JP4061373B2 - オゾン発生装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気体プラズマ放電によるオゾン発生装置に関し、特に、民生用の脱臭、殺菌、防かび、油性成分の分解等などに用いるオゾン発生装置に関する。
【０００２】
【０００３】
【従来の技術】
オゾン発生装置は、従来より種々のタイプがあるが、その中で、両端を封じてガスを封入したガラス管の一端部のみに電極の設けられた２本の単電極ガス封入ガラス放電管を、上記電極位置が互いに逆向きにして略平行に並設し、その２本の電極に高周波電圧を印加することでオゾンを発生する装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２６４４９７３号公報（第１〜３頁、図４）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者等は、前述のような従来のオゾン発生装置の改良をなし、その好適な実施例として、図１、図２のようなオゾン発生装置を提案し、これら技術は特願２００２−２９５６５４号としてすでに特許出願されている。
【０００６】
その改良例を、先ず図１に従って説明すると、両端を封じてガスを封入したガラス管１、２の一端部のみに電極３、４の設けられた２本の単電極ガス封入ガラス放電管５、６を図示のように略平行に近接して並設し、それぞれの電極引き出し部７、８をブッシングで９、１０を介して引き出し、両電極３、４に高周波電圧を印加する装置である。なお図１において、１１、１２は放電管５、６を並設するための結束バンドである。
【０００７】
又、別の改良例として、図２に示すようなオゾン発生装置も提案した。図２において、８１はオゾンに侵されない塩化ビニール、フッ素系樹脂、ＡＣＳ（商品名）等の材質からなる絶縁板体で、左右端部に中空箱部８２、８３を立設している。８４、８５はガスを封入したガラス管の一端部のみに電極８６、８７が設けられた２本の単極型ガス封入放電管であり、上記電極８６、８７が設けられたそれぞれの端部、即ち電極引き出し部８６´、８７´を上記中空箱部の壁部８８、８９に設けられた溝又は孔９０、９１を経て上記中空箱部８２、８３内に他方の無電極側端部９２、９３は上記中空箱部８２、８３の外に位置するように配置している。
【０００８】
最近、上記改良例を用いて比較的少量のオゾンによる室内用の防臭装置や車載用の防臭装置を実用化してきた。この様な装置においては電源よりの消費電力を出来る限り少なくすることが求められ、特に車載用の装置にあっては、電源が自動車の蓄電池から供給されることから、省電力設計が求められる。また、比較的多量のオゾンによる、商業ベースでの厨房等で使用されるオイル分解には多量のオゾンを効率よく発生させる必要があった。
【０００９】
本発明は上記に鑑みてなされたもので、上記改良例における放電管５、６、又は８４、８５の内部に封入されるガス圧とオゾン発生量の関連に着目し、必要オゾン量に対して最も効率の良いガス圧を設定するものである。さらには上記オゾン発生に適した高効率な放電管を最適な状態で、駆動する電気回路との組み合わせを提案するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明請求項１の発明は、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管の上記電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲するとともに、上記２本の放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置であり、オゾン発生効率の良い装置を提供する。
【００１１】
又、請求項２の発明は、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管の上記電極の引き出し部側のそれぞれを、一方に上記放電管外径と略同一径の貫通孔と他方に上記電極の引き出し部と略同一径の貫通孔を有するブッシングによって被覆するとともに、上記２本の放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置であり、極めて実用的な構造であってオゾン発生効率の良い装置を提供する。
【００１２】
