JP4048903B2 - テスト回路 - Google Patents

テスト回路

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、仕様上の出力負荷が小さく規定された半導体装置の入出力遅延特性をテストするのに好適なテスト回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、図4(a)に示すように、半導体装置ICの出力信号の遅延特性をテストする場合、この半導体装置ICの出力端子とLSIテスタ(図示省略)とを同軸ケーブルCBLなどの配線で接続し、LSIテスターが信号S1を半導体装置ICの入力端子に与えてから信号S2が出力されるまでの時間を計測している。また、遅延時間そのものを計測するのではなく、予め設定されたテスト規格を満足するか否かを判定する2値的なテストでは、LSIテスターのコンパレータ機能を使用することにより、テスト規格として設定されたタイミングで出力信号が期待値と一致するか否かが判定される。この種の2値的なテストを行うための技術として、テスト回路を半導体装置に内蔵する手法もある(特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特許第2591849号明細書
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、製品の仕様上、出力負荷として10pFが接続された状態で出力信号の遅延特性が規格値を満足する必要を生じる場合もある。上述の従来のテスト手法によれば、同軸ケーブルCBL自体がインダクタンスLおよびキャパシタンスC1,C2を有しており、概ね100pFもの負荷として振舞う。このため、仕様上の出力負荷がこれよりも小さく規定されている場合、テスト対象の半導体装置ICの出力に過剰な負荷が接続された状態となり、LSIテスターにより信号の遅延特性を精度良く測定することができないという問題がある。
【0005】
この問題について、図4(b)に示す波形図を参照して具体的に説明する。信号S1が半導体装置ICの入力端子に与えられると、この半導体装置内部の入力バッファ回路VINがこの信号S1を受けて内部回路が動作し、出力バッファ回路DOUTから信号S2が出力される。このとき、信号S2の波形は、出力端子に仕様上の負荷が接続されている場合の波形(図4(b)の中段に点線で示す波形)に比較して、同軸ケーブルCBLの負荷の影響を受けて遅延されたものとなる(図4(b)の中段に実線で示す波形)。また、同軸ケーブルCBLを通過した信号S3は更に遅延されたものとなる(同図(b)の下段に実線で示す波形)。従って、同軸ケーブルCBLにより半導体装置ICの出力信号が遅延され、LSIテスターにより遅延特性を精度良く測定することができないこととなる。
【0006】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、テスト対象の半導体装置とLSIテスターとを接続する配線の負荷に影響されることなく、半導体装置の遅延特性を精度良く測定することができるテスト回路を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明は以下の構成を有する。
すなわち、本発明は、半導体装置の入力端子と出力端子との間の信号遅延特性をテストするためのテスト回路であって、前記入力端子を介して入力される第1の信号(後述する信号S01に相当する要素)に対してタイミングが設定された第2の信号(後述するパルス信号S03に相当する要素)を外部から入力し、前記第1の信号に応答して前記出力端子に出力される第3の信号(後述するデータ信号S02に相当する要素)と前記第2の信号との間のタイミングを比較し、その比較の結果に応じた2値信号を外部に出力するタイミング比較器(後述するタイミング比較器TMに相当する構成要素)と、前記半導体装置の出力端子と前記タイミング比較器の出力部が接続された外部端子とを選択的にテスターに接続するスイッチとを備え、前記タイミング比較器は、前記第2の信号のタイミングで前記第3の信号を取り込んで該第3の信号の論理値を有する2値信号を出力することを特徴とする。
【0008】
