JP3998817B2 - 逆電流が存在する場合のldmos用のターンオフ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は集積回路に関するものであって、更に詳細には、パワー段の駆動回路に関するものである。更に詳細には、本発明は、高電圧ダイオードをエミュレーションするLDMOS集積化トランジスタによってコンデンサが充電される場合のブートストラップシステム又は同様のシステムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ディスクリートなパワー装置を駆動すべく構成されている出力段を有するか、又は制御回路を含む同一のチップ上にそれ自身が集積化されている出力段を有する集積回路においては、駆動段の正しいパワーの供給を確保するためにブートストラップコンデンサを使用することが一般的である。これらのシステムにおいては、ブートストラップ容量が非常に短い時間期間で充電されることが基本的であり、そのことは、通常、ブートストラップ容量を迅速に充電するために使用されるダイオードエミュレータLDMOSトランジスタを介して行なわれる。
【0003】
半ブリッジ出力段の所謂高側ドライバ(HSD)用の駆動回路の場合には、HSDが低電圧を参照する場合(即ち、その出力が低である場合)にブートストラップ容量を充電することが可能であり、一方HSDが高電圧を参照する場合(即ち、その出力が高である場合)には、LDMOSは高インピーダンスをエミュレーションすべきである。これらの機能条件は、パワー装置の高電圧供給を維持せねばならないLDMOS集積化構成体と関連している容量の充電プロセス及び放電プロセスから派生することのある電流注入にも拘らずに、HSDが高電圧から低電圧又は低電圧から高電圧へスイッチングするフェーズ期間中においても確保されるものでなければならない。
【0004】
刊行物WO94/27370は、低パワー装置の駆動モジュールと高パワー装置の駆動フローティングモジュールとを有する半ブリッジ回路を開示しており、その場合に、高パワートランジスタの駆動モジュールは分離したウエル領域内に構成されており、且つ適切に制御されたLDMOSトランジスタがブートストラップコンデンサの高電圧充電用ダイオードをエミュレーションしている。
【0005】
これらの場合において、LDMOS集積化構成体と関連している寄生バイポーラ接合トランジスタの効果を制御することが必要である。
【0006】
欧州特許出願EP−A−0743752は、LDMOS集積化構成体の寄生トランジスタのスイッチオンに関連する問題が発生するある条件を指摘すると共に記載しており、更に、LDMOS集積化構成体の寄生トランジスタのスイッチオンによって発生される電流消費を回避し且つ集積化装置自身を破壊する可能性のある条件の発生を回避することが可能な異なる回路レイアウトについても記載している。
【0007】
図1は上述した欧州特許出願において記載されている保護用回路装置を概略的に示してある。
【0008】
上述した欧州特許出願に記載されている解決方法によれば、電圧供給VsがLDMOSをも包含する全体的な集積化装置の最小スイッチオン電圧より低い場合に、UVLOとして呼称される集積回路の機能フェーズが存在しており、その期間中において、スイッチSW1及びSW2の両方が開成であり、LDMOS構成体のVb基板ノードの電圧は回路接地電圧に維持される。
【0009】
図1は低ゲート駆動信号及び供給電圧Vsが該集積化装置の最小スイッチオン電圧より低いフェーズ期間中にアクティブ即ち活性状態である第二論理駆動信号(UVLOb)の関数として論理制御回路によって駆動されるインバータIO1により回路供給ノードVsへ接続しているダイオードD1によって充電されるブートストラップコンデンサCpを介してLDMOSトランジスタが制御されることを示している。
【0010】
通常、LDMOSは、LDMOSドレイン上の電圧がソース電圧より低い場合にのみ、オンであるようにコマンドが与えられる(即ち、ノードAはインバータIO1によってVsとされる)。一方、VDS>0の状態でLDMOSが偶発的にスイッチオンされると、LDMOS集積化トランジスタのドレインから供給ノードVsに向かって不所望の逆電流が発生する。この逆電流は、本装置を損傷する場合があり、又は、いずれの場合においても、ブートストラップコンデンサを放電させる場合がある。
