JP3967713B2 - リレー回路およびスイッチング素子 - Google Patents

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    • H01H59/0009Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics

Description

本発明は、リレー回路およびスイッチング素子に関する。
スイッチング素子として、従来、メカニカルリレーやフォトリレーなどが用いられてきた。このスイッチング素子として、近時、静電気で駆動されるメカニカルな接点を有する素子、特にMEMSを用いたスイッチ接点を有するMEMSリレーが注目されている(例えば、特開2002−236265号公報)。このMEMSリレーで用いられるMEMSスイッチは、小型、軽量であるため、高いスイッチング周波数で動作が可能である。特に、静電気で駆動されるMEMSスイッチは、熱駆動のMEMSスイッチに比べ、変位速度が速く、消費電力も低い。このため、静電気で駆動されるMEMSスイッチを用いたMEMSリレーは、低消費電力が要求される携帯端末、低挿入損失が要求される無線アンテナ、高周波特性が要求される高速無線通信、等のキーデバイスとして注目されている。
もっとも、静電気で駆動されるMEMSスイッチは、接点を駆動させるに足る静電力を発生させるのに高い電圧が必要であった。このため、静電駆動では、信頼できるスイッチ性能を得るのに必要な電圧が高くなり、ドライブ回路(リレー回路)を小型化・低コスト化するのが困難であるとされていた。
そこで、本発明者は、MEMSスイッチの駆動に必要な高電圧の発生方法として、フォトダイオードアレイによる光起電力を用いる方法を検討していた。このフォトダイオードアレイによる光起電力を用いる方法では、小型のフォトダイオードを直列に接続し、直列に接続する個数を増やせば高電圧が得られるため、小型・低コストのドライブ回路が得られている。
特開2002−236265号公報
上記のように、静電気で駆動されるメカニカルな接点を有する素子、特にMEMSを用いたスイッチ接点を有するMEMSリレーは、高周波特性等に優れたスイッチング素子として、注目されている。しかし、メカニカルなスイッチ接点は、MOSFET等の半導体素子を用いた接点と異なり、機械式有接点である。このため、長期信頼性や寿命が半導体デバイスに比べて劣っているという問題があった。特にMEMSスイッチの寿命を制限する大きな要因の1つが、可動部が基板に付着して動かなくなるとう問題であった。もっとも、この付着の問題については、その原因が十分に解明されていなかった。
このような寿命の問題は、本発明者が検討していた上述のスイッチング素子、つまり静電気で駆動されるMEMSスイッチとフォトダイオードアレイを用いたリレー回路とを組み合わせたスイッチング素子においても、同様に発生した。そこで、本発明者は、この寿命の問題を解決すべく、各種の検討を行った。
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたもので、その目的は、小型・低コストで、高周波特性に優れ、かつ、寿命が長いスイッチング素子およびそのリレー回路を得ることである。
本発明の実施の形態のリレー回路は、静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点の一方側の駆動電極に接続される第1端子と、前記スイッチ接点の他方側の駆動電極に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子とに接続され、発光素子と光結合され、直列に接続された少なくとも2つ以上のフォトダイオードアレイを有する光起電力素子と、前記光起電力素子の内の少なくとも1つのフォトダイオードアレイに並列に接続された電子インダクター回路と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の実施の形態のスイッチグ素子は、一対の入力端子に接続された発光素子と、前記発光素子からの光を受光して光起電力を生じるリレー回路と、一対の出力端子に接続され静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点と、を備え、前記リレー回路は、前記スイッチ接点の一方側の駆動電極に接続される第1端子と、前記スイッチ接点の他方側の駆動電極に接続される第2端子と、前記第1端子と前記第2端子とに接続され、発光素子と光結合され、直列に接続された少なくとも2つ以上のフォトダイオードアレイを有する光起電力素子と、前記光起電力素子の内の少なくとも1つのフォトダイオードアレイに並列に接続された電子インダクター回路と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点をリレー回路によりドライブするスイッチング素子において、上記リレー回路を、フォトダイオードアレイによる光起電力を用いて電圧を印加し、スイッチ接点が駆動を始める時点ではスイッチ接点に高電圧を印加し、その後電子インダクターの働きにより電圧を減少させ、スイッチ接点の保持時には低電圧を印加するようにしたので、小型・低コストで、高周波特性に優れ、かつ、寿命が長いスイッチング素子およびそのリレー回路を得ることができる。
