JP3961175B2 - 発振子 - Google Patents
発振子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3961175B2 JP3961175B2 JP34067199A JP34067199A JP3961175B2 JP 3961175 B2 JP3961175 B2 JP 3961175B2 JP 34067199 A JP34067199 A JP 34067199A JP 34067199 A JP34067199 A JP 34067199A JP 3961175 B2 JP3961175 B2 JP 3961175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillator
- value
- divalent metal
- piezoelectric ceramic
- oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011268 mixed slurry Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、発振子に関し、特に、厚みすべり振動の基本波振動を利用したエネルギー閉じ込め型の高周波用発振子として好適に用いられる発振子に関する。
【0002】
【従来技術】
従来から、圧電磁器組成物を利用した製品としては、例えば、フィルタ、共振子、発振子、超音波振動子、超音波モーター、圧電センサー等がある。
【0003】
ここで、発振子は、マイコンの基準信号発振用として、例えば、コルビッツ型発振回路等の発振回路に組み込まれて利用される。このコルピッツ型発振回路は、図1に示すように、コンデンサ1l、12と抵抗13とインバータ14及び発振子15により構成されている。そして、コルピッツ型発振回路において、発振信号を発生するには、以下の発振条件を満足する必要がある。
【0004】
インバータ14と抵抗13からなる増幅回路において、増幅率をα、移相量をθ1とし、また、発振子15とコンデンサ11、12からなる帰還回路において、帰還率をβ、移相量をθ2としたとき、ループゲインがα×β≧1、かつ、移相量がθ1+θ2=360×n(但しn=1,2,…)であることが必要となる。
【0005】
一般に、抵抗13及びインバータ14からなる増幅回路は、マイコンに内蔵されており、誤発振や不発振を起さず安定した発振を得るためには、ループゲインを大きくしなければならない。このループゲインを大きくするために、帰還率βのゲインを決定する発振子のP/V値、すなわち共振インピーダンスR0及び反共振インピーダンスRaの差を大きくする事が必要となる。なお、P/V値は20Log(Ra/R0)の値として定義される。
【0006】
また、位相量の条件を満たすためには、Qmの高い圧電材料が望ましい。例えば、従来のPZT系、PT系などの材料と比較して機械的品質係数(Qm値)の高いSrBi4Ti 4O15が、Japanese Journal of Applied Physics(1974)誌の1572〜1577頁に開示されている。それによれば、PbTiO3のQm値が1100であるのに対して、SrBi4Ti 4O15は7200という高い値が得られている。このように、ビスマス層状化合物SrBi4Ti 4O15は、Qm値が高いという特徴があり、特に発振子用の圧電材料などに応用が可能であった。
【0007】
しかしながら、上記文献に示されたビスマス層状化合物(SrBi4Ti 4O15)を主体とする圧電磁器組成物では、共振子として用いる場合、共振周波数の温度変化率が±5000ppm以上と大きく、温度変化の大きな環境において使用される携帯機器などには使用できないという問題があった。
【0008】
したがって、本発明は、厚み滑り振動の基本波振動のP/V値を大きくするとともに−40℃〜80℃の温度範囲で発振周波数の温度安定性に優れる発振子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の発振子は、厚み滑り振動を利用した発振子であって、非鉛系圧電材料である圧電磁器と、該圧電磁器の表面に形成されている一対の電極とを具備し、前記圧電磁器が、Mを2価の金属元素の中から選ばれる少なくとも1種としたとき、一般式、(Na0.5Bi0.5)1−xMxBi4Ti4O15(但し、xは0.5<x<1)で示されるBi層状構造化合物l00重量部に対して、Mnを酸化物換算で0.05〜1重量部含有することを特徴とするすなわち、非鉛系圧電材料であるBi層状化合物の代表的材料であるSr4Bi4Ti4O15のSrを(Na0.5Bi0.5)及び2価の金属元素で置換して(Na0.5Bi0.5)1−xMxBi4Ti4O15とし、かつMnを含有させることで、厚み滑り振動の基本波振動のP/V値(以下単にP/V値ということがある)を十分高めることができ、かつ同時に、−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率を低く抑えることができるため、高周波用発振子に好適に用いることができる。特に、上記発振子は、P/V値が50dB以上であり、かつ−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率が−5000〜5000ppmであることが好ましい。
【0010】
したがって、発振子として用いた場合には、発振余裕度が高まり、常時安定して発振が得られるとともに、発振周波数が広範な温度範囲において安定し、高精度な発振が得られる。すなわち、厚み滑り振動における基本波振動を用いて、高周波、特に2〜20MHzに適応できる発振子を得ることができる。
【0011】
また、2価の金属元素Mが、Ca、SrおよびBaのうちから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これにより、P/V値をさらに高めることができる。