【0011】
従って、逆電流(即ち、ドレインからソースへ向かう電流)が発生する場合に、LDMOSトランジスタを自動的にスイッチオフさせる適宜の手段を設けることの必要性が存在している。本発明は、このような必要性に対する効果的な解答を与えるものである。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、逆電流即ちドレインからソースに向かう電流が発生する場合にLDMOSトランジスタを自動的にスイッチオフさせることの可能な回路を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、逆電流が発生する場合にLDMOSトランジスタを自動的にスイッチオフさせることの可能なクランプ要素をLDMOSトランジスタを介しての電流経路に沿って挿入しており、一方、直接的な電流即ち順方向の電流(即ち、ソースからドレインへ向かう電流)が存在する場合には、該クランプ要素は実質的に無視可能な抵抗を有している。
【0014】
基本的に、本発明の重要な特徴は、本回路の供給ノードとLDMOSトランジスタのソースノードとの間に接続されており直接的に即ち順方向にバイアスされたツェナーダイオードを有することであり、且つ、LDMOSトランジスタゲートノードを駆動し且つ制御インバータを有する相対的チャージポンプ回路のブートストラップ容量を充電するために通常の充電用ダイオードの代わりに第二ツェナーダイオードを設けた点である。これら2つのツェナーダイオードの夫々のツェナーブレイクダウン(VZ1及びVZ2)は、LDMOSがオンへ駆動され且つVGS>0である場合に、常に、
VGD<LDMOSのVTHRESHOLD
の条件を満足するように寸法構成されている。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の概略的な構成を図2に示してある。LDMOSトランジスタLDのゲートGがクランプ装置を具備する論理制御ブロックによって制御されるチャージポンプ回路によって駆動され、且つ、LDMOSトランジスタLDを介しての電流経路に沿って、クランプ装置がソースノードSと供給ノードVsとの間に挿入されている。
【0016】
本発明の1実施例が図3の回路図に示されている。LDMOSトランジスタLDのゲートを制御するチャージポンプ回路は駆動用インバータIO1によって及びブートストラップコンデンサCpによって表わされており、Vs供給電圧にある容量Cpの一般的な充電用ダイオードを使用する代わりに、本発明によれば、第一ツェナーダイオードZ1を使用している。第二ツェナーダイオードZ2がトランジスタLDのソースノードSと供給ノードVsとの間に接続されている。
【0017】
この形態においては、制御用インバータIO1がトランジスタLDがオンであることのコマンドを与えると、即ちインバータIO1の出力ノードAの電圧VAが電圧供給に到達すると、即ちVA=Vsであると、ゲートノードVG上の最大電圧はツェナーダイオードZ1によって制限され、即ち、VZ≦Vs+VZ1である。
【0018】
該トランジスタのドレインノード上の電圧VDがVs−VbeZ1である場合には(尚、VbeZ1はツェナー接合Z1に関するスイッチオン電圧である)、電圧VSは、限界値であるVs+VZ2へ到達するまでドレイン電圧と共に増加し、従って、トランジスタLDがいまだにオンである場合には、電流が逆方向に流れ始める場合がある。更に、トランジスタLDのスレッシュホールド電圧VTHの値は、VSB=VZ2+nVbeであるので基板効果によって強く影響され、尚Vbeは保護遅延のn個のダイオード接合からなるスレッシュホールド電圧である。
【0019】
VD>Vsであり且つ論理コマンドがトランジスタLDをスイッチオンさせようとする場合(即ち、ノードAがVs)においてLDMOSトランジスタLDのスイッチオフを確保するために2個のツェナーダイオートZ1及びZ2のブレイクダウン電圧の正しい値を画定するために、以下の2つの場合について検討する。
