JP3970799B2 - 遅延同期ループの遅延ライン制御回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は遅延同期ループに係り、特に、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)の内部に用いられる遅延同期ループの遅延ライン制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
高速動作をするDRAMにおいては、半導体チップ内部のクロックスキューが半導体システムの動作に影響を与えるために、ほとんどの場合、内部クロックスキューの補償回路である遅延同期ループ(以下、DLL)回路を使用している。遅延同期ループの構造及び動作は、例えば、特許文献1〜10に詳細に開示されている。ところで、遅延同期ループ回路が付加されるに伴い、電流消費が増えるといった問題が生じる。
【0003】
そこで、DRAMが活性化される前であるプリチャージモードやパワーダウンモードにおいては、DLLの電流消費を最小化するために、DLLをディスエーブルさせる。この時、DLLはロッキングされた位相情報をレジスタにラッチしているため、クロックが変わらない限りロッキング状態を保持する。
【0004】
しかしながら、プリチャージモードやパワーダウンモードが終了する時に、レジスタに格納されている位相のロッキング情報に基づいて選択されるDLLの遅延セルが同時にターンオンされる。この過程で瞬間的にDLLの内部電源電圧から接地へと多量の電流が流れてしまい、DLLの内部電源電圧が不安定になる。選択された遅延セルのいずれもが同時にターンオンされた後に、クロックは選択された遅延セルを順次に通過しつつ遅延されるため、予め遅延セルをターンオンさせておく必要はなく、クロックの進行に影響しない程度に順次にターンオンさせれば、瞬間的に生じる電流消費を減らしてDLLの内部電源電圧をさらに安定的に動作させられる。その結果、内部電源電圧の不安定によるジッターの影響を最小化させられる。
【0005】
図1は、従来のDLLの遅延ライン制御回路を示すブロック図であり、図2は、図1の単位遅延セルを制御する制御信号を発するロジックの概念図である。
【0006】
図1を参照すると、従来のDLLの遅延ライン制御回路100は、単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6と、スタンドバイ信号の反転信号BSTBY及びシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2〜ONSFT5、ONSFT6を受信して単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6を制御する制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRL5、CTRL6を発するレジスタREG1、REG2〜REG5、REG6を備える。図1には、単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6やレジスタREG1、REG2〜REG5、REG6が各々6つずつ示されているが、これに限定されることなく、その数が複数であればいかなる実施の形態も可能である。
【0007】
図2を参照すると、スタンドバイ信号の反転信号BSTBY及び遅延同期ループがロッキングされる前にレジスタREGに格納されていたシフトターンオン信号ONSFTiに応答して単位遅延セルDCを制御する制御信号CTRLが発せられる。図2によれば、スタンドバイ信号の反転信号BSTBY及びシフトターンオン信号ONSFTiがいずれも活性化されなければ、制御信号CTRLも活性化されないということが分かる。
【0008】
図1及び図2に基づき、従来のDLLの遅延ライン制御回路100の動作について説明する。
【0009】
プリチャージモードやパワーダウンモードでは、スタンドバイ信号STBYが“ハイ”レベルとなり、スタンドバイ信号の反転信号BSTBYが“ロー”レベルとなるため、全てのレジスタREG1、REG2〜REG5、REG6の制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRL5、CTRL6が“ロー”レベルとして発せられる。従って、全ての単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6がターンオフされていることになる。しかし、この場合にも、レジスタREG1、REG2〜REG5、REG6には、プリチャージモードやパワーダウンモードに切り換えられる前の単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6の位相情報が格納されている。この後、プリチャージモードやパワーダウンモードが終了すると、スタンドバイ信号STBYが“ロー”レベルとなり、スタンドバイ信号の反転信号BSTBYは“ハイ”レベルとなる。そして、レジスタREG1、REG2〜REG5、REG6に格納されているシフトターンオン信号ONSFTiが“ハイ”レベルとなっているため、制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRL5、CTRL6が“ハイ”レベルとなって単位遅延セルDC1、DC2〜DC5、DC6を活性化させる。
【0010】