又、請求項３の発明は、絶縁板体の左右端部に絶縁体よりなる中空箱部を立設し、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記電極が設けられたそれぞれの端部を上記中空箱部の壁部に設けられた溝又は孔を経て上記中空箱部内に収納し、他方の無電極側端部は上記中空箱部外に位置するようになし、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置であり、実用的な構造であってオゾン発生効率の良い装置を提供する。
【００１３】
又、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のオゾン発生装置において電極の材料としてタングステンもしくはニッケルを、又は電極として焼結電極を選択するものであり、電極のスパッターを少なくして装置の長寿命化を実現する。
【００１４】
又、請求項５の発明は、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられ、かつ当該電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲した３本以上の放電管を、上記各放電管の電極位置が順次互いに逆向きになるように、かつほぼ平行に近接して並設し、上記各放電管の電極位置が同じ側に存する各放電管のそれぞれの電極を互いに電気的に共通接続することによって２端子としてとりまとめ、上記２端子間に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置であり、種々のオゾン量に対応できる実用的な装置を提供する。
【００１５】
又、請求項６の発明は、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられ、かつ当該電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲した２本の単極型ガス封入放電管を、上記各電極位置が互いに逆向きにかつほぼ平行に近接して並設して一つの放電管ブロックを形成するとともに、上記放電管ブロックを２つ以上電気的に並列に接続して、上記並列に接続された放電管ブロック体に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置であり、種々のオゾン量に対応できる極めて実用的な装置を提供する。
【００１７】
又、請求項７、８及び９の発明は、それぞれ高周波電圧を発生するインバータ回路における電源電圧を可変にする手段、同インバータ回路においてデューティ比の可変制御を行う手段及び同インバータ回路の出力段トランジスタのバイアスレベルを可変制御する手段を備えるものであり、いずれも発生オゾン量の制御に有効である。
【００１８】
又、請求項１０の発明は、高周波電圧を発生するインバータ回路の出力段トランジスタの主端子（FETにおいては、ドレイン及びソース、バイポーラトランジスターにおいては、コレクター及びエミッター）間電圧を、上記インバータ回路の定電圧回路、デューティ回路又はバイアスレベル可変回路にフィードバックするものであり、発生オゾン量の制御に有効である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のいくつかの実施例について説明するが、先ず本発明の実施例に使用した放電管の寸法を図３に示す。尚、図１、図２は本発明の一実施例の図面としても準用する。図３において、６１はガラス管で長さ約３４．０ｍｍ、外径は約２．６ｍｍ、アーク長は約２９．５ｍｍである。６２は電極、６３は電極の外部引出線であり外部引出線を含めた長さは約３５．０ｍｍである。上記放電管２本を図１の様に配置し表１に定める条件で高周波電圧を印加し、オゾン発生量を測定したものである。表１のｐ−ｐはピークトゥピークの意味で最大値と最小値間の値を示し、以下も同じである。
【００２０】
【表１】

表１のデューテイに関して少し説明を加える。すなわち、比較的オゾン量の多い場合（以下、高オゾン時という。）の印加時間５００ｍｓ／３３％デューテイとは、図４に示されるように、高圧電圧１３（２０ｋｈｚの周波数／ｐ−ｐ９ｋＶ）を５００ｍｓだけ供給し、次の高圧電圧１４が供給されるまでの時間を１５００ｍｓとした場合を指す。また、同様に比較的オゾン量の少ない場合（以下、低オゾン時という。）は、図４の高圧電圧１３を３００ｍｓだけ供給し次の高圧電圧１４が供給されるまでの時間を１５００ｍｓとした場合を指す。
【００２１】
