JP3969321B2 - High frequency transmitter / receiver module - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、導波管を使用してマイクロ波またはミリ波帯の高周波信号を送受信する、高周波送受信モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、導波管を使用した高周波送受信モジュールは、パッケージに収納した、マイクロ波またはミリ波帯等の高周波帯で動作する半導体にバイアス電圧を印可するため、パッケージに金属製のリードをロー付けし、そのリードを、バイアスを供給する樹脂基板等に半田付けしている。また、そのパッケージ及び樹脂基板等は、筐体の導波管端子に位置合わせしてネジ止めする等を行なっていた。(例えば、特許文献1)
【0003】
【特許文献1】
特開平5−343904号公報(第2−4頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波送受信モジュールは、以上のように、パッケージにバイアス印加用リードをロー付けし、また、そのパッケージ及び樹脂基板等を、筐体の導波管端子に位置決めしてネジ止めする等、パッケージの高コスト化、モジュールの製造工程複雑化等を招き、最終的にモジュールの高コスト化につながるという問題を持っていた。
【0005】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、導波管端子、信号端子、制御信号端子、接地端子及びバイアス端子等の接続にかかる製造コストを大幅に低減させ、それに合わせて、パッケージのリードレス化を図り、パッケージコストも低減させることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、この発明に関わる高周波送受信モジュールは、パッケージを構成する多層誘電体基板の下面に導波管端子、信号端子、制御信号端子、接地端子およびバイアス端子を配し、また、このパッケージに対応して樹脂基板の上面に導波管端子、信号端子、制御信号端子、接地端子およびバイアス端子を配し、おのおの対応した端子間を全て球状の半田を溶融して接続することで搭載し、さらに、このパッケージが搭載された樹脂基板を導波管回路に搭載した。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、実施の形態1による高周波送受信モジュールの構成を示している。
【0008】
図1において、パッケージ1は、多層誘電体基板2の上に気密溶接用枠体3を半田付けまたはロー付け等により配置し、その上にカバー4をのせて溶接し、気密を確保している。パッケージ1の内部の構成は図5に示し、その中にて半導体18を実装している(詳細は後述する)。また、多層誘電体基板2の下面には、導波管端子6、信号、制御信号、接地及びバイアス端子7、高周波信号端子9等が配されているが、図1では省略している。樹脂基板5は、多層誘電体基板2の下面に配された導波管端子6、信号、制御信号、接地及びバイアス端子7、高周波信号端子9に対応して、基板上面に各々の端子を配し、また、パッケージ1との信号及びバイアスの授受を行なうための周辺回路10を配している。パッケージ1、樹脂基板5における各々対応した端子は、球状の半田8を溶融する(いわゆるバンプ接続)ことで、接続を確保される。このパッケージ1を搭載した樹脂基板5は、この導波管端子6に対応した導波管12を設けた導波管回路11にネジ止めされる。このとき、樹脂基板5の導波管端子6と導波管12を隙間なく接触させるため、樹脂に導電性塗料を含浸させた導電性樹脂26を導波管回路11の導波管12の開口部周辺の極力開口端に近い位置に塗布し、樹脂基板5との間で挟み込んでいる。
【0009】
