JP4011257B2 - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子およびその製造方法、ならびに発光素子の実装構造に関し、特に、Sn−Pbハンダによって接続が可能な発光素子およびその製造方法、ならびにSn−Pbハンダによって発光素子が接続された実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
接合されたp型半導体結晶およびn型半導体結晶のそれぞれに正電極および負電極が付与された構造を有する発光素子は、ハンダを介して電気配線基板に実装することができる。そして、電極に対しハンダ付可能な発光素子は、通常、In−Pbハンダ(In:Pb=50:50〜20:80)を用いて配線に接続されている。In−Pbハンダは、発光素子電極との反応性が低く、電気的接続に使用しても発光素子の性能に影響を与えないからである。
【0003】
一方、Sn−Pbハンダは、従来、発光素子の接続に用いられてこなかった。Sn−Pbハンダは、発光素子電極との反応性が高く、ハンダ付けに際して電極をその中に溶解させ、電極構造を消失させてしまうおそれがあったためである。しかしながら、従来使用されてきたIn−Pbハンダは、Sn−Pbハンダに比べて高価であり、ハンダ付けのコストを押上げている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、Sn−Pbハンダによって接続し得る発光素子およびその製造方法を提供することである。
【0005】
本発明のさらなる目的は、ハンダ付けのコストを引き下げることができる、発光素子およびその製造方法、ならびに発光素子の実装構造を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、発光素子の電極を厚くすることで、Sn−Pbハンダを接続に用いても電極構造を維持できることを見出した。ただし、発光素子の電極形成に一般的に用いられているスパッタ法や蒸着層では、そのような厚い電極の形成は困難である。本発明者は、メッキによる電極形成法を採用することにより、この課題を解決し、本発明を完成させるに至った。メッキでは、数100nmから数万nmの厚みの形成が可能であり、本発明では、厚さ1000nm〜3000nmのNi層またはNi合金層を電極の一部として形成することで、Sn−Pbハンダでも接続が可能な電極構造を提供している。すなわち、十分な厚さ1000nm〜3000nmのNi層またはNi合金層はSn−Pbハンダを用いてもそのはんだ融液に食われきってしまうことがなく、安価なSn−Pbハンダを用いたはんだ付けが可能となる。
【0007】
本発明により提供される発光素子は、p型半導体、p型半導体に接合するn型半導体、p型半導体上に形成される正電極、およびn型半導体上に形成される負電極を備え、該正電極および該負電極がそれぞれ、p型半導体またはn型半導体にオーミック接触するAu合金からなる第1の金属層、第1の金属層上にバリア金属層を介して形成され、NiまたはNi合金からなりかつはんだ接合時にSn−Pb合金はんだによって食われきらない1000nm〜3000nmの厚みを有する第2の金属層、および第2の金属層上に形成され、AuまたはAu合金からなりかつ40nm〜300nmの厚みを有する第3の金属層を含み、バリア金属層は半導体からの成分の拡散を防止するためにモリブデンおよびタングステンよりなる群から選ばれた少なくとも1つの金属からなることを特徴とする。
【0008】
また本発明において、正電極および負電極は、p型半導体の表面およびn型半導体の表面の一部にそれぞれ形成することができ、それにより、正電極および負電極がそれぞれ形成されている半導体の面は、部分的に露出させることができる。
【0009】
本発明により提供される発光素子の実装構造は、上記発光素子、および上記発光素子が装着される電気配線基板を備え、上記発光素子は、電気配線基板にSn−Pb合金ハンダを介して電気的に接続されている。この実装構造において、電気配線基板に対しpn接合面が略垂直になるよう、発光素子を横置きにして電気配線基板に装着することができる。
【0010】
本発明により、p型半導体、p型半導体に接合するn型半導体、p型半導体上に形成される正電極、およびn型半導体上に形成される負電極を備える発光素子の製造方法が提供され、該製造方法は、接合されたn型半導体およびp型半導体のそれぞれ上にオーミック接触するAu合金からなる第1の金属層を形成する工程、1の金属層上に半導体からの成分の拡散を防止するためにモリブデンおよびタングステンよりなる群から選ばれた少なくとも1つの金属からなるバリア金属層を形成する工程、バリア金属層上に、NiまたはNi合金からなりかつはんだ接合時にSn−Pb合金はんだによって食われきらない1000nm〜3000nmの厚みを有する第2の金属層をメッキにより形成する工程、および第2の金属層上に、AuまたはAu合金からなる第3の金属層をメッキにより形成する工程を備える。
【0011】
