JP3979776B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はアラインメントマークを用いてパターンの重ね合わせを行う半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化に伴い、その微細加工技術はますます重要になってきている。そして、これら微細加工を促進するためには、半導体装置の各製造工程において、半導体基板全体を平坦化する技術もますます重要になってきている。こうした平坦化を的確に行う技術として、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polish)法が注目されている。このCMP法は、エッチング手法と機械的な研磨手法とを組み合わせた技術であり、このCMP法を用いることでグローバルな平坦化を行うことができる。
【0003】
一方、半導体装置の微細加工に伴い、フォトリソグラフィ工程に関しては、半導体基板上に形成されたパターンと次に形成されるパターンのためのフォトマスクとを精度よく重ね合わせることもますます重要になってきている。そして、このようなフォトマスクの位置合わせは、基板上に形成されたアラインメントマークの位置を検出することで行われる。
【0004】
このアラインメントマークとしては、基板上に形成されるパターンを用いることもできる。ただし、例えば配線を形成する工程において基板に一様に半透明又は不透明な配線材料を成膜する際には、成膜された配線材料の下方に形成されているパターンを検出することができないため、これをアラインメントマークとして用いることはできない。このため、同配線材料の下地膜に予め位置検出用溝を形成しておくことが、従来よりなされてきた。このように位置検出溝を形成しておくことで、その上方に配線材料が成膜されたときに、同位置検出溝内に成膜された配線材料と基板上の他の領域に形成された配線材料との間に段差が生じるため、この段差をアラインメントマークとして用いることで、位置合わせを行うことができるようになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ただし、半導体装置の製造に際して上述した基板全体を平坦化する工程が用いられる場合には、上記位置検出溝を利用した位置合わせを行うことが困難となる場合がある。例えば、下層パターンに重ね合わせるべくコンタクトホールを介して上層配線層の形成を行うに、そのコンタクトホールへの埋め込みを良好に行いつつ配線層として導電性に優れた部材を用いるなどの目的から、コンタクトホールに充填する導電物とその上の配線とが各別に形成される場合には、これらが形成される各工程間に基板全体を平坦化する工程が設けられることとなる。そして、この場合には、半透明又は不透明な配線材料が基板上で略一様に平坦化されることになるために、上述した位置合わせを行うことが困難となる。
【0006】
以下、このことについて図面を参照しつつ説明する。
図3は、配線が形成される下地膜としての層間絶縁膜に設けられたいわゆるバー状の位置検出溝110の平面図である。このバー状の位置検出溝については、例えば「SPIE Vol.3677 pp.107−115(1999)」にその詳細が記述されている。なお、この位置検出溝110は、図4(a)に示すコンタクトホール104の形成時に同時に形成される。
【0007】
そして、下地膜101及び下層配線102上に堆積された層間絶縁膜103にコンタクトホール104と位置検出溝110とを形成した後、図4(b)に示すように、埋め込みを良好に行うことのできる部材として、例えばタングステン(W)からなる導電物105をコンタクトホール104内に充填する。そして、図4(c)に示すように、同導電物105を層間絶縁膜103表面が露出するまで、例えばCMP法等を用いて、同導電物105の表面の平坦性を保ちつつエッチングする。これにより、コンタクトホール104内に充填される導電物105の上面は、ほぼ一様な高さに形成されるようになる。
【0008】
ただしこのとき、図4(c)に示されるように、位置検出溝110は導電物105でほぼ完全に埋められてしまう。したがって、その後、図4(d)に示すように、導電性の良好な部材として、例えばアルミニウムを主とする配線材料106を成膜したときには、この配線材料106はほぼ一様に成膜されるため、位置合わせを行うアラインメントマークを生成することができなくなる。
【0009】
ここで、この問題を解決するために、位置検出溝の開口幅を大きくすることが考えられるが、この場合には位置合わせを精度よく行うことができない。以下、図5及び図6を用いてこのことについて説明する。
