JP3987702B2 - 薄膜コンデンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高速動作する電気回路に配設され、高周波ノイズのバイパス用として、もしくは電源電圧の変動防止用に供される低インピーダンスの薄膜コンデンサに関するものである。
【0002】
【従来技術】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、電子機器内に設置される電子部品にも小型化、薄型化、高周波対応などの要求が強くなってきている。
【0003】
特に、大量の情報を高速に処理する必要のあるコンピュータの高速デジタル回路では、パーソナルコンピュータレベルにおいても、CPUチップ内のクロック周波数は200MHzから1GHz、チップ間バスのクロック周波数も75MHzから120MHzという具合に高速化が顕著である。
【0004】
また、LSIの集積度が高まりチップ内の素子数の増大につれ、消費電力を抑えるために電源電圧は低下の傾向にある。これらIC回路の高速化、高密度化、低電圧化に伴い、コンデンサ等の受動部品も小型大容量化と併せて、高周波もしくは高速パルスに対して優れた特性を示すことが必須になってきている。
【0005】
コンデンサを小型高容量にするためには、一対の電極層に挟持された誘電体を薄くし、薄膜化することが最も有効である。薄膜化は上述した電圧の低下の傾向にも適合している。
【0006】
薄膜コンデンサとしては、例えば、図4に示す外観斜視図、図5の断面図に示すように、支持基板11上に、下側電極層12、誘電体層13、上側電極層14とが順次清積層されて容量発生領域が形成されていた。
【0007】
また、この容量発生領域は絶縁性保護膜15が被覆されており、この絶縁性保護膜15には、底面に上側電極層14の一部が露出する貫通孔16、17が形成されている。この貫通孔16、17内には、ハンダバンプからなる外部端子18、19が形成されている。この薄膜コンデンサでは、上側電極層14は、下側電極層12との導通を防止するため、貫通孔16の周りが環状に除去され、上側電極層14の一部が分割されている。
【0008】
このような薄膜コンデンサは、支持基板11上にスパッタリング法、CVD法等の気相合成法を用いて下側電極層12を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、パターン加工を行う工程と、パターン加工された下側電極層12上に、気相合成法やゾルゲル法などで誘電体層13を形成し、フォトリソグラフィを用いてパターン加工する工程と、パターン加工された誘電体層13上に上側電極層14を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、パターン加工を行う工程と、上側電極層14上に絶縁性保護膜15を形成する工程と、この絶縁性保護膜15に貫通孔19を形成し、この貫通孔16、17内に、下側電極層12および上側電極層14にそれぞれ電気的に接続する外部端子18、19を形成する工程を経て作製される。図6は外部端子部分の拡大図であり、上側電極層14は、TiやCrなどの密着層14aと、表面のAuなどの金属層14bとから成っている。尚、17aはNiなどの半田バリア層である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の上側電極層14の構造は、常温常湿雰囲気での絶縁特性の向上に有効であるが、一般の信頼性試験の湿中雰囲気下では、水分の浸入による絶縁劣化が想定されるので、薄膜コンデンサの保護膜として耐湿性向上は必要不可欠である。
【0010】
例えば、上側電極層14として単にAu層のみを使用して薄膜コンデンサを形成しようとすると、密着不良に由来する上側電極層14の剥離が多発してしまう。
これを防止するために、誘電体層13上に、Ti層、Cr層などの密着層14aを介在させてAu層14bを形成する。
【0011】
しかしながら、前述の2層構成の上側電極層14では、密着性は向上し、剥離等の問題は減少するものの、その後の熱履歴によっては、誘電体層13、密着層14a、Au層14b等の熱膨張係数の差により、微小な領域で、特に、誘電体層13と密着層14aとの間にエアギャップが生じ、このギャップより静電容量のバラツキが生じる。
【0012】
本発明は、上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、上側電極層にAu層を形成しても、安定した上側電極層となり、高容量を実現可能な薄膜コンデンサを提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜コンデンサは、基板上に、下側電極層、誘電体層、上側電極層を順次積層した薄膜コンデンサであって、
前記上側電極層が、島状に形成された酸化チタンまたは酸化クロムの金属酸化物層、該金属酸化物層の金属と同一のチタンまたはクロムの金属層、Au層の、前記誘電体層側から積層された積層構造を有している。
【0014】
また、前記上側電極層を構成する金属酸化物層の厚みtが5nm<t<50nmに形成されている。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の薄膜コンデンサを図面に基づいて詳説する。
【0016】