この構成によれば、第2の信号と第3の信号のタイミングが比較され、この比較の結果により、第2の信号に対する第3の信号のタイミング関係が把握される。従って、第1の信号と第3の信号のタイミング関係をあらかじめ把握しておきさえすれば、半導体装置の出力端子を外部のLSIテスターに接続することなく、出力端子に現れる第3の信号のタイミングを把握することが可能になる。
【0009】
前記テスト回路において、例えば、前記タイミング比較器は、前記第1の信号をデータ信号とし、前記第2の信号をトリガー信号とするデータラッチ回路であることを特徴とする。
前記テスト回路において、前記タイミング比較器は、前記第2の信号として、前記第1の信号に対してテスト規格値に応じた所定のタイミングに固定された信号を入力することを特徴とする。
また、本発明は、半導体装置の入力端子と出力端子との間の信号遅延特性をテストするためのテスト回路であって、前記入力端子を介して入力される第1の信号に対して設定された第2の信号のタイミングで、前記第1の信号に応答して前記出力端子に出力される第3の信号と所定の基準レベルとを比較し、その比較の結果を外部に出力する差動増幅器とを備え、前記差動増幅器は、前記第2の信号のタイミングで前記第3の信号と前記基準レベルとを比較し、前記比較の結果として前記第3の信号の論理値を有する2値信号を出力することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態を説明する。
図1に、本発明の実施の形態に係るテスト回路が適用された半導体装置の構成およびLSIテスター(図示省略)との接続関係を示す。なお、同図において、前述の図4に示す要素と共通する要素には同一符号を付す。
図1において、半導体装置DUTは、テスト対象とされるデバイスであって、パッケージPKにシリコンチップTPを実装して構成されている。パッケージPKは外部端子T1〜T4を有しており、シリコンチップTP上には、パッド電極PD1〜PD4と、入力バッファ回路DIN〜出力バッファ回路を含む内部回路と、テスト回路として機能するタイミング比較器TMとが形成されている。この実施の形態では、タイミング比較器TMはデータラッチ回路DLATから構成され、テスト回路が半導体装置DUTに内蔵されたものとなっている。
【0011】
ここで、外部端子T1は入力端子であって、テスト時にはLSIテスターから入力信号S01が印加される。外部端子T1には、金線などのワイヤを介してシリコンチップ上に形成されたパッド電極PD1が接続される。このパッド電極PD1には、内部回路の初段をなす入力バッファ回路DINの入力部が接続され、この入力バッファ回路DINの出力部にはバッファ回路BAFの入力部が接続される。バッファ回路BAFの後段には、この内部回路の機能を実現するための任意の回路ブロック(図示省略)が接続され、その最終段をなす出力バッファ回路DOUTの出力部はパッド電極PD2に接続される。パッド電極PD2は、ワイヤを介して出力端子である外部端子T2に接続され、外部端子T2には仕様上で規定された負荷CL(例えば10pF)が接続される。出力バッファ回路DOUTから出力された信号S02は外部端子T2を介して外部に出力される。
【0012】
外部端子T3は、LSIテスターからテスト専用のパルス信号S03が印加される入力端子である。このパルス信号S03は、上述の入力信号S01に対して所定のタイミングに固定された信号であって、このタイミングは、仕様上の遅延時間を保障するためのテスト規格値に従って設定される。なお、ここで言うテスト規格値とは、電源電圧や温度などの各種の変動要素を考慮した状態での限界値であって、必要とされる品質や歩留まり等を考慮して適宜決定されるものである。
【0013】
外部端子T3には、ワイヤを介してシリコンチップ上のパッド電極PD3が接続され、パッド電極PD3には、データラッチ回路DLATのクロック入力部が接続される。このデータラッチ回路DLATのデータ入力部(D)は、上述の出力バッファ回路DOUTの出力部に接続され、そのデータ出力部(Q)はパッド電極PD4に接続される。パッド電極PD4は、ワイヤを介して外部端子T4に接続される。スイッチSWは、上述の外部端子T2と外部端子T4を選択的にLSIテスターに接続するためのものであり、LSIテスターにより接続状態が制御される。
【0014】
以下、この実施の形態の動作について、図2に示すタイミングチャートを参照して、信号S01から信号S02までの遅延時間がテスト規格値を満足するか否かをテストする場合を例として説明する。