【0010】
すなわち、図6(a)に示す下地膜201及び下層配線202上に堆積される層間絶縁膜203にコンタクトホール204を開口する時において、図5にその平面図を示す正方形状の大きな開口を有する位置検出溝210を同時に形成する。次に、図6(b)に示すように、導電物205をコンタクトホール204内に充填し、更に図6(c)に示すように、同導電物205を層間絶縁膜203表面が露出するまで、例えばCMP法等を用いて、同導電物205の表面の平坦性を保ちつつエッチングする。その後、図6(d)に示すように、例えばアルミニウムを主とする配線材料206を成膜する。
【0011】
ここで、先の図6(c)に示した工程のように、層間絶縁膜203の表面が露出するまで導電物205をエッチングすると、位置検出溝210の開口幅が大きいために、上記CMP法を用いるとはいえ、位置検出溝210内に形成されている導電物105は、くぼんだ形状を有するようになる。このため、同導電物205のエッチング後に成膜される配線材料206の上面は、位置検出溝210上方領域においてはややくぼんだ形状となり、これに基づいて上述した位置合わせを行うことはできる。しかし、上記正方形状の大きな開口を有する位置検出溝210を採用した場合には、このくぼみが同位置検出溝210の内周に対して非対称な形状となりやすく、これに起因して生じる位置合わせ誤差が無視できないものとなる。
【0012】
なお、上記配線層に限らず、下地膜上に成膜された部材を、同下地膜をストッパとして平坦化し、その後、更に膜を成膜する場合等においても、アラインメントマークを用いてパターンの重ね合わせを行う際のこうした実情は概ね共通したものとなっている。
【0013】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、下地膜上に位置検出溝を形成し、その上に成膜した材料の平坦化を介してアラインメントマークを生成する場合であれ、同アラインメントマークを用いての位置合わせをより的確に行うことのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項1に記載の発明は、下地膜に位置検出溝を形成した後、この下地膜上に第1の膜を成膜する工程と、前記下地膜をストッパ膜として前記第1の膜を平坦化する工程と、前記第1の膜上に第2の膜を成膜する工程とを備え、前記第2の膜表面の前記位置検出溝に対応して生成されるくぼみをアラインメントマークとして用いる半導体装置の製造方法であって、前記第1の膜の成膜に先立ち、前記位置検出溝の近傍に該位置検出溝の開口幅よりも広い開口幅を有する平坦化抑制溝を形成することをその要旨とする。
【0015】
上記製造方法では、第1の膜の成膜に先立ち、位置検出溝の近傍に該位置検出溝の開口幅よりも広い開口幅を有する平坦化抑制溝を形成する。このため平坦化抑制溝を設けず単独で位置検出溝を形成した場合には、第2の膜の成膜後に段差を形成することができない形状にて位置検出溝を形成する場合であれ、平坦化抑制膜を形成することで、同段差を形成することができるようになる。したがって、位置検出精度の向上に適した形状に位置検出溝を形成することができるようになり、ひいては、第2の膜上に形成されるアラインメントマークを用いての位置合わせを的確に行うことができるようになる。
【0016】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記平坦化抑制溝が前記位置検出溝に対して対称に形成されることをその要旨とする。
上記製造方法によれば、平坦化抑制溝が前記位置検出溝に対して対称に形成されるために、位置検出溝に起因して第2の膜の上面に形成される段差を、均等に形成することができるようになる。
【0017】
請求項3記載の発明は、請求項2記載の発明において、前記位置検出溝が矩形の4辺に沿うバー状に形成され、前記平坦化抑制溝がその内側に矩形のボックス形状に形成されることをその要旨とする。
【0018】
上記製造方法によれば、請求項2記載の発明の作用効果を簡易な構成にて得ることができるようになる。
なお、この請求項3記載の発明の作用効果を好適に奏する具体的な素子サイズについては、一例として、請求項4によるように、前記位置検出溝及び前記平坦化抑制溝の深さを350〜800nmとし、前記位置検出溝である前記バー状の溝の開口幅を500〜2000nmとし、前記平坦化抑制溝である前記矩形のボックス状の溝が正方形からなって、その一辺の長さを14000〜30000nmとし、前記位置検出溝である前記バー状の溝の内側端から前記平坦化抑制溝である前記ボックス状の溝の辺までの距離を1500〜3500nmとすることもできる。