第１の実施例では、図３の放電管を図１の放電管５、６として２本用いて内部ガス圧を７０Ｔｏｒｒより７００Ｔｏｒｒの間を適時の間隔で変化させ、表1の条件で高圧電圧を印加して各々のガス圧に対応したオゾン発生量を測定すると、図５のような結果となった(測定エアー量３リットル／分)。高圧電圧の印加による高オゾン時１５、低オゾン時１６のいずれの場合においても、横軸に示される放電管５、６の内部ガス圧が４００Ｔｏｒｒを超えると、縦軸に示すオゾン量が一定値となる傾向を示すことが判明した。
【００２２】
尚、ガスの種類としては、アルゴン、クリプトン、キセノン、ネオン、ヘリウム等の希ガス及び窒素から選ぶことが望ましい。
【００２３】
かかる結果は、例えば低オゾン時１６において同一条件の高圧電圧を印加しているにもかからず内部ガス圧の低い方がオゾン量の発生が多くなることを示しており、オゾン発生効率の良いことを示している。また、同様に高オゾン時１５においても同様の結果を示しており、本発明のオゾン発生装置ではオゾン発生効率を高めるためには、内部ガス圧の選択が重要な要素であることが分かる。この様な観点から、オゾン発生量が内部ガス圧による一定値に至らない４００Ｔｏｒｒ以下の条件で放電管を設計することを提案するものである。尚、図３の放電管を図２の放電管８４、８５として２本用いて内部ガス圧を種々変化させた場合にも前述と同じような結果が得られた。
【００２４】
しかし、オゾン量の発生効率の観点からは内部ガス圧の低い方が望ましいが、放電管の寿命の点から見ると両電極３、４等のスパッターが内部ガス圧の低下に比例して大きくなり、短寿命となってしまう問題点があった。
【００２５】
本発明の第２の実施例は、内部ガス圧の低い場合でもスパッターの少ない両電極３、４の材料との組み合わせにより寿命を確保しようとしたものであり、電極材料としてタングステンもしくはニッケルを採用するか、又は電極として焼結電極（ニッケル、タングステン等の粉末に酸化物を混合して金型で圧縮成形した後に高温で焼成した電極）を採用する。この場合、電極構造として図６に示す中空電極６２´等を採用しても良い。なお、本発明の実施例では図３の寸法の放電管の事例で説明したが、本寸法に限定されるものでないことは云うまでもない。
【００２６】
以上第１、第２の実施例の高、低オゾン量では家庭用や車載用の脱臭、殺菌装置には充分なオゾン量であるが、油性成分の分解に用いる厨房での用途ではさらに多くのオゾン量が必要になる。
【００２７】
ところが、本発明の実施例で挙げた図３の放電管でさらに多くのオゾンを発生すべく、印加電圧を高くすると、放電管５、６が発熱してオゾン量の発生に影響を与え始める。その状態を示したものが図７である。印加高周波電圧を１０ＫＶで、前記したデューテイを横軸に、オゾン発生量を縦軸にとると、標準測定モード（エアー量３リットル／分の場合で、以下標準測定という。）では線１８に示す如き特性となり、デューテイが大きくなるに従って、オゾン発生量が飽和する傾向を示す。これは取りも直さず放電管５、６の過剰発熱によるオゾン量の減衰を示している。
【００２８】
一方、標準測定に対して放電管５、６の発熱を抑えるために外部よりファンを取り付け、風を送り込むと標準測定では飽和していたものが、線１７で示す如くオゾン発生量が直線的に伸びる傾向を示し、放電管５、６の発熱によるオゾン発生量の飽和が発熱によるものであることを証明している。この様な放電管５、６の発熱によるオゾン発生量の減少を防止すべくなされたものが第３の実施例である。
【００２９】
第３の実施例では、図１で示す放電管５、６からなる放電管ブロックを並列に接続し、個々の放電管ブロックに加えられるエネルギーを分散して加えるものである。模式的に図示したものが図８で放電管ブロック１９、２０を並列接続したものである。勿論、オゾン発生量をさらに増大させたい時には放電管ブロックをさらに追加して、複数個以上並列にすることで目的を達成することが出来る。また、オゾン量の増大のために単に放電管ブロックを並列に接続するのではなく、図９に示すような３本の放電管５、５´、６を使って放電管ブロックを作成することでも同様な効果を持たせることもできる。
【００３０】
以上述べたように本発明は放電管に高周波高電圧を印加してオゾンを発生する装置であって、入力エネルギーに対して最も効率的にオゾンを発生させる方式に関するものである。従って、本発明を実施するに当たっては使われる装置に対応して、必要オゾン量が異なるため最適な入力設定装置が必要になってくる。
【００３１】