【0020】
(a)Vs>VZ1、VB=Vs−nVbe、VG=Vs+VZ1であって、
VGS=(Vs+VZ1)−(Vs+VZ2)=VZ1−VZ2である場合に、
従って、
VTH>VGS=VZ1−VZ2 (1)
であると、バッファインバータIO1を横断しての論理がトランジスタLDがオンとなるコマンドを与える場合であっても、トランジスタLDはオフ状態を維持する。
【0021】
(b)Vs<VZ1である場合には、基板電圧はVB=Vs−nVbeであり、一方ゲート電圧はVG=2Vs−VbeZ1であり、それは、
VGS=(2Vs−Vbe)−(Vs+VZ2)=Vs−Vbe−VZ2であり、従って、
VTH>VGS=Vs−Vbe−VZ2 (2)
である場合には、バッファIO1を介しての論理がトランジスタLDがオンとなるコマンドを与える場合であっても、トランジスタLDはオフ状態に止まる。実際に、VZ1=VZ2=10Vであり且つVs=8Vである場合には、VGSは負であり、従って上述した条件に合致する。
【0022】
上述した関係式(1)及び(2)は、両方とも、ツェナーダイオードZ2の代わりに通常のダイオードを使用して満足させることも可能であるかもしれないが(即ち、非常に高いブレイクダウン電圧で)、然しながら、この場合においては、ソース電圧が(高インピーダンスのソースノードであるので)、例えば、高速のVT過渡的期間中に容量的電流注入によって不所望な制御されることのない値に到達する場合があるので、危険性が発生する場合がある。この場合には、VGS又はVSBのいずれかの過剰な値によってトランジスタLDが損傷を発生する場合がある。
【0023】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 公知技術による高電圧ダイオードをエミュレーションする集積化LDMOSトランジスタの制御方法を示した概略図。
【図2】 本発明の構成を示した概略ブロック図。
【図3】 本発明の1実施例に基づく回路を示した概略図。
【符号の説明】
A 出力ノード
Cp ブートストラップコンデンサ
G ゲート
IO1 駆動用インバータ
LD LDMOSトランジスタ
S ソースノード
Vs 供給ノード
VG ゲートノード
Z1 第一ツェナーダイオード
Z2 第二ツェナーダイオード
Claims (2)
- 容量を充電する回路において、
ソースホロワとして機能し且つ該容量に対する高電圧充電ダイオードをエミュレートするために制御されるLDMOS集積化トランジスタ、
インバータ、
低ゲート駆動信号、及び供給電圧が本回路の最小スイッチオン電圧よりも低いフェーズ期間中にアクティブである第2論理信号、に応答して前記インバータを駆動する論理制御回路、
前記LDMOS集積化トランジスタのゲートに結合されている第1ツェナーダイオード、
前記インバータによる供給電圧において前記第1ツェエナーダイオードにより充電されるブートストラップコンデンサ、
前記LDMOS集積化のソースを供給電圧へ接続させる第2ツェエナーダイオード、
供給電圧と前記LDMOS集積化トランジスタのボディとの間において直列接続されており保護チェーンのnダイオード接合を画定している複数(n)個のダイオード、
を有しており、前記第1及び第2ツェナーダイオードのツェナー電圧が以下の条件、
VTH>VZ1−VZ2 (Vs>VZ1の場合)
及び
VTH>Vs+Vbe−VZ2 (Vx<VZ1の場合>
を満足し、尚VTHは前記LDMOS集積化トランジスタのスレッシュホールド電圧であり、Vsは供給電圧であり、VZ1は第1ツェナーダイオードのツェナー電圧であり、VZ2は第2ツェナーダイオードのツェナー電圧であり、Vbeは前記保護チェーンのnダイオード接合のスレッシュホールド電圧であり、前記LDMOS集積化トランジスタのソース電圧とボディ電圧との間の差異がVZ2+nVbeに等しい、
ことを特徴とする回路。 - 請求項1において、VZ1とVZ2とが互いに同一であり且つ供給電圧よりも大きいことを特徴とする回路。
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