【0019】
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明において、前記下地膜が絶縁膜からなり、前記第1の膜がコンタクトホールへ埋め込まれる導電膜であり、前記第2の膜が前記絶縁膜上に形成される配線材料であることをその要旨とする。
【0020】
上記製造方法によれば、コンタクトホールへ埋め込まれる膜と、絶縁膜上に形成される配線材料とを別部材とすることもできるため、埋め込みを良好に行いつつ、配線材料として導電性の良好な部材を選ぶなど、配線層の形成を的確に行うことができるようなる。しかも、導電物や配線材料を介してその下方の部材をアラインメントマークとして用いることができない場合であれ、位置検出溝に起因する段差を用いて位置合わせを行うことができるようにもなる。
【0021】
請求項6記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明において、前記下地膜が半導体材料からなり、前記第1の膜が素子分離用トレンチに埋め込まれる絶縁膜であり、前記第2の膜が前記半導体材料上に形成される配線材料であることをその要旨とする。
【0022】
上記製造方法によれば、素子分離用トレンチを形成し、同トレンチに絶縁膜を埋め込んだ後、半導体材料の表面を平坦化することで、同半導体材料上へ配線等、素子形成を良好に行うことができるようになる。また、配線となる配線材料を成膜した後、同配線材料を介してその下方の部材をアラインメントマークとして用いることができない場合であれ、位置検出溝に起因する段差を用いて位置合わせを行うことができるようにもなる。
【0023】
請求項7記載の発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の発明において、前記平坦化が、化学機械研磨法によって行われることをその要旨とする。
上記製造方法によれば、化学機械研磨法を用いることで、グローバルな平坦化を的確に行うことができるようになる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる半導体装置の製造方法を、層間絶縁膜上の配線層の形成工程に適用した一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態においては、パターン形成にかかる線幅が「250nm」である半導体装置の製造工程を想定している。
【0025】
図1は、本実施形態において、配線層の形成されるシリコン酸化膜(SiO2)からなる層間絶縁膜に、位置合わせのために形成される溝を示す平面図である。同図1に示されるように、層間絶縁膜には、4本のバー状の溝である位置検出溝10と、同位置検出溝10に応じて対称的に設けられたボックス状の溝である平坦化抑制溝20とが形成されている。
【0026】
この平坦化抑制溝20は、層間絶縁膜に開口されたコンタクトホールへ導電物を充填し、その後、配線材料を成膜する際に、位置検出溝10上方が完全に平坦化されることを回避するために形成される溝である。この平坦化抑制溝20は、その4つの内周面がそれぞれ垂直にエッチングされ、その溝底が平坦化されているために、この溝底は開口上端部と略合同な正方形状となっている。そして、本実施形態においては、この正方形の一辺を「16000nm」に設定した。なお、この正方形の一辺は、「14000〜30000nm」の範囲で任意に設定することができる。
【0027】
一方、位置検出溝10は、上記平坦化抑制溝20の開口上端部の有する正方形の各辺に沿って、同辺と平行に形成される長方形状(バー状)の溝である。そして、この位置検出溝10は、その4つの内周面がそれぞれ垂直にエッチングされ、その溝底が平坦化されているために、この溝底は開口上端部と略合同な長方形状となっている。そして、この長方形の短手方向の長さ、すなわち位置検出溝の溝幅を、本実施形態においては「1000nm」に設定した。なお、この長さは、「500〜2000nm」の範囲で任意に設定することができる。また、この位置検出溝10の内周面のうち平坦化抑制溝20側の内周面と、それに対応する上記平坦化抑制溝20の内周面との距離を、本実施形態においては、「2000nm」に設定した。なお、この長さは、「1500〜3500nm」で任意に設定することができる。
【0028】
ここで、この位置検出溝10を用いた位置合わせ工程について、図2を用いて説明する。