次に、動作について説明する。図1のように、パッケージ1は樹脂基板5との間で、信号、制御信号、接地及びバイアス端子7、高周波信号端子9、導波管端子6を通して、それぞれに対応した電圧及び信号を授受し、内部に収納した半導体18を動作させる。また、樹脂基板5は、パッケージ1との間での電圧及び信号の授受の他、球状の半田8を信号、制御信号、接地及びバイアス端子7、高周波信号端子9、導波管端子6に溶融することにより、パッケージ1を樹脂基板5上に固定する。導波管回路11は、パッケージ1を搭載した樹脂基板5をネジ止めなどにより固定し、内部に設けた導波管12をもって、外部回路(例えばアンテナ等である。図1では省略)との間で、マイクロ波またはミリ波帯の高周波信号を授受する。その際、導電性樹脂26は、樹脂基板5の導波管端子6と導波管回路12の導波管11が隙間なく接続されるように塗布され、接続部における信号の電力損失を低減させている。
【0010】
このときの導波管端子6を接続する球状の半田8の配置(図1のA部)を図2(a)に示す。また、図2(b)は、導波管接続部における信号の損失を示すグラフであり、導波管端子6の電界面(導波管端子6の短辺)に平行に、導波管端子6を挟んで配置した球状の半田8列間の距離をL1、導波管端子6の磁界面(導波管端子6の長辺)に平行に、導波管端子6を挟んで配置した球状の半田8列と導波管端子6端までの距離をL2としたときに、L1を固定し、L2を変化させた場合の、通過損失を示している。
このように、L2の長さの最適化により、通過損失を低減させることが可能となる。また、図2(c)は、図1のように導波管端子6が隣接した場合の、導波管端子6の周辺に設ける球状の半田8の列数による、隣接した導波管端子との信号の結合度を示す。曲線aは列数を1列とした場合、曲線bは列数を2列とした場合、曲線cは2列の球状の半田8の間隔を導波管端子6を通過する信号の波長の1/4±30%とした場合の特性を示す。このように、複数列配置し、かつ、その間隔を導波管端子6を通過する信号の波長の1/4±30%とした場合、もっとも、隣接する導波管端子との結合を低減できる。
【0011】
本実施例では、図2(a)において、上記の距離L1、L2の関係が、導波管端子6を通過する信号の波長をλとすると、λ×(0.7〜1.3)=2/(1/L12+1/L22)1/2となるように設定している。この場合、図2(b)のような、最適なL2の特性を得る事ができ、導波管接続部における信号の損失を小さくすることが可能となる。また、球状の半田8列を複数列配し、かつその間隔を、導波管端子6を通過する信号の波長の1/4±30%としたことにより、隣接導波管との結合を、より低減している。
【0012】
次に、マイクロ波帯等の高周波信号を授受するための、球状の半田8の配置(図1のB部)を図3に示す。高周波信号端子9は、略中心に信号端子14を、そこからある距離だけ離れた同心円上に接地端子15を複数配する事により構成している。これは、一般に高周波信号を伝達させるために使用される同軸ケーブルと同様に、信号端子14と接地端子15の間のインピーダンスを一定にするためである。これらの各端子も、パッケージ1の下面に配した端子と、樹脂基板5の上面に配した端子との間で、それぞれに対応して、球状の半田8を溶融することにより、他の端子と一括で接続可能である。
【0013】
次に、パッケージ1及びその下面に配した球状の半田8の機械的強度について、図4にて説明する。一般に、球状の半田8による接続(いわゆるバンプ接続)は、リード端子を用いた接続に比べて、機械的強度が弱い。それは、例えばセラミック等のように薄く、かつ硬い基板を使用したパッケージを完全に固定するため、熱応力などが加わった場合、欠け、割れ等が発生しやすいためである。そのため、例えばエポキシなどの樹脂をベースとしたアンダーフィル材16をパッケージ1及び樹脂基板5の間の半田接合部に注入することにより、パッケージ1及び球状の半田8にかかる応力を緩和する事ができる。
