JP4080488B2 - A/d変換器 - Google Patents

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Description

この発明は、アナログ入力電圧を複数ビットのデジタル信号に変換して出力するA/D変換器に関するものである。
種々の電子機器に搭載されるA/D変換器は、電源電圧の低電圧化にともない、出力信号を多ビット化して分解能を向上させることが困難となっている。そこで、入力電圧を電流に変換し、その電流を基準電流と比較することによりA/D変換を行う電流モード型A/D変換器が提案されている。このような電流モード型A/D変換器では、多ビット化につれて、入力電圧に対応する電流を多数の比較器にそれぞれ供給する必要があるため、消費電流が増大する。従って、電流モード型A/D変換器において、分解能の向上を図りながら、消費電流の低減を図ることが必要となっている。
アナログ入力電圧をデジタル信号に変換するA/D変換器では、電源電圧の低電圧化と、出力信号の高分解能化(多ビット化)に基づいて、多数の比較器に供給する基準電圧の電位差が益々微細化されている。例えば、10ビットのデジタル出力信号を得るためには、電源電圧を1024分割した基準電圧が必要となり、電源電圧が低い場合には、この基準電圧を生成することが困難となっている。
そこで、アナログ入力電圧を電流値に変換して多数の比較器で基準電流と比較する電流モード型A/D変換器が提案されている。
このような電流モード型A/D変換器では、電源電圧を多分割した基準電圧を用意する必要はないので、電源電圧が低電圧化されても、A/D変換動作の高分解能化すなわち出力信号の多ビット化に対応することが容易である。
特許文献1には、直並列A/D変換器において、上位側のA/D変換処理を電圧比較により行い、下位側のA/D変換処理を電流比較により行うことにより、電源電圧の低電圧に対応可能とした構成が開示されている。
また、特許文献2には本発明の電流モード型A/D変換器で使用する電流−電圧変換回路に類似する回路が開示されている。
特開平8−79078号公報 特開平9−98033号公報
上記のような電流モード型A/D変換器では、多数の比較器でアナログ入力電圧に対応する電流と、基準電流とを比較するために、各比較器に対しアナログ入力電圧に対応する電流をそれぞれ供給する必要がある。すなわち、比較器の数に応じた電流生成回路を備え、各比較器に同一電流を供給する必要がある。
従って、出力信号の多ビット化、高分解能化にともなって比較器の数が増大すると、電流生成回路の数も増大し、消費電流が増大するという問題点がある。
また、多数の比較器に対し、アナログ入力電圧に応じた同一電流を精度よく供給することも困難である。
この発明の目的は、分解能の向上を図りながら、消費電流を低減し得る電流モード型A/D変換器を提供することにある。
上記目的は、入力電圧をサンプリングして電流に変換するV/I変換回路と、前記V/I変換回路から出力される電流を電圧に変換した比較電圧を生成し、該比較電圧を複数の比較器に出力するI/V変換回路と、前記比較器は、前記比較電圧に基づく電流と基準電流との比較動作を行うことと、前記比較器の出力信号に基づいてデジタル出力信号を生成するエンコーダとを備えたA/D変換器により達成される。
本発明によれば、分解能の向上を図りながら、消費電流を低減し得る電流モード型A/D変換器を提供することができる。
(第一の実施の形態)
以下、この発明を具体化した第一の実施の形態を図面に従って説明する。図1は、電流モード型A/D変換器の概要を示す。差動入力電圧として入力されるアナログ入力電圧IP,IMは、V/I変換回路1に入力され、V/I変換回路1は差動入力電圧IP,IMを電流IsinkP,IsinkMに変換してI/V変換回路2a,2bにそれぞれ出力する。
I/V変換回路2a,2bは、電流IsinkP,IsinkMをそれぞれ比較電圧VRP,VRMに変換して出力する。そして、比較電圧VRP,VRMは多数の比較器3にそれぞれ入力され、比較器3は比較電圧VRP,VRMに基づく電流と基準電流Irefとを比較し、その比較結果をエンコーダ4に出力する。
エンコーダ4は、多数の比較器3の出力信号を2進信号に変換してデジタル出力信号Doutを出力する。