【0012】
さらに、2価の金属MがSrと他の2価の金属元素Nからなり、Mが一般式、Sr1-yNyで表されたとき、0.05≦y≦0.5であることが好ましい。すなわち、SrがP/V値を顕著に高める働きがあるため、他の2価の金属元素Nと組み合わせることにより、P/V値を高く保ったままで発振周波数の温度安定性をさらに高めることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の発振子を構成する非鉛系圧電材料である圧電磁器は、一般式(Na0.5Bi0.5)1−xMxBi4Ti4O15(但し、xは0.5<x<1)で表されるBi層状化合物を主成分とし、この主成分100重量部に対して、Mnを酸化物換算で0.05〜1重量部含有させたものである。
【0014】
ここで、2価の金属元素としては、Ca、Sr、Ba、Raなどがあり、この2価の元素は、その一部が(Na0.5Bi0.5)によって置換されるが、その置換量1−xは、0<1−x<0.5、特に0.1≦1−x≦0.4、さらには0.2≦1−x≦0.3に設定することにより、P/V値を高め、かつ発振周波数の温度変化率を減少させることができる。しかし、2価の金属元素に対する(Na0.5Bi0.5)の置換量を示す1−xが0.5以上の場合にはP/V値が減少し、且つ−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率も大きくなってしまう。
【0015】
また、主成分l00重量部に対して、Mnの含有量が、酸化物換算で0.05〜1.0重量部、特に0.1〜0.4重量部にすることにより、P/V値を著しく向上することができる。Mnの含有量が酸化物換算で0.05重量部より少なくなるとP/Vが大幅に減少し、l.0重量部より多いと、焼結体の体積固有抵抗が減少し分極が困難となるからである。
【0016】
したがって、2価の金属元素に対する(Na0.5Bi0.5)の置換量1−xとMnの含有量とを上記のように設定すると、置換の効果とMnの効果との相乗効果により、P/V値を50dB以上にすることができ、かつ同時に−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率を−5000〜5000ppmとすることができる。
【0017】
また、本発明の発振子を構成する圧電磁器は、Mを、Ca、Sr、Baのうちから選ばれる少なくとも1種とすることにより、さらにP/V値を向上できる。
【0018】
特に、MをSrと他の2価の金属元素Nとの組合せにすることにより、さらに高いP/V値と、さらに0に近い温度変化率を得ることができる。すなわち、Mが一般式、Sr1-yNyで表され、主成分のBi層状化合物が一般式(Na0.5Bi0.5)1-x(Sr1-yNy)xBi4Ti4O15 (但し、xは0.5<x<1)で表されたとき、0.05≦y≦0.5とすることにより、P/V値を60dB以上、−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率を−3800〜3800ppmとすることができる。特に、0.1≦y≦0.4が望ましい。
【0019】
本発明の発振子を構成する圧電磁器においては、結晶相として(Na0.5Bi0.5)1−xMxBi4Ti4O15で表されるビスマス層状化合物を主結晶相とするものである。Mnは主結晶相中に固溶し、一部Mn化合物の結晶として主結晶相の粒界に析出する場合がある。また、本発明の発振子を構成する圧電磁器では、ビスマス層状化合物以外の結晶相として、パイロクロア結晶相、ペロブスカイト結晶相が存在することもあるが、微量であれば特性上問題はない。
【0020】
本発明の発振子を構成する圧電磁器は、例えば、原料として、Na2CO3、Bi2O3、SrCO3、CaCO3、BaCO3、MnO2、TiO2などの粉末を用いる。
【0021】
これらの原料を、本発明の発振子を構成する圧電磁器の組成となるように秤量し、混合した後、この混合物を850〜1050℃で仮焼し、所定の有機バインダを加えて乾式混合し、造粒する。このようにして得られた粉体を、公知のプレス成形等により所定形状に成形し、大気中等の酸化性雰囲気において1000〜1300℃の温度範囲で2〜5時間焼成し、本発明の発振子が得られる。
【0022】
なお、原料として用いる金属酸化物は、上記の作製プロセス中、調合時だけでなく、仮焼した粉体に対して混合しても同様な効果が得られる。また、使用する原料粉末としては炭酸塩や酸化物だけでなく、酢酸塩または有機金属などの化合物のいずれであっても、焼成などの熱処理プロセスによって酸化物になるものであれば差し支えない。
【0023】
また、本発明の発振子を構成する圧電磁器においては、原料粉末や混合ボールなどに微少量含まれるAl、Si、ZrまたはTaなどの不可避不純物が混入する場合があるが、特性に影響のない範囲であれば何ら差し支えない。
【0024】
本発明の発振子は、図1に示すようなコルピッツ型発振回路の発振子として最適であるが、それ以外の発振子にも最適であり、特に厚み滑り振動の基本波振動を利用する高周波用発振子として最適な発振子である。
【0025】
【実施例】
まず、出発原料として平均粒径1.5μm、純度99.9%のNa2CO3粉末、Bi2O3粉末、TiO2粉末を秤量し、これに平均粒径1.2μm、純度99.9%のMnO2粉末と所望によりCaCO3粉末、SrCO3粉末およびBaCO3粉末を用いて、上記した組成式において表1の組成となるように調合した。次に、純度99.9%のジルコニアボール、イソプロピルアルコール(IPA)と共に500mlポリポットに投入し、16時間回転ミルにて混合した。混合後のスラリーを大気中にて乾燥し、#40メッシュを通し、その後、大気中950℃、3時間保持して仮焼し、評価粉末を得た。
【0026】