ただし、導波管端子部には注入されないよう、注意する必要がある。信号通過部に、ある誘電率をもつアンダーフィル材が入り込む事で、そこのインピーダンスが変化し、通過特性を劣化させるためである。図1及び図4では、C部、つまり、パッケージ1の4隅に、アンダーフィル材16を注入している。一般に割れ、欠けは、パッケージ1の4隅から発生しやすいため、このアンダーフィル材16をパッケージ1の4隅のみに注入しても効果は大きい。もちろん、導波管端子6部分を除く全域に注入した場合、さらに機械的強度が向上する。
【0014】
次に、パッケージ1の構成を図5に示す。図5(a)は、パッケージ1の内部を示しており、多層誘電体基板2はその上面に2つのキャビティ17a及び17bを有し、その中に、マイクロ波またはミリ波帯で動作する半導体18a及び18bをそれぞれ配している。多層誘電体基板2及び半導体18a及び18bは、例えばAu等の金属ワイヤ19で接続され、半導体18a及び18bに授受される高周波信号は、金属ワイヤ19が接続されたマイクロストリップ線路−導波管変換器20にて導波管モードに変換されるか、あるいは高周波信号端子9に接続される。
また、多層誘電体基板2の上には、気密用金属枠体3が配され、その上にカバー4を溶接する事により、パッケージ1内を気密にする。図5(b)は、図5(a)のパッケージにカバー4を溶接した場合の外観を示す。図のように、溶接する事で、パッケージ1の内部を気密にすることが可能となる。図5(c)は、多層誘電体基板2上に気密用金属枠体3を設けず、少なくとも半導体18a及び18b及び金属ワイヤ19の上面を除く、多層誘電体基板2の上面に接触するよう、金属板を成形した成形カバー21を、多層誘電体基板2の上面に半田または導電性接着剤などを使用して固定しており、パッケージ1の内部を気密にする事が可能となる。図5(d)は、多層誘電体基板2に配した半導体18a及び18bと金属ワイヤ19の上に封止用樹脂ペースト22を塗布し、半導体の気密を確保する事を可能とした。
【0015】
上記では、パッケージ1の下面に設けた各端子と樹脂基板5の上面に設けた各端子の接続に、球状の半田8を溶融させることで行なっているが、図6のように、球状の半田8を配置し、その上下をパッケージ1及び樹脂基板5で挟んだ状態で、例えば、熱硬化によって、球状の半田8と各端子の電気的接続を行なう、異方性導電性樹脂を注入する方法もある。これによっても、上記と同様の効果を得る事ができる。
【0016】
次に、製造方法について説明する。上記のように、樹脂基板5上に球状の半田8を使用してパッケージ1を接続する場合、樹脂基板5上の周辺回路10に使用する他の部品と同時に、例えばリフローのような一括半田付けが可能となり、従来、パッケージのみネジ止めしていた作業が簡略化される。また、一般に、上記のような球状の半田8を使用した場合、その接続される端子位置が自ら補正される、いわゆるセルフアライメント効果が得られるため、従来行なっていたパッケージ1と導波管回路11との位置決め作業が不要になる。
【0017】
次に、価格について説明する。従来の多層誘電体基板2を使用したパッケージ1では、原材料費としては、誘電体基板2、気密用金属枠体3、ネジ止めするために誘電体基板2の下面に配する金属キャリヤ等があげられる。また、その場合、金属キャリヤと多層誘電体基板2及び気密用金属枠体3のロー付け等の作業が必要となる。本発明によるパッケージ1は、金属キャリヤが不要なため、そのロー付けも不要となり、低価格化が可能である。また、上記のように、パッケージ1の固定に、位置決め/ネジ止め作業が不要となる等、製造工程の簡略化も図れる。
【0018】
このように、本実施例の場合、樹脂基板5上の周辺回路10の部品などと、一括してパッケージ1の接続が可能であり、導波管回路11との位置決め作業が不要になる。また、パッケージ1の金属キャリヤ等を不要とするため、価格が低減できる。さらに、電気特性の面では、導波管端子6の周囲の球状の半田8の配置位置、間隔及び列数の最適化により、導波管端子6接続部の通過損失を低減できる。また、アンダーフィル材16の注入により、パッケージ1及び球状の半田8の強度を改善できる。また、カバー4の溶接、または封止用樹脂ペースト22の塗布等により、パッケージ1内の気密化が可能となる。
【0019】
実施の形態2.