図1に示すように、絶縁体基板1上に形成された下側電極層2、誘電体層3及び上側電極層4が順次積層して、容量発生領域が構成されている。この上側電極層4は、図2に示すように、誘電体層3側から、TiO2、Cr2O3のいずれから成る金属酸化物層4aと、該金属酸化物層4aの金属(Ti、Crのいずれか)と同一の金属層4b、及びAu層4cが積層した構造となっている。そして、このような容量発生領域上には、例えば、感光性樹脂からなる保護膜5が被着形成されている。
この保護膜5には、上側電極層4の一部を露出する貫通孔6、7が形成されている。尚、貫通孔6からは上側電極層4の一部が露出し、且つ下側電極層2の一部に接続している。また、貫通孔7は、上側電極層4の一部が露出している。夫々の貫通孔6、7から露出する上側電極層4の一部は、互いに短絡しないようになっている。
この貫通孔9内には、半田バンプからなる外部端子8、9が突出して形成されている。尚、この貫通孔9の底面部分には、半田成分が上側電極層4を浸食しないようにNiなどの半田バリア層7aが被着形成されている。
【0017】
ここで、薄膜コンデンサが形成される絶縁体基板1としては、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、MgO単結晶、SrTiO3単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英等から選択されるもので特に限定されない。
【0018】
また、下側電極層2を構成する金属は耐酸化性の高い、Pt、Pd、Auに代表される貴金属電極層からなるものである。高周波領域での用途を考慮すると、下側電極層は抵抗の低いAuからなることが望ましい。この時、下側電極層の密着性を向上させる目的で密着層を介して形成してもよい。密着層を含む下側電極層はスパッタ、蒸着等の手法で形成可能であれば良い。下側電極層の被覆性を考慮すると0.2〜0.5μmが望ましい。つまり、0.2μm未満と薄い場合には一部に被覆されない部分が発生する恐れがあり、また0.5μmを越えて厚い場合には高周波領域における導体の表皮効果を考慮すると導体層の抵抗は殆ど変化せず、導電率の向上は見られない。
【0019】
さらに、誘電体薄膜3は、高周波領域において高い比誘電率を有するPb系ペロブスカイト型酸化物層結晶からなる誘電体でよく、例えばPMN、PMN−PT、PMN−PZTや、それ以外のPZT、PLZTや、これらに他の金属を添加したり、置換した化合物であってもよく、特に限定されるものではない。また、誘電体薄膜3の膜厚は高容量と絶縁性を確保するため0.1〜1.0μmが望ましい。これは0.1μm未満と薄い場合には被覆性が良好でなく絶縁性が低下してしまい、1.0μmを越えて厚い場合には容量が小さくなるからである。誘電体薄膜3の膜厚は特に0.2〜0.8μmが望ましい。
【0020】
また、上側電極層4はTiO2、Cr2O3などの金属酸化物層4aと、該金属酸化物層4aを形成する金属、即ち、Ti、Crのいずれかの金属層4b及びAu層4cからなるものである。このような上側電極層4の各層はスパッタ、蒸着等の手法で形成可能であれば良い。Au層4cを導体層としたのは、高周波領域での抵抗が低いからである。その膜厚は下側電極層2の場合と同様の理由から0.3〜0.5μmが望ましい。金属酸化物層4a並びに金属層4bを形成する金属はTiもしくはCrより選ばれる少なくとも1種の金属であることが望ましい。金属酸化物層4aの膜厚tは5nm<t<50nmであり、かつ島状に形成する。5nmより薄い場合は、不連続膜は得られやすいが、密着性及びエアギャップ抑制の効果は低く、50nmより厚くなる場合は、連続膜が形成されやすくなるので、逆に金属酸化物層4aによる低誘電率層が形成され、静電容量低下を引き起こしてしまう恐れがある。逆に金属層5bの膜厚は被覆性を考慮することが必要であり、50nmよりも厚い膜厚が必要となる。100nm以上300nm以下の膜厚が望ましい。
【0021】
保護膜5としては薄膜コンデンサの表面を保護するためのものであり、例えば、Si3N4、SiO2、ポリイミド樹脂、およびBCB(ベンゾシクロブテン)等からなり、上記例ではBCB樹脂を用いた。保護膜5は、外部との電気的接続部分が露出するように形成されていることが必要である。
【0022】
また、図1、図2に示すように表面実装用にハンダバンプ8、9を形成する場合は、上部電極層4の上部にさらに半田バリア層(拡散防止層)7aを形成してもよい。半田バリア層7aは少なくともハンダバンプ8、9が形成される部分のみに形成されていれば良く、コストの点を除けば上側電極層4の全面に形成しても良い。また、ハンダバンプ8、9と半田バリア層7aとの間に、ハンダ濡れ性の良好な密着層を形成しても良い。ハンダ濡れ性の良好な材料として、Ni、Ni−Cr、Au等があり、特にAuが望ましい。
【0023】
また、図3に示すように、半田パンプ8、9を省略し、半田バリア層7aを外部端子としても構わない。
【0024】
このような薄膜コンデンサは、上側電極層4上の保護膜5に形成された露出部にワイヤリング接続、TAB接続を利用して電子部品が搭載されるプリント配線基板の表面の配線パターンに接続して用いられる。
【0025】
以上のように構成された薄膜コンデンサでは、抵抗の小さいAuからなる電極層2、4を用いたため高周波での抵抗を低下できるとともに、高容量の薄膜コンデンサが形成でき、高周波でのインピーダンスを低下することが可能となる。さらに、容量劣化の小さい高信頼性の薄膜コンデンサが可能となる。
【0026】
また、上記例では、本発明を薄膜コンデンサに適用した例について説明したが、本発明では上記例に限定されるものではなく、例えば、薄膜LCフィルタ、薄膜RCフィルタなどの薄膜複合部品に適用しても良い。
【0027】
また、上記実施例では一層の誘電体層3を電極層2、4で挟持した単板型を示したが、複数の誘電体層3と電極層2、4とを交互に積層した積層型の薄膜コンデンサであっても良い。
【0028】
【実施例】
本発明者は、電極層2、4ならびに半田バリア層7aを高周波マグネトロンスパッタ法で、誘電体薄膜層3をゾルゲル法で作製した。
【0029】
先ず、アルミナなどの支持基板1上に酸素雰囲気中のスパッタリングにより、膜厚30nmのTiO2層を形成した後、同じくスパッタ法により、膜厚10nmのTi層と0.2μmのAu層を形成し、下側電極層2とした。この下側電極層2上に、ゾルゲル法にて合成したPb(Mg1/3Nb2/3)O3 −PbTiO3−PbZrO3塗布溶液をスピンコート法を用いて塗布し、乾燥させた後、400℃で熱処理、800℃で焼成を行い、膜厚0.7μmのPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 −PbTiO3 −PbZrO3からなる誘電体層3を形成した。
【0030】
次に、誘電体層3の上面に、酸素雰囲気中のスパッタリングにより膜厚25nmのTiO2層(金属酸化物層4a)、100nmのTi層(金属層4b)、0.3μmのAu層4cからなる上側電極層4を形成した。この時の有効容量発生領域面積1.4mm2の薄膜コンデンサとした。
【0031】
同時に、TiO2層(金属酸化物層4a)のみの厚みをそれぞれ0nm、5nm、50nm、100nmに変更した4種の試料を作製した。またTiの代わりにCrを用いて、下側電極層2及び上側電極層4を形成した試料の作製も行った。
【0032】
その後、半田バリア層7aを形成した後、膜厚3.5μmのBCB樹脂からなる保護膜5を形成し、この保護膜5のハンダバンプ8、9の形成位置部分にヴィアホール加工を施した。
【0033】
次に、スクリーン印刷により、ハンダペーストを印刷した後、リフロー処理し、半田バンプ8、9を形成し、図1及び図2に示すような半田バンプ8、9を有する薄膜コンデンサを得た。
【0034】
表1に作製した試料(各n=500)の周波数1MHzでの平均静電容量、標準偏差、温度サイクル試験(−55℃から125℃ 500サイクル)後の静電容量劣化率を示した。静電容量劣化率は試験投入前の静電容量C1、試験後の静電容量C2の差より求めた。
【0035】
【表1】
【0036】
表1に示したように、金属酸化物層4aを形成しない試料No.9においては、平均容量は大きく変わらないが、そのバラツキは大きくなる。さらに、温度サイクル試験後の容量の劣化も大きくなり、信頼性を確保することができない。また、金属酸化物層4aを100nmの厚みで形成した試料No.4と8の場合は、初期容量値が通常の500分の1以下に下がってしまう。これは、TEM観察の結果、低誘電率層(金属酸化物層4a)の連続膜が容量形成部に直列に挿入されたためと考えられる。
【0037】
本発明の好ましい範囲である試料No.1,2,3及び5,6,7では、初期容量の低下もほとんどみられなかった。また、静電容量のバラツキも抑制されていることがわかる。温度サイクル試験後の容量値劣化も20%以下に抑えられており、本発明の範囲で作製された試料が高容量・高信頼性の薄膜コンデンサを形成するのに適しているのがわかる。
【0038】
【発明の効果】
以上の詳述したように、本発明によれば、基板上に、下側電極層、誘電体層、上側電極層を順次積層した薄膜コンデンサであって、上側電極層が、島状に形成された金属酸化物層、該金属酸化物層の金属と同一の金属層、Au層が、前記誘電体層側から積層された積層体からなり、金属酸化物層で誘電体層と上部電極層との間のエアギャップの発生を有効に抑えることができる。そのため低抵抗の上部電極層を維持しつつ、さらに高容量・高信頼性の薄膜コンデンサとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薄膜コンデンサを示す断面図である。
【図2】本発明の薄膜コンデンサの部分断面図である。
【図3】本発明の他の薄膜コンデンサの部分断面図である。
【図4】薄膜コンデンサの外観斜視図である。
【図5】従来の薄膜コンデンサの断面図である。
【図6】従来の薄膜コンデンサの部分断面図である。
【符号の説明】
1・・・基板
2・・・下側電極層
3・・・誘電体層4・・・上側電極層
4a・・・金属酸化物層
4b・・・金属層
4c・・・Au層
5・・・保護膜
Claims (2)
- 基板上に、下側電極層、誘電体層、上側電極層を順次積層した薄膜コンデンサであって、
前記上側電極層が、島状に形成された酸化チタンまたは酸化クロムの金属酸化物層、該金属酸化物層の金属成分と同一の金属層、Au層が、前記誘電体層側から積層された積層体からなることを特徴とする薄膜コンデンサ。 - 前記上側電極層を構成する金属酸化物層の厚みtが5nm<t<50nmであることを特徴とする請求項1記載の薄膜コンデンサ。
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