この様な観点から必要に応じて入力エネルギーを設定するための装置を第４の実施例として提供するものである。第４の実施例は図１０で示される車載用を前提にした回路構成からなっており、その動作を以下に説明する。自動車の蓄電池からは端子２１より１１〜１７Ｖの電源が供給されると、３端子レギュレーター２２で構成される定電圧回路２３を介して一定の電圧が負荷回路へ供給される。３端子レギュレーター２２としては代表的な７８／７９シリーズ（商品名）で構成されており、可変抵抗２５によって１２Ｖの出力に調整されている。
【００３２】
一方、負荷側には放電管５、６への高周波電圧を作り出すための高周波発振回路２６、高周波発振回路２６で作り出された高周波を適時のデューテイで間欠駆動する為のデューテイ回路２７、前記高周波発振回路２６よりの出力によりＯＮ／ＯＦＦ駆動されるＦＥＴ２８（勿論バイポーラトランジスター構成でも良い）、さらにはＦＥＴ２８の駆動によって所定の高圧電圧に昇圧するための昇圧トランス２９が接続されている。
【００３３】
まず、前述した表１の高オゾン量を作り出すための回路動作を第４の実施例に基づいて説明する。説明の便宜上図１１のタイミングチャートを併用する。定電圧回路２３より図１１のＡの時期に１２Ｖの電圧が供給されると、高周波発振回路２６は代表的なタイマーＩＣ５５５（商品名）３０で構成された発振回路がコンデンサー３１と可変抵抗３２の定数によってｆ＝０．７／Ｒ３２×Ｃ３１関連式に基づいた周波数をバイアス抵抗内蔵トランジスタ３３を介して出力される。その出力波形は図１１の３４で示され、前記計算式に基づき２０ｋｈｚとなるように各定数を設定している。
【００３４】
一方、デューテイ回路２７も代表的なタイマーＩＣ５５５（商品名）で構成され、可変抵抗３５とコンデンサー３６の定数で決定つけられるｔ＝１．１×Ｃ３６×Ｒ３５の計算式に基づいたタイマー時間の繰り返し波形を、バイアス抵抗内蔵トランジスタ３７を介して出力される。その出力波形は図１１の３８で示され、前記計算式に基つき５００ｍｓのＯＦＦ時間３９を、１０００ｍｓのＯＮ時間４０をつくりだす。この出力波形３４、３８が合成された波形が４１で示され、ＦＥＴ２８のゲート回路に供給される。
【００３５】
ＦＥＴ２８のゲートに波形４１で示される信号が入力されると、その波形の４２で示される間だけＦＥＴが所定の電圧を有する２０ｋｈｚの周波数でＦＥＴ２８がドライブされ、ドレイン側に接続されたトランス２９の一次巻線４３と共振コンデンサー４４との緩やかな共振によって、出力高圧トランス２９の高圧側４５に高電圧が出力される。
【００３６】
その波形は図１１の４６で示され、トランス２９の巻数比ならびに一次側の共振条件、ＦＥＴ２８の可変抵抗４７で決定されるバイアス電圧、数々の定数を適時に設定することで前記した図４と同等の波形４６を作り出すものである。
【００３７】
第４の実施例はこの様な基本動作をするものであるから、実施用例に応じて高、低種々のオゾン量に対応できるものである。その代表例は前記した如く、デューテイ回路２７によるデューテイ比の制御により可能である。
【００３８】
また、他の事例としては定電圧回路２３の電圧を可変することでＦＥＴ２８側への供給電圧を変化させ、電圧の高い場合には高圧出力が高くなり高オゾン量を、電圧の低い場合には高圧出力が低くなり低オゾン量にすることも出来る。さらには、ＦＥＴ２８のバイアスを可変抵抗４７によって可変することでも、高圧出力の調整ができ、必要に応じて各々の高圧出力調整手段により最適オゾン量の発生に対応付けられる回路を提案するものである。
【００３９】
第４の実施例では入力が蓄電池から供給される１２Ｖタイプの代表例で説明したが、ＡＣ１００Ｖ入力の場合でも電源回路の変更等、部品の定数を変えることで、同様の効果を持たせられることは勿論である。
【００４０】
前述したように本発明は用途に応じた適量のオゾンを最も効率よく発生させるものであるが、しかし、装置を長時間使用していくと、前記したように電極スパッターによるオゾン量の低下、放電管ブロックへの不純物の付着で、特に２本の放電管のギャップ部分への析出物によるオゾン量の低下、高圧電気回路の実装における、基板や電気配線部への不純物の付着による高電圧の低下等々で寿命にまつわるオゾン量の低下が避けられない状況にあった。
【００４１】
本発明の第５の実施例はこの様な問題点を解決するためになされたものである。前記した長時間使用によるオゾン量の低下をきたす最大の要因は、放電管ブロックに加える高圧電圧が前記現象により低下してくることから起こるものである。第５の実施例ではかかる高圧電圧の低下を検出して、オゾン発生量を増量させる電気回路との組み合わせにより常に一定のオゾン量を発生させる手段に関するものである。
【００４２】