例えば、図1において、プリチャージモードやパワーダウンモードの以前に第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3が活性化されている場合には、プリチャージモードやパワーダウンモードが終了すると、第1乃至第3のレジスタREG1、REG2、REG3において発せられる制御信号CTRL1、CTRL2、CTRL3が“ハイ”レベルとなり、第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3が同時に活性化(ターンオン)される。この時、第4の単位遅延セルDC4までターンオンされるように調整されうる。このように、単位遅延セルDC1、DC2、DC3が選択されると、内部クロック信号INTCKは順次に第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3に送られる。
【0011】
図3は、図1の単位遅延セルDC1〜DC6の内部回路を示す回路図である。
【0012】
図3を参照すると、単位遅延セルは、電源電圧VCCに接続される抵抗素子Rと、第1乃至第10のNMOSトランジスタMN1、MN2〜MN9、MN10とを備える。
【0013】
動作について説明すると、図1には不図示のバイアス信号VBIASの“ハイ”レベルに応答して第5のNMOSトランジスタMN5及び第10のNMOSトランジスタMN10がターンオンされる。次に、単位遅延セルターンオン信号(制御信号)CTRLが“ハイ”レベルで印加されると、第3のNMOSトランジスタMN3、第4のNMOSトランジスタMN4、第8のNMOSトランジスタMN8及び第9のNMOSトランジスタMN9がターンオンされる。そして、内部クロック信号INTCKが“ハイ”レベルで印加されれば、第1のNMOSトランジスタMN1がターンオンされ、これにより、接地電圧VSSが第6のNMOSトランジスタMN6に印加されて、第6のNMOSトランジスタMN6がターンオフされるので、電源電圧VCCの“ハイ”レベルが出力信号OUTCKとして出力される。なお、出力信号OUTCKは、次段の単位遅延セルの入力信号INTCKとなる。内部クロック信号INTCKが“ハイ”レベルであれば、内部クロック信号の反転信号BINTCKは当然のことながら“ロー”レベルであるため、第2のNMOSトランジスタMN2及び第7のNMOSトランジスタMN7はターンオフされる。
【0014】
プリチャージモードやパワーダウンモードが終了する場合、第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3が同時にターンオンされると、内部クロック信号INTCKが第3の単位遅延セルDC3まで送られるためには、以前の第1及び第2の単位遅延セルDC1、DC2を経なければならない。このため、時間遅延が起こり、第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3が同時にいずれもターンオンされるため、瞬間的に単位遅延セルにおける電流消費が大きくなる。その結果、DLLの内部電源電圧が不安定になる恐れがある。これは、図3の回路図から明らかである。このように、DLLの内部電源電圧が不安定になれば、これにより単位遅延セルの遅延時間が変わるため、データが出力される時点に影響を与えてジッタ特性に悪影響を及ぼしてしまうといった問題がある。
【特許文献1】
米国特許第6,459,314号
【特許文献2】
米国特許第6,452,432号
【特許文献3】
米国特許第6,434,083号
【特許文献4】
米国特許第6,388,485号
【特許文献5】
米国特許第6,366,148号
【特許文献6】
米国特許第6,285,225号
【特許文献7】
米国特許第6,222,894号
【特許文献8】
米国特許第6,101,137号
【特許文献9】
米国特許第5,901,190号
【特許文献10】
米国特許第5,880,612号
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、DRAMの待ち状態から活性化状態への切り換え時にDRAM内部のDLLにおいて瞬間的に多量の電流が流れることを防いでDLLのジッタを最小化できるDLLの遅延ライン制御回路を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記技術的な課題を達成するために、本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路は、遅延ライン部及び制御部を備えることを特徴とする。
【0016】
遅延ライン部は、各々前段の出力を受信して一定時間遅延させ、前記遅延された値を出力する第1乃至第N(Nは自然数)の単位遅延セルを備える遅延ライン部であって、前記第1の単位遅延セルの入力として内部クロック信号が入力される。
【0017】
制御部は、動作活性信号に応答して前記第1乃至第Nの単位遅延セルの活性及び非活性を制御する第1乃至第Nの制御信号を発する。前記第1乃至第Nの単位遅延セルは、前記動作活性信号に応答して順次に活性化されることを特徴とする。
【0018】
前記制御部は、前記第1乃至第Nの単位遅延セルに対応し、所定の第1乃至第Nの入力信号及び第1乃至第Nのシフトターンオン信号に応答して前記第1乃至第Nの制御信号を各々発する第1乃至第Nの制御信号発生部を備えることを特徴とする。
【0019】
前記第1の入力信号は前記動作活性信号であり、前記第2乃至第Nの制御信号発生部に入力される前記第2乃至第Nの入力信号は各々前段の制御信号発生部において発せられる制御信号である。
【0020】
