JP3954315B2 - 半導体装置の配線形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の配線間等を接続するための配線形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置を構成する素子は、微細化に伴ってMOS電界効果トランジスタが主流となっている。中でもMOS電界効果トランジスタの微細化に伴い、多層配線の配線間を接続するコンタクトホールの形成技術が重要となってきている。特に大きな課題となっているのは、コンタクト径の絶対値が小さくなるにもかかわらずコンタクト径のばらつき値がほとんど低減されないため、コンタクトエッチングのオーバーエッチング時にエッチングされる下地配線の削れ量が不均一になることである。これは、配線間コンタクト抵抗のばらつきを大きくする要因となり、ひいてはコンタクト抵抗の信頼性にも影響を及ぼす。
【0003】
一般的に、配線上へのコンタクトホールを形成するための一つの技術として、誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてコンタクトホールを形成する方法が知られている。
【0004】
その際、特開平4−174518号公報に記載されてあるように、下地削れ量を均一化するために一旦コンタクトホールをSiNストッパー膜上で停止させ、その後SiNストッパー膜をエッチングすることでコンタクトホールを貫通させることにより、下地削れ量を均一化したコンタクトホールを形成する方法が知られている。ここで、下地削れ量均一化の目的は、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減し、コンタクト抵抗の信頼性を高めることである。
【0005】
以下、従来のコンタクトホールの形成方法について図11を参照しながら説明する。
【0006】
図11は、従来のコンタクトホールの形成方法を説明する工程断面図である。図11において、19は絶縁膜が堆積されたシリコン基板(半導体基板)、20はSiN膜、21は絶縁膜(シリコン酸化膜)、22はレジスト層、22aはレジスト層22に設けた開口、23は絶縁膜21に形成されたコンタクトホールである。
【0007】
先ず、コンタクトホールの形成で用いるエッチング装置の構成について図6を参照しながら説明する。図6(a)は平行平板型エッチング装置の断面模式図である。図6(a)において、10は接地された上部電極、11はウエーハ、12は周波数13.56MHzのRF電源に接続された下部電極である。次に、図6(b)は誘導結合型プラズマエッチング装置の断面模式図である。図6(b)において、13は周波数2.0MHzのRF電源に接続された誘導コイル、14はウエーハ、15は周波数1.8MHzのRF電源に接続された下部電極である。
【0008】
図11(a)に示すように表面にSiN膜20が形成されたシリコン基板19を準備し、図11(b)に示すように全面に絶縁膜21を積層した後、図11(c)に示すようにレジスト膜を形成してマスクを用いて所定の個所にエッチング領域を確定するための開口部を有するレジスト層22を形成する。このシリコン基板19を図6(b)に示す誘導結合型プラズマエッチング装置の下部電極15にセットし、後述の表2に示す条件で絶縁膜21をエッチングすることにより、図11(d)に示すように、開口より深さ方向の大なる高アスペクト比のコンタクトホール23を形成し、且つSiN膜20上でコンタクトホールのエッチングを停止することができる。
【0009】
その後、酸素プラズマによるエッチング後処理、アッシング、洗浄を行なった後、図6(a)に示す平行平板エッチング装置の下部電極12にシリコン基板19をセットし、後述の表3に示す条件でSiN膜20をエッチングすることにより、下地基板削れ量のばらつきの少ないコンタクトホールを形成することが可能となる。
【0010】
しかしながらこの方法では、SiN膜積層工程、SiN膜エッチング工程、更にそれらの洗浄後処理工程等が必要となり、工程が増加して高コストとなるばかりでなく、製品製造のためにかかる時間(Turn Around Time(以下TATと称す))の増加も発生する。
【0011】
一方、近年、半導体装置の配線形成方法において、配線ドライエッチング時のマスク材料として、無機材料(以下ハードマスクと称する)が用いられている。これにより微細な配線加工形状を形成することが可能となる。
【0012】
以下、この従来の配線形成方法について、図12を参照しながら説明する。
【0013】