本発明の第４の実施例における高圧電圧４８とＦＥＴ２８のドレイン−ソース間電圧４９の実動電圧波形を示したものが図１２である。且つ、両者のｐ−ｐ電圧の間には図１３に示されるようにほぼ比例関係にある。これは、昇圧トランス２９の一次巻線４３と高圧巻線４５の巻数比で概ね決定されるものである。
【００４３】
第５の実施例ではこの点に着目して、図１４に示すようにＦＥＴ２８のドレイン−ソース間のｐ−ｐ電圧（以下、Ｄ−Ｓ間電圧という。）を一般的なピーク電圧ホールド回路５０で所定のレベル電圧でホールドさせる。この電圧を定電圧回路２３に与えることで、第４の実施例で説明した電圧可変抵抗２５と同様な機能で高圧電圧の低下分を補うような回路構成としたものである。従って、前記した現象によって高圧電圧４８が低下してオゾン量が低下しようとした場合に定電圧回路２３より出力電圧が高くなって最終的に高圧電圧４８よりの低下電圧を補う動作となり常に一定のオゾン量を保つことが出来る。
【００４４】
また、図１５はピークホールド回路５０よりの所定のレベル電圧をデューティ回路２７に与えるもので、第４の実施例で説明した可変抵抗３５と同様の機能をピークホールド回路５０よりの電圧によって重量して与え、前記した現象によるオゾン量の低下分をデューティ比率を大きくすることで補おうとしたものである。
【００４５】
本発明の第５の実施例では直流電源を入力とした回路で説明したが、ＡＣ１００Ｖ入力の回路でも同様に構成することが出来る。図１６は、ＡＣ１００Ｖを入力とした場合の実施例として第６の実施例を示したものである。
【００４６】
端子５１、５２よりＡＣ１００Ｖが入力されると、ノイズフィルター回路５３を経て全波整流ブリッジ５４で整流されて直流電圧が平滑コンデンサー５５に充電される。係る直流電圧はインバーター回路５６を介して放電管ブロックへ印加高周波電圧を供給する構成からなっている。本回路実施例におけるインバーター回路５６は一般的に知られた回路構成によるため、詳細な動作説明は省略する。
【００４７】
印加高周波電圧を可変する回路としてトランジスター５７のベース側に発生する昇圧トランス５８の一次巻線５９のキックバック電圧に比例したベース巻線６０の電圧をバイパスする回路６１を設けたものである。バイパス回路６１は高周波ダイオード６２、抵抗６３、可変抵抗６４で構成され、ベース巻線６０に発生する発振休止期間のキックバック電圧を可変抵抗６４により適時に放出するものである。
【００４８】
従って、可変抵抗６４の抵抗値が小さい場合にはキックバック電圧の放出が多くなり、ベース巻線６０の電圧と比例関係にある印加高周波電圧を低くし、可変抵抗６４の抵抗値が大きかった場合にはキックバック電圧の放出が少なくなり、ベース巻線６０の電圧と比例関係にある印加高周波電圧が高くなるものである。
【００４９】
第６の実施例ではこの様な動作をするインバーター回路５６に前記したピーク電圧ホールド回路５０を設け、ピーク電圧ホールド回路５０よりの電圧によってバイパス回路６１内の可変抵抗６４と同様の機能を制御することで、印加高周波電圧を一定に保とうとしたものである。
【００５０】
【発明の効果】
以上のように、本発明は２本の単電極ガス封入放電管を近接並設し、高周波高電圧の印加によりオゾンを発生させる方式において、放電管の内部ガス圧を最適化するとともに、最適な電極との組み合わせによって高効率で、しかも長寿命のオゾン発生装置を提供するものである。さらには、本装置の実使用における種々のオゾン量に対応して、放電管の複数使用による発熱の防止や電気回路の組み合わせによって適合したオゾン量を発生させるオゾン発生装置をも提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例におけるオゾン発生装置の要部を説明するための図。
【図２】本発明の一実施例におけるオゾン発生装置の要部を説明するための図。
【図３】本発明の一実施例において使用したガス封入放電管を説明するための図。
【図４】本発明の一実施例において使われる高周波電圧の波形を示す図。
【図５】オゾン発生装置におけるオゾン発生量とガス圧の関係を示す図。
【図６】本発明の一実施例におけるガス封入放電管の要部斜視図。
【図７】オゾン発生装置における高周波印加電圧のデューティとオゾン発生量の関係を示す図。
【図８】本発明の一実施例におけるガス封入放電管の接続の一例を示す図。
【図９】本発明の一実施例におけるガス封入放電管の接続の他の例を示す図。
【図１０】本発明の一実施例に使われる高周波電圧発生回路図。