まず、LSIテスターの制御の下、スイッチSWはテスト対象の外部端子T4を選択した状態に制御され、半導体装置DUTの外部端子T4とLSIテスターとを接続する。この状態から、時刻t1において、LSIテスターは入力信号S01をハイレベルに遷移させる。入力信号S01は入力バッファ回路DINに入力されて内部回路が動作し、この入力信号S01に応答してバッファ回路DOUTからデータ信号S02が出力される。このとき、スイッチSWにより、出力端子T2はLSIテスター側と切り離されているので、出力端子T2には仕様上の負荷CLのみが接続された状態となり、データ信号S02の波形が正しく再現される。
【0015】
続いて、時刻t1から時間Taが経過した時刻t2において、LSIテスターはパルス信号S03を発生させる。この時間Taは、上述のテスト規格値に基づいて設定される。パルス信号S03はデータラッチ回路DLATのクロック入力部に与えられる。そして、出力バッファ回路DOUTから出力されるデータ信号S02が、パルス信号S03をトリガー信号としてデータラッチ回路DLATにラッチされる。
【0016】
時刻t2において、データ信号S02がデータラッチ回路DLATにラッチされると、データラッチ回路DLATは、データ信号S02の論理値を有する2値信号S04を出力する。2値信号S04は、スイッチSWを介して信号S05としてLSIテスターに与えられ、ストローブ信号STRで指定された時点で期待値と比較されてパス/フェイルの判定が行われる。ストローブ信号STRの発生タイミングは、2値信号S04が確実に確定しているタイミングに設定される。
【0017】
ここで、パルス信号S03の立ち上がりエッジよりも、データ信号S02が早く確定していれば、入力信号S01からデータ信号S02までの遅延特性がテスト規格値を満足していることになり、「パス」と判定される。換言すれば、信号S02のタイミングとパルス信号S03とのタイミングとがタイミング比較器TMにより比較され、データ信号S02がパルス信号S03の立ち上がりエッジよりも早いタイミングで確定すれば、テスト規格値が満足されていることになる。そうでなければテスト規格値は満足されず、「フェイル」と判定される。
【0018】
この後、時刻t3において、入力信号S01が立ち下がると、これに応答してデータ信号S02が立ち下がり、時刻t4において発生されるパルス信号S03をトリガー信号として、同様にデータ信号S02がデータラッチ回路DLATにラッチされる。そして、データラッチ回路DLATから2値信号S04が出力され、LSIテスター側でパス/フェイルが判定される。この後、データラッチ回路DLATはリセットされ、次のテストに備える。
以上のようにして、入力信号S01からデータ信号S02までの遅延特性がテスト規格値を満足しているか否かのテストが行われる。この後、いわゆるファンクションテストなど、出力負荷に影響されない他のテスト項目が必要に応じて実行される。
【0019】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、この実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があってもよい。例えば、上述の実施の形態では、データラッチ回路DLATのデータ入力部は、出力バッファ回路DOUTの出力部に接続されるものとしたが、パッド電極PD2と出力端子T2との間のワイヤのインダクタンス成分による遅延成分が無視できない場合には、図3に示すように、データラッチ回路DLATのデータ入力部をパッド電極PD5を介して出力端子T2に接続するものとしてもよい。
【0020】
この場合、出力端子T2からデータラッチ回路DLATに向かって流れる電流成分は極めて小さいので、パッド電極PD5と出力端子T2との間にインダクタンス成分が存在していても、この経路で遅延を生じることはほとんどなく、出力端子T2の信号波形をほぼそのままデータラッチ回路DLATに与えることができる。従って、パッド電極PD2と出力端子T2との間のワイヤのインダクタンス成分を反映させて、データ信号S02の遅延特性を一層精度よく把握することが可能になる。
【0021】
