JP4040663B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以下に説明する半導体レーザは、埋込層27の表面のうちメサ部26の側面に平行な面が消滅した状態になった時点で埋込層27の成長を停止し、その後に電流ブロック層を形成する例を示している。
本例では、メサ部26の高さを2.5μm程度と高めに設定することでp-InP埋込層27の成長が終わった段階で、表面にメサとほぼ平行になるp-InP面が埋込層27に残っているような構造としたことに特徴がある。即ち、本例では、図3(c)に示すような段階でp-InP埋込層の成長を停止させている。
上記した第1例では、図3(c)と図4(a)の間の状態でp-InP埋込層27の成長を停止し、その後に、n-InP電流ブロック層28を形成した。
Claims (8)
- 第1導電型不純物を含む化合物半導体よりなりメサ形状の突起を有する第1クラッド層と、
前記突起の上にストライプ状に形成され、かつ前記第1クラッド層の上面に対して70度以上且つ90度以下の角度で傾斜する側面を有する活性層と、
前記突起の両側に形成された前記第1導電型不純物と異なる第2導電型不純物を含む埋込層と、
前記活性層の側面を上側に延長させた仮想面に一端が接し、さらに該一端から下方に向けて前記第1クラッド層の前記上面に対してほぼ55度の角度で傾斜する(111)面である第1の面と、該第1の面から下側に前記活性層の下面とほぼ同じ高さまで延び且つ前記活性層の側方において前記活性層の側面の角度よりも大きく前記第1クラッド層の前記上面に対して垂直の角度よりも小さく傾斜する第2の面とを有して前記埋込層の上に接して形成された第1導電型不純物を含有する電流ブロック層と、
前記電流ブロック層と前記活性層の上に形成された第2導電型不純物を含む第2クラッド層とを有し、
前記埋込層は、前記一端から下側に延びる前記仮想面に相当する前記第2クラッド層の面、前記活性層の側面、前記第1クラッド層の側面の上に接して形成され、
前記電流ブロック層の前記一端から上方には、前記活性層の側方に広がって前記第1クラッド層の前記上面に対してほぼ55度の角度で傾斜する(111)面を有していることを特徴とする半導体レーザ。 - さらに、前記第2の面の下端からは前記突起から離れる方向に延びる第3の面を有することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 前記活性層と前記電流ブロック層の最短距離は0.1〜0.3μmの範囲内にあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ。
- 第1導電型不純物を含む第1クラッド層の上に活性層と第2導電型不純物を含む第2クラッド層の下側層を形成する工程と、
前記第2クラッド層の前記下側層の上にストライプ形状のマスクを形成する工程と、
前記マスクに覆われない部分の前記第2クラッド層の下側層から前記第1クラッド層の上部までをドライエッチングして平面ストライプ状のメサ部を形成する工程と、
前記メサ部の頂面の縁から下に広がって延びる(111)面である第1の面と、該第1の面から下側に前記活性層の下面とほぼ同じ高さまで延び且つ前記活性層の両側方において前記活性層の側面の角度と前記第1クラッド層の上面に対して垂直な角度の間の角度に傾斜した第2の面を有し、かつ第2導電型不純物を含む埋込層を前記メサ部の両側面に接して形成する工程と、
前記埋込層の前記第1の面及び前記第2の面の上に接し且つ前記メサ部の頂面の縁から上に広がって延びる(111)面を有する第1導電型不純物を含む電流ブロック層を形成する工程と、
前記マスクを除去した後に、前記第2クラッド層の前記下側層と前記電流ブロック層の上に第2導電型不純物を含む前記第2クラッド層の上側層を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記埋込層は、前記活性層の両側面上で所定膜厚を形成した後に、さらに該両側面上での成長速度を実質的に零として前記活性層よりも下側でのみ成長が局所的に進む成長過程を経て形成されることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記埋込層の前記成長過程において、塩化メチルを含むガスを用い、該塩化メチルガスの流量を増やすことによって前記活性層の前記両側面上での成長速度を実質的に零に変化させて前記活性層よりも下側でのみ成長を局所的に進ませていることを特徴とする請求項5記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記埋込層は、原料ガスとともに塩素含有ガスを用いながら成長されることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザの製造方法。
- 前記塩素含有ガスは、塩化メチルガスであることを特徴とする請求項7記載の半導体レーザの製造方法。
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