図12は、従来の配線形成方法を説明する工程断面図である。図12において、24は絶縁膜が堆積されたシリコン基板、25は配線層下部のTiN層、26は配線層、27は配線層上部のTiN膜、28はプラズマTEOS膜、29は配線パターンを形成するためのレジスト層、30は絶縁膜、31はコンタクトホールを形成するためのレジスト層、31aはレジスト層31に設けた開口、32は絶縁膜30に形成されたコンタクトホールである。
【0014】
先ず、図12(a)に示すように絶縁膜が堆積されたシリコン基板24上に配線層25〜27を積層した後、表面にプラズマTEOS膜28を積層し、図12(b)に示すように全面にレジスト膜を形成した後にマスクを用いて配線パターンを確定するためのレジスト層29を形成する。このシリコン基板24を図6(a)に示す平行平板型エッチング装置の下部電極12上のウエーハ11の位置にセットし、後述の表1に示す条件でエッチングを行なうことで、図12(c)に示すような配線パターンを確定するプラズマTEOS膜28を形成する。次に、図12(d)に示すようにプラズマTEOS層28をマスクにして配線層25〜27のエッチングを行なう。その後、図12(e)に示すように絶縁膜30を積層し、図12(f)に示すように全面にレジスト膜を形成した後にマスクを用いて開口パターン31aを確定するためのレジスト層31を形成する。最後に、後述の表2に示す異方性エッチングの条件で絶縁膜30をエッチングすることにより、図12(g)に示すように、開口より深さ方向の大なる高アスペクト比のコンタクトホール32を形成することができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の配線形成方法では、誘導結合型プラズマエッチング装置を用いた異方性エッチングの条件でのコンタクトホールのエッチング時に、エッチングを配線層上部のTiN膜上で停止させることができない。そのためコンタクト抵抗が安定しないという特有の問題を有している。また、コンタクトホールのエッチングは、特にウエーハ最外周の均一性が著しく悪く、たとえウエーハ面内の中央部のTiN膜上でエッチングが停止するエッチング条件に設定したとしても、ウエーハ面内の周辺部ではTiN膜上でエッチングを停止させることはできない。よって、ウエーハ面内の周辺部でのコンタクト抵抗のばらつきが大きくなる。更に、コンタクトホールのエッチング時に配線層上部のTiN膜上でエッチングを停止させることができないため、配線層金属をエッチングすることとなり、コンタクトホールのエッチング装置反応室内を金属汚染することになる。
【0016】
これらの問題を解決するために、前述のように誘導結合型プラズマエッチング装置においてコンタクトホールを形成する時、SiN膜をエッチングストッパー膜として用い、一旦コンタクトホールのエッチングをSiN膜で停止させ、その後SiN膜をエッチングして下地の削れ量を均一化できることが知られている。しかし、この方法では、SiN膜積層工程、SiN膜エッチング工程、更にそれらの洗浄後処理工程等が必要となり、工程が増加し高コストとなるばかりでなく、TAT増加も発生するという前述の問題が発生する。
【0017】
そこで、本発明は前記従来の問題を解決するため、工程を増加することなく、良好なウエーハ面内均一性を保ちつつ、コンタクトホールを効率良く形成し、安定した配線間コンタクト抵抗を実現できる半導体装置の配線形成方法を提供するものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置の配線形成方法は、絶縁膜が堆積された半導体基板上の配線層のエッチングの際に配線ハードマスクとしてSiN膜を用い、配線エッチング時のSiN残膜をコンタクトホールのエッチングの際にエッチングストッパー膜として利用することと、配線層エッチング時のSiN膜のウエーハ面内分布とコンタクトホールのエッチング時のSiN膜のウエーハ面内分布を相殺するエッチングを行なうことにより、工程を増加することなくコンタクトホールエッチングのオーバーエッチング時に生じる下地配線の削れ量の不均一性を改善し、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減し、ひいてはコンタクト抵抗の信頼性を高める方法を実現できるものである。
【0019】
