JP4020070B2 - めっき装置 - Google Patents
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Description
図6(a)は、ビア内部にめっきが充填される前のビルドアップ基板の一部を示す図である。
図6(b)は、図6(a)の基板60を破線Aで切ったときの断面図を示す図である。
図6(b)に示す基板60は、コアの上に配線層である銅箔62が形成され、更に、銅箔62の上にエポキシなどの絶縁層63が形成されている。そして、その絶縁層63には、レーザ加工などにより有底ビア61が形成されている。
図6(c)に示すように、化学銅めっき工程及び電解銅めっき工程が終了した基板60は、絶縁層63の表面及び有底ビア61内部が銅めっきされ、絶縁層63の上に銅の配線層64が形成されている。また、有底ビア61内部に銅めっきが充填されている。
図6(d)に示すように、めっき槽内には、陽極である2枚の電極板65が設けられ、その2枚の電極板65の間に陰極である基板60が配置される構成となっている。また、めっき槽内は、基板60の平面に対して平行にめっき液が流れる構成となっている。そして、2枚の電極板65と基板60との間に電流を流すことにより、基板60に対して電解めっきを行う。(例えば、特許文献1または特許文献2参照)
ここで、図6(e)は、流体の動きを模式的に示す図である。
従来では、このように、凹部の深さ方向に対して垂直方向に流体を流すことにより、その凹部内部にも流体が一様に攪拌することを利用して、図6(d)に示すように、有底ビア61内部に銅めっきを充填させている。
しかしながら、電解銅めっき工程における電流密度を高くしてしまうと、有底ビア61内部のめっきに「ボイド(気泡)」や「やけ(むら、または、しみ)」などが発生してしまうおそれがある。
すなわち、本発明のめっき装置は、基板に設けられる有底ビア内部にめっきを充填させるめっき装置であって、2枚の電極板を互いに平行になるように内部に備え、前記2枚の電極板の間に配置される前記基板の平面に対して平行にめっき液が流れると共に、前記電極板と前記基板との間に電流が流れるめっき槽と、前記めっき槽に前記めっき液を押し出す第1のポンプと、前記めっき槽から前記めっき液を吸い込む第2のポンプとを備え、前記第2のポンプにより前記めっき槽から吸い込まれる単位時間当りの前記めっき液の量を前記第1のポンプにより前記めっき槽に押し出される単位時間当りの前記めっき液の量よりも多くさせることを特徴とする。
これにより、基板の平面に対して平行にめっき液を流すことができると共に、基板付近におけるめっき液の流速を速くさせることができる。
また、上記めっき装置は、前記2枚の電極板と前記基板との間にパルス電流を流して、前記有底ビア内部にめっきを充填させるように構成してもよい。
図1(a)は、本発明の実施形態のめっき装置を示す図である。
図1(a)に示すように、めっき装置10は、基板に電解めっきを行うための密閉式横型のめっき槽11(めっき槽)と、めっき槽11にめっき液(例えば、酸性度が1以下の硫酸の溶液)を押し出すポンプ12(第1のポンプ)と、めっき槽11からめっき液を吸い込むポンプ13(第2のポンプ)と、めっき液をめっき槽11に供給するためにめっき液を一時的に溜めておくためのめっき槽14とを備えて構成される。なお、めっき槽14は、めっき槽11よりも容量が大きい。
また、上記めっき装置10は、めっき槽11内のめっき液の量が常に一定となるように、ポンプ12及び13におけるそれぞれのめっき液を送り出すパワーが調整されている。すなわち、具体的には、めっき装置10では、めっき槽11内のめっき液が減っていくことがないように、且つ、ポンプ13がめっき槽11から吸い込む単位時間当りのめっき液の量が、ポンプ12がめっき槽11に押し出す単位時間当りのめっき液の量よりも多くなるように、ポンプ12が押し出す単位時間当りのめっき液の量とポンプ13が吸い込む単位時間当りのめっき液の量とが調整されている。
例えば、まず、銅箔黒化処理されたコアの表面に絶縁層がラミネートされ、次に、その絶縁層にUV−Yag(Ultra Violet ray−Yttrium Aluminum Garnet)レーザなどにより径が30μm程のビア(穴)が設けられる。そして、化学銅めっき工程により絶縁層の表面及びビア内部の表面に銅めっきが1層張られ、電解銅めっきが行われる前の基板が形成される。