本発明による製造方法において、メッキすべき面は、希釈したフッ化水素酸により処理することが好ましい。本発明の好ましい態様において、メッキは電解メッキである。また、第3の金属層をメッキにより形成する工程の後に熱処理を行わないことが好ましい。
【0012】
本発明による製造方法では、半導体ウェハ上に上記工程に従って複数の前記発光素子を形成した後、ダイシングにより半導体ウェハを切断して、電極面が0.1mm〜0.3mm×0.1mm〜0.3mmのサイズである発光素子を得ることができる。ダイシングにより得られる素子の側面は、平坦なものとすることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して本発明をより詳細に説明する。図1(a)〜(e)は、本発明に関連する製造方法の参考例を示している。図1(a)に示すように、pn接合体10において、n型半導体11上にオーミックメタル層13が形成される。pn接合体は、通常、n型半導体基板上にp型半導体層が形成された構造を有する。n型半導体には、たとえばGaP(n型)が使用され、p型半導体には、たとえばGaP(p型)が使用される。オーミックメタル層13は、たとえばAuSi層とAu層との積層体とされる。オーミックメタル層13の厚みは、たとえば300〜600nmの範囲であり、より具体的に450nm程度が好ましい。次いで、図1(b)に示すように、p型半導体層上にもオーミックメタル層14を形成する。オーミックメタル層14は、たとえばAuBe層であり、その厚みは、たとえば100〜400nmの範囲であり、より具体的に200nm程度が好ましい。これらのオーミックメタル層は、たとえばスパッタリング、蒸着等により形成される。次に、好ましくは、図2(a)に示すように、オーミックメタル層で被覆された半導体基板20を、希釈されたフッ化水素酸21に接触させ、オーミックメタル層の表面処理を行う。希フッ化水素酸におけるフッ化水素濃度は、たとえば3〜20%である。希フッ化水素酸によって表面の酸化膜を除去することができ、次工程で形成されるメッキ層の密着性を高めることができる。また、メッキの下地がAu合金などのAuを含む層の場合、好ましくは、図2(b)に示すように、オーミックメタル層で被覆された半導体基板20を、ヨウ化アンモニウム水溶液22(たとえばヨウ化アンモニウム1重量部に対し脱イオン水7重量部の溶液)に接触させ、オーミックメタル層の表面処理を行う。これにより、Auを含むオーミックメタル層がわずかにエッチングされ、表面に凹凸ができるため、次工程で形成されるメッキ層の密着性を高めることができる。好ましくは、図2(a)および(b)に示すように、希フッ化水素酸による処理の後、ヨウ化アンモニウム水溶液による処理を行う。
【0014】
次いで、図1(c)に示すように、メッキにより、オーミックメタル層13上にNiまたはNi合金からなるメッキ層15を形成する。メッキ層15の厚みは、1000〜3000nmであり、好ましくは2000nmである。Ni合金には、Ni−Au合金等がある。メッキは、電解メッキおよび無電解メッキを含むが、特に電解メッキ(電気メッキ)が好ましい。電解メッキにおいて、たとえば、メッキ液は、スルファミン酸ニッケルおよび硼酸を含有するものであり、メッキ温度は、50±10℃である。さらに、図1(c)に示すように、メッキ層15上にAuまたはAu合金からなるメッキ層16を形成する。メッキ層16の厚みは、40〜300nmであり、好ましくは100nmである。メッキ層16も電解メッキまたは無電解メッキによって形成されるが、特に電解メッキが好ましい。電解メッキにおいて、たとえば、メッキ液は、Auを含有するものであり、メッキ温度は、60±10℃である。次いで、図1(d)に示すように、オーミックメタル層14上にNiまたはNi合金からなるメッキ層17を形成する。メッキ層17の厚みは、1000〜3000nmであり、好ましくは2000nmである。メッキ層17も好ましくは電解メッキによりメッキ層15と同様の条件で形成する。さらにメッキ層17上にAuまたはAu合金からなるメッキ層18を形成する。メッキ層18の厚みは、40〜300nmであり、好ましくは100nmである。メッキ層18も好ましくは電解メッキによりメッキ層16と同様の条件で形成する。
【0015】
Auを含むメッキ層16または18を形成した後は、好ましくは熱処理を行わない。熱処理を行うと、Niがその上のAuの表面まで拡散し、Au表面に酸化膜を形成し得る。熱処理を行わないことによりNiの拡散を無くし、酸化膜の形成を防止する。
【0016】
上述したように、本発明に関連する参考例においてNiを含むメッキ層の厚みは1000〜3000nmである。1000nm以上の厚いNiメッキ層で電極を構成することにより、Sn−Pb合金ハンダを接続に使用しても、電極が溶融ハンダに溶け込んで食われきってしまうことがない。一方、Niメッキ層の厚みが3000nmを超えると、当該メッキ層からウェハにかかる応力が大きくなり、ウェハ割れが発生しやすくなる。また、Auを含むメッキ層の厚みは40〜300nmである。Auメッキ層は、Ni表面の酸化を防ぐために形成するもので、40nm以上の厚みであればその役割を十分に果たす。一方、Auメッキ層の厚みが300nmを超えると、後に行われるダイシングでのブレードの目詰まりの原因となる。
【0017】
図1(e)に示すように、メッキ層を形成した基板を粘着シート19に貼り付けてフルダイシングを行う。粘着シート19として、たとえばUC100M(古河電工社製)を用いる。ダイシングのピッチは、得られる素子のサイズが0.1〜0.3mm×0.1〜0.3mmとなるよう設定する。たとえばダイシングブレードとしてディスコ社製NBC−ZB2050(厚み0.02mm)を用いる場合、ダイシングの切りしろ(ダイシング溝20の幅)は約0.03mmとなるので、ダイシングピッチは0.13〜0.33mmに設定する。このようにして所望の発光素子が得られる。ダイシング加工を採用することで結晶材料のロスを少なくすることができ、方法も簡便になる。また、ダイシングによって得られる切断面は平坦であり、得られた素子を横に倒した後、チップテスト時や配線基板へのチップ搭載時に、切断面をコレットで吸着することができる。平坦な切断面(側面)は、素子を横置きにしてプリント配線基板上に安定に載置することを可能にする。
【0018】
図3(a)〜(f)に本発明による製造方法の一例を示す。図3(a)および(b)に示すように、pn接合体10において、n型半導体11上にオーミックメタル層13、p型半導体12にオーミックメタル層14をそれぞれ形成する。この方法が図1に示す方法と異なる点は、図3(c)に示すように、オーミックメタル層14上にバリアメタル層31を形成することである。バリアメタル層31は、たとえばMoまたはWからなる。バリアメタル層31の厚みは、たとえば200〜400nmであり、好ましくは250〜350nmである。バリアメタル層31は、たとえば、Moにより形成される。メッキの下地としてバリアメタルを形成することによって、そのバリアメタルより下側にある元素が上側(メッキすべき表面)に出でくることを防止できる。たとえば、ウェハ結晶としてGaAsを用いる場合、Gaは拡散によりオーミックメタルの表面に出やすいが、その後、バリアメタルによって拡散は遮断される。バリアメタル層を形成した後、図1の方法と同様に、図3(d)〜(f)に示すとおり、メッキ層15、16、17および18を形成し、ダイシングを行って素子を得る。
【0019】
図4は、発光素子のサイズを示している。直方体である発光素子40において、電極面41のサイズは、0.1〜0.3mm×0.1〜0.3mmである。また、厚みtは、たとえば0.28〜0.3mmである。
【0020】
図5に図1の方法により得られる素子の構造を示す。発光素子50において、pn接合を有する半導体結晶50の正電極51として、AuBe合金からなるオーミックコンタクト層14、NiまたはNi合金からなるメッキ層17およびAuまたはAu合金からなるメッキ層18が設けられ、負電極52としてAuSi+Auからなるオーミックコンタクト層13、NiまたはNi合金からなるメッキ層15およびAuまたはAu合金からなるメッキ層16が設けられる。Niを含むメッキ層の厚みは1000〜3000nmであり、Auを含むメッキ層の厚みは40〜300nmである。
【0021】
図6に図3の方法により得られる素子の構造を示す。発光素子60において、pn接合を有する半導体結晶60の正電極61として、AuBe合金からなるオーミックコンタクト層14、Moからなるバリアメタル層31、NiまたはNi合金からなるメッキ層17およびAuまたはAu合金からなるメッキ層18が設けられ、負電極62としてAuSi+Auからなるオーミックコンタクト層13、NiまたはNi合金からなるメッキ層15およびAuまたはAu合金からなるメッキ層16が設けられる。Niを含むメッキ層の厚みは1000〜3000nmであり、Auを含むメッキ層の厚みは40〜300nmである。
【0022】
図7に示すように、pn接合を有する半導体結晶70の面71上に、電極72を部分的に形成してもよい。電極72は、面71の一部に形成され、面71の他の部分は電極に覆われることなく露出している。このような部分的な電極の形成は、正極および負極のいずれかまたは両方について行うことができる。電極が形成される面について半導体結晶を露出させることにより、露出部分からも発光が得られ、光出力を高めることができる。
【0023】
図8に本発明による発光素子の実装構造の一例を示す。発光素子80の正電極81および負電極82はそれぞれ、電気配線基板90の配線パターン91にSn−Pb合金ハンダ(たとえばSn:Pb=60:40)92を介して接続されている。発光素子80は、pn接合面83が基板90に垂直となるよう、横置きにされている。発光素子80の基板90に接する側面84は、ダイシング時に形成された切削面である。側面84は平坦であるため、接続時に基板上に載置される素子80の安定性はよい。上記構造の電極は、Sn−Pbハンダによって食われきってしまうことがないため、Sn−Pbハンダにより低コストで接続を行うことができる。
【0024】
【発明の効果】
以上示してきたように、本発明による発光素子はSn−Pbハンダにより電気配線基板に接続できるため、ハンダ付けのコストを従来より低いものにすることができる。本発明による発光素子の製造方法は、メッキにより簡便に厚い電極層を形成でき、コストの抑制に寄与し得る。本発明による発光素子は、主にチップ部品型LEDとして有用であり、たとえば、携帯電話機のボタン照明等に利用される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に関連する製造方法の参考例を模式的に示す断面図である。
【図2】 図1の製造方法においてウェハを希フッ化水素酸およびヨウ化アンモニウム水溶液で処理する工程を示す斜視図である。
【図3】 本発明による製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図4】 本発明により得られる発光素子のサイズを示す斜視図である。
【図5】 本発明に関連する発光素子の一例を示す概略断面図である。
【図6】 本発明による発光素子の一例を示す概略断面図である。
【図7】 本発明により電極を部分的に設けた発光素子の例を示す斜視図である。
【図8】 本発明による発光素子の実装構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
10 pn接合体、11 n型半導体、12 p型半導体、13,14 オーミックコンタクト層、15,16,17,18 メッキ層。
Claims (9)
- p型半導体、前記p型半導体に接合するn型半導体、前記p型半導体上に形成される正電極、および前記n型半導体上に形成される負電極を備える発光素子において、
前記正電極および前記負電極がそれぞれ、前記p型半導体または前記n型半導体にオーミック接触するAu合金からなる第1の金属層、前記第1の金属層上にバリア金属層を介して形成され、NiまたはNi合金からなりかつはんだ接合時にSn−Pb合金はんだによって食われきらない1000nm〜3000nmの厚みを有する第2の金属層、および前記第2の金属層上に形成され、AuまたはAu合金からなりかつ40nm〜300nmの厚みを有する第3の金属層を含み、前記バリア金属層は前記半導体からの成分の拡散を防止するためにモリブデンおよびタングステンよりなる群から選ばれた少なくとも1つの金属からなることを特徴とする、発光素子。 - 前記正電極および前記負電極は、前記p型半導体の表面および前記n型半導体の表面の一部にそれぞれ形成されており、それにより、前記正電極および前記負電極がそれぞれ形成されている半導体の面は、部分的に露出していることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
- 請求項1または2に記載の発光素子、および前記発光素子が装着される電気配線基板を備え、
前記発光素子が前記電気配線基板にSn−Pb合金ハンダを介して電気的に接続されている、発光素子の実装構造。 - 前記電気配線基板に対してpn接合面が略垂直になるよう、前記発光素子が横置きにして前記電気配線基板に装着される、請求項3に記載の実装構造。
- p型半導体、前記p型半導体に接合するn型半導体、前記p型半導体上に形成される正電極、および前記n型半導体上に形成される負電極を備える発光素子の製造方法であって、
接合されたn型半導体およびp型半導体のそれぞれ上にオーミック接触するAu合金からなる第1の金属層を形成する工程、
前記第1の金属層上に前記半導体からの成分の拡散を防止するためにモリブデンおよびタングステンよりなる群から選ばれた少なくとも1つの金属からなるバリア金属層を形成する工程、
前記バリア金属層上に、NiまたはNi合金からなりかつはんだ接合時にSn−Pb合金はんだによって食われきらない1000nm〜3000nmの厚みを有する第2の金属層をメッキにより形成する工程、および
前記第2の金属層上に、AuまたはAu合金からなる第3の金属層をメッキにより形成する工程
を備えることを特徴とする、発光素子の製造方法。 - メッキすべき面を希釈したフッ化水素酸により処理する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項5に記載の製造方法。
- 前記メッキが電解メッキであることを特徴とする、請求項5または6に記載の製造方法。
- 第3の金属層をメッキにより形成する工程の後に熱処理を行わないことを特徴とする、請求項5〜7のいずれか1項に記載の製造方法。
- 半導体ウェハ上に前記工程に従って複数の前記発光素子を形成した後、ダイシングにより前記半導体ウェハを切断して、電極面が0.1mm〜0.3mm×0.1mm〜0.3mmのサイズである発光素子を得ることを特徴とする、請求項5〜8のいずれか1項に記載の製造方法。
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