前記第1の制御信号発生部は、前記第1のシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第2乃至第Nの制御信号発生部は各々前段の制御信号発生部から出力されるシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする。
【0021】
前記第1乃至第Nの制御信号は、各々に対応する前記シフトターンオン信号と前記制御信号とがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする。
【0022】
前記第1乃至第Nの制御信号発生部は、レジスタであることを特徴とする。
【0023】
前記技術的な課題を達成するために、本発明の実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路は、第1乃至第Nの遅延部を備えることを特徴とする。
【0024】
第1の遅延部は、内部クロック信号、所定の第1のシフトターンオン信号及び所定の第1の入力信号に応答して前記内部クロック信号を一定時間遅延させた第1の遅延信号及び第2のシフトターンオン信号を発する。
【0025】
第2の遅延部は、前記第1の遅延信号、前記第2のシフトターンオン信号及び所定の第2の入力信号に応答して前記第1の遅延信号を一定時間遅延させた第2の遅延信号及び第3のシフトターンオン信号を発する。
【0026】
第Nの遅延部は、第(N−1)(Nは3以上の自然数)の遅延信号、第Nのシフトターンオン信号及び所定の第Nの入力信号に応答して前記第(N−1)の遅延信号を一定時間遅延させた第Nの遅延信号及び第(N+1)のシフトターンオン信号を発する。
【0027】
前記第1乃至第Nの遅延部は順次に活性化されることを特徴とする。
【0028】
前記第1乃至第Nの遅延部は各々に対応する前記入力信号及び前記シフトターンオン信号に応答して単位遅延セルの活性及び非活性を制御する制御信号を発する制御信号発生部及び前記制御信号に応答して入力される信号を一定時間遅延させて前記遅延信号として出力する単位遅延セルを備えることを特徴とする。
【0029】
前記第1の遅延部の前記第1の制御信号発生部は前記第1のシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされ、前記第2乃至第Nの遅延部の前記第2乃至第Nの制御信号発生部は各々前段の制御信号発生部から出力されるシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする。
【0030】
前記第1乃至第Nの遅延部の前記第1乃至第Nの制御信号は、各々に対応する前記シフトターンオン信号と前記制御信号とがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする。
【0031】
前記第1の遅延部は、前記内部クロック信号が前記単位遅延セルに入力され、前記第1の入力信号は所定の動作活性信号であることを特徴とする。前記第2乃至第Nの遅延部は各々前段の遅延部の制御信号発生部において発せられる制御信号を前記第2乃至第Nの入力信号として各々受信して前段の遅延部の単位遅延セルにおいて発せられる遅延信号が単位遅延セルに入力されることを特徴とする。前記第1乃至第Nの制御信号発生部は、レジスタであることを特徴とする。
【0032】
これにより、本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路は、DRAMの待ち状態から活性化状態への切り換え時にDRAM内部のDLLの単位遅延セルを順次にターンオンさせることにより、DLLに瞬間的に多量の電流が流れることを防いでDLLのジッタを最小化できる長所がある。
【0033】
他の好適な実施の形態による遅延同期ループの遅延ライン回路は、単位遅延セル及び制御部を備えることを特徴とする。
【0034】
単位遅延セルは入力と出力とが直列接続され、前段の単位遅延セルの出力が次段の単位遅延セルの入力に直列接続される。制御部は活性信号に応答して前記単位遅延セルのうち少なくとも2つを連続的に活性化させる構成を有し、前記単位遅延セルに接続される。
【0035】
前記各々の単位遅延セルは各々の制御入力を備え、前記制御部は第1及び第2の入力と第1及び第2の出力とを各々備えて直列接続される制御信号発生部を備え、前記各々の第1の出力は各々の前記制御入力に接続され、前段の制御信号発生部の第1の出力は次段の制御信号発生部の第1の入力に接続され、次段の制御信号発生部の第2の入力は前段の制御信号発生部の第2の出力に接続されることを特徴とする。
【0036】
前記活性信号は、前記直列接続される制御信号発生部のうち第1の制御信号発生部に加えられることを特徴とする。前記各々の制御信号発生部は各々ロジック回路及びレジスタを備えることを特徴とする。
【0037】
他の好適な実施の形態による遅延ラインの制御方法は、回路は入力と出力とが直列接続され、前段の単位遅延セルの出力が次段の単位遅延セルの入力に直列接続される単位遅延セルを備える遅延ラインを制御する方法であって、活性信号に応答して前記単位遅延セルのうち少なくとも2つを連続的に活性化させる工程を含むことを特徴とする。
【0038】
他の好適な実施の形態による遅延同期ループの遅延ライン回路は、単位遅延セル及び活性化手段を備えることを特徴とする。単位遅延セルは入力と出力とが直列接続され、前段の単位遅延セルの出力が次段の単位遅延セルの入力に直列接続される。
【0039】