次に、上記めっき装置10におけるめっき槽11について説明する。
図1(b)に示すように、めっき槽11は、正の電極に接続されると共に、めっき槽11の長手方向に対してそれぞれ平行に設けられる2枚の不溶解陽極15(電極板)と、ポンプ12によりめっき液が押し出される押出口に設けられる押出口部材16と、ポンプ13によりめっき液が吸い込まれる吸込口に設けられる吸込口部材17と、不溶解陽極15と押出口部材16との間に、不溶解陽極15の平面に対してそれぞれ垂直方向に設けられる2枚のスリット板18及び19とを備えて構成される。
図2は、めっき槽11を上から見た図である。なお、図1(a)〜(b)と同じ構成には、同じ符号を付けている。また、図2は、めっき槽11の上部に備えられる蓋を省略して図示している。
まず、押出口部材16を通ってめっき槽11に流入されためっき液は、2枚のスリット板18及び19にそれぞれ設けられるスリットを通り、2枚の不溶解陽極15及び基板20の間を通る。
また、押出口部材16及び吸込口部材17は、めっき槽11において、互いに対向するような位置に設けられている。これにより、めっき槽11内を流れるめっき液を押出口から吸込口まで一方向(図2における右から左へ向かう方向)に流すことができる。すなわち、めっき槽11内に配置される基板20の平面に対して平行にめっき液を流すことができる。
このように、上記めっき槽11では、めっき液を基板20に対して平行に流しながら、不溶解陽極15と基板20との間に電流を流すことにより、めっき液中の銅イオンが電気化学反応により、基板20の表面に銅を析出させると共に、基板20に設けられる有底ビア内部にも銅を析出させる。
図3(a)に示すめっき装置10では、めっき液により流速測定器のプロペラなどが破損するため、めっき液の代わりに水を使用して測定している。めっき槽11内における水の流速を測定した値は、めっき槽11内にめっき液を流した場合のめっき液の流速の目安にしている。
このように、図3(a)に示すめっき装置10は、ポンプ12を1台、ポンプ13を2台使用することにより、めっき槽11から吸い込まれる単位時間当りのめっき液の量をめっき槽11に押し出される単位時間当りのめっき液の量よりも多くさせている。なお、図3(a)に示すめっき装置10では、ポンプ12を1台、ポンプ13を2台使用する構成であるが、めっき槽11から吸い出される単位時間当りのめっき液の量が、めっき槽11に押し出される単位時間当りのめっき液の量よりも多くすることができれば、ポンプ12及び13のそれぞれの台数は、例えば、1台ずつ、または、2台ずつでもよく、ポンプ12及び13のそれぞれの台数は特に限定されない。
また、図3(b)に示す表の左から2番目の列は、ポンプ12のバルブの開閉角を示しており、図3(b)に示す例では、上から実験の回数順に「30°」、「40°」、「45°」、「50°」、「55°」、「60°」、「65°」、「70°」となっている。
また、図3(b)に示す表の左から4番目の列は、ポンプ12が水を押し出す際の水の流量を示しており、図3(b)に示す例では、上から実験の回数順に「20L/min」、「40L/min」、「50L/min」、「68L/min」、「80L/min」、「90L/min」、「98L/min」、「105L/min」となっている。
このように、図3(a)に示すめっき装置10において、ポンプ13における水の流量をポンプ12における水の流量よりも多くすることにより、基板20付近の水の流速を速くさせることができるので、図1(a)に示すめっき装置10のめっき槽11にめっき液を流す場合においても、ポンプ13におけるめっき液の流量をポンプ12におけるめっき液の流量よりも多くすることにより、基板20付近のめっき液の流速を速くさせることができる。
図4(a)は、不溶解陽極15と基板20との間に流す電流波形を示すグラフである。なお、図4(a)に示すグラフの縦軸は、不溶解陽極15と基板20との間に流す電流(I(A))を示し、グラフの横軸は、時間(T(ms))を示している。
そして、Fの電流が流れている間(t1)は、基板20の表面及び有底ビア内部において銅が析出される。