図7は、実施の形態2による高周波送受信モジュールの構成を示している。
【0020】
図7において、2〜10は、実施の形態1と同様の構成及び動作をする。金属ベース24は、樹脂基板5に樹脂性の接着剤などで接着され、金属ベース基板25を構成する。この場合、樹脂基板5に設けた導波管端子6に接続されるよう、金属ベース24にも導波管端子を設けている(図では省略している)。
【0021】
これにより、樹脂基板5での発熱を効率よく熱伝導させる事ができ、また、金属ベース24に導波管端子6を設ける事により、実施の形態1における導波管回路11を不要とするため、価格の低減が可能となる。
【0022】
実施の形態3.
図8は、実施の形態3による高周波送受信モジュールに使用する樹脂基板の裏面の構成を示している。
【0023】
図8において、樹脂基板5は、その裏面に、導波管端子6を通じて、その先にアンテナ素子27を基板上に設けている。図8では省略しているが、表面には、図1のようにパッケージ1、周辺回路10などが配されている。
【0024】
このように、樹脂基板5の裏面にアンテナ素子27を配する事により、導波管回路11を不要とし、また、金属ベース基板25のような金属ベース24も不要となるため、価格の低減が可能となる。また、金属部品が不要な事から、軽量化も可能となる。
【0025】
【発明の効果】
この発明によれば、樹脂基板上の周辺回路の部品などと、一括してパッケージの接続及び固定が可能となり、また、従来の位置決め作業が不要になるため、製造工程が単純化でき、製造コストの低減が可能となる。また、パッケージの金属キャリヤ等を不要とするため、原材料費等も低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による高周波送受信モジュールの構成を示す図である。
【図2】 この発明の実施の形態1における導波管端子周辺の球状の半田の配置及び導波管接続部の特性を示す図である。
【図3】 この発明の実施の形態1における高周波信号端子の構成を示す図である。
【図4】 この発明の実施の形態1におけるパッケージ及び球状の半田の機械的強度を示す図である。
【図5】 この発明の実施の形態1におけるパッケージの構成を示す図である。
【図6】 この発明の実施の形態1ににて、異方性導電性樹脂を使用した場合を示す図である。
【図7】 この発明の実施の形態2による高周波送受信モジュールの構成を示す図である。
【図8】 この発明の実施の形態3による高周波送受信モジュールに使用する樹脂基板の裏面の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 パッケージ、2 多層誘電体基板、3 気密封止用枠体、4 カバー、5樹脂基板、6 導波管端子、7 信号、制御信号、接地及びバイアス端子、8球状の半田、9 高周波信号端子、10 周辺回路、11 導波管回路、12導波管、14 信号端子、15 接地端子、16 アンダーフィル材、17 キャビティ、18 半導体、19 金属ワイヤ、20 マイクロストリップ線路−導波管変換器、21 成形カバー、22 樹脂ペースト、23 異方性導電性樹脂、24 金属ベース、25 金属ベース基板、26 導電性樹脂、27 アンテナ素子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency transmission / reception module that transmits and receives a microwave or millimeter-wave band high-frequency signal using a waveguide.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a high-frequency transceiver module using a waveguide has a metal lead brazed to the package in order to apply a bias voltage to a semiconductor that operates in a high-frequency band such as a microwave or millimeter-wave band. The lead is soldered to a resin substrate or the like that supplies a bias. Further, the package, the resin substrate, and the like are screwed in alignment with the waveguide terminal of the housing. (For example, Patent Document 1)
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-5-343904 (page 2-4, FIG. 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventional high-frequency transmission / reception module has a package in which a bias applying lead is brazed to the package, and the package and the resin substrate are positioned and screwed to the waveguide terminal of the housing. The cost of the module and the manufacturing process of the module are complicated, which ultimately leads to a high module cost.
[0005]
The present invention was made to solve the above-described problems, and greatly reduces the manufacturing cost for connection of a waveguide terminal, a signal terminal, a control signal terminal, a ground terminal, a bias terminal, and the like, In accordance with this, the object is to lead the package and reduce the package cost.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a high-frequency transmission / reception module according to the present invention includes a waveguide terminal, a signal terminal, a control signal terminal, a ground terminal, and a bias terminal on the lower surface of a multilayer dielectric substrate that constitutes a package. Corresponding to this package, waveguide terminals, signal terminals, control signal terminals, ground terminals and bias terminals are arranged on the top surface of the resin substrate, and the corresponding terminals are all melted and connected with spherical solder. In addition, the resin substrate on which this package was mounted was mounted on a waveguide circuit.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 shows a configuration of a high-frequency transceiver module according to the first embodiment.
[0008]
In FIG. 1, a package 1 has an
[0009]
Next, the operation will be described. As shown in FIG. 1, the package 1 exchanges voltages and signals with the
[0010]
FIG. 2A shows the arrangement of the
Thus, the passage loss can be reduced by optimizing the length of L2. FIG. 2 (c) shows the adjacent waveguide terminals according to the number of rows of
[0011]
In this embodiment, in FIG. 2A, when the relationship between the distances L1 and L2 is λ as the wavelength of the signal passing through the
[0012]
Next, FIG. 3 shows the arrangement of the spherical solder 8 (B portion in FIG. 1) for transmitting and receiving a high frequency signal such as a microwave band. The high-
[0013]
Next, the mechanical strength of the package 1 and the
However, care must be taken not to inject into the waveguide terminal portion. This is because when an underfill material having a certain dielectric constant enters the signal passing portion, the impedance changes and the passing characteristics are deteriorated. In FIGS. 1 and 4, the
[0014]
Next, the structure of the package 1 is shown in FIG. FIG. 5A shows the inside of the package 1, and the
An
[0015]
In the above description, the
[0016]
Next, a manufacturing method will be described. As described above, when the package 1 is connected using the
[0017]
Next, the price will be described. In the package 1 using the conventional
[0018]
Thus, in the case of the present embodiment, the package 1 can be connected together with the components of the
[0019]
FIG. 7 shows the configuration of the high-frequency transceiver module according to the second embodiment.
[0020]
In FIG. 7, 2 to 10 have the same configuration and operation as in the first embodiment. The
[0021]
As a result, the heat generated in the
[0022]
FIG. 8 shows the configuration of the back surface of the resin substrate used in the high-frequency transceiver module according to the third embodiment.
[0023]
In FIG. 8, the
[0024]
Thus, by arranging the antenna element 27 on the back surface of the
[0025]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to connect and fix the package together with peripheral circuit components on the resin substrate, and the conventional positioning operation becomes unnecessary, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be simplified. Can be reduced. In addition, since the metal carrier of the package is not required, raw material costs can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency transceiver module according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing the arrangement of spherical solder around the waveguide terminal and the characteristics of the waveguide connection portion in the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a high-frequency signal terminal according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing the mechanical strength of a package and spherical solder according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a package in Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing a case where an anisotropic conductive resin is used in Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a high-frequency transceiver module according to
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a back surface of a resin substrate used in a high frequency transmission / reception module according to
[Explanation of symbols]
1 package, 2 multilayer dielectric substrate, 3 airtight sealing frame, 4 cover, 5 resin substrate, 6 waveguide terminal, 7 signal, control signal, ground and bias terminal, 8 spherical solder, 9 high frequency signal terminal DESCRIPTION OF
Claims (8)
1種類または2種類以上の誘電体材料を積層した多層誘電体基板にて構成され、1つまたは2つ以上の導波管端子、制御信号端子、接地端子およびバイアス端子を上記誘電体基板の下面に配し、上記誘電体基板の上面に、ミリ波帯にて動作する半導体素子を収納し、上記半導体素子と上記導波管端子の間を、高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路−導波管変換器にて接続した、1つまたは2つ以上のパッケージと、
1つまたは2つ以上の導波管端子、制御信号端子、接地端子、およびバイアス端子を上記パッケージの各端子に対応して基板上面に配し、基板上面に周辺回路を載置し、上記パッケージと上記周辺回路との間でバイアス電圧および信号等を授受するとともに、上記パッケージの下面が基板上面に接続された単層または多層の樹脂基板と、
1つまたは2つ以上の導波管端子を有し、金属または樹脂に金属めっきを施して、内部に上記樹脂基板における基板面の平行方向及び垂直方向に配向された複数の導波管が形成されるとともに、上記樹脂基板の下面に上面の当該導波管端子が接続され、アンテナとの間で高周波信号を伝送する板状の導波管回路と、
を具備し、
上記パッケージおよび樹脂基板に設けた上記制御信号端子、接地端子およびバイアス端子は、夫々対応する端子間が複数の球状の半田を溶融して接続され、
上記パッケージの導波管端子と上記樹脂基板の導波管端子は、双方の開口部周囲を取り囲むように配列された複数の球状の半田を溶融して接続され、
上記パッケージおよび上記樹脂基板に設けた導波管端子、制御信号端子、接地端子およびバイアス端子にて、夫々対応する端子間を接続した球状の半田のうち、導波管端子の開口部を除いた少なくとも上記パッケージの隅に配された球状の半田部分にアンダーフィル材を充填したことを特徴とする高周波送受信モジュール。In a high-frequency transmission / reception module having one or more waveguide terminals and transmitting / receiving a millimeter-wave band high-frequency signal,
It is composed of a multilayer dielectric substrate in which one type or two or more types of dielectric materials are laminated, and one or more waveguide terminals, a control signal terminal, a ground terminal, and a bias terminal are provided on the lower surface of the dielectric substrate. A microstrip line-waveguide for accommodating a semiconductor element operating in a millimeter wave band on the upper surface of the dielectric substrate and transmitting a high-frequency signal between the semiconductor element and the waveguide terminal One or more packages connected by a converter;
One or two or more waveguide terminals, a control signal terminal, a ground terminal, and a bias terminal are arranged on the upper surface of the substrate corresponding to each terminal of the package, and a peripheral circuit is mounted on the upper surface of the substrate. A single-layer or multi-layer resin substrate having a lower surface of the package connected to the upper surface of the substrate,
One or two or more waveguide terminals are provided, and metal or metal is plated with metal to form a plurality of waveguides that are oriented in the parallel and vertical directions of the substrate surface in the resin substrate. In addition, the waveguide terminal on the upper surface is connected to the lower surface of the resin substrate, and a plate-like waveguide circuit that transmits a high-frequency signal to and from the antenna;
Comprising
The control signal terminal, the ground terminal and the bias terminal provided on the package and the resin substrate are connected by melting a plurality of spherical solders between corresponding terminals,
The waveguide terminal of the package and the waveguide terminal of the resin substrate are connected by melting a plurality of spherical solders arranged so as to surround the periphery of both openings,
The package and the waveguide terminals provided on the resin substrate, a control signal terminal, at the ground terminal and the bias terminal, among the solder sphere connected between respective corresponding terminals were divided opening of the waveguide terminal A high-frequency transmission / reception module characterized in that an underfill material is filled in at least a spherical solder portion disposed in a corner of the package.
誘電体材料を積層した多層誘電体基板にて構成され、複数の導波管端子、制御信号端子、接地端子およびバイアス端子を上記誘電体基板の下面に配し、上記誘電体基板の上面に、マイクロストリップ線路および当該各端子に電気的に接続されミリ波帯にて動作する半導体素子を収納し、上記半導体素子を上記マイクロストリップ線路に接続し、かつ上記半導体素子と上記導波管端子の間を、高周波信号を導波管モードに変換するマイクロストリップ線路−導波管変換器にて接続して成るパッケージと、
複数の導波管端子、制御信号端子、接地端子、およびバイアス端子を上記パッケージの各端子に対応して基板上面に配し、当該各端子と電気的に接続され当該各端子の配置領域外における基板上面に周辺回路を載置し、上記パッケージの下面を基板上面に載置するとともに、上記パッケージと上記周辺回路との間でバイアス電圧および信号等を授受する多層の樹脂基板と、
複数の導波管端子を有し、金属の内部に上記樹脂基板における基板面の平行方向及び垂直方向に配向された複数の導波管が形成され、当該導波管端子が当該垂直方向に配向された樹脂基板側の導波管に接続され、当該樹脂基板側の導波管が当該平行方向に配向された導波管の一端側に接続され、当該平行方向に配向された導波管の他端側が当該垂直方向に配向されたアンテナ側の導波管に接続されるとともに、上記樹脂基板の下面に上面の当該導波管端子が接続され、アンテナとの間で高周波信号を伝送する板状の導波管回路と、
を具備し、
上記パッケージの導波管端子と上記樹脂基板の導波管端子は、双方の開口部周囲を取り囲むように配列された複数の球状の半田を溶融し双方の間に空隙を有して接続され、
上記パッケージおよび樹脂基板に設けた上記制御信号端子、接地端子およびバイアス端子は、夫々対応する双方の端子間が複数の球状の半田を溶融して接続されるとともに、当該複数の球状の半田が上記パッケージおよび上記樹脂基板の導波管端子間を接続する球状の半田の周囲に配置されたことを特徴とする高周波送受信モジュール。In a high-frequency transceiver module that has a plurality of waveguide terminals and transmits and receives millimeter-wave high-frequency signals,
It is composed of a multilayer dielectric substrate in which dielectric materials are laminated, and a plurality of waveguide terminals, control signal terminals, ground terminals and bias terminals are arranged on the lower surface of the dielectric substrate, and on the upper surface of the dielectric substrate, A microstrip line and a semiconductor element that is electrically connected to each terminal and operates in the millimeter wave band are housed, the semiconductor element is connected to the microstrip line, and between the semiconductor element and the waveguide terminal A package formed by connecting a high-frequency signal to a waveguide mode using a microstrip line-waveguide converter;
A plurality of waveguide terminals, control signal terminals, ground terminals, and bias terminals are arranged on the upper surface of the substrate corresponding to the terminals of the package, and are electrically connected to the terminals and outside the arrangement area of the terminals. A peripheral circuit is placed on the upper surface of the substrate, and the lower surface of the package is placed on the upper surface of the substrate, and a multilayer resin substrate that exchanges a bias voltage and a signal between the package and the peripheral circuit;
A plurality of waveguide terminals are provided, and a plurality of waveguides oriented in the parallel direction and the vertical direction of the substrate surface in the resin substrate are formed inside the metal, and the waveguide terminals are oriented in the vertical direction. Connected to the waveguide on the resin substrate side, the waveguide on the resin substrate side is connected to one end side of the waveguide oriented in the parallel direction, and the waveguide oriented in the parallel direction the other end is connected to the waveguide of the antenna side oriented in the vertical direction Rutotomoni, the waveguide terminal of the upper surface to the lower surface of the resin substrate are connected, a plate for transmitting a high frequency signal between the antenna Shaped waveguide circuit;
Comprising
Waveguide terminal of the waveguide terminal and the resin substrate of the package is to melt the solder of a plurality of spherical arranged to surround the opening surround both connected with a air gap between both ,
The control signal terminal, the ground terminal, and the bias terminal provided on the package and the resin substrate are connected by melting a plurality of spherical solders between the corresponding terminals, and the plurality of spherical solders are connected to each other. A high-frequency transmission / reception module, characterized in that it is arranged around a spherical solder connecting between a package and waveguide terminals of the resin substrate.
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