前記V/I変換回路1の具体的構成を図2に従って説明する。このV/I変換回路1は、入力電圧IP,IMに対しそれぞれ同一の変換部5a,5bで構成され、両変換部5a,5bの対応するノードN1,N2が基準抵抗Rrefを介して接続されている。
変換部5aでは、入力電圧IPがPチャネルMOSトランジスタTr1のゲートに入力され、対となるPチャネルMOSトランジスタTr2のゲートがノードN1に接続される。そして、トランジスタTr1,Tr2のソースに電流源6aからバイアス電流が供給される。
前記トランジスタTr1,Tr2のドレインはNチャネルMOSトランジスタTr3,Tr4のドレインにそれぞれ接続され、両トランジスタTr3,Tr4のゲートは互いに接続されるとともに前記トランジスタTr1のドレインに接続される。そして、トランジスタTr3,Tr4のソースがグランドGNDに接続されて、トランジスタTr3,Tr4によりカレントミラー回路が構成される。
前記トランジスタTr2のドレインは、NチャネルMOSトランジスタTr5のゲートに接続され、同トランジスタTr5のドレインは前記ノードN1に接続され、ソースはグランドGNDに接続される。前記ノードN1には電流源6bから定電流が供給される。
また、前記トランジスタTr2のドレインはスイッチ回路7を介してNチャネルMOSトランジスタTr6のゲートに接続され、同トランジスタTr6のゲートは容量8を介してグランドGNDに接続されている。そして、トランジスタTr6のソースがグランドGNDに接続され、前記電流IsinkPをドレイン電流として出力する。
スイッチ回路7は、所定のサンプリング周期で所定時間導通状態となって、トランジスタTr2のドレイン電流を容量8に供給する。従って、容量8では入力電圧IPに基づく電圧がホールドされる。変換部5bは変換部5bと同一構成であり、変換部5a,5bのサンプリング・ホールドタイミングは同位相である。
このように構成されたV/I変換回路1の変換部5aでは、入力電圧IPの入力に基づいて、トランジスタTr1,Tr2に同一電流が流れ、かつトランジスタTr2のドレイン電圧に基づくトランジスタTr5のドレイン電流に基づいて、ノードN1が入力電圧IPと同一電圧となるような増幅動作を行う。
そして、トランジスタTr2のドレイン電圧が容量8にホールドされ、容量8のホールド電圧に基づくドレイン電流IsinkPがトランジスタTr6に流れる。従って、変換部5aでは入力電圧IPが電流IsinkPに変換される。変換部5bにおいても同様に動作し、入力電圧IMが電流IsinkMに変換される。
また、入力電圧IPが同IMより高いとき、その電位差に基づく電流がノードN1から基準抵抗Rrefを介してノードN2に向かって流れ、入力電圧IMが同IPより高いとき、その電位差に基づく電流がノードN2から基準抵抗Rrefを介してノードN1に向かって流れる。
このように構成されたV/I変換回路1では、図8に示すように、入力電圧IP,IMの電位差であるΔVinの変動に基づいて電流IsinkP,IsinkMが変動する。すなわち、入力電圧IP,IMが同電位であれば、電流IsinkP,IsinkMは同一電流であり、入力電圧IPが同IMより高くなれば、電流IsinkPが同IsinkMより大きくなり、入力電圧IMが同IPより高くなれば、電流IsinkMが同IsinkPより大きくなる。
図3(a)(b)は、前記I/V変換回路2a,2bを示す。I/V変換回路2aについて説明すると、NチャネルMOSトランジスタTr7のドレインは電源Vccに接続され、ソースは定電流源6cに接続されている。前記トランジスタTr7のゲートは、トランジスタTr8のドレインに接続されるとともに、電流源6dに接続される。
前記トランジスタTr8のソースはグランドGNDに接続され、ゲートは抵抗R1を介して前記トランジスタTr7のソースに接続される。そして、前記トランジスタTr8のゲートに前記V/I変換回路1の変換部5aの出力電流IsinkPが供給される。
I/V変換回路2bは、トランジスタTr9,Tr10、電流源6e,6f及び抵抗R2により、I/V変換回路2aと同様に構成され、トランジスタTr10のゲートに前記V/I変換回路1の変換部5bの出力電流IsinkMが供給される。