本発明の半導体装置の配線形成方法は、絶縁膜が堆積された半導体基板上に配線層を形成し、更に前記配線層上にSiN膜を積層する第1の工程と、前記SiN膜上に所定の配線パターンを有するレジスト層を形成する第2の工程と、前記配線パターンを有するレジスト層をマスクにしてSiN層をドライエッチング法にてエッチングする第3の工程と、前記SiN層をマスクにして前記配線層をドライエッチング法にてエッチングする第4の工程と、形成された配線パターン及び前記SiN層の残膜上に絶縁膜を積層する第5の工程と、前記第5の工程で積層された絶縁膜上にコンタクトホールを形成するための開口パターンを有するレジスト層を形成する第6の工程と、前記コンタクトホールを形成するための開口パターンを有するレジスト層をマスクとして且つ前記SiN層の残膜をエッチングストッパー膜として行なうドライエッチング法にて前記絶縁膜をエッチングすることでコンタクトホールを形成する第7の工程と、前記エッチングストッパー膜の残膜をドライエッチング法にてエッチングする第8の工程とを有することを特徴とする。これにより、工程を増加することなく安定した配線間コンタクト抵抗を容易に得ることができる。
【0020】
また、本発明の半導体装置の配線形成方法は、前記配線層上に積層するSiN膜の厚さdを、
d=(2m+1)λ/4nA(λ:露光波長、nA:SiN膜の屈折率、m:0,1,2・・・)
に設定することが好ましい。これにより、SiNハードマスクが、下地反射防止膜としての効果を併せ持つことができる。
【0021】
また、本発明の半導体装置の配線形成方法は、前記SiN層をマスクにして前記配線層をドライエッチング法にてエッチングする工程で生じる前記SiN層の残膜のウエーハ面内分布を、前記コンタクトホールを形成する工程で生じる前記エッチングストッパー膜であるSiN膜のエッチングレートのウエーハ面内分布で相殺するエッチングを行なうことが好ましい。これにより、容易にSiN残膜を均一化することができる。
【0022】
また、本発明の半導体装置の配線形成方法は、前記エッチングを実施するエッチング設備として、エッチングチャンバー側壁方向からコイル電力を供給するエッチング設備とエッチングチャンバー上部もしくは底部からコイル電力を供給するエッチング設備を用いることで、チャンバー内に生成するプラズマ密度分布を変化させることにより、前記SiN層の残膜のウエーハ面内分布と前記SiN膜のエッチングレートのウエーハ面内分布を制御することが好ましい。
【0023】
また、本発明の半導体装置の配線形成方法は、前記エッチングを実施するエッチング設備として、エッチングチャンバー側壁方向からエッチングガスを供給するエッチング設備とエッチングチャンバー中央方向からエッチングガスを供給するエッチング設備を用いることで、チャンバー内に生成するプラズマ密度分布を変化させることにより、前記SiN層の残膜のウエーハ面内分布と前記SiN膜のエッチングレートのウエーハ面内分布を制御することが好ましい。
【0024】
また、本発明の半導体装置の配線形成方法は、前記第7の工程と、前記第8の工程を同一チャンバー内で連続処理することが好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図1から図10を用いて説明する。
【0026】
(実施形態1)
図1(a)〜図1(h)は、本発明の実施形態1における半導体装置の配線形成方法を説明するための工程断面図である。図1において、1は絶縁膜が堆積されたシリコン基板、2はTiN膜、3は配線層、4はTiN膜、5はSiN膜、6は配線パターンを有するレジスト層、7は絶縁膜、8はコンタクトホール開口を有するレジスト層、8aはレジスト開口部、9はコンタクトホールである。
【0027】
図1(a)は、絶縁膜が堆積されたシリコン基板1の上にTiN膜2、配線層3、TiN膜4を積層し、その上にSiN膜5を積層した断面図である。このSiN膜5は、例えば減圧CVD法により成膜した、膜厚50nmのシリコン窒化膜である。
【0028】
次に、SiN膜5の上に厚さ0.47μmのホトレジスト膜を形成し、マスクを用いて露光し、現像して図1(b)に示すように所定の領域に最小線幅が0.2μmを有するレジスト層6を形成する。次に、シリコン基板1を図6(a)に示す平行平板型エッチング装置に入れ、表1に示す条件でレジスト層6をマスクにしてSiN膜5をエッチングすることにより、図1(c)ように、配線パターンを有するSiN膜5を形成する。
【0029】
【表1】
【0030】
次に、配線パターンを有するSiN膜5をマスクにしてTiN膜4、配線層3、TiN膜2を順にエッチングすることにより、図1(d)のように配線層を形成する。次に、図1(e)に示すように、例えばCVD法により膜厚1.7μmのプラズマTEOS膜を堆積し、CMP平坦化を行なうことで膜厚1.0μmの絶縁膜7を形成する。続いて、絶縁膜7上に膜厚0.8μmのホトレジスト形成し、マスクを用いて露光し現像して図1(f)に示すように、所定の位置にコンタクトホール開口部8aを含むレジスト層8を形成する。次に、図6(b)に示す誘導結合型プラズマエッチング装置のウエーハ14の位置にシリコン基板1をセットし、表2に示す条件で異方性エッチングを行なうことにより図1(g)に示すように、コンタクトホール9を形成する。この時、コンタクトホール9はSiN膜5で停止するエッチング条件となっている。