活性化手段は活性信号に応答して前記単位遅延セルのうち少なくとも2つを連続的に活性化させる。前記各々の単位遅延セルは各々の制御入力を備え、前記連続的に活性化させる手段は、第1及び第2の入力と第1及び第2の出力とを各々備えて直列接続される制御信号発生部を備え、前記各々の第1の出力は各々の前記制御入力に接続され、前段の制御信号発生部の第1の出力は次段の制御信号発生部の第1の入力に接続され、次段の制御信号発生部の第2の入力は前段の制御信号発生部の第2の出力に接続されることを特徴とする。
【0040】
【発明の実施の形態】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の好ましい実施の形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照しなければならない。
【0041】
以下、添付した図面に基づき、本発明の好ましい実施の形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。図中、同じ参照符号は同様の要素を表わす。
【0042】
図4は、本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路を示すブロック図であり、図5は、本発明の好適な実施の形態による単位遅延セルを制御する制御信号を発するロジックを示す図である。
【0043】
図4及び図5を参照すると、本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路400は、遅延ライン部410及び制御部420を備えることを特徴とする。
【0044】
遅延ライン部410は、単位遅延セルの入力と出力とが直列接続され、前段の単位遅延セルの出力が次段の単位遅延セルの入力に直列接続される。
【0045】
遅延ライン部410は各々前段の出力を受信して一定時間遅延させ、前記遅延された値を出力する第1乃至第N(Nは自然数)の単位遅延セルDC1、DC2〜DCNを備える遅延ライン部410であって、第1の単位遅延セルDC1の入力として内部クロック信号INTCKが入力される。
【0046】
第1乃至第Nの単位遅延セルDC1、DC2〜DCNは動作活性信号BSTBYに応答して順次に活性化されることを特徴とする。
【0047】
制御部420は、活性信号に応答して単位遅延セルDC1〜DCNのうち少なくとも2つを連続的に活性化させる構成を有し、単位遅延セルDC1〜DCNに接続される。
【0048】
制御部420は、動作活性信号BSTBYに応答して第1乃至第Nの単位遅延セルDC1、DC2〜DCNの活性化及び非活性化を制御する第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNを発する。
【0049】
より詳細に説明すると、制御部420は、第1乃至第Nの単位遅延セルDC1、DC2〜DCNに対応し、所定の第1乃至第Nの入力信号INS1、INS2〜INSN(または、第1の入力と呼ぶ。)及び第1乃至第Nのシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2〜ONSFTN(または、第2の入力と呼ぶ。)に応答して第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLN(または、制御入力と呼ぶ。)を各々発する第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGN(または、制御信号発生器と呼ぶ。)を備えることを特徴とする。
【0050】
好ましくは、第1の入力信号INS1は動作活性信号BSTBYであり、第2乃至第Nの制御信号発生部REG2、REG3〜REGNに入力される第2乃至第Nの入力信号INS2、INS2〜INSNは、各々前段の制御信号発生部REG1、REG2〜REGNにおいて発せられる制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNである。
【0051】
第1の制御信号発生部REG1は、第1のシフトターンオン信号ONSFT1に応答してターンオンまたはターンオフされ、第2乃至第Nの制御信号発生部REG2、REG3〜REGNは各々前段の制御信号発生部REG1、REG2〜REGN−1から出力されるシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2〜ONSFTNに応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする。
【0052】
第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNは対応するシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2〜ONSFTNと対応する制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNとがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする。
【0053】
第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGN−1はレジスタであることを特徴とする。
【0054】
以下、図4に基づき、本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路の動作を詳細に説明する。
【0055】
制御部420は、動作活性信号BSTBYに応答して第1乃至第Nの単位遅延セルDC1、DC2〜DCNの活性化及び非活性化を制御する第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNを発する。
【0056】
動作活性信号BSTBYは、DRAMがプリチャージモードやパワーダウンモードにあることを表わすスタンドバイ信号、またはその反転信号であっても良い。本発明の好適な実施の形態において、動作活性信号BSTBYは前記スタンドバイ信号の反転信号である。
【0057】
制御部420は、第1乃至第Nの単位遅延セルDC1、DC2〜DCNに対応し、所定の第1乃至第Nの入力信号INS1、INS2〜INSN及び第1乃至第Nのシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2〜ONSFTNに応答して第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNを各々発する第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGNを備える。第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGN−1はレジスタであることを特徴とする。
【0058】
シフトターンオン信号ONSFTは第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGNの動作をターンオンまたはターンオフさせる信号である。すなわち、シフトターンオン信号ONSFTが活性化状態である場合には、第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGNは第1乃至第Nの入力信号INS1、INS2〜INSNの活性化状態に応答して制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNを活性化できるが、シフトターンオン信号ONSFTが非活性化状態である場合には、第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGNは第1乃至第Nの入力信号INS1、INS2〜INSNが活性化状態であっても制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNを活性化できない。シフトターンオン信号ONSFTの活性化状態は回路の構成によって論理“ハイ”レベルである場合もあれば、論理“ロー”レベルである場合もあるが、本発明の実施の形態では、“ハイ”レベルを活性化状態とする。
【0059】
制御信号CTRLはシフトターンオン信号ONSFT及び入力信号INSがいずれも活性化状態にある場合に活性化される。
【0060】
プリチャージモードやパワーダウンモードへ入る前に、第1乃至第3の単位遅延セルDC1、DC2、DC3のみが活性化されて動作しているならば、プリチャージモードやパワーダウンモードへ入った後には遅延ライン回路410の動作が完全に止まるが、第1乃至第3の制御信号発生部REG1、REG2、REG3は“ハイ”レベルの第1乃至第3のシフトターンオン信号ONSFT1、ONSFT2、ONSFT3を記憶する。
【0061】
DRAMがプリチャージモードやパワーダウンモードから抜け出すと、スタンドバイ信号が“ロー”レベルとして発せられ、これにより、スタンドバイ信号の反転信号である動作活性信号BSTBYは“ハイ”レベルとして発せられる。そして、動作活性信号BSTBYは第1の入力信号INS1であって、第1の制御信号発生部REG1に印加される。これにより、第1の制御信号発生部REG1は貯蔵されている第1のシフトターンオン信号ONSFT1と第1の入力信号INS1とがいずれも“ハイ”レベルであるため、第1の制御信号CTRL1を“ハイ”レベルの活性化状態として第1の単位遅延セルDC1に印加する。従って、第1の単位遅延セルDC1は動作される。
【0062】
“ハイ”レベルとして発せられた第1の制御信号CTRL1は、第2の入力信号INS2として第2の制御信号発生部REG2に入力される。これにより、第2の制御信号発生部REG2は貯蔵されていた“ハイ”レベルの第2のシフトターンオン信号ONSFT2と“ハイ”レベルの第2の入力信号INS2とに応答して第2の制御信号CTRL2を“ハイ”レベルとして発し、第2の単位遅延セルDC2に印加する。従って、第2の単位遅延セルDC2は動作される。
【0063】
このような方式により第3の単位遅延セルDC3も“ハイ”レベルの第3の制御信号CTRL3に応答して活性化される。
【0064】
各々の制御信号発生部REG1、REG2〜REGNのうち第1の制御信号発生部REG1のみを除いては、前段の制御信号発生部REGにおいて発せられる制御信号CTRLにより動作が決まる。前段の制御信号CTRLにより現在の段の単位遅延セルDCの活性化の有無が決定され、また、現在の段の制御信号CTRLにより次段の単位遅延セルDCの活性化の有無が決定されるので、単位遅延セルDC1、DC2〜DCNは順次に活性化され、瞬間的に発する電流消費を緩和してDLLの内部電源電圧の不安定化を最小限に抑えることができる。従って、プリチャージモードやパワーダウンモードから抜け出る場合、DLLから出力される内部クロック信号INTCKの歪みを最小化できるという長所がある。
【0065】
本発明の好適な実施の形態において、第2乃至第Nの入力信号INS2、INS3〜INSNとして第1乃至第(N−1)の制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLN−1が用いられたが、回路を構成する方法によっては、第1乃至第(N−1)の制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLN−1の反転信号が用いられる場合もある。