I/V変換回路2aの動作を図4に従って説明する。図4は図3(a)の構成から抵抗R1を省略したものである。同図において、トランジスタTr8は定ドレイン電流で駆動されているため、ゲート・ソース間電圧Vgs8は定電圧となる。従って、トランジスタTr8のゲート電圧は一定となり、電流IsinkPの供給端子は定電圧となる。
電流IsinkPが0であるとき、トランジスタTr7のソースには電流源6cによる定電流が流れているので、ゲート・ソース間電圧Vgs7は定電圧となる。従って、トランジスタTr8のドレインから出力される比較電圧VRPは、Vgs8+Vgs7となり定電圧となる。
電流IsinkPが0でない場合には、トランジスタTr7のドレイン電流は電流IsinkPと電流源6cによる定電流との和となり、電流IsinkPの変化に基づいてゲート・ソース間電圧Vgs7が変化する。このゲート・ソース間電圧Vgs7の変化は、電流IsinkPの変化に対しリニアであることが望ましいが、後段の回路と相関がとれていれば、リニアである必要はない。
このような動作により、比較電圧VRPは電流IsinkPに基づいて変化し、電流−電圧変換が行われる。
図3(a)に示すように、抵抗R1が介在されると、抵抗R1に電流IsinkPが流れるため、電流IsinkPによる比較電圧VRPの変化は抵抗R1の電圧降下分上積みされる。
このような動作により、I/V変換回路2aでは電流IsinkPの変化を電圧に変換可能であり、電流IsinkPの供給ノードであるトランジスタTr8のゲート電圧は、電流IsinkPの変化に関わらず定電圧であり、比較電圧VRPは電流IsinkPの変化に基づいてほぼリニアに変化する。
I/V変換回路2bの動作も同2aと同様であり、電流IsinkMを比較電圧VRMに変換する。
このように構成されたI/V変換回路2a,2bでは、図9に示すように、入力電圧IP,IMの電位差であるΔVinの変動、すなわち電流IsinkP,IsinkMの変動に基づいて比較電圧VRP,VRMが変動する。すなわち、入力電圧IP,IMが同電位であれば、比較電圧VRP,VRMは同電位であり、入力電圧IPが同IMより高くなれば、比較電圧VRPが同VRMより高くなり、入力電圧IMが同IPより高くなれば、比較電圧VRMが同VRPより高くなる。
前記比較電圧VRP,VRMは多数の前記比較器3に入力され、各比較器3は比較電圧VRP,VRMと比較電流とに基づいて比較動作を行う。図5において各比較器3の動作を説明する。同図において、左半分は前記I/V変換回路2aを示し、右半分を構成するトランジスタTr11,Tr12、抵抗R3、電流源6gはI/V変換回路2aと同様な構成であり、トランジスタTr12のゲートに基準電流Irefを供給する電流源9が接続される。そして、トランジスタTr11のゲートに前記比較電圧VRPが供給される。
このような構成において、トランジスタTr7とトランジスタTr11、トランジスタTr8とトランジスタTr12が同一サイズで、抵抗R1,R3が同一抵抗値で、電流源6c,6gが同一電流を供給するものとする。すると、トランジスタTr7,Tr11のゲートに比較電圧VRPが供給されていることから、電流IsinkPと基準電流Irefとが同一であるとき、トランジスタTr8,Tr12のドレイン電流、すなわち電流源6dの供給電流と出力電流Ioutとは同一となる。
従って、電流IsinkPが基準電流Irefより大きくなるにつれて出力電流Ioutが増大し、電流IsinkPが基準電流Irefより小さくなるにつれて出力電流Ioutが減少する。このような動作により、比較電圧VRPを介して、電流IsinkPと基準電流Irefとの電流比較を行う。トランジスタTr11,Tr12は、比較電圧VRPを電流に変換する電流変換部として動作し、かつ電流IsinkPと基準電流Irefとを比較する比較部として動作する。
図6は、前記比較器3の具体的構成を示す。同図において、トランジスタTr11,Tr12、抵抗R3、電流源6g,9aは、図5に示す構成と同様であり、トランジスタTr15,Tr16、抵抗R4、電流源6h,9bは、比較電圧VRMに対し同様な回路が構成されている。
すなわち、比較電圧VRPがトランジスタTr11のゲートに入力され、同トランジスタTr11のドレインは電源Vccに接続され、ソースには電流源6gが接続されて、ソースからグランドGNDに定電流が流れる。