【0031】
【表2】
【0032】
次に、図6(a)の平行平板型エッチング装置のウエーハ11の位置にシリコン基板1をセットし、表3に示す条件でエッチングを行なうことで図1(h)に示すようにSiN膜5をエッチングしてTiN膜4でエッチングを停止することができる。
【0033】
【表3】
【0034】
以上のようにハードマスクSiN膜5をコンタクトホールのエッチングのストッパー膜として利用することにより、工程を増加することなく、TiN膜4でコンタクトホールを停止させることができ、安定した配線間コンタクト抵抗を得ることが可能となる。
【0035】
なお、この方法を用いることで、TiN膜4をエッチングして、配線層3上にてエッチングを停止することも可能であり、この際の配線層3の削れ量の均一性は、従来法で形成した時よりも向上することができ、コンタクト抵抗値のばらつきを押さえることが可能となる。
【0036】
図2は、上記実施形態1におけるSiN膜厚設定方法を説明する図である。図2(a)は、高反射基板用いた時の入射波及びその反射波の様子を示した図である。図2(b)は、反射防止膜基板を用いた時の入射波及びその反射波の様子を示した図である。高反射基板では定在波が目立つが、反射防止膜基板ではそれが小さくなっていることが分かる。このことから、反射防止膜基板を用いることにより寸法制御性が高まることが理解できる。次に、定在波をなくすために、入射波と反射波が打ち消し合う条件が必ず存在する。これを式で現わすとSiN膜の厚さdは、
d=(2m+1)λ/4nA
(λ:露光波長、nA:SiN膜の屈折率、m:0,1,2・・・)
となり、これを満たすSiN膜5の膜厚に設定することにより、SiN膜を下地反射防止膜としての役割を持たすことができ、工程を増加することなく配線パターンを有するレジスト層6の寸法制御性を高めることができる。
【0037】
(実施形態2)
図3、図4、図5は本発明の実施形態2におけるエッチング方法を説明するSiN膜エッチングレートのウエーハ面内分布を示したグラフである。
【0038】
本実施形態2でも、図1(a)〜図1(c)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。次に、図1(d)に示す工程は、SiN膜5をマスクにしてTiN層4、配線層3、TiN層2を順にエッチングする工程であるが、その時のSiN膜5のエッチングレートのウエーハ面内分布は図3のようにウエーハ中心部で早く、ウエーハ周辺部で遅くなる傾向にする。よって、SiN膜5の残膜のウエーハ面内分布はウエーハ中心部で薄く、ウエーハ周辺部で厚くなる。
【0039】
次に、図1(e)〜図1(f)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。次に、図1(g)の工程は、コンタクトホール9を図6(b)の誘導結合型プラズマエッチング装置にて前記表2に示した条件で加工するが、その時のオーバーエッチング時におけるSiN膜5のエッチングレートのウエーハ面内分布を図4に示した。これより、ウエーハ中心部で遅く、ウエーハ周辺部で早くなる傾向であることが分かる。
【0040】
よって、図1(g)の工程終了後、SiN膜5のウエーハ面内分布は、図1(d)の工程と図1(g)の工程のエッチングにおけるウエーハ面内分布が相殺されることにより図5に示すようにウエーハ面内で均一となる。
【0041】
即ち、図1(h)の工程でのSiN膜5のエッチングにおけるエッチング後のウエーハ面内のTiN膜4の削れ量を均一化することができ、加工出来映えのウエーハ面内分布をそろえることが可能となり、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減することができる。
【0042】
(実施形態3)
図6、図7は本発明の実施形態3におけるエッチング方法を説明するエッチング装置とそのチャンバー内のプラズマ密度分布を示した図である。
【0043】
本実施形態3でも、図1(a)〜図1(c)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。次に、図1(d)に示す工程では、SiN膜5をマスクにしてTiN層4、配線層3、TiN層2を順にエッチングするが、そのエッチング条件を表4に示すように行なう。