発明を解決するための最良の形態
以下、本発明の実施例について詳細な説明を行う前に、図4を参照にして、本発明の前提となるスイッチング素子について説明する。
図4は、本発明者が開発を進めていたスイッチング素子を示す図である。このスイッチング素子は、一対の入力端子141、142に接続されたLED(Light Emitting Diode)111と、ドライブ回路(リレー回路)112と、一対の出力端子143、144に接続され静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点113と、を有している。この素子では、LED111からの光を受光可能な位置に、リレー回路112が配置される。このリレー回路112は、LED111からの光を受光してフォトダイオードアレイ121により光起電力を生じ、メカニカルなスイッチ接点113を駆動する。また、このリレー回路112は、所定の放電回路129を有している。このリレー回路112により駆動されるスイッチ接点113は、MEMSを用いたスイッチ接点である。このMEMSを用いたスイッチ接点113は、駆動に高電圧が必要である。この高電圧として、図4の素子では、フォトダイオードアレイ121による光起電力を用いている。
図4のスイッチング素子では、一対の入力端子141、142に入力電流が流れると、LED113が発光する。フォトダイオードアレイ121は、このLED111からの光を受光して、光起電力を発生する。この光起電力がメカニカルスイッチ接点113に印加されると、メカニカルなスイッチ接点113がONになり、一対の出力端子143、144がONになる。また、LED111が消灯されると、フォトダイオードアレイ121からの光起電力の発生がなくなり、メカニカルなスイッチ接点113がOFFなって、一対の出力端子143、144がOFFになる。OFFになる際には、放電回路129を設けたことにより、スイッチ接点13の復帰時間が短縮される。このようにして、図4の素子では、ONとOFFのスイッチングが行われる。
この図4のスイッチング素子の特徴の1つは、静電気で駆動されるメカニカルな接点113を、フォトダイオードアレイ121の光起電力で駆動する点である。このようにフォトダイオードアレイ121を用いると、小型のフォトダイオードを直列に接続する個数を増すことにより、簡単に高電圧が得られる。このため、図4の素子では、リレー回路112を1mm×1mm程度の小型のサイズにすることができる。また、リレー回路112のコストを低くすることもできる。また、メカニカルスイッチ接点113として、静電気で駆動されるMEMSを用いたので、高周波特性に優れた素子を得ることができる。
しかし、図4のスイッチング素子には、一般的なMEMSを用いたスイッチ接点と同様、寿命が短いという問題があった。特に、接点113の接触する部分が接着して動かなくなってしまう現象(ステイッキング)が大きな問題とされていた。このように寿命が短くなる原因について、本発明者は、さまざまな実験を行って調査した。その結果、寿命が短くなる原因は、次のように解析されることが分かった。
すなわち、図4のような静電気で駆動されるMEMSを用いたスイッチ接点113は、駆動に高電圧が必要である。もっとも、高電圧が必要なのは、主に、動作初期においてスイッチが入るときである。ところが、図4のスイッチング素子では、スイッチ接点113に印加される電圧は、高電圧で一定である。このため、いったんスイッチが入り、その状態を保持するだけのときも動作初期時と同じ高電圧が印加され続けてしまう。このような状態が続くと、メカニカルなスイッチ接点113は、高電圧による強い力で接点が押し付けられ続ける。これにより、接点113の接触する部分が原子間力で接着してしまう。このように、スイッチの保持時にも高電圧が印加され続けることが、ステイッキングの発生の主な原因となる。この結果、寿命が短くなっていると解析される。
そこで、本発明者は、上記の解析に基づいて、ステイッキングの発生を押さえ、メカニカルスイッチ接点113の寿命を延ばすべく、リレー回路112の改良を行うことにした。以上を前提にして、以下、本発明の実施例について説明する。以下では、3つの実施例について説明する。
