC)を取り出す部位である。
【0019】
上部容器3は、例えばSUS(ステンレス)からなり、その側面には、結晶成長させたSiC単結晶を取り出すための試料取り出し口3aが設けられている。この上部容器3の上端の開口部は、例えばSUSからなる上部蓋材(フランジ)5により塞がれている。上部蓋材5には排気管6が接続されており、排気管6には真空ポンプ(図示せず)が接続されている。この真空ポンプにより真空容器1の中が圧力制御(真空排気)されるようになっている。
【0020】
下部容器2は、例えば石英からなり、下端の開口部が例えばSUSからなる下部蓋材(フランジ)7によって塞がれている。この下部容器2内においてルツボ4が配置され、その周囲は断熱部材8により囲まれている。
【0021】
ルツボ4は有底をなし、かつ上面が開口している。ルツボ4の開口部には台座9が設置され、かつ、ルツボ4と台座9の間には空隙(エアギャップ)が形成されている。この台座9の下面には炭化珪素単結晶基板10が取り付けられている。つまり、台座9は、SiC単結晶基板取り付け台座となっている。そして、この炭化珪素単結晶基板10が種結晶となってルツボ4の内部においてSiC単結晶が成長することとなる。
【0022】
また、このように構成されるルツボ4の材料としては、例えば高温(例えば、2400℃程度)に耐え得る高純度の黒鉛を用いることができる。このような高純度の黒鉛を用いることにより、加熱されたルツボ4から不純物が発生して結晶成長中に結晶内に不純物が取り込まれることを低減することができる。
【0023】
また、前述の台座9は上下方向に延びるシャフト11の下端に固定されている。このシャフト11は回転・上下動機構12に連結され、この機構12によりシャフト11を回転および上下動できるようになっている。つまり、図1の状態からシャフト11の上動により成長したSiCを試料取り出し室まで移動させることができるとともに、上動させた状態から種結晶10を下動させてルツボ4内に移動させることができる。さらに、種結晶10がルツボ4内に配置された状態において成長時にシャフト11を回転させることにより種結晶10を回転させることができるようになっている。
【0024】
一方、ルツボ4の底面には混合ガス導入管13が接続され、混合ガス導入管13はルツボ4の底面において開口している。この混合ガス導入管13からルツボ4内に混合ガスが供給される。この混合ガスとしては、具体的には例えば図2に示すように、モノシラン(Siを含有するガス)とプロパン(Cを含有するガス)とアルゴンを所定の割合で混合したものが使用される。
【0025】
図1において炭化珪素単結晶の成長時の種結晶10の配置高さにおける真空容器1の外周部には誘導コイル(RFコイル)14が巻回され、同コイル14を通電することにより成長時において種結晶10を加熱することができるようになっている。
【0026】
また、ルツボ4の内部での混合ガス導入管13の開口部と台座9(種結晶10)との間には、障害物としての邪魔板20が配置されている。この邪魔板20は円板状をなし、かつ、水平方向に延びるように配置されている。また、種結晶10の中心と混合ガス導入管13の中心と邪魔板20の中心が一致している。さらに、邪魔板20の外径寸法D1と、混合ガス導入管13の内径(ルツボ底面での開口部の内径)D2と、炭化珪素単結晶基板(種結晶)10の外径寸法D3との関係として、D1>D2、D1>D3となっている。つまり、邪魔板20の口径D1が、混合ガス導入管13の口径D2より大きくなっているとともに、邪魔板20の口径D1が、種結晶10の口径D3より大きくなっている。障害物20は、黒鉛を母材として構成しており、その表面は炭化珪素で被覆されている。
【0027】
また、真空容器1の外周部における前記誘導コイル14の下方には誘導コイル(RFコイル)21が巻回され、同コイル21を通電することにより邪魔板20を加熱することができるようになっている。
【0028】
また、真空容器1の外部にはX線を照射する機器30と、X線を受けるイメージ管31が対向して設置されている。X線照射機器30は邪魔板20に向かってX線を照射する。イメージ管31は真空容器1を通過したX線を受け、その強さに応じた信号を出力する。
【0029】
次に、炭化珪素単結晶の製造方法について説明する。
真空容器1内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板10を配置する。そして、混合ガス導入管13から真空容器1(ルツボ4)内に、混合ガス(少なくとも、Siを含有するガスと、Cを含有するガスとを含むガス)を導入する。これにより、図2の炭化珪素単結晶基板10から炭化珪素単結晶15が成長する。つまり、ルツボ4内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板10を配置し、ルツボ4内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、炭化珪素単結晶基板10から炭化珪素単結晶15を成長させる。
【0030】
このとき、図3に示すように、ルツボ4内において混合ガス導入管13からの混合ガスが邪魔板20に当てられてガスの流れが変えられてから炭化珪素単結晶基板10に導かれる。よって、混合ガス導入管13の内部で発生したパーティクル40は邪魔板20に当たり、種結晶10に至ることはない。
【0031】
パーティクルは、例えば、混合ガス中のカーボン成分やシリコン成分、あるいは、SiCが通路内面に付着することにより形成されたものである。
このように、混合ガスをルツボ(反応容器)4内に導入するために用いる混合ガス導入管13の開口部と炭化珪素単結晶基板10の間に、ガスの流れを変化させる邪魔板(障害物)20を設け、ルツボ4内において混合ガス導入管13からの混合ガスを邪魔板20に当ててガスの流れを変えてから炭化珪素単結晶基板10に導くようにした。よって、ルツボ4内に導入される混合ガス中にパーティクルが混ざっていても邪魔板20によって除外された状態で種結晶10に供給でき、高品質な炭化珪素単結晶が製造できる。このようにして、混合ガスの導入に伴なうパーティクルの混入による不具合を解消して高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
【0032】
また、邪魔板20の外径寸法D1が、混合ガス導入管13の内径寸法D2より大きくなっているので、混合ガス導入管13内で巻き上げられたパーティクルを効率よく取り除くことができる。
【0033】
さらに、邪魔板20の外径寸法D1が、炭化珪素単結晶基板(種結晶)10の外径寸法D3より大きくなっているので、種結晶10を邪魔板20が覆うことができ、パーティクルの付着がなく、高品質な炭化珪素単結晶が製造できる。
【0034】
また、邪魔板(障害物)20は、黒鉛を母材として、その表面を炭化珪素で被覆したので、原料ガスに含まれる水素成分によるカーボンのエッチングによるパーティクルの発生を抑制でき、高品質な炭化珪素単結晶が製造できる。
【0035】
一方、図1の回転・上下動機構12により、SiC成長時において炭化珪素単結晶基板10を回転させる。よって、均一に原料ガスを供給することができる。このように本例では、回転・上下動機構12が炭化珪素単結晶基板10を回転させる手段となっている。なお、炭化珪素単結晶基板10を回転させる代わりに邪魔板(障害物)20を回転させる、あるいは、炭化珪素単結晶基板10と邪魔板20の両方を回転させるようにしてもよい。
【0036】
さらに、誘導コイル21により、SiC成長時において邪魔板20を加熱して邪魔板20と混合ガスとの間で熱交換を行わせ、炭化珪素単結晶基板10にいたるガスを基板温度よりも高くする。よって、原料ガスに含まれるシリコン、炭化珪素等のパーティクルをガス化して成長結晶に取り込まれることを防止することができる。このように本例では、誘導コイル21を、邪魔板(障害物)20を加熱して炭化珪素単結晶基板10にいたるガスを基板温度よりも高くする加熱手段として用いている。
【0037】
さらには、SiC成長時においてX線照射機器30から邪魔板20に対しX線を照射してイメージ管31により邪魔板20に形成された堆積物を検出し、その検出結果に基づいて、即ち、堆積物が在ると誘導コイル21による邪魔板20の加熱温度を高くして堆積物をガス化させ除去する。よって、例えば図2において仮想線で示すごとく堆積物Yによりガスを詰まらせることなく流すことができる。このように本例では、X線照射機器30とイメージ管31を、X線を邪魔板20に照射して邪魔板20に形成された堆積物を検出する計測機器として用いるとともに、誘導コイル21を、計測機器(30,31)による堆積物の検出結果に基づいて堆積物を加熱してガス化させて除去する堆積物除去装置として用いている。
【0038】
以下、応用例を説明する。
図1における邪魔板は円板状であったが、これに代わり、図4に示すように障害物50として、混合ガス導入管13から炭化珪素単結晶基板10へ向かう混合ガスの流れ方向に対し斜めにぶつかるようにしてもよい。このようにすることにより、パーティクルは障害物50で除去でき、かつ、図4に示すごとく左右にガス流が分かれるように多数の斜状のガス接触部50a,50b,…を具備する構成とすることにより、原料ガスを種結晶表面に均一に供給することができる。
【0039】
あるいは、図5に示すように、障害物として、複数の透孔60aが形成された板60と複数の透孔61aが形成された板61をガスの流れ方向において離間して並設し、両方の板60,61における透孔60a,61aの位置を流れ方向においてズラす。そして、上流側の板61での透孔61aを通過したガス流が下流側の板60に当たり、下流側の板60に形成した透孔60aを通して種結晶10に向かうようにする。このようにしても、パーティクルが除去でき、原料ガスを均一に種結晶表面に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態における炭化珪素単結晶の製造装置の縦断面図。
【図2】製造工程を説明するための縦断面図。
【図3】製造工程を説明するための縦断面図。
【図4】別例の炭化珪素単結晶の製造装置の縦断面図。
【図5】別例の炭化珪素単結晶の製造装置の縦断面図。
【図6】従来技術を説明するための断面図。
【符号の説明】
4…ルツボ、10…炭化珪素単結晶基板、12…回転・上下動機構、13…混合ガス導入管、15…炭化珪素単結晶、20…邪魔板、21…誘導コイル、30…X線照射機器、31…イメージ管、50…障害物、60…板、60a…透孔、61…板、61a…透孔。
Claims (6)
- 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記反応容器(4)内において、障害物(20)として、複数の透孔(60a,61a)が形成された板をガスの流れ方向において離間して並設し、当該障害物(20)に、混合ガス導入管(13)からの混合ガスを当ててガスの流れを変えてから前記炭化珪素単結晶基板(10)に導くようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記反応容器(4)内において混合ガス導入管(13)からの混合ガスを障害物(20)に当ててガスの流れを変えてから前記炭化珪素単結晶基板(10)に導くようにし、かつ、前記障害物(20)を加熱することにより当該障害物(20)と混合ガスとの間で熱交換して炭化珪素単結晶基板(10)にいたるガスを当該基板温度よりも高くするようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記反応容器(4)内において混合ガス導入管(13)からの混合ガスを障害物(20)に当ててガスの流れを変えてから前記炭化珪素単結晶基板(10)に導くとともに、前記障害物(20)に形成された堆積物をX線により検出し、その検出結果に基づいて当該堆積物をガス化させ除去するようにしたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させるための炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記混合ガスを前記反応容器(4)内に導入するために用いる混合ガス導入管(13)の開口部と前記炭化珪素単結晶基板(10)の間で、かつ、前記反応容器(4)内に、複数の透孔(60a,61a)が形成された板をガスの流れ方向において離間して並設してなり、ガスの流れを変化させる障害物(20)を設けたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させるための炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記混合ガスを前記反応容器(4)内に導入するために用いる混合ガス導入管(13)の開口部と前記炭化珪素単結晶基板(10)の間で、かつ、前記反応容器(4)内に設けられ、ガスの流れを変化させる障害物(20)と、
前記障害物(20)を加熱して、炭化珪素単結晶基板(10)にいたるガスを当該基板温度よりも高くする加熱手段(21)と、
を備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、Siを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(15)を成長させるための炭化珪素単結晶の製造装置であって、