すなわち、この一連の工程においては、まず図2(a)に示すように、下層膜1上に下層配線2及び層間絶縁膜3を形成した後、層間絶縁膜3の上方に形成する配線層と下層配線2とを導通するべく、層間絶縁膜3を開口してコンタクトホール4を形成する。そして、このコンタクトホール4の形成と同時に、上記位置検出溝10と平坦化抑制溝20とを形成する。したがって、位置検出溝10及び平坦化抑制溝20の溝の深さは、コンタクトホール4の深さとほぼ等しく形成される。ちなみに本実施形態においては、この溝の深さを「600nm」に設定した。なお、この深さは、「350〜800nm」の範囲で任意に設定することができる。
【0029】
次に、図2(b)に示すように、埋め込み特性の良好なタングステン(W)からなる導電部材5を、例えばCVD法(Chemical Vapor Deposition)やPVD法(Physical Vapor Deposition)によって「400nm」堆積する。そして、図2(c)に示すように、導電部材5をCMP法によって層間絶縁膜3が露出するまで研磨する。
【0030】
上記CMP法を用いた工程が終了すると、図2(d)に示すように、アルミニウムにシリコンと銅とをそれぞれ「1%」程度混合した合金からなる配線材料6を「300nm」成膜する。この成膜量は、「300〜600nm」の範囲で任意に設定することができる。
【0031】
上記態様にて配線材料6を形成した時点において、配線材料6の上方領域には微細なくぼみ9が形成される。そして、このくぼみ9の幅は非常に狭いために、このくぼみ9を用いてコンタクトホール等、配線材料6の下方に形成されているパターンの位置検出をするようにすれば、かかる位置検出を精度よく行うことができる。そして、このくぼみ9をアラインメントマークとして用いて、配線材料6の下方に形成されているパターンと、配線材料6をエッチングする際のパターンとの位置合わせを行うことができるようになる。
【0032】
上記位置合わせ後に、配線材料6上にレジストを成膜して、所望のパターンに従って露光及び現像することで、図2(e)に示すように、配線用パターン7及び位置検出用パターン8を形成する。そして、この位置検出用パターン8とくぼみ9との位置関係を検出することで、配線用パターン7が所望の位置に形成されたか否かが検出され、必要に応じてフィードバックされる。
【0033】
以上説明したように、本実施形態によれば以下の効果が得られるようになる。
(1)平坦化抑制溝20と位置検出溝10とを層間絶縁膜に形成しておくことで、その後、配線材料6が形成されたときに、位置検出溝10に起因するくぼみ9を形成することができるようになる。
【0034】
(2)くぼみ9は、その幅が狭いために、位置検出の精度を向上させることができる。
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
【0035】
・上記実施形態においては、コンタクトホール4に埋め込む導電物3として、タングステンを用いたが、これに限られない。この導電物3の素材としては、埋め込み特性が良好であることなどが望ましい。
【0036】
・上記実施形態においては、配線材料6として、アルミニウムにシリコンと銅とをそれぞれ「1%」程度混合した合金を用いたがこれには限られない。ここでは、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する高耐性や、低抵抗の特性を有する素材を用いることが望ましい。
【0037】
・更に、配線材料6は、多層構造としてもよい。すなわち、例えば、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性を高めたり、密着性を高めたりする目的から、上記合金を、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)等と多層構造をなすように形成してもよい。また、低抵抗や高耐圧を目的として、銅(Cu)、チタン(Ti)、鉄(Fe)等と上記合金とを多層構造をなすように形成してもよい。
【0038】
・上記実施形態において示した位置検出溝10等のサイズや配線材料6の成膜量等に関しても、上記のものに限られない。要は、配線材料6の成膜後に位置検出溝10に起因するくぼみ9が形成されるものであればよい。
【0039】
・更に、位置検出溝10や平坦化抑制溝20の形状や数、更にはその配置態様についても上記のものに限られず、配線材料6の成膜後に位置検出溝10に起因するくぼみ9が形成される範囲で適宜変更してよい。ただし、その際、平坦化抑制溝を位置検出溝に対して対称に形成するようにすることが望ましい。
【0040】
・上記実施形態においては、導電物5の堆積後に平坦化を行い、更に配線材料6を堆積する場合に本発明を適用したが、これに限られない。例えば、半導体材料に素子分離用トレンチを形成し、該トレンチに絶縁膜を埋め込んだ後、同半導体材料をストッパとして絶縁膜の一部を除去し、半導体材料及び絶縁膜を平坦化して更に、それらの上方に配線等を形成する場合にも本発明は有効である。要は、第1の膜の堆積後、平坦化の工程を経て第2の膜を堆積する場合であって、それら第1及び第2の膜の下方のパターンの位置検出が困難であるときに本発明の適用は有効である。この際、第1の膜及び第2の膜は、必ずしも半透明又は不透明である必要もなく、透明な膜であれ、表面あれを起こした場合にはその下方のパターンの位置検出が困難となることから本発明は有効である。
【0041】
・上記実施形態においては、導電物5の平坦化をCMP法を用いて行ったが、これに限られない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる半導体装置の製造方法を具体化した一実施形態において用いるアラインメントマーク形成用の溝の平面図。
【図2】同実施形態における位置合わせの手順を示す断面図。
【図3】従来のアラインメントマーク形成用の溝の一例を示す平面図。
【図4】同アラインメントマーク形成用の溝を用いた位置合わせ手順を示す断面図。
【図5】従来のアラインメントマーク形成用の溝の他の例を示す平面図。
【図6】同アラインメントマーク形成用の溝を用いた位置合わせ手順を示す断面図。
【符号の説明】
1、101、201…下地膜、2、102、202…下層配線、3、103、203…層間絶縁膜、4、104、204…コンタクトホール、5、105、205…導電物、6、106、206…配線材料、7…配線用パターン、8…位置検出用パターン、9…くぼみ、10、110、210…位置検出溝、20、…平坦化抑制溝。
Claims (7)
- 下地膜に位置検出溝を形成した後、この下地膜上に第1の膜を成膜する工程と、前記下地膜をストッパ膜として前記第1の膜を平坦化する工程と、前記第1の膜上に第2の膜を成膜する工程とを備え、前記第2の膜表面の前記位置検出溝に対応して生成されるくぼみをアラインメントマークとして用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第1の膜の成膜に先立ち、前記位置検出溝の近傍に該位置検出溝の開口幅よりも広い開口幅を有する平坦化抑制溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記平坦化抑制溝が前記位置検出溝に対して対称に形成される請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記位置検出溝が矩形の4辺に沿うバー状に形成され、前記平坦化抑制溝がその内側に矩形のボックス形状に形成される請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記位置検出溝及び前記平坦化抑制溝の深さを350〜800nmとし、前記位置検出溝である前記バー状の溝の開口幅を500〜2000nmとし、前記平坦化抑制溝である前記矩形のボックス状の溝が正方形からなって、その一辺の長さを14000〜30000nmとし、前記位置検出溝である前記バー状の溝の内側端から前記平坦化抑制溝である前記ボックス状の溝の辺までの距離を1500〜3500nmとする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下地膜が絶縁膜からなり、前記第1の膜がコンタクトホールへ埋め込まれる導電膜であり、前記第2の膜が前記絶縁膜上に形成される配線材料である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下地膜が半導体材料からなり、前記第1の膜が素子分離用トレンチに埋め込まれる絶縁膜であり、前記第2の膜が前記半導体材料上に形成される配線材料である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記平坦化が、化学機械研磨法によって行われる請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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