【0066】
また、本発明の好適な実施の形態による遅延ライン制御回路は、下記のように表すことができる。すなわち、遅延ライン制御回路は第1乃至第Nの遅延部を備えることを特徴とする。
【0067】
第1の遅延部は内部クロック信号INTCK、所定の第1のシフトターンオン信号ONSFT1及び所定の第1の入力信号INS1に応答して内部クロック信号INTCKを一定時間遅延させた第1の遅延信号DES1及び第2のシフトターンオン信号ONSFT2を発する。
【0068】
第2の遅延部は、第1の遅延信号DES1、第2のシフトターンオン信号ONSFT2及び所定の第2の入力信号INS2に応答して第1の遅延信号DES1を一定時間遅延させた第2の遅延信号DES2及び第3のシフトターンオン信号ONSFT3を発する。
【0069】
第Nの遅延部は、第(N−1)(Nは3以上の自然数)の遅延信号DESN−1、第Nのシフトターンオン信号(ONSF数)及び所定の第Nの入力信号INSNに応答して前記第(N−1)遅延信号DESN−1を一定時間遅延させた第Nの遅延信号DESN及び第(N+1)のシフトターンオン信号(ONSF数+1)を発する。第1乃至第Nの遅延部は順次に活性化されることを特徴とする。
【0070】
第1乃至第Nの遅延部は各々対応する入力信号INS及びシフトターンオン信号ONSFTに応答して単位遅延セルDCの活性及び非活性を制御する制御信号CTRLを発する制御信号発生部REG及び制御信号CTRLに応答して入力される信号を一定時間遅延させて遅延信号DESとして出力する単位遅延セルDCを備える。
【0071】
第1の遅延部の第1の制御信号発生部REG1は第1のシフトターンオン信号ONSFT1に応答してターンオンまたはターンオフされ、第2乃至第Nの遅延部の第2乃至第Nの制御信号発生部REG2、REG3〜REGNは各々前段の制御信号発生部REG1、REG2〜REGN−1から出力されるシフトターンオン信号ONSFTに応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする。
【0072】
第1乃至第Nの遅延部の前記第1乃至第Nの制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLNは対応するシフトターンオン信号ONSFTと対応する制御信号CTRLとがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする。
【0073】
第1の遅延部は、内部クロック信号INTCKが単位遅延セルDC1に入力され、第1の入力信号INS1は所定の動作活性信号BSTBYであることを特徴とする。第2乃至第Nの遅延部は各々前段の遅延部の制御信号発生部REG1、REG2〜REGN−1において発せられる制御信号CTRL1、CTRL2〜CTRLN−1を第2乃至第Nの入力信号INS2、INS3〜INSNとして各々受信して前段の遅延部の単位遅延セルにおいて発せられる遅延信号が単位遅延セルに入力されることを特徴とする。前記第1乃至第Nの制御信号発生部REG1、REG2〜REGNはレジスタであることを特徴とする。
【0074】
このように説明されるDLLの遅延ライン制御回路は、図4の実施の形態を他の方法により表わしたものであり、従って、各々の構成要素の機能は図4の実施の形態と同様である。従って、動作についての詳細な説明は省略する。
【0075】
以上、図面及び明細書において好適な実施の形態が開示された。ここで、特定の用語が用いられたが、これは単に本発明を説明するためのものであり、意味を限定したり特許請求の範囲上に記載された本発明の範囲を制限したりするために用いられたものではない。よって、当業者であれば、これらにより各種の変形及び均等な他の実施の形態が可能であるということが理解できよう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は特許請求の範囲の技術的な思想によって定まるべきである。
【0076】
【発明の効果】
上述したように、本発明によるDLLの遅延ライン制御回路は、DRAMの待ち状態から活性化状態への切り換え時にDRAM内部のDLLの単位遅延セルを順次にターンオンさせることにより、DRAMに瞬間的に多量の電流が流れることを防いでDLLのジッタを最小化できる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のDLLの遅延ライン制御回路を示すブロック図である。
【図2】図1の単位遅延セルを制御する制御信号を発するロジック図である。
【図3】図1の単位遅延セルの内部回路を示す回路図である。
【図4】本発明の好適な実施の形態によるDLLの遅延ライン制御回路を示すブロック図である。
【図5】本発明の好適な実施の形態による単位遅延セルを制御する制御信号を発するロジック図である。
【符号の説明】
BSTBY 動作活性信号
CTRL1、CTRL2〜CTRLN 制御信号
DC1、DC2〜DCN 単位遅延セル
INTCK 内部クロック信号
INS1、INS2〜INSN 入力信号
ONSFT1、ONSFT2〜ONSFTN シフトターンオン信号
REG1、REG2〜REGN 制御信号発生部
Claims (13)
- 各々前段の出力を受信して一定時間遅延させ、前記遅延された値を出力する第1乃至第N(Nは自然数)の単位遅延セルを備える遅延ライン部であって、前記第1の単位遅延セルの入力として内部クロック信号が入力される前記遅延ライン部と、
所定の動作活性信号に応答して前記第1乃至第Nの単位遅延セルの各々の活性化及び非活性化を制御する第1乃至第Nの制御信号をそれぞれ発する制御部と、
を備え、前記第1乃至第Nの単位遅延セルの各々は、前記動作活性信号に応答して順次に活性化されることを特徴とする遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記制御部は、前記第1乃至第Nの単位遅延セルの各々に対応し、所定の第1乃至第Nの入力信号及び第1乃至第Nのシフトターンオン信号に応答して前記第1乃至第Nの制御信号を各々発する第1乃至第Nの制御信号発生部を備えることを特徴とする請求項1に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。
- 前記第1の入力信号は、前記動作活性信号であり、
前記第2乃至第Nの制御信号発生部に入力される前記第2乃至第Nの入力信号は各々、前段の制御信号発生部において発せられる制御信号であることを特徴とする請求項2に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1の制御信号発生部は、前記第1のシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされ、
前記第2乃至第Nの制御信号発生部は各々、前段の制御信号発生部から出力されるシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする請求項2に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1乃至第Nの制御信号は、各々に対応する前記シフトターンオン信号と前記制御信号とがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする請求項2に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。
- 前記第1乃至第Nの制御信号発生部は、レジスタであることを特徴とする請求項2に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。
- 内部クロック信号、所定の第1シフトターンオン信号、及び所定の第1の入力信号に応答して前記内部クロック信号を一定時間遅延させた第1の遅延信号及び第2のシフトターンオン信号を発する第1の遅延部と、
前記第1の遅延信号、前記第2のシフトターンオン信号、及び所定の第2の入力信号に応答して前記第1の遅延信号を一定時間遅延させた第2の遅延信号及び第3のシフトターンオン信号を発する第2の遅延部と、
第(N−1)(Nは3以上の自然数)の遅延信号、第Nのシフトターンオン信号、及び所定の第Nの入力信号に応答して前記第N−1の遅延信号を一定時間遅延させた第Nの遅延信号及び第(N+1)のシフトターンオン信号を発する第Nの遅延部と、
を備え、
前記第1乃至第Nの遅延部は、順次に活性化されることを特徴とする遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1乃至第Nの遅延部は各々、
各々に対応する前記入力信号及び前記シフトターンオン信号に応答して単位遅延セルの活性化及び非活性化を制御する制御信号を発する制御信号発生部と、
前記制御信号に応答して入力される信号を一定時間遅延させて前記遅延信号として出力する単位遅延セルと、
を備えることを特徴とする請求項7に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1の遅延部の前記第1の制御信号発生部は、前記第1のシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされ、
前記第2乃至第Nの遅延部の前記第2乃至第Nの制御信号発生部は各々、前段の制御信号発生部から出力されるシフトターンオン信号に応答してターンオンまたはターンオフされることを特徴とする請求項8に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1乃至第Nの遅延部の前記第1乃至第Nの制御信号は、各々に対応する前記シフトターンオン信号と前記制御信号とがいずれも活性化される場合に活性化されることを特徴とする請求項8に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。
- 前記第1の遅延部は、前記内部クロック信号が前記単位遅延セルに入力され、
前記第1の入力信号は、遅延同期ループの動作が活性されることを表わす動作活性信号であることを特徴とする請求項7に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第2乃至第Nの遅延部は各々、
前段の遅延部の制御信号発生部において発せられる制御信号を前記第2乃至第Nの入力信号として各々受信し、
前段の遅延部の単位遅延セルにおいて発せられる遅延信号が単位遅延セルに入力されることを特徴とする請求項7に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。 - 前記第1乃至第Nの制御信号発生部は、レジスタであることを特徴とする請求項7に記載の遅延同期ループの遅延ライン制御回路。
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