図1は、本発明の実施例1のスッチング素子を示す図である。このスイッチング素子は、一対の入力端子41、42に接続された発光素子11と、リレー回路12と、一対の出力端子43、44に接続され静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点13と、を備えている。上記の発光素子11は、LEDである。この発光素子11からの光を受光可能な位置に、リレー回路12が配置される。このリレー回路12は、発光素子11からの光を受光して光起電力を生じる光起電力素子21を有している。この光起電力素子21は、第1のフォトダイオードアレイ21Aと、第2のフォトダイオードアレイ21Bと、を有し、これらの2つのフォトダイオードアレイ21A、21Bは直列に接続されている。このうち、第1のフォトダイオードアレイ21Aには、40個のフォトダイオードが直列に配置されている。また、第2のフォトダイオードアレイ21Bには120個のフォトダイオードが直列に接続されている。この第2のフォトダイオードアレイ21Bには、並列に、電子インダクター回路23が接続されている。これらの2つのフォトダイオードアレイ21A、21Bを有する光起電力素子21は、第1端子12Hと、第2端子12Lと、に接続される。このうち、第1端子12Hは、スイッチ接点13の一方側の駆動電極13Hに接続される。また、第2端子12Lは、スイッチ接点13の他方側の駆動電極13Lに接続される。言い換えれば、スイッチ接点13の一方側の駆動電極13Hは光起電力素子21のアノード側(図中上側)に接続され、スイッチ接点13の他方側の駆動電極13Lは光起電力素子21のカソード側(図中下側)に接続される。そして、このスイッチ接点13は、リレー回路12により駆動される。このスイッチ接点13は、MEMSを用いたスイッチ接点である。このスイッチ接点13は、一対の出力端子43、44に接続される。
図1のスイッチング素子では、一対の入力端子41、42に入力電流が流れると、発光素子11が発光する。光起電力素子21は、この発光素子11からの光を受光して、1個のフォトダイオードあたり0.5V、合計で80Vの光起電力(電位差)を生じる。ここで、電位は、第2端子12Lよりも第1端子12Hの方が高くなる。この光起電力により、80Vの電圧がメカニカルスイッチ接点13に印加される。この電圧の印加により、メカニカルスイッチ接点13がONになり、一対の出力端子43、44がONになる。また、LED13が消灯されると、光起電力素子21からの光起電力の発生がなくなり、スイッチ接点13がOFFなって、一対の出力端子43、44がOFFになる。このようにして、図4の素子では、ONとOFFのスイッチングが行われる。
図1のスイッチング素子のリレー回路12の特徴の1つは、直列に接続された2つのフォトダイオードアレイ21A、21Bを有する光起電力素子21を用い、片方のフォトダイオードアレイ21Aに電子インダクター23を並列に接続した点である。この構成によれば、光起電力素子21に発光素子11の光が照射された直後、スイッチ接点13が駆動を始めるときは、2つのフォトダイオードアレイ21A、21Bからのトータルの電圧が印加されるため、スイッチ接点13は80Vの高電圧(第1の電圧)によりスムーズに駆動をスタートすることができる。その後、光起電力素子21の電圧が立ち上がり、定常状態になると、電子インダクター23により、これと並列に接続された第2のフォトダイオードアレイ21Bがシャント(短絡)される。これにより、スイッチ接点13には、残った第1のフォトダイオードアレイ21Aからの約20Vの低電圧(第2の電圧)が印加される。そして、スイッチ接点13には、動作スタート時より低電圧の20Vが印加され続けることになる。
以上説明した図1のスイッチング素子およびリレー回路12では、スイッチ接点13が80Vの高電圧により駆動を始めた後、第2のフォトダイオードアレイ21Bが電子インダクター23の働きによりシャントされる。これにより、スイッチ接点13の駆動初期には印加する電圧が駆動をスムーズに行うのに必要な高電圧80Vになるようにし、スイッチ接点13のスイッチの保持時には印加される電圧が低電圧20Vになるようにすることができる。このため、スイッチの保持時にまで駆動に必要な高電圧を印加し続ける場合と比較して、ステイッキングの発生を抑えることができる。この結果、スイッチング素子およびリレー回路12の寿命を長くすることができる。
また、図1のスイッチ接点13では、電圧が20Vあれば、スイッチを保持するのには十分である。このため、保持時の電圧を低電圧20Vにしても、スイッチ接点13のスイッチを保持することが困難になって信頼性が低下するようなことはない。
また、図1のスイッチング素子は、MEMSを用いたスイッチ接点13を、フォトダイオードアレイ21を用いたリレー回路102で駆動しているので、リレー回路102を小型のサイズにし、素子を小型化することができる。また、リレー回路102のコストを低くし、素子を低コスト化することができる。
また、図1のスイッチング素子は、スイッチ接点13として静電駆動のMEMSを用い、このスイッチ接点13の駆動初期に高電圧80Vを印加するようにしたので、高周波特性や高速動作性に優れた素子を得ることができる。
このように、本実施例によれば、小型・低コストで、高周波特性に優れ、かつ、寿命が長いスイッチング素子およびそのリレー回路を得ることができる。
次に、上記の高電圧と低電圧の範囲について検討する。すなわち、上記の素子では、第1のフォトダイオードアレイ21Aに40個、第2のフォトダイオードアレイ21Bに120個のフォトダイオードのフォトダイオードを用い、スイッチ接点13の駆動初期の高電圧を80V、スイッチ接点13の保持時の低電圧を20Vにした。しかし、例えばフォトダイオードの個数を変えることにより、高電圧および低電圧の値を変えることも可能である。そこで、その範囲について検討する。
本発明者の実験では、スイッチ接点13の駆動初期の電圧が低すぎると、スイッチ接点13の動作をスムーズに行うことが困難となった。一方、スイッチ接点13の駆動初期の電圧が高すぎると、寿命が短くなった。また、スイッチ接点13の保持時の電圧が低すぎると、スイッチを保持することが困難となり、スイッチの信頼性が低下した。一方、スイッチ接点13の保持時の電圧が高すぎると、ステイッキングの発生により、寿命が短くなった。これらから、本発明者の実験では、低電圧を高電圧の1/4以上2/3以下、好ましくは1/4以上1/2以下とすると、良好な特性の素子が得られた。
以上説明した図1のスイッチング素子およびリレー回路12では、電子インダクター23として、所定の時定数を用いた回路を適宜用いることができる。この電子インダクター23は、抵抗、キャパシタ、トランジスタ等の小型の部品を用いて構成することで、小型のものとすることができる。
また、図1のリレー回路12では、光起電力素子21を、2つのフォトダイオードアレイ21A、21Bが直列に接続されたものとして構成したが、これを3つ以上のフォトダイオードアレイが直列に接続されたものとして構成することもできる。また、図1のリレー回路12では、光起電力素子21の1つのフォトダイオードアレイ21Aに並列に電子インダクター回路23を接続したが、3つ以上のフォトダイオードアレイを直列に接続して光起電力素子を構成する場合は、2つ以上のフォトダイオードアレイに並列に電子インダクター回路を接続することもできる。
実施例2のスイッチング素子の特徴の1つは、図2に示すように、電子インダクター23を、トランジスタ24と、2つの抵抗25、26と、キャパシタ27と、で構成した点である。他の部分の構成は実施例1と同様であり、実施例1と同様の構成部分は同じ番号で示した。以下では、電子インダクター23の構成を中心に説明する。
図2は、本発明の実施例2のスッチング素子を示す図である。このスイッチング素子は、実施例1と同様に、MEMSを用いたスイッチ接点13を、フォトダイオードアレイ21を用いたリレー回路12で駆動している。そして、リレー回路102の第2のフォトダイオードアレイ21Bに並列に、電子インダクター回路23が接続されている。この電子インダクター回路23では、2つの端子23H、23Lの間に、第1の抵抗24とキャパシタ26が直列に接続されている。また、このキャパシタ26と並列に、第2の抵抗25が接続されている。さらに、この電子インダクター回路は、NPN型のバイポーラのトランジスタ27を有している。このトランジスタ27のコレクタとベースは第1の抵抗24と並列に接続され、コレクタとエミッタは第2の抵抗25と並列に接続されている。
この図2のスイッチング素子では、スイッチ接点13に80Vの高電圧を印加した後、所定の時定数で、印加する電圧を約20Vにすることができる。この時定数は、第1の抵抗24の抵抗値R1、第2の抵抗25の抵抗値R2、キャパシタ26の容量Cの値を調整することにより容易に制御できる。このため、図2の素子では、メカニカルなスイッチ接点13の動作時間にあわせて、高電圧を印加する時間を容易に調整することができる。
また、図2のスイッチング素子では、トランジスタ24を設けたので、電流の流れを安定させ、上記の時定数を安定させることができる。
また、図2のスイッチング素子のリレー回路12の電子インダクター23を構成する抵抗24、25、キャパシタ26、トランジスタ27はいずれも安価である。このため、図2の素子では、コストを低く抑えることができる。
実施例3のスイッチング素子の特徴の1つは、図3に示すように、リレー回路12に、スイッチ接点13の一方側の駆動電極13Hと他方側の駆動電極13Lとの間に蓄積する電荷を放電する放電回路29をさらに備えた点である。他の部分の構成は実施例1と同様であり、実施例1と同様の構成部分は同じ番号で示した。
この実施例3のように、メカニカルなスイッチ接点13の駆動電極13H、13L間に蓄積した電荷の放電回路29を設けることで、スイッチ接点13の復帰時間を短縮することができる。
本発明の実施例1のスイッチング素子を示す図。 本発明の実施例2のスイッチング素子を示す図。 本発明の実施例3のスイッチング素子を示す図。 本発明者の他のスイッチング素子を示す図。
符号の説明
11 発光素子
12 リレー回路
12H リレー回路の第1端子
12L リレー回路の第2端子
13 静電気で駆動されるMEMSを用いたスイッチ接点
13H スイッチ接点の一方側の駆動電極
13L スイッチ接点の他方側の駆動電極
21 光起電力素子
21A 第1のフォトダイオードアレイ
21B 第2のフォトダイオードアレイ
23 電子インダクター回路
23H 電子インダクター回路の一方側の端子
23L 電子インダクター回路の他方側の端子
24 第1の抵抗
25 第2の抵抗
26 キャパシタ
27 トランジスタ
29 放電回路
41 入力端子
42 入力端子
43 出力端子
44 出力端子

Claims (7)

  1. 静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点の一方側の駆動電極に接続される第1端子と、
    前記スイッチ接点の他方側の駆動電極に接続される第2端子と、
    前記第1端子と前記第2端子とに接続され、発光素子と光結合され、直列に接続された少なくとも2つ以上のフォトダイオードアレイを有する光起電力素子と、
    前記光起電力素子の内の少なくとも1つのフォトダイオードアレイに並列に接続された電子インダクター回路と、
    を備えることを特徴とするリレー回路。
  2. 前記光起電力素子は前記発光素子からの光を受光することにより光起電力を発生して前記第1端子と前記第2端子との間に電圧を印加し、前記発光素子が発光すると、発光の直後は前記電圧が第1の電圧であり、その後前記電圧は前記電子インダクター回路の働きにより減少し、前記発光素子の発光後所定の時間が経過すると定常状態となって前記電圧が第2の電圧となり、前記第2の電圧が前記第1の電圧の1/4以上2/3以下であることを特徴とする請求項1記載のリレー回路。
  3. 前記電子インダクター回路は、抵抗と、キャパシタと、トランジスタと、で構成されることを特徴とする請求項1または請求項2記載のリレー回路。
  4. 前記スイッチ接点の前記一方側の駆動電極と前記他方側の駆動電極との間に蓄積する電荷を放電する放電回路をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のリレー回路。
  5. 一対の入力端子に接続された発光素子と、
    前記発光素子からの光を受光して光起電力を生じるリレー回路と、
    一対の出力端子に接続され静電気で駆動されるメカニカルなスイッチ接点と、
    を備え、
    前記リレー回路は、
    前記スイッチ接点の一方側の駆動電極に接続される第1端子と、
    前記スイッチ接点の他方側の駆動電極に接続される第2端子と、
    前記第1端子と前記第2端子とに接続され、発光素子と光結合され、直列に接続された少なくとも2つ以上のフォトダイオードアレイを有する光起電力素子と、
    前記光起電力素子の内の少なくとも1つのフォトダイオードアレイに並列に接続された電子インダクター回路と、
    を備えることを特徴とするスイッチング素子。
  6. 前記光起電力素子は前記発光素子からの光を受光することにより光起電力を発生して前記第1端子と前記第2端子との間に電圧を印加し、前記発光素子が発光すると、発光の直後は前記電圧が第1の電圧であり、その後前記電圧は前記電子インダクター回路の働きにより減少し、前記発光素子の発光後所定の時間が経過すると定常状態となって前記電圧が第2の電圧となり、前記第2の電圧が前記第1の電圧の1/4以上2/3以下であることを特徴とする請求項5記載のスイッチング素子。
  7. 前記スイッチ接点がMEMSを用いたスイッチ接点であることを特徴とする請求項5または請求項6記載のスイッチング素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060238936A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Blanchard Richard A Apparatus and method for transient blocking employing relays
EP1777533A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-25 ALCATEL Transport Solution Deutschland GmbH Monitoring device for an array of electrical units
CN100516758C (zh) * 2007-06-12 2009-07-22 缪志先 一种无封条板翅式换热器
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
US8638093B2 (en) * 2011-03-31 2014-01-28 General Electric Company Systems and methods for enhancing reliability of MEMS devices
US9341912B2 (en) 2012-03-13 2016-05-17 View, Inc. Multi-zone EC windows
US11635666B2 (en) 2012-03-13 2023-04-25 View, Inc Methods of controlling multi-zone tintable windows
US10730743B2 (en) 2017-11-06 2020-08-04 Analog Devices Global Unlimited Company Gas sensor packages
US10848152B2 (en) 2018-03-15 2020-11-24 Analog Devices Global Unlimited Company Optically isolated micromachined (MEMS) switches and related methods comprising a light transmitting adhesive layer between an optical receiver and a light source
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758804B2 (ja) * 1989-05-17 1995-06-21 株式会社東芝 ホトカプラ装置
JPH06177418A (ja) * 1992-12-04 1994-06-24 Toshiba Corp ホトカプラ装置
US6504641B2 (en) 2000-12-01 2003-01-07 Agere Systems Inc. Driver and method of operating a micro-electromechanical system device
US6457681B1 (en) 2000-12-07 2002-10-01 Mike's Train House, Inc. Control, sound, and operating system for model trains
US6636653B2 (en) * 2001-02-02 2003-10-21 Teravicta Technologies, Inc. Integrated optical micro-electromechanical systems and methods of fabricating and operating the same
US6546798B1 (en) * 2001-03-14 2003-04-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Micro-electro-mechanical systems resonant optical gyroscope
JP2004103559A (ja) * 2002-07-15 2004-04-02 Toshiba Corp Mems装置
JP3837372B2 (ja) * 2002-09-19 2006-10-25 株式会社東芝 半導体リレー
US6884950B1 (en) * 2004-09-15 2005-04-26 Agilent Technologies, Inc. MEMs switching system

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