この粉末に適量の有機バインダーを添加して造粒し、金型プレスにて150MPaで長さ25mm、幅38mm、厚みl.0mmの板状に成形し、大気中において1140℃の温度で3時間本焼成し圧電磁器を得た。
【0027】
得られた磁器を長さ6mm、幅30mm、厚み0.60mmに加工し、長さ方向に分極するため、端面に分極用電極を設けて分極処理を施した。次に、この分極用電極を除去し、厚みを0.23mmとした後、長さ6mmと幅30mmからなる面の両面にAgおよびCrとを同時に蒸着し、250℃で12時間のアニール処理を施した。
【0028】
次に、電極の不要な部位に形成されているAgとCrからなる蒸着層をエッチングで除去し、切断して図2に示すような8MHz発振に相当する厚み滑り振動の基本波振動を用いた発振子を作製した。この試料は、長さ4.5mm(L)、幅1.1mm(W)、厚み0.23mm(H)の形状で、上下面に電極を有していた。なお、図2の矢印Pは分極の方向を示している。
【0029】
発振子の特性は、インピーダンスアナライザによリインピーダンス波形を測定し、厚み滑り振動の基本波振動でのP/Vを以下の式により算出した。
P/V値=20Log(Ra/R0)
但し、Ra:反共振インピーダンス、R0:共振インピーダンス
さらに、−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率を測定した。この共振周波数の温度変化率は、25℃を基準にして、以下の式により算出した。
Fosc変化率(ppm)={(Fosc(drift)−Fosc(25))/Fosc(25)}×100、但し、Fosc変化率は共振周波数の温度変化率であり、また、Fosc(dfift)は−40℃もしくは+80℃での共振周波数であり、Fosc(25)は25℃での発振周波数である。そして、−40〜25℃または25〜80℃のいずれか大きい方の値を温度変化率とした。結果を表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】
本発明の試料No.1、2、4〜7、10〜15、17〜22は、厚み滑り振動の基本波振動のP/V値が50dB以上、−40℃〜80℃における共振周波数の温度変化率の絶対値が4100ppm以下であった。特に、Mnの含有量が酸化物換算で、0.1〜0.4重量部である試料No.11〜13は、厚み滑り振動の基本波振動のP/V値が55dB以上であった。
【0032】
また、2価の金属元素MをSrと他の2価の金属Nとした本発明の試料No.17〜22は、P/V値が60以上、共振周波数の温度変化率が3800ppm以下であった。
【0033】
一方、2価の金属元素MがBaで、xの値が本発明の範囲外の試料No.3および8は、それぞれP/V値が45、48dB、共振周波数の温度変化率が3500、5100ppmであった。
【0034】
また、2価の金属元素MがBaで、Mnの含有量が本発明の範囲外の試料No.9は、P/V値が22dBであり、試料No.15は、Mnの含有量が多すぎて分極できなかった。
【0035】
【発明の効果】
本発明の発振子は、厚み滑り振動における基本波振動のP/V値を高めることができ、同時に−40℃〜80℃の温度範囲における発振周波数の温度変化率を小さくできるため、発振周波数の温度安定性に優れた発振子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】コルピッツ型の発振回路を示した回路図である。
【図2】8MHz用発振子の斜視図である。
【符号の説明】
ll、12・・・コンデンサ
13・・・抵抗
14・・・インバータ
15・・・発振子
Claims (4)
- 厚み滑り振動を利用した発振子であって、非鉛系圧電材料である圧電磁器と、該圧電磁器の表面に形成されている一対の電極とを具備し、前記圧電磁器が、Mを2価の金属元素の中から選ばれる少なくとも1種としたとき、一般式、(Na0.5Bi0.5)1−xMxBi4Ti4O15(但し、xは0.5<x<1)で示されるBi層状構造化合物からなる主成分と、該主成分l00重量部に対して、Mnを酸化物換算で0.05〜1重量部含有することを特徴とする発振子。
- 前記2価の金属元素Mが、Ca、SrおよびBaのうちから選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1記載の発振子。
- 前記2価の金属元素Mが、Srと他の前記2価の金属元素Nからなり、Mが一般式、Sr1−yNyで表されたとき、0.05≦y≦0.5であることを特徴とする請求項2記載の発振子。
- P/V値が50dB以上であり、かつ−40℃〜80℃における発振周波数の温度変化率が−5000〜5000ppmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34067199A JP3961175B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34067199A JP3961175B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発振子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001158663A JP2001158663A (ja) | 2001-06-12 |
JP3961175B2 true JP3961175B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=18339210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34067199A Expired - Fee Related JP3961175B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 発振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3961175B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4789328B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-10-12 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物および圧電共振子 |