【図１１】本発明の一実施例の高周波電圧発生回路における電圧波形を示す図。
【図１２】本発明の一実施例の電圧波形を示す図。
【図１３】高周波電圧発生回路の特性を示す図。
【図１４】本発明の一実施例に使われる高周波電圧発生回路図。
【図１５】本発明の一実施例に使われる高周波電圧発生回路図。
【図１６】本発明の一実施例に使われる高周波電圧発生回路図。
【符号の説明】
１、２ ガラス管
３、４ 電極
５、６ 単極型ガス封入放電管
７、８ 電極引き出し部
９、１０ ブッシング

Claims (10)

1. ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管の上記電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲するとともに、上記２本の放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
2. ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管の上記電極の引き出し部側のそれぞれを、一方に上記放電管外径と略同一径の貫通孔と他方に上記電極の引き出し部と略同一径の貫通孔を有するブッシングによって被覆するとともに、上記２本の放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
3. 絶縁板体の左右端部に絶縁体よりなる中空箱部を立設し、ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられた２本の単極型ガス封入放電管を上記電極位置が互いに逆向きで、かつほぼ平行に近接して並設し、上記電極が設けられたそれぞれの端部を上記中空箱部の壁部に設けられた溝又は孔を経て上記中空箱部内に収納し、他方の無電極側端部は上記中空箱部外に位置するようになし、上記２本の放電管に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
4. 電極の材料がタングステンもしくはニッケル又は電極が焼結電極である請求項１ないし３のいずれかに記載のオゾン発生装置。
5. ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられ、かつ当該電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲した３本以上の放電管を、
   上記各放電管の電極位置が順次互いに逆向きになるように、かつほぼ平行に近接して並設し、上記各放電管の電極位置が同じ側に存する各放電管のそれぞれの電極を互いに電気的に共通接続することによって２端子としてとりまとめ、上記２端子間に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
6. ガスを４００Ｔｏｒｒ以下の圧力で封入したガラス管の一端部のみに電極が設けられ、かつ当該電極の引き出し部を樹脂絶縁体で包囲した２本の単極型ガス封入放電管を、上記各電極位置が互いに逆向きにかつほぼ平行に近接して並設して一つの放電管ブロックを形成するとともに、上記放電管ブロックを２つ以上電気的に並列に接続して、上記並列に接続された放電管ブロック体に高周波電圧を印加するようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
7. 請求項１ないし６に記載のいずれかのオゾン発生装置であって、高周波電圧を発生するインバータ回路における電源電圧を可変にする手段を設けたことを特徴とするオゾン発生装置。
8. 請求項１ないし６に記載のいずれかのオゾン発生装置であって、高周波電圧を発生するインバータ回路においてデューティ比の可変制御を行うようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
9. 請求項１ないし６に記載のいずれかのオゾン発生装置であって、高周波電圧を発生するインバータ回路の出力段トランジスタのバイアスレベルを可変制御しうるようにしたことを特徴とするオゾン発生装置。
10. 請求項１ないし６に記載のいずれかのオゾン発生装置であって、高周波電圧を発生するインバータ回路の出力段トランジスタの主端子間電圧を、上記インバータ回路の定電圧回路、デューティ回路又はバイアスレベル可変回路にフィードバックすることを特徴とするオゾン発生装置。

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