【0044】
【表4】
【0045】
一方、この時使用する設備は図6(c)の誘導結合型プラズマエッチング装置である。図6(c)において、16は周波数13.56MHzのRF電源に接続された誘導コイル、17はウエーハ、18は周波数13.56MHzのRF電源に接続された下部電極である。
【0046】
表4に示したエッチング条件下において、図6(c)に示したエッチング装置チャンバー内のプラズマ密度のウエーハ面内分布は図7(a)のようにウエーハ中心部で高く、ウエーハ周辺部で低くなる傾向である。このことから、エッチングレートのウエーハ面内分布は図3のようにウエーハ中心部で高く、ウエーハ周辺部で低くなる。
【0047】
次に、図1(e)〜図1(f)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。一方、図1(g)に示す工程では、コンタクトホール9を形成するが、用いる装置は図6(b)の誘導結合型プラズマエッチング装置である。このエッチング装置チャンバー内のプラズマ密度のウエーハ面内分布は、図7(b)のようにウエーハ中心部で低く、ウエーハ周辺部で高くなる傾向である。このことから、エッチングレートのウエーハ面内分布は図4のようにウエーハ中心部で低く、ウエーハ周辺部で高くなる。
【0048】
即ち、以上の結果から、図1(d)の工程と図1(g)の工程でエッチングレートの面内分布が生じるのはエッチング装置チャンバー内のプラズマ密度分布に起因することが分かる。
【0049】
よって、エッチング装置チャンバー内のプラズマ密度分布を制御することにより、エッチングレートのウエーハ面内分布を制御することが可能となる。
【0050】
即ち、図1(d)の工程終了後のSiN膜5のウエーハ面内分布と、図1(g)工程の終了後のSiN膜5のウエーハ面内分布が相殺されるようなエッチングを行なうことにより、図1(h)の工程でのSiN膜5のエッチングにおけるエッチング後のウエーハ面内のTiN膜4の削れ量を均一化することができ、加工出来映えのウエーハ面内分布をそろえることが可能となり、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減することができる。
【0051】
(実施形態4)
図8、図9は本発明の実施形態4におけるエッチング方法を説明するエッチング装置とそのチャンバー内のプラズマ密度分布を示した図である。
【0052】
図8はエッチングガスの導入方向と排気方向を示した図であり、図8(a)に示す装置では、エッチングガス導入方向、排気方向ともにチャンバー下部方向である。一方、図8(b)に示す装置では、エッチングガス導入方向はチャンバー上部方向であり、排気方向はチャンバー下部方向である。
【0053】
本実施形態4でも、図1(a)〜図1(c)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。次に、図1(d)に示す工程では、SiN膜5をマスクにしてTiN層4、配線層3、TiN層2を順にエッチングする工程であるが、その時使用する設備は図8(a)の誘導結合型プラズマエッチング装置である。この装置の特徴はエッチングガス導入口がチャンバー周辺部に配置されていることである。このため、このエッチング装置チャンバー内のプラズマ密度のウエーハ面内分布は図9(a)のようにウエーハ中心部で低く、ウエーハ周辺部で高くなる傾向である。このことから、エッチングレートのウエーハ面内分布は図4のようにウエーハ中心部で小さくウエーハ周辺部で大きくなる。
【0054】
次に、図1(e)〜(f)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。一方、図1(g)に示す工程では、コンタクトホール9を形成するが、用いる装置は図8(b)の誘導結合型プラズマエッチング装置である。この装置の特徴はエッチングガス導入口がチャンバー中央上部に配置されていることである。このため、このエッチング装置チャンバー内のプラズマ密度のウエーハ面内分布は図9(b)のようにウエーハ中心部で高く、ウエーハ周辺部で低くなる傾向である。このことから、エッチングレートのウエーハ面内分布は図3のようにウエーハ中心部で大きく、ウエーハ周辺部で小さくなる。
【0055】
即ち、以上の結果から、図1(d)の工程と図1(g)の工程でエッチングレートの面内分布が生じるのは、エッチング装置チャンバー内のプラズマ密度分布を変化させるエッチングガス導入口の配置に起因することが分かる。
【0056】