トランジスタTr11のソースは抵抗R3を介してトランジスタTr12のゲートに接続され、同トランジスタTr12のソースはグランドGNDに接続される。そして、トランジスタTr12のゲートに電流源9aが接続されて、トランジスタTr11のソースから抵抗R3を経てグランドGNDに基準電流Iref1が流れる。
前記トランジスタTr12のドレインはPチャネルMOSトランジスタTr13を介して電源Vccに接続され、同トランジスタTr13のゲートはPチャネルMOSトランジスタTr14のゲート及びトランジスタTr12のドレインに接続される。
前記トランジスタTr14のドレインは電源Vccに接続される。従って、トランジスタTr13,Tr14でカレントミラー回路が構成される。
比較電圧VRMはトランジスタTr15のゲートに入力され、同トランジスタTr15のドレインは電源Vccに接続され、ソースには電流源6hが接続されて、ソースからグランドGNDに定電流が流れる。
トランジスタTr15のソースは抵抗R4を介してトランジスタTr16のゲートに接続され、同トランジスタTr16のソースはグランドGNDに接続される。そして、トランジスタTr16のゲートに電流源9bが接続されて、トランジスタTr15のソースから抵抗R4を経てグランドGNDに基準電流Iref2が流れる。
前記トランジスタTr16のドレインは前記トランジスタTr14のドレインに接続され、同トランジスタTr16,Tr14のドレインから出力信号Voutが出力される。
前記基準電流Iref1,Iref2は、各比較器3においてそれぞれ異なる電流値が設定される。図1においては便宜的に5個の比較器3を示しているが、例えば10ビットのA/D変換器を構成する場合には、1024個の比較器C1〜C1024が使用される。そして、各比較器C1〜C1024の基準電流Iref2は、図7に示すように、1024通りの基準電流がその電流値の高いものから低いものに向かって順次供給され、基準電流Iref1は、1024通りの基準電流がその電流値の低いものから高いものに向かって順次供給される。
このように構成された比較器3では、比較電圧VRP,VRMの電位差すなわち電流IsinkP,IsinkMの電流値の差と、基準電流Iref1,Iref2に基づいて、Hレベル若しくはLレベルのいずれかの出力信号Voutが出力される。そして、1024個の比較器C1〜C1024が使用されている場合には、電流IsinkP,IsinkMの電流値の差が増大するにつれて、Hレベルの出力信号を出力する比較器の数が比較器C1から同C1024に向かって徐々に増大する。
前記比較器3の出力信号は前記エンコーダ4に出力され、エンコーダ4は各比較器3の出力信号をデジタル2進信号に変換して出力する。
このように構成されたA/D変換器では、入力電圧IP,IMの電位差がV/I変換回路1により、電流IsinkP,IsinkMに変換され、その電流IsinkP,IsinkMがI/V変換回路2a,2bで比較電圧VRP,VRMに変換される。
そして、比較電圧VRP,VRMが多数の比較器3に入力され、各比較器3では比較電圧VRP,VRMに基づいて、電流IsinkP,IsinkMと基準電流Iref1,Iref2との比較動作が行われる。そして、各比較器3の出力信号がエンコーダ4に出力され、エンコーダ4からデジタル出力信号が出力される。
上記のようなA/D変換回路では、次に示す作用効果を得ることができる。
(1)多数の比較器3において、基準電流Iref1,Iref2と、入力電圧IP,IMを変換した電流IsinkP,IsinkMとの比較動作を行うので、電源電圧の低電圧化に関わらず、各比較器3に供給する基準電流の差を十分に確保することも容易である。従って、A/D変換精度を向上させることができる。
(2)入力電圧IP,IMを電流IsinkP,IsinkMに変換し、その電流IsinkP,IsinkMを再度比較電圧VRP,VRMに変換し、その比較電圧を各比較器3に供給するようにした。従って、多数の比較器3に入力電圧IP,IMに基づく電流を供給する必要がないので、入力電圧IP,IMに基づく比較対象値を入力するために要する消費電流を低減することができる。また、各比較器3に同一電流を供給することに比して、各比較器3に同一電圧を供給することは容易である。
(3)各比較器3では、比較電圧VRP,VRMの入力に基づいて、電流IsinkP,IsinkMと基準電流Iref1,Iref2との電流比較を行うことができる。
(4)V/I変換回路1で電流IsinkP,IsinkMを出力するトランジスタの出力端子を、I/V変換回路2a,2bのトランジスタTr8,Tr10のゲートに接続したことにより、V/I変換回路1の出力端子の接続ノードを定電圧とすることができる。従って、出力端子の電圧変動による電流IsinkP,IsinkMの変動を防止することができる。
(5)I/V変換回路2a,2bでは、電流IsinkP,IsinkMの変動に基づいて、比較電圧VRP,VRMをリニアに変化させることができる。
(第二の実施の形態)
図10は、第二の実施の形態を示す。この実施の形態は、第一の実施の形態の電流モード型A/D変換器で、直並列A/D変換器に類似する動作を行う構成としたものである。
図10に示す電流モード型A/D変換器は、図1に示す第一の実施の形態の構成にフィルタ電流源11a,11bを加え、I/V変換回路12a,12b及びエンコーダ13の構成を変更したものであり、その他の構成は、第一の実施の形態と同様である。第一の実施の形態と同一構成部分は、同一符号を付して説明する。
この電流モード型A/D変換器は、入力電圧IP,IMの1回のサンプリングに対し、2ステップの変換動作でデジタル出力信号を生成し、エンコーダ13は1回目の変換結果に基づいてフィルタ電流源11a,11bに制御信号cs1,cs2を出力する。
フィルタ電流源11a,11bは、制御信号cs1,cs2に基づいて、V/I変換回路1からI/V変換回路12a,12bに供給される電流IsinkP,IsinkMを一部相殺する制御電流Icp,Icmを出力する。すなわち、I/V変換回路12a,12bに供給される電流IsinkP,IsinkMを制限し、その制限された範囲における電流IsinkP,IsinkMを比較電圧VRP,VRMに変換する。図11は、制御電流Icpの付加により、電流IsinkPの範囲を制限する動作を示す。
図12は、I/V変換回路12aの具体的構成を示す。このI/V変換回路12aは、図3(a)に示すI/V変換回路2aのトランジスタTr7、抵抗R1、電流源6cの構成と同一構成の回路を3組並列に付加したものである。
すなわち、NチャネルMOSトランジスタTr21〜Tr23のドレインが電源Vccに接続され、各トランジスタTr21〜Tr23のソースは電流源14a〜14cにそれぞれ接続される。また、各トランジスタTr21〜Tr23のゲートは、スイッチ回路SW1を介して、トランジスタTr7のゲートに接続され、各トランジスタTr21〜Tr23のソースは、それぞれ抵抗R11〜R13及びスイッチ回路SW2を介してトランジスタTr8のゲートに接続される。
トランジスタTr21〜Tr23のサイズは、トランジスタTr7と同一であり、抵抗R11〜R13は抵抗R1と同一抵抗値であり、電流源14a〜14cは、電流源6cと同一電流を供給する。
前記スイッチ回路SW1,SW2は、前記エンコーダ13から出力される制御信号Xに基づいて制御され、上記2ステップの変換動作において、第一のステップでオン(導通)され、第二のステップでオフ(不導通)される。
このような構成により感度変更手段が構成され、スイッチ回路SW1,SW2がオン状態からオフ状態となると、抵抗R1に流れる電流は4倍となり、トランジスタTr7のゲート・ソース間電圧の変動も4倍となる。従って、I/V変換回路12aはスイッチ回路SW1,SW2のオフにより、電流IsinkPの変化に対し感度がほぼ4倍に向上し、比較電圧VRPの変動範囲はほぼ4倍となる。I/V変換回路12bも同様な構成である。
このように構成されたA/D変換器では、第一のステップにおいて、入力電圧IP,IMのサンプリングに基づいて、スイッチ回路SW1,SW2をオン状態とし、前記第一の実施の形態と同様な変換動作を行う。
次いで、第二のステップにおいて、第一のステップの比較結果に基づくエンコーダ13の制御信号cs1,cs2によりフィルタ電流源11a,11bを動作させ、I/V変換回路12a,12bに供給される電流IsinkP,IsinkMを制限する。
この状態でスイッチ回路SW1,SW2をオフ状態とすることにより、I/V変換回路12a,12bの感度を引き上げた状態でI/V変換回路12a,12bから出力される比較電圧VRP,VRMにより、各比較器3で比較動作を行う。
そして、エンコーダ13は第一及び第二のステップの変換結果を合成して、デジタル出力信号として出力する。
上記のように構成されたA/D変換器では、前記第一の実施の形態で得られた作用効果に加えて、次に示す作用効果を得ることができる。
(1)複数ステップの変換動作により、分解能を向上させることができる。
(2)複数ステップの変換動作により、比較器3の数を削減しても分解能を維持することができる。また、比較器3の数を削減することにより、消費電力の低減を図ることができる。
上記実施の形態は、次に示すように変更してもよい。
・I/V変換回路は電流方向を逆転させることにより、NチャネルMOSトランジスタに代えてPチャネルMOSトランジスタを使用することもできる。
・第二の実施の形態において、第一及び第二のステップに続いて、さらに変換感度を向上させて第三のステップを行ってもよい。
第一の実施の形態を示す回路図である。 V/I変換回路を示す回路図である。 (a)(b)はI/V変換回路を示す回路図である。 I/V変換回路の基本回路を示す回路図である。 比較器の基本動作を示す回路図である。 比較器を示す回路図である。 比較器に供給する基準電流を示す説明図である。 V/I変換回路の動作を示す説明図である。 I/V変換回路の動作を示す説明図である。 第二の実施の形態を示す回路図である。 フィルタ電流源の動作を示す説明図である。 I/V変換回路を示す回路図である。
符号の説明
1 V/I変換回路
2a,2b,12a,12b I/V変換回路
3 比較器
4,13 エンコーダ
IP,IM 入力電圧
IsinkM,IsinkP 電流
VRP,VRM 比較電圧
Iref1,Iref2 基準電流
Dout デジタル出力信号

Claims (7)

  1. 入力電圧をサンプリングして電流に変換するV/I変換回路と、
    前記V/I変換回路から出力される電流を電圧に変換した比較電圧を生成し、該比較電圧を複数の比較器に出力するI/V変換回路と、
    前記比較器は、前記比較電圧に基づく電流と基準電流との比較動作を行うことと、
    前記比較器の出力信号に基づいてデジタル出力信号を生成するエンコーダと
    を備えたことを特徴とするA/D変換器。
  2. 前記比較器は、
    前記比較電圧を電流に変換する電流変換部と、
    前記電流変換部で生成された電流と基準電流とを比較する比較部と
    を備えたことを特徴とする請求項1記載のA/D変換器。
  3. 前記V/I変換回路の電流出力ノードは、MOSトランジスタのドレインとし、前記I/V変換回路の電流入力ノードは、定ドレイン電流で駆動されるトランジスタのゲートとしたことを特徴とする請求項1又は2記載のA/D変換器。
  4. 前記I/V変換回路は、前記V/I変換回路から供給される電流を抵抗に流し、該抵抗で発生する電圧降下をMOSトランジスタのソースに供給して該MOSトランジスタのゲートから前記比較電圧として出力することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のA/D変換器。
  5. 前記エンコーダは、前記入力電圧の1回のサンプリングに対し、前記比較器の第一及び第二のステップの比較結果に基づいてデジタル出力信号を合成することと、
    前記第二のステップにおいて前記I/V変換回路に入力される電流を制限するフィルタ電流源と
    を備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のA/D変換器。
  6. 前記I/V変換回路は、前記第二のステップにおいて、前記電流の入力感度を引き上げる感度変更手段を備えたことを特徴とする請求項5記載のA/D変換器。
  7. 前記感度変更手段は、前記電流を流す抵抗の数を変更することにより、第二のステップにおいて前記電流の変化に対する比較電圧の変化を増幅することを特徴とする請求項6記載のA/D変換器。
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