また、上述の実施の形態では、タイミング比較器TMとしてデータラッチ回路DLATを用いたが、これに限定されず、例えば差動増幅器などを用い、パルス信号S03のタイミングで所定の基準レベルとデータ信号S02のレベルとを比較するものとしても良い。この場合、基準レベルを順次変化させて測定を繰り返すことにより、データ信号S02の波形を観測することも可能になる。また、差動増幅器の後段側にデータ信号を保持するためのデータ保持回路(例えばフリップフロップなど)を設ければ、差動増幅器による比較結果を安定的に保持することが可能になり、LSIテスター側の処理が容易になる。
【0022】
さらに、上述の実施の形態では、説明の便宜上、入力バッファ回路DIN〜出力バッファ回路DOUTにより1入力1出力型の内部回路を構成したが、この例に限定されることなく、この内部回路の構成は任意であり、その入力信号数、出力信号数、機能等は半導体装置DUTの仕様に従う。ただし、その内部回路の出力信号数が複数の場合には、各出力信号に対して上述のタイミング比較器TM(データラッチ回路DLAT)を設ければよい。この場合、各タイミング比較器TMに入力されるパルス信号S03のタイミングは、各出力信号に対して予め設定されたテスト規格に従って決定すればよい。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、入力端子を介して入力される第1の信号に対してタイミングが設定された第2の信号を外部から入力し、前記第1の信号に応答して前記出力端子に出力される第3の信号と前記第2の信号との間のタイミングを比較し、その比較の結果に応じた2値信号を外部に出力するタイミング比較器を備えたので、テスト対象の半導体装置とLSIテスターとを接続する配線の負荷に影響されることなく、半導体装置の遅延特性を精度良く測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施形態に係るテスト回路が適用された半導体装置の構成を示すブロック図である。
【図2】 この発明の実施形態に係るテスト回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図3】 この発明の実施形態に係るテスト回路の変形例を示す図である。
【図4】 従来技術に係る半導体装置のテスト方法を説明するための図である。
【符号の説明】
DUT…半導体装置、PK…パッケージ、TP…シリコンチップ、T1〜T4…外部端子、PD1〜PD4…パッド電極、DIN…入力バッファ回路、BAF…バッファ回路、DOUT…出力バッファ回路、TM…タイミング比較器、DLAT…データラッチ回路、CL…負荷、SW…スイッチ。

Claims (4)

  1. 半導体装置の入力端子と出力端子との間の信号遅延特性をテストするためのテスト回路であって、
    前記入力端子を介して入力される第1の信号に対してタイミングが設定された第2の信号を外部から入力し、前記第1の信号に応答して前記出力端子に出力される第3の信号と前記第2の信号との間のタイミングを比較し、その比較の結果に応じた2値信号を外部に出力するタイミング比較器と、
    前記半導体装置の出力端子と前記タイミング比較器の出力部が接続された外部端子とを選択的にテスターに接続するスイッチと
    を備え
    前記タイミング比較器は、前記第2の信号のタイミングで前記第3の信号を取り込んで該第3の信号の論理値を有する2値信号を出力することを特徴とするテスト回路。
  2. 前記タイミング比較器は、
    前記第1の信号をデータ信号とし、前記第2の信号をトリガー信号とするデータラッチ回路であることを特徴とする請求項1に記載されたテスト回路。
  3. 前記タイミング比較器は、
    前記第2の信号として、前記第1の信号に対してテスト規格値に応じた所定のタイミングに固定された信号を入力することを特徴とする請求項1または2に記載されたテスト回路。
  4. 半導体装置の入力端子と出力端子との間の信号遅延特性をテストするためのテスト回路であって、
    前記入力端子を介して入力される第1の信号に対して設定された第2の信号のタイミングで、前記第1の信号に応答して前記出力端子に出力される第3の信号と所定の基準レベルとを比較し、その比較の結果を外部に出力する差動増幅器と
    を備え
    前記差動増幅器は、前記第2の信号のタイミングで前記第3の信号と前記基準レベルとを比較し、前記比較の結果として前記第3の信号の論理値を有する2値信号を出力することを特徴とするテスト回路。
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