よって、エッチング装置チャンバー内のエッチングガス導入口の配置を制御することによりプラズマ密度分布を制御し、エッチングレートのウエーハ面内分布を制御することが可能となる。
【0057】
即ち、図1(d)の工程終了後、SiN膜5のウエーハ面内分布と、図1(g)の工程終了後、SiN膜5のウエーハ面内分布が相殺されるようなエッチングを行なうことにより、図1(h)の工程でのSiN膜5のエッチングにおけるエッチング後のウエーハ面内のTiN膜4の削れ量を均一化することができ、加工出来映えのウエーハ面内分布をそろえることが可能となり、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減することができる。
【0058】
(実施形態5)
図10は本発明の実施形態5における半導体装置の配線形成方法を説明するための工程断面図である。
【0059】
本実施形態5でも、図1(a)〜図1(f)に示す実施形態1と同じ工程を行なう。次に、図1(f)に示す工程に続いて、図10(g´)に示す工程を行なう。図10(g´)に示す工程は、誘導結合型プラズマエッチングを用いて表5に示すエッチング条件にてコンタクトホール9を形成する工程である。表5の条件は、メインエッチングで絶縁膜7をエッチングしてSiN膜5上でエッチング停止させる条件であり、それに引き続いて図10(h´)に示す同一エッチング装置チャンバー内で行なう酸素プラズマ処理によるエッチング後処理(PET:Post Etch Treatment)によりSiN膜5をエッチングし、TiN膜4上でエッチング停止するエッチング条件である。
【0060】
【表5】
【0061】
なお、SiN膜が酸素プラズマ処理でエッチングされるのは、メインエッチングで用いられ、且つチャンバー内に残留したフルオロカーボン成分が酸素プラズマ処理にてフッ素成分を発生し、SiN膜のエッチングに寄与しているためと考えられる。即ち、表5のエッチング条件を用いることで同一装置にて図10(g´)と図10(h´)を連続した工程で行なうことが可能となる。よって、この方法を用いることで工程削減を実現することができる。
【0062】
【発明の効果】
以上のように本発明の半導体装置の配線形成方法は、絶縁膜が堆積された半導体基板上の配線層のエッチングの際に配線ハードマスクとしてSiN膜を用い、配線エッチング時のSiN残膜をコンタクトホールのエッチングの際にエッチングストッパー膜として利用することと、配線層エッチング時のSiN膜のウエーハ面内分布とコンタクトホールのエッチング時のSiN膜のウエーハ面内分布を相殺するエッチングを行なうことにより、工程を増加することなくコンタクトホールエッチングのオーバーエッチング時に生じる下地配線の削れ量の不均一性を改善し、配線間コンタクト抵抗のばらつきを低減し、ひいてはコンタクト抵抗の信頼性を高める方法を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(h)は、本発明の実施形態1における半導体装置の配線形成方法を説明する工程断面図である。
【図2】(a)、(b)は、本発明の実施形態1におけるSiN膜厚設定方法を説明するための図である。
【図3】代表的な配線層エッチング時のマスクであるSiN膜のエッチングレートのウエーハ面内分布を示す図である。
【図4】代表的な誘導結合型プラズマエッチング装置におけるコンタクトホールエッチングにおけるオーバーエッチ時のSiNエッチングレートのウエーハ面内分布を示す図である。
【図5】代表的な配線エッチングと代表的なコンタクトホールエッチングを行なった時のSiN膜削れ量のウエーハ面内分布を示す図である。
【図6】平行平板型エッチング装置(a)(RIE:Reactive Ion Etcher)、誘導結合型(コイル位置はチャンバー側壁部)プラズマエッチング装置(b)(ICP:Inductive Coupled Plasma)及び誘導結合型(コイル位置はチャンバー上部)プラズマエッチング装置(c)(TCP:Transformer Coupled Plasma)の断面模式図である。
【図7】誘導結合型プラズマエッチング装置(a)(TCP)及び誘導結合型プラズマエッチング装置(b)(ICP)の各チャンバー内のプラズマ密度分布を示す図である。
【図8】(a)、(b)は、代表的な誘導結合型プラズマエッチング装置のエッチングガス供給方向を説明するための断面模式図である。
【図9】(a)、(b)は、代表的な誘導結合型プラズマエッチング装置のエッチングガス供給方向を変化させた時のチャンバー内のプラズマ密度分布を示す図である。
【図10】(g´)、(h´)は、代表的な誘導結合型プラズマエッチング装置を用いて行なうコンタクトエッチングとエッチング後処理工程でストッパー膜エッチングを行なう工程を説明するための工程断面図である。
【図11】(a)〜(e)は、従来のコンタクトホールの形成方法を説明する工程断面図である。
【図12】(a)〜(g)は、従来の配線形成方法を説明する工程断面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 TiN膜
3 配線層
4 TiN膜
5 SiN膜
6 配線パターンを有するレジスト層
7 絶縁膜
8 コンタクトホール開口を有するレジスト層
8a レジスト開口部
9 コンタクトホール
Claims (5)
- 絶縁膜が堆積された半導体基板上に配線層を形成し、更に前記配線層上にSiN膜を積層する第1の工程と、前記SiN膜上に所定の配線パターンを有するレジスト膜を形成する第2の工程と、前記配線パターンを有するレジスト層をマスクにして前記SiN膜をドライエッチング法にてエッチングし、配線パターンを有するSiN層を形成する第3の工程と、前記レジスト層を除去し、前記SiN層をマスクにして前記配線層を、前記SiN層を残しつつドライエッチング法にてエッチングし、前記配線層の配線パターンを形成する第4の工程と、前記形成された配線パターン及び前記SiN層の残膜上に絶縁膜を積層する第5の工程と、前記第5の工程で積層された前記絶縁膜上にコンタクトホールを形成するための開口パターンを有するレジスト層を形成する第6の工程と、前記コンタクトホールを形成するための開口パターンを有するレジスト層をマスクとして且つ前記SiN層の残膜をエッチングストッパー膜として行なうドライエッチング法にて前記絶縁膜をエッチングすることでコンタクトホールを形成する第7の工程と、前記エッチングストッパー膜の残膜をドライエッチング法にてエッチングする第8の工程とを有し、前記第7の工程におけるエッチングは、前記エッチングストッパー膜としての前記SiN層のエッチングレートが、前記第4の工程におけるエッチングによって生じた、前記SiN層残膜の半導体基板面内膜厚分布を相殺し、前記第7の工程におけるエッチング後の前記SiN層残膜の膜厚を半導体基板面内で均一とするような、半導体基板面内分布をもって行われることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
- 前記配線層上に積層するSiN膜の厚さdを、
d=(2m+1)λ/4nA(λ:露光波長、nA:SiN膜の屈折率、m:0,1,2・・・)
に設定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。 - 前記第4の工程においては、エッチングチャンバー上部からコイル電力を供給するエッチング設備を用い、前記エッチングチャンバー内に生成するプラズマ密度の前記半導体基板面内での分布が、前記半導体基板の中心部で高く、前記半導体基板の周辺部で低くなる分布でエッチングを行い、前記第7の工程においては、エッチングチャンバー側壁方向からコイル電力を供給するエッチング設備を用い、前記エッチングチャンバー内に生成するプラズマ密度の前記半導体基板面内での分布が、前記半導体基板の中心部で低く、前記半導体基板の周辺部で高くなる分布でエッチングを行うことにより、前記SiN層のエッチングレートの前記半導体基板面内分布を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記第4の工程においては、エッチングチャンバー側壁方向からエッチングガスを供給するエッチング設備を用い、前記エッチングチャンバー内に生成するプラズマ密度の前記半導体基板面内での分布が、前記半導体基板の中心部で低く、前記半導体基板の周辺部で高くなる分布でエッチングを行い、前記第7の工程においては、エッチングチャンバー中央方向からエッチングガスを供給するエッチング設備を用い、前記エッチングチャンバー内に生成するプラズマ密度の前記半導体基板面内での分布が、前記半導体基板の中心部で高く、前記半導体基板の周辺部で低くなる分布でエッチングを行うことにより、前記SiN層のエッチングレートの前記半導体基板面内分布を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。
- 前記第7の工程におけるエッチングと、前記第8の工程におけるエッチングとを、エッチング設備の同一チャンバー内で連続的に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線形成方法。
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