なお、不溶解陽極15と基板20との間に流れるパルス電流は、Fの電流を正の値とし、Rの電流をゼロとしてもよく、また、Fの電流を正の値とし、Rの電流をFの電流よりも小さい正の値としてもよい。そして、Fの電流を正の値とし、Rの電流をゼロとする場合は、パルス電流がゼロのとき有底ビア内部に銅イオンが確保され、次にパルス電流が正の値となると銅イオンが濃い状態で有底ビア内部に銅が析出されるので、径や深さが大きい有底ビアなどに対しては有効である。
図4(b)の上側の図に示すように、不溶解陽極15と基板20との間に負の値であるRの電流が流れている間は、コーナー部分に析出された銅(図4(b)に示す破線部分)を溶解させる。
図4(c)は、本実施形態のめっき装置10における基板20における電流密度を示すグラフである。なお、図4(c)に示すグラフの縦軸は、電流密度(Iav(A/dm2))を示し、グラフの横軸は、時間(T(min))を示している。
次に、スリット板18及び19について説明する。
図5(a)には、それぞれスリット(孔)の形が異なるA〜Dの4種類のスリット板を示している。
図5(a)に示すスリット板Aには、複数の小さい円形のスリットがスリット板Aの中央部に設けられている。
また、図5(a)に示すスリット板Cには、2本の細長いスリットがそれぞれスリット板Cの長手方向に対して平行に並んで設けられている。
図5(b)は、スリット板A〜Dの内、基板20の平面に対して水を平行に流すことを維持させながら、且つ、基板20付近の水の流速を速くさせる2枚のスリット板の組み合わせを決定するために構成されるめっき装置を示す図である。なお、図1(a)と同じ構成には、同じ符号を付けている。
図5(c)は、基板20付近の水の流速と2枚のスリット板の組み合わせとの関係を示すグラフである。なお、図5(c)に示すグラフの縦軸は、基板20付近の水の流速(cm/s)を示し、グラフの横軸は、2枚のスリットの組み合わせを示している。また、図5(c)に示すグラフの横軸に示されるスリットの各組み合わせは、左側のスリット板の記号がスリット18に対応し、右側のスリット板の記号がスリット19に対応している。すなわち、例えば、横軸のスリットの組み合わせが「AB」と示されているものは、スリット板18が図5(a)に示すスリット板Aに対応し、スリット板19が図5(a)に示すスリット板Bに対応している。
このように、図5(b)に示すめっき装置50において、「AB」、「BA」、及び「BC」などのスリット板の組み合わせにより、基板20付近の水の流速を速くさせることができるので、同様に、図1(a)に示すめっき装置10においても、この「AB」、「BA」、及び「BC」などのスリット板の組み合わせにより、基板20付近のめっき液の流速を速くすることができる。
11 めっき槽
12 ポンプ
13 ポンプ
14 めっき槽
15 不溶解陽極
16 押出口部材
17 吸込口部材
18 スリット板
19 スリット板
20 基板
50 めっき装置
60 基板
61 有底ビア
62 銅箔
63 絶縁層
64 配線層
65 電極板
Claims (4)
- 基板に設けられる有底ビア内部にめっきを充填させるめっき装置であって、
2枚の電極板を互いに平行になるように内部に備え、前記2枚の電極板の間に配置される前記基板の平面に対して平行にめっき液が流れると共に、前記電極板と前記基板との間に電流が流れるめっき槽と、
前記めっき槽に前記めっき液を押し出す第1のポンプと、
前記めっき槽から前記めっき液を吸い込む第2のポンプと、
を備え、
前記第2のポンプにより前記めっき槽から吸い込まれる単位時間当りの前記めっき液の量を前記第1のポンプにより前記めっき槽に押し出される単位時間当りの前記めっき液の量よりも多くさせることを特徴とするめっき装置。 - 請求項1に記載のめっき装置であって、
前記電極板の平面に対して垂直方向に設けられるスリット板を前記第1のポンプと前記基板との間に備えることを特徴とするめっき装置。 - 請求項1または2に記載のめっき装置であって、
前記2枚の電極板と前記基板との間に定電流を流して、前記有底ビア内部にめっきを充填させることを特徴とするめっき装置。 - 請求項1または2に記載のめっき装置であって、
前記2枚の電極板と前記基板との間にパルス電流を流して、前記有底ビア内部にめっきを充填させることを特徴とするめっき装置。
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