前記混合ガスを前記反応容器(4)内に導入するために用いる混合ガス導入管(13) の開口部と前記炭化珪素単結晶基板(10)の間で、かつ、前記反応容器(4)内に設けられ、ガスの流れを変化させる障害物(20)と、
X線を前記障害物(20)に照射して当該障害物(20)に形成された堆積物を検出する計測機器(30,31)と、
前記計測機器(30,31)による堆積物の検出結果に基づいて当該堆積物をガス化させ除去する堆積物除去装置(21)と、
を備えたことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001331411A JP4110763B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001331411A JP4110763B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003137695A JP2003137695A (ja) | 2003-05-14 |
JP4110763B2 true JP4110763B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=19146994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001331411A Expired - Lifetime JP4110763B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4110763B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5332916B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2013-11-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP2011178590A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Showa Denko Kk | 成分調整部材及びそれを備えた単結晶成長装置 |
KR101202425B1 (ko) | 2010-12-28 | 2012-11-16 | 한국세라믹기술원 | 실리콘카바이드 코팅 장치 |
JP5900238B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-04-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001331411A patent/JP4110763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003137695A (ja) | 2003-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI665343B (zh) | 使用矽碳化物晶種來生產大塊矽碳化物的方法和器具 | |
US6336971B1 (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal | |
JPH0834187B2 (ja) | サセプタ | |
EP2431505B1 (en) | Equipment for manufacturing silicon carbide single crystal | |
JP4329282B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
EP1026290A1 (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide single crystal | |
JP4604728B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP4110763B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JPH07235501A (ja) | 結晶成長装置 | |
JP3941727B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP3922074B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP4597285B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP2003234296A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2004339029A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2008074653A (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造装置 | |
JP2003183098A (ja) | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶の製造装置 | |
JP3855732B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5831339B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JPS59149020A (ja) | 縦型反応炉 | |
JP4293109B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP5900238B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JPH05117074A (ja) | 半導体単結晶製造方法および製造装置 | |
JP3110978B2 (ja) | 気相成長装置用発熱体 | |
JPH07223894A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
CN220579386U (zh) | 一种气相沉积设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061020 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4110763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |