JP4014254B2 - Si濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料並びにこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐候性、耐酸化性、耐クリープ性、強度及び靱性などの特性に優れたSi濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料並びにこれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
技術革新が急速に進む中で、宇宙開発分野では宇宙往還機やスペースプレーン、エネルギー分野では高温燃焼ガスタービン、原子力では高温ガス炉、核融合炉等が先端的なビックプロジェクトとして世界的に計画され、開発が進められている。
また、核エネルギーや太陽エネルギーに次ぐエネルギー源として水素エネルギーの活用が検討されており、その際、反応容器として高価な金属やファインセラミックスが検討されてきている。これらの構造部材には、中高温(200−2000℃)における高強度と材料としての高い信頼性(靭性、耐衝撃性)、耐環境性(耐食性、耐酸化性、耐放射線性)が要求されている。
現在、耐熱性に優れたセラミックス材料は、ニューセラミックスとして高強度の窒化珪素や炭化珪素材料が開発されているものの、その固有の性質として脆さという欠点を有しており、小さな傷に対しても極めて脆く、また熱的、機械的衝撃に対しても弱い。
【0003】
このセラミックスの欠点を克服する手段として、連続したセラミックス系繊維を複合化させたセラミックス基複合材料(CMC)が開発された。
この材料は高温でも高強度、高靱性で、優れた耐衝撃性、耐環境性を有しているため、超耐熱構造材料の主流として欧米を中心に研究開発が盛んに行われている。
【0004】
例えば、直径が10μm前後のセラミックス長繊維を、通常、数百本〜数千本束ねて繊維束(ヤーン)を形成し、この繊維束を二次元または三次元方向に配列して一方向シート(UDシート)や各種クロスとしたり、また上記シートやクロスを積層したりすることにより、所定形状の予備成形体(繊維プリフォーム)を形成し、この予備成形体の内部に、CVI法(Chemical Vapor Infiltration :化学的気相含浸法)や無機ポリマー含浸焼結法等によりマトリックスを形成したり、又は、上記予備成形体内部にセラミック粉末を鋳込み成形法によって充填した後に焼結することにより、マトリックスを形成して、セラミックマトリックス中に繊維を複合化したセラミックス基繊維複合材料(CMC)が開発されている。
【0005】
しかしながら、従来のセラミックス基繊維複合材料の焼成技術は、プロセス中で発生するCO成分を考慮せず、主にSiの蒸発防止のため、不活性ガスを僅かな圧力調整によって導入するのみであった。
このため、焼成時に無機ポリマーのセラミックス化への変化等により、焼成雰囲気中に存在するC(遊離炭素)とO2 の反応及びC(遊離炭素)とSiO2 の反応によって生じるCOガスの脱離により生じる欠陥やβ−SiCの結晶成長により、強度が極端に劣化するとともに、複合材料中の気孔を0にすることができず、気孔のサイズも1mm程度と大きいため、耐候性、耐酸化性の劣化の原因となっている。
また、内部にSiC繊維が内在していても、実使用時の熱応力はSiC繊維の熱膨張とSi−SiC部分の熱膨張差に起因するため、層状の剥離を生じる場合があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記した従来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、強酸化腐食環境での耐食性及び強度、表面層及び中心層の欠陥へのヒーリング機能を著しく向上させることができるSi濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料並びにこれらの製造方法を提供するものである。
【0007】
また、CVD法や無機ポリマー含浸法で作製されたSiC繊維強化Si−SiC複合材料のようなセラミックス基複合材料(CMC)に存在した気孔をほぼ0にすることができ、Si−SiC焼結体の特徴である耐酸化性、耐クリープ性、常温〜高温までの強度および靱性特性に優れる等の特徴を維持しつつ、更に靱性の向上に寄与することができるSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料及びその製造方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、SiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させてなるSi−SiC材料であって、該Si−SiC材料の気孔率が1.0%以下であり、且つ、該Si−SiC材料を構成する成形体におけるSi濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さく、かつ中心層と表面層のSi濃度(wt%)比が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲になるように形成したことを特徴とするSi濃度段階的変化型Si−SiC材料、が提供される。
【0009】
また、本発明では、SiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させることにより、Si濃度段階的変化型Si−SiC材料を製造する方法であって、SiC粒子を含む少なくとも2種類の混合物を用意し、該2種類の混合物は平均粒径の異なるSiC粒子を含み、平均粒径の大きいSiC粒子を含む混合物を用いた予備成形体を表層側に配置し、該表層側に配置した予備成形体よりも平均粒径の小さいSiC粒子を含む混合物を用いた予備成形体を中心層側に配置して積層した成形体とSiを、1100〜1400℃の温度に保持するとともに不活性ガス雰囲気に晒した後、1500〜2500℃の温度に昇温して前記成形体へSiを溶融、含浸させることを特徴とするSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法、が提供される。
上記の製造方法においては、成形体とSiを、1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつ成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL以上の不活性ガスを流した後、1500〜2500℃の温度に昇温することが好ましい。また、不活性ガスとしては、Arが好ましい。
【0010】
更に、本発明によれば、SiC繊維とSiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させてなるSiC繊維強化Si−SiC複合材料であって、該SiC繊維強化Si−SiC複合材料の気孔率が1.0%以下であり、且つ、該SiC繊維強化Si−SiC複合材料におけるSi濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さく、かつ中心層と表面層のSi濃度(wt%)比が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲になるように形成したことを特徴とするSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料、が提供される。
【0011】
また、このSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料に用いるSiC繊維の酸素量は0.5mass%以下であることが好ましく、SiC繊維は、二次元的なあるいは三次元的なクロスの状態のものを用いてもよい。
【0012】
さらに本発明によれば、上記したSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法において、平均粒径の大きい方のSiC粒子を含む混合物を用いSiC繊維を挟んで成形した予備成形体を表層側に配置し、該表層側に配置した予備成形体よりも平均粒径の小さいSiC粒子を含む混合物を用いSiC繊維を挟んで成形した予備成形体を中心層側に配置し、これらの各予備成形体を積み重ねて成形した成形体を用いることを特徴とするSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の製造方法、が提供される。
【0013】
なお、上記のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の製造方法において、成形体とSiを1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつ成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL以上の不活性ガスを流した後、1500〜2500℃の温度に昇温することが好ましい。ここで、不活性ガスとしては、Arが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明に係るSi濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料は、気孔率がほとんどゼロの1.0%以下であり、しかも、Si濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さくなるように形成したものである。
これにより、強酸化腐食環境での耐食性及び強度に優れ、しかも表面層及び中心層の欠陥へのヒーリング機能を著しく向上させることができる。
【0015】
次に、本発明のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法について説明する。
本発明のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料は、SiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させたものである。
このとき、Siを溶融、含浸させるための成形体の形態により、Si濃度段階的変化型Si−SiC材料の特性が左右されるため、成形体の作製方法が非常に重要である。このため、成形体を、以下に示す方法で作製することが好ましい。
【0016】
本発明の製造方法で用いる成形体の作製方法の一例(圧密成形法)を下記に示す。
成形体の主な原料であるSiC粒子は、平均粒径50〜100μmのSiC粗粒と、平均粒径0.1〜10μmのSiC微粒、望ましくは平均粒径0.1〜30μmの炭素(C)粉末を含んだ混合物を、スプレードライ等により造粒した造粒粒子であり、タップ比重の異なる少なくとも2種類のSiC造粒粒子を適宜選択して用いることが好ましい。
尚、タップ比重とは、粉体を容器に入れて一定時間振動させたり、たたいたりしたときに安定した状態で示すかさ比重である。
【0017】
タップ比重が0.7〜0.85であるSiC粒子からなる造粒粒子を、所定の鋳型に敷き詰めた後、プレス成形などの成形を行い、予備成形体1を作製する。
また同様な方法で、タップ比重が0.85〜1.00であるSiC粒子を含む予備成形体2と、タップ比重が1.00〜1.3であるSiC粒子を含む予備成形体3を作製する。
尚、上記に示すように、予備成形体1〜3のSiC粒子のタップ比重は、「予備成形体1<予備成形体2<予備成形体3」と設定されている。
【0018】
次に、タップ比重の最も小さいSiC粒子を含む予備成形体が、成形体の表面層を形成するように配置するとともに、成形体の中心層が、表面層よりもタップ比重が大きいSiC粒子を含む少なくとも1つの予備成形体で形成されていることが重要である。
また、成形体の中心部に近づくにつれて、SiC粒子のタップ比重が順次大きくなるように、予備成形体を配置して、成形体の表面層を形成することが好ましい。
例えば、「予備成形体1−予備成形体2−予備成形体1」、「予備成形体1−予備成形体3−予備成形体1」又は「予備成形体1−予備成形体2−予備成形体3−予備成形体2−予備成形体1」となるようにサンドイッチ状に配置した上で、プレス成形を行うことにより、積層成形体を作製する。
【0019】
更に、本発明の製造方法で用いる成形体の作製方法の他の例(鋳込み成形法)を次に示す。
成形体の主な原料であるスラリーは、平均粒径50〜100μmのSiC粗粒、平均粒径0.1〜10μmのSiC微粒、望ましくは、平均粒径0.1〜30μmのC粉末の混合物に、有機バインダ及び水を加えて作製されたものであり、主成分であるSiC粗粒とSiC微粒との配合量(重量%)が、それぞれ異なる数種類のスラリーを適宜選択して用いることが好ましい。
【0020】
更に詳細には、SiC粗粒が20〜40重量%、SiC微粒が80〜60重量%を含有するスラリーAと、SiC粗粒が40〜60重量%、SiC微粒が60〜40重量%を含有するスラリーBと、SiC粗粒が60〜80重量%、SiC微粒が40〜20重量%を含有するスラリーCを作製する。
尚、スラリーA〜C中におけるSiC粒子(SiC粗粒+SiC微粒)の全量は一定であるため、SiC粗粒の配合量(重量%)が高い場合、SiC微粒の配合量(重量%)が低く、SiC粗粒の配合量(重量%)が低い場合、SiC微粒の配合量(重量%)が高く、配合されている。
【0021】
次に、SiC粗粒の配合量(重量%)が最も多い予備成形体が、成形体の表面層を形成するように配置するとともに、SiC粗粒の配合量(重量%)が表面層よりも少なく、SiC微粒の配合量(重量%)が表面層よりも多くなるように、成形体の中心層が形成されていることが重要である。
また、成形体の中心部に近づくにつれて、SiC粗粒の配合量(重量%)が少なくなるとともに、SiC微粒の配合量(重量%)が多くなるように、成形体の中心層を形成することが好ましい。
例えば、「スラリーA−スラリーB−スラリーA」、「スラリーA−スラリーC−スラリーA」又は「スラリーA−スラリーB−スラリーC−スラリーB−スラリーA」となるようにサンドイッチ状に所定の鋳型に鋳込むことにより、積層成形体を作製する。
【0022】
上記のように2種類の方法で作製された成形体を用いることにより、Siを溶融・含浸させた場合、成形体の中心層においては、表面層よりもSiを含浸させるための間隙(気孔)の割合が小さいように形成されることにより、Si濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さくなるように、即ち、Si濃度の段階的な勾配があるように制御することができる。より好ましくは、中心層と表面層のSi濃度が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲にあるように形成することができる。
【0023】
次いで、上記のように作製された積層成形体とSiとを1100〜1400℃の温度域、炉内圧0.1〜10hPaで1時間以上保持し、かつ成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL(ノルマルリットル:1200℃、圧力0.1hPaの場合、5065リットルに相当)以上の不活性ガスを流しつつ、被含浸体を作製する。
次いで、温度1500〜2500℃、好ましくは1700〜1800℃に昇温して前記成形体へSiを溶融、含浸させることにより、上記Si濃度段階的変化型Si−SiC材料を製造する。
【0024】
本発明においては、成形体とSiを、1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつその際、成形体とSiの合計重量1kg当たり不活性ガスを0.1NL以上、好ましくは1NL以上、さらに好ましくは10NL以上流すように制御することが望ましい。
【0025】
このように、焼成時(即ち、Siの溶融、含浸前の段階)不活性ガス雰囲気にすることにより、無機ポリマーないし無機物のセラミックス化への変化に伴うCO等の発生ガスを焼成雰囲気より除去し、また大気中のO2 等による外部からの焼成雰囲気の汚染を防止することにより、その後にSiを溶融、含浸して得られるSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の気孔率を実質上ゼロとすることができる。
【0026】
また、成形体へSiを溶融、含浸する際には、雰囲気温度を1500〜2500℃、好ましくは1700〜1800℃に昇温する。この場合、焼成炉内圧は0.1〜10hPaの範囲が好ましい。
【0027】
以上のことから、本発明のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料は、表面層のSi濃度が中心層のSi濃度よりも相対的に高いため、発生したマイクロクラックをヒーリングすることができるため、耐酸化性を保持することができる。
また、表面層がSiで完全に含浸された保護被膜で形成されているため、強酸腐食環境下における耐食性が飛躍的に向上するとともに、表面欠陥を鈍化又は閉塞することができるため、強酸腐食環境下における強度も向上させることができる。
【0028】
更に、本発明のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の製造方法について説明する。
本発明のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料は、SiC繊維とSiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させたものである。
このとき、Siを溶融、含浸させるための成形体の形態により、Si濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の特性が左右されるため、成形体の作製方法が非常に重要である。このため、成形体を以下に示す方法で作製することが好ましい。
【0029】
まず圧密成形法による成形体の作製方法の一例を示す。
まず、直径が約10μmの微細なSiC繊維を、通常、数百本〜数千本束ねて繊維束(ヤーン)を形成し、この繊維束を二次元または三次元方向に配列して一方向シート(UDシート)や各種クロスとしたり、また上記シートやクロスを積層したりすることにより、所定形状の繊維プリフォームを形成する。
【0030】
次に、成形体の主な原料であるSiC粒子は、平均粒径50〜100μmのSiC粗粒と、平均粒径0.1〜10μmのSiC微粒、望ましくは平均粒径0.1〜30μmのC粉末を含んだ混合物を、スプレードライ等により造粒した造粒粒子であり、タップ比重の異なる少なくとも2種類のSiC造粒粒子を適宜選択して用いることが好ましい。
【0031】
タップ比重が0.7〜0.85であるSiC粒子からなる造粒粒子を、上記繊維プリフォームを挟み込むように敷き詰めた後、プレス成形などの成形を行い、予備成形体1を作製する。
また同様な方法で、タップ比重が0.85〜1.00であるSiC粒子を含む予備成形体2と、タップ比重が1.00〜1.3であるSiC粒子を含む予備成形体3を作製する。
尚、上記に示すように、予備成形体1〜3のSiC粒子のタップ比重は、「予備成形体1<予備成形体2<予備成形体3」と設定されている。
【0032】
次に、タップ比重の最も小さいSiC粒子を含む予備成形体が、前記成形体の表面層を形成するように配置するとともに、成形体の中心層が、表面層よりもタップ比重が大きいSiC粒子を含む少なくとも1つの予備成形体で形成されていることが重要である。
また、成形体の中心部に近づくにつれて、SiC粒子のタップ比重が順次大きくなるように、予備成形体を配置して、成形体の中心層を形成することが好ましい。
例えば、「予備成形体1−予備成形体2−予備成形体1」、「予備成形体1−予備成形体3−予備成形体1」及び「予備成形体1−予備成形体2−予備成形体3−予備成形体2−予備成形体1」となるようにサンドイッチ状に配置した上で、プレス成形を行うことにより、成形体を作製する。
【0033】
更に、鋳込み成形法による成形体の作製方法の例を示す。
まず、直径が約10μmの微細なSiC繊維を、通常、数百本〜数千本束ねて繊維束(ヤーン)を形成し、この繊維束を二次元または三次元方向に配列して一方向シート(UDシート)や各種クロスとしたり、また上記シートやクロスを積層したりすることにより、所定形状の繊維プリフォームを形成する。
【0034】
次に、成形体の主な原料であるスラリーは、平均粒径50〜100μmのSiC粗粒、平均粒径0.1〜10μmのSiC微粒、望ましくは、平均粒径0.1〜30μmのC粉末の混合物に、有機バインダ及び水を加えて作製されたものであり、主成分であるSiC粗粒とSiC微粒との配合量(重量%)が、それぞれ異なる数種類のスラリーを適宜選択して用いることが好ましい。
【0035】
更に詳細には、SiC粗粒が20〜40重量%、SiC微粒が80〜60重量%を含有するスラリーAを、所定の鋳型に予め配設された上記繊維プリフォームに含浸させながら鋳込むことにより、予備成形体Aを作製する。
また同様な方法で、SiC粗粒が60〜40重量%、SiC微粒が40〜60重量%を含有するスラリーBから形成された予備成形体Bと、SiC粗粒が60〜80重量%、SiC微粒が40〜20重量%を含有するスラリーCから形成された予備成形体Cを作製する。
尚、予備成形体A〜Cのスラリー中におけるSiC粒子(SiC粗粒+SiC微粒)の全量は一定であるため、SiC粗粒の配合量(重量%)が高い場合、SiC微粒の配合量(重量%)が低く、SiC粗粒の配合量(重量%)が低い場合、SiC微粒の配合量(重量%)が高く、配合されている。
【0036】
次に、SiC粗粒の配合量(重量%)が最も多い予備成形体が、成形体の表面層を形成するように配置するとともに、SiC粗粒の配合量(重量%)が表面層よりも少なく、SiC微粒の配合量(重量%)が表面層よりも多い予備成形体で、成形体の中心層が形成されていることが重要である。
また、成形体の中心部に近づくにつれて、SiC粗粒の配合量(重量%)が少なくなるとともに、SiC微粒の配合量(重量%)が多くなるように、成形体の中心層を形成することが好ましい。
例えば、「予備成形体A−予備成形体B−予備成形体A」、「予備成形体A−予備成形体C−予備成形体A」及び「予備成形体A−予備成形体B−予備成形体C−予備成形体B−予備成形体A」となるようにサンドイッチ状に配置した上で、プレス成形を行うことにより、成形体を作製する。
【0037】
上記のように2種類の方法で作製された成形体を用いることにより、Siを溶融・含浸させた場合、成形体の中心層においては、表面層よりもSiを含浸させるための間隙(気孔)の割合が小さいように形成されることにより、Si濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さくなるように、即ち、Si濃度の段階的な勾配があるように制御することができる。より好ましくは、中心層と表面層のSi濃度が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲にあるように形成することができる。
【0038】
次いで、上記のように作製された成形体とSiとを1100〜1400℃の温度域、炉内圧0.1〜10hPaで1時間以上保持し、かつ成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL(ノルマルリットル:1200℃、圧力0.1hPaの場合、5065リットルに相当)以上の不活性ガスを流しつつ、被含浸体を作製する。
次いで、温度1500〜2500℃、好ましくは1700〜1800℃に昇温して前記成形体へSiを溶融、含浸させることにより、上記SiC繊維とSi−SiC焼結体とが一体に複合化したSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料を製造する。
【0039】
本発明においては、成形体とSiを、1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつその際、成形体とSiの合計重量1kg当たり不活性ガスを0.1NL以上、好ましくは1NL以上、さらに好ましくは10NL以上流すように制御することが望ましい。
【0040】
このように、焼成時(即ち、Siの溶融、含浸前の段階)不活性ガス雰囲気にすることにより、無機ポリマーないし無機物のセラミックス化への変化に伴うCO等の発生ガスを焼成雰囲気より除去し、また大気中のO2 等による外部からの焼成雰囲気の汚染を防止することにより、その後にSiを溶融、含浸して得られるSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の気孔率を実質上ゼロとすることができる。
【0041】
また、成形体へSiを溶融、含浸する際には、雰囲気温度を1500〜2500℃、好ましくは1700〜1800℃に昇温する。この場合、焼成炉内圧は0.1〜10hPaの範囲が好ましい。
【0042】
以上のように、本発明のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料は、CVD法や無機ポリマー含浸法で作製されたSiC繊維強化Si−SiC複合材料のようなセラミックス基複合材料(CMC)に存在した気孔をほぼ0にすることができるため、従来のセラミックス基複合材料(CMC)と比較して、緻密化することができるとともに、Si−SiC焼結体の特徴である耐酸化性、耐クリープ性、常温〜高温までの強度および靱性特性に優れる等の特徴を維持しつつ、更に靱性の向上に寄与することができる。さらに、表層側にSiリッチな層が存在することで、特開平6−128046号公報に記載されるような、構成元素のうち接合に関与する元素を過剰に含有するSi系セラミックス等の複数の非酸化物セラミックス部材間に、金属材料を介在させ、非酸化性雰囲気下で加熱して、接合部分に接合関与元素と金属材料との化合物を生成させて接合体を得るというごとき、セラミックの接合が容易に行えるという効果もある。
また、本発明の複合材料を、例えば、薬液用るつぼの如き物品に適用する場合には、液に触れるるつぼの内側面を本発明でいう表面層、液に触れない外側面を本発明でいう中心層として理解することができる。
【0043】
【実施例】
次に、本発明を実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。
尚、各例によって得られた材料、複合材料は、以下に示す方法よりその特性を評価した。
【0044】
(気孔率の測定方法)
開気孔率(%)=〔(W3−W1)/( W3−W2)]×100
(アルキメデス法による。)
乾燥重量(W1):100℃のオーブンで1Hr乾燥させ、その後秤量
水中重量(W2):試料を煮沸し、開気孔中に完全に水を侵入させて水中にて秤量
飽水重量(W3):開気孔中に完全に水を侵入させた試料を大気中にて秤量
【0045】
(耐酸化性の評価方法)
60mm×60mm×5mm(厚さ)のテストピースを切り出し、これを1150℃の炉内へ放置し、90%の温水で飽和させたO2 ガス気流下で酸化させ、時間当たりの酸化増量を測定することにより、耐酸化性を評価した。
【0046】
(曲げ強度の評価方法)
評価対象物の厚みの半分の厚さの部分(面)を引張面(評価対象物内部)とし、JIS R 1601「ファインセラミックスの曲げ強さ試験方法」に準拠した4点曲げ強度(抗折強度)試験を常温で行った。
【0047】
(Si濃度の測定方法)
厚さ10mmの母材料(評価対象物)から、0.5mm厚さの表面層及び中心層を切り出し、そこに含浸しているSi量を蛍光X線にて定量分析してSi濃度を求めた。
【0048】
(実施例1〜3)
平均粒径100μmのSiC粗粒を70重量%、平均粒径5μmのSiC微粒を30重量%の割合とし、この合計量100重量%に対して、平均粒径2μmのC粉末を10重量%(外配)の割合で混合した。この混合物100重量%に対して有機バインダ2重量%を配合し、10重量%(外配)の水に分散させたスラリー状混合物を作製した(原料A)。
更に、平均粒径100μmのSiC粗粒を50重量%、平均粒径5μmのSiC微粒を50重量%の割合とし、この合計量100重量%に対して、平均粒径2μmのC粉末を5重量%(外配)の割合で混合した。この混合物100重量%に対して有機バインダ1.5重量%を配合し、14重量%(外配)の水に分散させたスラリー状混合物を作製した(原料B)。
【0049】
次に、前記の工程で作製された原料Aを、100×100mm寸法、高さ30mmの石膏型に5mm鋳込み充填し、その上に原料Bを5mm鋳込み充填し、更にその上に原料Aを5mm鋳込み充填し、100×100×15mmの成形体を作製した(成形体1)。
【0050】
更に、得られた成形体1を用い、純度99.8%で平均粒径1mmのSi粉末で充填されたカーボンるつぼ内に立設した。次いで、焼成炉内にカーボンるつぼを移動した。
次に、焼成炉内を1100〜1400℃の温度域、不活性ガス量、焼成炉内圧及びその保持時間を表1に示すような条件として処理した後、焼成炉内の圧力をそのまま保持しつつ、炉内温度を表1の最高温度に昇温することにより、成形体1にSiを含浸させて、Si濃度段階的変化型Si−SiC材料を作製した。
得られたSi−SiC材料の気孔率及びSi濃度の結果を表1に示す。
【0051】
(実施例4〜9)
平均粒径100μmのSiC粗粒を70重量%、平均粒径5μmのSiC微粒を30重量%の割合とし、この合計量100重量%に対して、平均粒径2μmのC粉末を10重量%(外配)の割合で混合した。この混合物100重量%に対して有機バインダ5重量%を配合し、適度の水に溶解させたスラリー状混合物を、スプレードライヤーを用いて平均粒径120μmの造粒粒子を作製した(原料C)。
平均粒径100μmのSiC粗粒を50重量%、平均粒径5μmのSiC微粒を50重量%の割合とし、この合計量100重量%に対して、平均粒径2μmのC粉末を5重量%(外配)の割合で混合した。この混合物100重量%に対して有機バインダ5重量%を配合し、適度の水に溶解させたスラリー状混合物を、スプレードライヤーを用いて平均粒径120μmの造粒粒子を作製した(原料D)。
【0052】
次に、前記の工程で作製された原料Cを100×100mm寸法の金型に充填し、その上からSiC繊維クロスを敷き、更に造粒粒子でSiC繊維クロスを挟み込むように敷き詰めた後、500Kgf/cm2 でプレス成形し、100×100×5mmの成形体を作製した(予備成形体C)。
次に、原料Dを用いて、100×100×5mmの成形体を上記の方法と同様に作製した(予備成形体D)。
そして、予備成形体を、予備成形体C−予備成形体D−予備成形体Cとなるように積み重ねた後、プレス成形を行い、100×100×15mmの成形体を作製した(成形体2)。
尚、ここでSiC繊維クロスは、ニカロン(成形体2−1、日本カーボン製)又はハイニカロン(成形体2−2、日本カーボン製)を用いた。
【0053】
更に、得られた成形体2を用い、純度99.8%で平均粒径1mmのSi粉末で充填されたカーボンるつぼ内に立設した。次いで、焼成炉内にカーボンるつぼを移動した。
次に、焼成炉内を1100〜1400℃の温度域、不活性ガス量、焼成炉内圧及びその保持時間を表1に示すような条件として処理した後、焼成炉内の圧力をそのまま保持しつつ、炉内温度を表1の最高温度に昇温することにより、成形体2にSiを含浸させて、Si濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料を作製した。
得られた複合材料の気孔率及びSi濃度の結果を表1に示す。
【0054】
【表1】
【0055】
表1に示すように、全般的に1100〜1400℃の温度域で、Arガス量、焼成炉内圧及びその保持時間を徐々に増加させたことにより、それぞれ複合材料の気孔率が減少する傾向が確認された。また、気孔が存在した場合であっても、極めて微小で約10μm以下であった。
また、気孔率を減少させる効果は、焼成炉内圧とその保持時間およびArガス(不活性ガス)流量との相互作用が、特に重要な要素であることが判明した。
【0056】
(実施例10〜11、比較例1〜2)
実施例8〜9の条件で焼成し得られたSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例10〜11)と、市販されている日本ガイシ製のSi−SiC焼結体(商標:NEWSIC)(比較例1)及びドイツCESIWID社製のSi−SiC焼結体(比較例2)の耐酸化性の測定を行なった。得られた結果を表2に示す。
【0057】
【表2】
【0058】
(実施例12、比較例3〜4)
実施例6〜9の条件で焼成し、得られたSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例12:試料No.1〜4)と、市販されている日本ガイシ製のSi−SiC焼結体(商標:NEWSIC)の4種類(比較例3)及びドイツCESIWID社製のSi−SiC焼結体の4種類(比較例4)の気孔率、及び曲げ強度の測定をそれぞれ行った。
得られた結果を表3、表4に示す。
【0059】
【表3】
【0060】
【表4】
【0061】
表2〜表4に示すように、本発明のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例10〜12)では、気孔率が0.2%以下であり、耐酸化性及び曲げ強度がNEWSICと同様の特性を維持し、市販のSi−SiC焼結体に比べて破壊靱性を向上させると考えられる。
【0062】
更に、本発明のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例10〜12)は、日本ガイシ製Si−SiC(NEWSIC)焼結体(比較例3)の特性である耐酸化性、耐クリープ性、常温〜高温までの強度及び靭性特性に優れる等の特徴を維持しつつ、更に靭性を向上させることができると考えられる。
【0063】
(実施例13〜18、比較例5〜6)
実施例1〜3で焼成し、得られたSi濃度段階的変化型Si−SiC材料(実施例13〜15)及び実施例8〜9の条件で焼成し、得られたSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例16〜18)と、市販されている日本ガイシ製のSi−SiC焼結体[商標:NEWSIC](比較例5)及びドイツCESIWID社製のSi−SiC焼結体(比較例6)から、JIS R 1601に記載のテストピース(3×4×40mm)を各々10本切り出し、マイクロインデンテーションによる予亀裂を導入した。それぞれの予亀裂入りの5本について、そのまま曲げ強度測定を行うとともに、残りの5本については、1300℃の大気中で500時間保持し、表面のヒーリングを行った。
表面ヒーリング前後の材料強度の測定結果を表5に示す。
【0064】
【表5】
【0065】
表5に示すように、本発明のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料(実施例13〜15)及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例16〜18)では、予亀裂に対するヒーリング効果が、従来のSi−SiC焼結体と比較して、優れていることが判明した。
これは、表面層のSi濃度が中心層のSi濃度よりも相対的に高いため、発生したマイクロクラック部分が、加熱により酸化し、同時にヒーリングされ、材料中の欠陥サイズが小となり、材料特性を保持するからである。
そして、Si濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料(実施例16〜18)の場合には、マイクロインデンテーションによるクラックの発生量が少ないものほど、セラミックスの強度や靱性及び脆さを改善するヒーリング効果が顕著であることが判明した。
【0066】
また、SiC繊維クロス(繊維プリフォーム)として、Si−C−O系炭化珪素繊維であるニカロンを用いることにより、本発明のSiC繊維強化Si−SiC複合材料の高温強度を向上させるとともに、セラミックス特有の脆さを著しく改善する効果があることが期待できる。
【0067】
更に、SiC繊維クロス(繊維プリフォーム)として、Si−C−O系炭化珪素繊維であるハイニカロンを用いることにより、ニカロンを用いたSiC繊維強化Si−SiC複合材料よりも、更に耐酸化性及び耐クリープ特性を向上させたSiC繊維強化Si−SiC複合材料を作製することができた。
【0068】
〔Si濃度段階的変化の確認・評価〕
実施例1〜3で焼成し、得られたSi濃度段階的変化型Si−SiC材料及び実施例8〜9の条件で焼成し、得られたSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料と、市販されている日本ガイシ製のSi−SiC焼結体[商標:NEWSIC](比較例1)及びドイツCESIWID社製のSi−SiC焼結体(比較例2)において、マイクロインデンテーションによるクラック導入を行う前の材料についてその表面層及び中心層におけるSi濃度を測定した。
得られた結果を表6に示す。
【0069】
【表6】
【0070】
表6から明らかなように、Si濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料では、Si濃度は表面層が高く、中心層が低いというように、Si濃度が段階的に変化していることがわかる。一方、市販品では、表面層及び中心層がほぼ同濃度であった。
【0071】
尚、ニカロン、ハイニカロンは下記のように作製されたものである。
ニカロンは、β−SiC構造を持つSi−C−O系炭化ケイ素繊維であり、有機ケイ酸ポリマー(ポリカルボシラン)でこれを溶融紡糸して連続繊維にし、この繊維を空気中で加熱すると、Si−O−Siの橋かけが行われ不融化し、不活性ガス雰囲気中で1200〜1500℃で焼成したものである。
ハイニカロンは、酸素含有量0.5mass%以下の極低酸素量のSi−C−O系炭化ケイ素繊維であり、炭化ケイ素繊維有機ケイ酸ポリマー(ポリカルボシラン)でこれを溶融紡糸して連続繊維にし、この繊維に非酸素雰囲気中で電子線を照射することにより、酸素の介在なしにポリカルボシランが自己架橋し不融化し、不活性ガス雰囲気中で1000℃以上で焼成したものである。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料及びSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料並びにこれらの製造方法によれば、強酸化腐食環境での耐食性及び強度に優れ、しかも表面層及び中心層の欠陥へのヒーリング機能を著しく向上させることができる。
【0073】
また、CVD法や無機ポリマー含浸法で作製されたSiC繊維強化Si−SiC複合材料のようなセラミックス基複合材料(CMC)に存在した気孔をほぼ0にすることができるため、従来のセラミックス基複合材料(CMC)と比較して、緻密化することができるとともに、Si−SiC焼結体の特徴である耐酸化性、耐クリープ性、常温〜高温までの強度および靱性特性に優れる等の特徴を維持しつつ、更に靱性の向上に寄与することができる。
Claims (7)
- SiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させてなるSi−SiC材料であって、該Si−SiC材料の気孔率が1.0%以下であり、且つ、該Si−SiC材料を構成する成形体におけるSi濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さく、かつ中心層と表面層のSi濃度(wt%)比が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲になるように形成したことを特徴とするSi濃度段階的変化型Si−SiC材料。
- SiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させることにより、Si濃度段階的変化型Si−SiC材料を製造する方法であって、
SiC粒子を含む少なくとも2種類の混合物を用意し、該2種類の混合物は平均粒径の異なるSiC粒子を含み、平均粒径の大きいSiC粒子を含む混合物を用いた予備成形体を表層側に配置し、該表層側に配置した予備成形体よりも平均粒径の小さいSiC粒子を含む混合物を用いた予備成形体を中心層側に配置して積層した成形体とSiを、1100〜1400℃の温度に保持するとともに不活性ガス雰囲気に晒した後、1500〜2500℃の温度に昇温して前記成形体へSiを溶融、含浸させることを特徴とするSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法。 - 前記成形体とSiを、1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつ前記成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL以上の不活性ガスを流した後、1500〜2500℃の温度に昇温する請求項2に記載のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法。
- SiC繊維とSiC粒子を含む成形体に対し、Siを溶融、含浸させてなるSiC繊維強化Si−SiC複合材料であって、該SiC繊維強化Si−SiC複合材料の気孔率が1.0%以下であり、且つ、該SiC繊維強化Si−SiC複合材料におけるSi濃度が表面層から中心層に向かって段階的に小さく、かつ中心層と表面層のSi濃度(wt%)比が、中心層/表面層=1/100〜90/100の範囲になるように形成したことを特徴とするSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料。
- 該Si濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料に用いるSiC繊維の酸素量が0.5mass%以下である請求項4に記載のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料。
- 請求項2に記載のSi濃度段階的変化型Si−SiC材料の製造方法において、
平均粒径の大きい方のSiC粒子を含む混合物を用いSiC繊維を挟んで成形した予備成形体を表層側に配置し、該表層側に配置した予備成形体よりも平均粒径の小さいSiC粒子を含む混合物を用いSiC繊維を挟んで成形した予備成形体を中心層側に配置し、これらの各予備成形体を積み重ねて成形した成形体を用いることを特徴とするSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の製造方法。 - 前記成形体とSiを、1100〜1400℃の温度、0.1〜10hPaの圧力に1時間以上保持し、かつ前記成形体とSiの合計重量1kg当たり0.1NL以上の不活性ガスを流した後、1500〜2500℃の温度に昇温する請求項6記載のSi濃度段階的変化型SiC繊維強化Si−SiC複合材料の製造方法。
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