JP4737843B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-08-03 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物および圧電共振子 |
JP4927378B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2012-05-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧電磁器組成物および圧電素子 |
JP6234663B2 (ja) * | 2012-06-10 | 2017-11-22 | 株式会社富士セラミックス | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
JP6234664B2 (ja) * | 2012-06-10 | 2017-11-22 | 株式会社富士セラミックス | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
JP6234709B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-11-22 | 株式会社富士セラミックス | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
CN113896526B (zh) * | 2021-10-22 | 2022-07-05 | 厦门乃尔电子有限公司 | 一种压电性高、高温绝缘性好的压电材料及其制备方法 |
CN116854464B (zh) * | 2023-07-07 | 2024-04-16 | 石河子大学 | 一种铁电复合储能陶瓷材料及其制备方法 |
-
1999
- 1999-11-30 JP JP34067199A patent/JP3961175B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001158663A (ja) | 2001-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3961175B2 (ja) | 発振子 | |
JP3570294B2 (ja) | 圧電磁器材料およびそれを用いて得られた圧電磁器焼結体 | |
JP4234902B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP4234898B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP4471542B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP3732967B2 (ja) | 磁器組成物 | |
JP4544712B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
US5833875A (en) | Piezoelectric ceramics | |
JP4789328B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP3758869B2 (ja) | 磁器組成物 | |
JP4737843B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP4231202B2 (ja) | 圧電磁器組成物および圧電共振子 | |
JP3389477B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP2001342061A (ja) | 圧電磁器及び圧電共振子 | |
JP3618040B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP3554202B2 (ja) | 振動子用圧電磁器 | |
JP3860684B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP3805103B2 (ja) | 3次オーバートーン用発振子の製法 | |
JP4798898B2 (ja) | 圧電磁器組成物及び圧電共振子並びに積層型圧電素子 | |
JP4983538B2 (ja) | 圧電磁器組成物、及び発振子 | |
JP3389485B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP3347602B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP5094284B2 (ja) | 圧電磁器および圧電素子 | |
JP2874495B2 (ja) | 圧電磁器材料 | |
JP3420458B2 (ja) | 圧電磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060408 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070202 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140525 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |