JP3935777B2 - 出力回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のLSIチップ間や1つのチップ内における複数の素子や回路ブロック間の信号伝送、或いは、複数のボード間や複数の匡体間の信号伝送を高速に行うための技術に関し、特に、高速の信号伝送におけるクロック信号を分配するために使用する出力回路装置および出力回路装置システムに関する。
【0002】
近年、コンピュータやその他の情報処理機器を構成する部品の性能は大きく向上しており、例えば、SRAM(Static Random Access Memory)やDRAM(Dynamic Random Access Memory)等の半導体記憶装置やプロセッサ等の性能向上は目を見張るものがある。そして、この半導体記憶装置やプロセッサ等の性能向上に伴って、各部品或いは要素間の信号伝送速度を向上させなければ、システムの性能を向上させることができないという事態になって来ている。
【0003】
具体的に、例えば、SRAMやDRAM等のメモリとプロセッサとの間(LSI間)の速度ギャップは大きくなる傾向にあり、近年は、この速度ギャップがコンピュータの性能向上の妨げになりつつある。また、これらのチップ間の信号伝送だけでなく、チップの高集積化並びに大型化、および、電源電圧の低電圧化(信号振幅の低レベル化)等により、チップ内における素子や回路ブロック間での信号伝送速度も、チップの性能を制限する大きな要因となって来ている。さらには、周辺機器とプロセッサ/チップセット間の信号伝送もシステム全体の性能を制限する大きな要因になっている。
【0004】
ところで、回路ブロック間やチップ間或いは匡体内での信号伝送を高速化するためには、正確なタイミングのクロックを分配する技術が重要である。すなわち、分配されたクロックのタイミング精度は、受信タイミングの精度や発生する信号のタイミング精度に直接関与するため、クロック分配用のクロックバッファとしては、ジッター(jitter)の発生ができるだけ小さいものを使用する必要がある。これは、クロック分配用のクロックバッファに限定されるものではなく、高速で正確なタイミングでの動作が要求される様々な出力回路装置についても同様である。
【0005】
そこで、ジッターの発生が小さく高速で正確なタイミングでの動作が可能な出力回路装置の提供が要望されている。
【0006】
【従来の技術】
図1は従来の出力回路装置の一例を示す回路図である。
【0007】
従来、例えば、集積回路内のクロックバッファ(出力回路装置)は、通常、フルスウィング出力のインバータが使用されている。
【0008】
すなわち、図1に示されるように、従来の出力回路装置は、例えば、nMOSトランジスタ101およびpMOSトランジスタ102で構成されたCMOSインバータ100で構成されている。このCMOSインバータ100は、直流的な電流消費が少なく高速動作が可能であり、しかも、出力電圧が高電位側電源電圧Vdd(例えば、1.2V)と低電位側電源電圧Vss(例えば、0V)との間でフルスウィングするために大振幅が得られるという利点がある。
【0009】
図2は従来の出力回路装置の他の例を示す回路図であり、差動(相補)信号を処理するものである。すなわち、高速の信号を伝送する場合、差動のクロック伝送を用いることが多いが、図2は、このような差動クロック用のクロックバッファ(出力回路装置)の一例を示すものである。
【0010】
図2に示されるように、従来の差動クロック用の出力回路装置は、例えば、差動の入力クロック(入力信号)inおよび/inを2つのCMOSインバータ201,203および202,206で受け取り、各CMOSインバータのnMOSトランジスタ203および206と並列にクロスカップルしたnMOSトランジスタ204および205を設けるようになっている。なお、差動の出力クロック(出力信号)outおよび/outは、入力クロック/inおよびinが供給されるインバータ202,206および201,203の出力として取り出される。
【0011】
図2に示す出力回路装置は、クロスカップルされたnMOSトランジスタ204および205により、差動の出力信号(入力信号)の一方が高レベル『H』に上がるとき他方が低レベル『L』に下がるように動作するため、差動信号の動作のバランスが良好になることが知られている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上述した図1および図2に示す従来の出力回路装置においては、例えば、電源電圧(例えば、高電位側電源電圧Vdd)のダイナミックな変動により遅延が変化すると、クロック信号にジッター(jitter)が含まれることになってしまう。さらに、何らかの原因でクロック信号のデューティが50%からずれると、そのクロック信号が複数段のクロックバッファを伝播するに従ってデューティのずれが大きくなり、終には細くなった方のパルス(高レベル『H』または低レベル『L』側のパルス)が消えてしまうことになる。
【0013】
なお、図1および図2に示す出力回路装置は、クロック信号を分配するために使用されるクロックバッファに限定されるものではなく、上述した課題も様々な出力回路装置において問題となる。そして、本発明に係る出力回路装置も、クロックバッファに限定されるものではなく、複数のLSIチップ間や1つのチップ内における複数の素子や回路ブロック間、或いは、複数のボード間や複数の匡体間における信号伝送に使用されるバッファやドライバ等の様々な出力回路装置に幅広く適用され得るものである。
【0014】
本発明は、上述した従来の出力回路装置が有する課題に鑑み、ジッターの発生が小さく高速で正確なタイミングでの動作が可能な出力回路装置の提供を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の形態によれば、第1の電源線と、第2の電源線と、前記第1の電源線に接続された出力回路と、前記第2の電源線および前記出力回路の間に接続されたトランジスタと、該トランジスタの制御電極に一端が接続された容量と、一定のレベルに保持された制御電圧を、前記トランジスタの制御電極に出力する制御電圧生成部と、を備えることを特徴とする出力回路装置が提供される。
【0016】
本発明の第2の形態によれば、第1の電源線と、第2の電源線と、前記第1の電源線に接続された出力回路と、前記第2の電源線および前記出力回路の間に接続されたトランジスタと、該トランジスタの制御電極に一端が接続された容量と、一定のレベルに保持された制御電圧を、前記トランジスタの制御電極に出力する制御電圧生成部と、を備える出力回路装置を複数備えた出力回路システムであって、前記複数の出力回路装置には、多相クロックが伝送され、該多相クロック間の位相の均一性を検出する均一性検出回路の出力により該各出力回路装置の遅延量を調整して多位相間の位相間隔を一定に保つことを特徴とする出力回路システムが提供される。
【0017】
図3は本発明に係る出力回路装置の原理構成を概略的に示すブロック回路図(その1)であり、図3(a)は高電位側電源線(Vdd)と出力回路(1a)との間に分離用トランジスタを設けたものであり、また、図3(b)は低電位側電源線(Vss)と出力回路(1b)との間に分離用トランジスタを設けたものである。
【0018】
図3(a)において、参照符号1aは出力回路(クロックバッファの回路本体)、2a,2a’は分離用トランジスタ、3a,3a’は容量(高周波成分減衰用容量)、そして、4a,4a’はバイアス電圧発生回路を示している。
【0019】
図3(a)に示されるように、本発明に係る出力回路装置は、高電位側電源線(Vdd)と出力回路1aとの間にpMOSトランジスタ2a(または、nMOSトランジスタ2a’)を設け、そのゲートに対してバイアス電圧発生回路4a(4a’)の出力である一定レベルの制御電圧(バイアス電圧)を印加するようになっている。なお、高電位側電源電圧Vddは、例えば、1.2Vであり、また、低電位側電源電圧Vssは、例えば、0Vである。
【0020】
ソースが高電位側電源線に接続されたpMOSトランジスタ(ソース接地接続されたpMOSトランジスタ)2aは、例えば、ゲートに対してドレインの電位とほぼ等しい1.0Vの制御電圧(バイアス電圧Vba)が印加され、電流源として機能させるようになっている。このとき、一方の端子がpMOSトランジスタ2aのゲートに接続された容量3aの他方の端子は高電位側電源線(Vdd)に接続され、この容量3a(およびバイアス電圧発生回路4a)で構成されるノイズ低減用フィルタ回路によって、トランジスタ2aにより分離された高電位側電源電圧Vddとトランジスタ2aのゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減される。
【0021】
また、ドレインが高電位側電源線に接続されたnMOSトランジスタ(ソースフォロワ接続されたnMOSトランジスタ)2a’は、例えば、ゲートに対してソースよりもそのトランジスタの閾値電圧以上高い電圧(例えば、1.0Vまたは1.2V)の制御電圧(バイアス電圧Vba’)が印加され、電流源として機能させるようになっている。このとき、一方の端子がnMOSトランジスタ2a’のゲートに接続された容量3a’の他方の端子は低電位側電源線(Vss)に接続され、この容量3a’によってトランジスタ2a’により分離されていない側の低電位側電源電圧Vssとトランジスタ2a’のゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減される。
【0022】
以上により、出力回路1aにおいて、トランジスタ2aおよび2a’により分離された側の高電位側電源電圧Vddにおける高周波成分を減衰させることができる。ここで、高電位側電源線と出力回路1aとの間の分離用トランジスタは、上述したpMOSトランジスタ2aまたはnMOSトランジスタ2a’を選択して適宜設けることができる。また、バイアス電圧発生回路4a,4a’は、例えば、図10を参照して後述するような回路として構成することができる。
【0023】
図3(b)において、参照符号1bは出力回路、2b,2b’は分離用トランジスタ、3b,3b’は容量(高周波成分減衰用容量)、そして、4b,4b’はバイアス電圧発生回路を示している。
【0024】
図3(b)と図3(a)との比較から明らかなように、本発明に係る出力回路装置は、上述した図3(a)のように、出力回路1aと高電位側電源線(Vdd)との間に設けた分離用トランジスタ2a,2a’の代わりに、出力回路1bと低電位側電源線(Vss)との間に設けた分離用トランジスタ2b,2b’を設けることもできる。
【0025】
すなわち、図3(b)に示す出力回路装置は、低電位側電源線(Vss)と出力回路1bとの間にnMOSトランジスタ2b(または、pMOSトランジスタ2b’)を設け、そのゲートに対してバイアス電圧発生回路4b(4b’)の出力である一定レベルの制御電圧(バイアス電圧Vbb,(Vbb’))を印加するようになっている。
【0026】
ソースが低電位側電源線に接続されたnMOSトランジスタ(ソース接地接続されたnMOSトランジスタ)2bは、電流源として機能させるようになっており、一方の端子がnMOSトランジスタ2bのゲートに接続された容量3bの他方の端子は低電位側電源線(Vss)に接続されている。この容量3bおよびバイアス電圧発生回路4bで構成されるノイズ低減用フィルタ回路によって、トランジスタ2bより分離された低電位側電源電圧Vssとトランジスタ2bゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減される。
【0027】
また、ドレインが低電位側電源線に接続されたpMOSトランジスタ(ソースフォロワ接続されたpMOSトランジスタ)2b’は、電流源として機能させるようになっており、一方の端子がpMOSトランジスタ2b’のゲートに接続された容量3b’の他方の端子は高電位側電源線(Vdd)に接続され、この容量3b’(およびバイアス電圧発生回路4b’)で構成されるノイズ低減用フィルタ回路によって、トランジスタ2b’により分離されていない側の高電位側電源電圧Vddとトランジスタ2b’のゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減される。
【0028】
以上により、出力回路1bにおいて、トランジスタ2bおよび2b’により分離された側の低電位側電源電圧Vssにおける高周波成分を減衰させることができる。
【0029】
図3(a)および図3(b)に示されるように、電源電圧の変動から回路本体(出力回路1a,1b)の動作を分離するため、分離される側の電源線と回路本体との間にトランジスタ2a,2a’;2b,2b’を挿入する。このトランジスタは、ソース接地またはソースフォロワ接続になっているが、ソース接地(接続)の場合は、分離された側の電源線とゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減され、ソースフォロワ(接続)の場合は分離されていない側の電源線とゲートとの間の電圧の高周波成分が減衰されるようなフィルタ回路(容量3a,3a’;3b,3b’、および、バイアス電圧発生回路4a,4a’;4b,4b’)を通してゲート電圧が発生される。
【0030】
以上により、分離された側の電源線(電源電圧)にノイズが発生した場合でも、ソース接地(2a,2b)またはソースフォロワ接続(2a’,2b’)のトランジスタにより電源ノイズを減衰して回路本体(1a,1b)への電源ノイズの影響を低減することができる。
【0031】
ところで、電源線と回路本体との間に分離用トランジスタを挿入した場合、電源変動の影響を小さくすることはできるが、その変動が或る程度残ってしまうため電源ノイズによるジッターの低減が不十分なこともある。それは、残留した電源変動の影響により出力のコモンモードが変動し、それが次段のクロックバッファに伝達されると、そのコモンモード変動が増幅されて一層大きなジッターを作り出し、その結果、無視できない量のジッターが生じるからである。
【0032】
図4は図3の出力回路装置における出力回路の一例を示すブロック回路図であり、コモンモードを処理してジッターを低減するものである。
【0033】
図4に示されるように、出力回路1は、コモンモード制御回路11およびバッファ12,13を備えている。コモンモード制御回路11およびバッファ13は、その入力のコモンモード電圧とその出力のコモンモード電圧とを一致させるようになっており、そして、コモンモード制御回路11の出力を、バッファ12を介して出力するようになっている。
【0034】
すなわち、上述した残留した電源変動の影響は、回路本体(出力回路1a,1b)に入力される信号のコモンモード電圧を、電源変動の影響が分離により減少した状態での定常的なコモンモード電圧(入力信号in,/inのコモンモード電圧=出力信号out,/outのコモンモード電圧となる電圧)に一致させることで最小にすることができる。なお、入力される信号のコモンモード電圧を定常的なコモンモード電圧に一致させるには、入力信号のコモンモード電圧を終端或いはフィードバックすることで理想的な値に保つことができる。
【0035】
さらに、前述したデューティがずれて終には細くなった方のパルスが消失してしまう問題に対しては、デューティを検出し、その値に応じてデューティを調整するフィードバック回路を使用することで解決できる。
【0036】
図5は本発明に係る出力回路装置の原理構成を概略的に示すブロック回路図(その2)である。図5において、参照符号51は差動スキュー補正回路(デューティ検出および補正回路)、そして、52および53はバッファ(バッファ回路)を示している。ここで、図5に示す回路は、例えば、図3に示す出力回路1a,1bとして適用され得るものである。
【0037】
図5に示す差動スキュー補正回路51の出力に比例した信号をフィードバックすることにより、効果的にデューティを変化させることができる。
【0038】
そして、図5に示されるように、例えば、互いに90°位相が異なる四相クロックφ0〜φ3(多相クロック)の伝送においては、例えば、相補(差動)の関係にあるクロックφ0,φ2およびφ1,φ3の間のスキューを検出してそれぞれバッファ回路52および53にフィードバックすることにより、位相の均一性が改善された四相クロックΦ0〜Φ3を生成することができる。
【0039】
上述したように、本発明によれば、遅延の大きさが電源電圧の変動にほとんど依存しない出力回路装置(クロックバッファ)を提供することができる。さらに、クロックのデューティおよび多位相間の均一性の優れた出力回路装置を実現することができ、クロック系で発生するスタティックおよびダイナミックなタイミングエラーを低減してより高速の信号伝送が可能になる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る出力回路装置の実施例を、添付図面を参照して詳述する。
【0041】
図6は本発明に係る出力回路装置の第1実施例を概略的に示すブロック回路図である。図6において、参照符号1は回路本体(出力回路)、21〜24は分離用pMOSトランジスタ、31および32は容量、そして、5はコモンモードフィードバック(CMFB)回路を示している。
【0042】
回路本体1は、入力信号(入力クロック)in,/inを、nMOSトランジスタ差動対113,114を有する入力増幅回路で受け取り、それぞれpMOSトランジスタ111,112およびnMOSトランジスタ116,117を介して、トランジスタ116,117とカレントミラー接続されたnMOSトランジスタ118,119を有する出力段増幅器を介して出力信号(出力クロック)out,/outを出力するようになっている。ここで、トランジスタ111,112のゲートには、トランジスタ21,22のドレインよりもその閾値電圧Vth以上低い一定の電圧Vcpが印加されている。
【0043】
pMOSトランジスタ21〜24は、前述した図3(a)のトランジスタ2aに対応し、回路本体1と高電位側電源線(Vdd)とを分離するためのトランジスタであり、また、容量31および32は、前述した図3(a)の容量3aに対応し、それぞれpMOSトランジスタ21,22のゲートおよび23,24のゲートと高電位側電源線(Vdd)との間に接続されるものである。これにより、トランジスタ21〜24により分離された高電位側電源電圧Vddとトランジスタ21〜24のゲートとの間の電位差に発生する高周波ノイズが低減される。
【0044】
ここで、本第1実施例においては、高電位側電源電圧Vddとして、例えば、1.2V程度が想定され、差動増幅器の一部を構成するpMOSトランジスタ21〜24を図3(a)のトランジスタ2aとして捉えたが、電源電圧Vddが高い(例えば、3V程度)場合には、差動増幅器のpMOSトランジスタを本体回路1に含めて考え、その本体回路1に対してさらなるpMOSトランジスタ(図3(a)のトランジスタ2aに相当するトランジスタ)を設けるように構成することができる。
【0045】
図7は図6の出力回路装置におけるコモンモードフィードバック回路5の一例を示す回路図である。
【0046】
図7に示されるように、コモンモードフィードバック(CMFB)回路5は、pMOSトランジスタ511〜516、容量521〜523、および、nMOSトランジスタ531〜537を備えている。入力信号c,d(出力回路装置の差動出力信号out,/out)は、nMOSトランジスタ差動対533,535に入力され、容量522から523により入力信号の直流成分の差電圧を生成し、トランジスタ118および119のゲートに繋がれた出力(b,a)により、出力信号out,/outのコモンモード電圧がフィードバックされ、デューティのずれが補償されるようになっている。すなわち、コモンモードフィードバック回路5は、出力段増幅回路(トランジスタ23,24,118,119)の出力のコモンモード電圧を検出し、これらの値が等しくなるように、出力増幅回路の入力ノード(トランジスタ118,119のゲート)に電流帰還を行うようになっている。
【0047】
このように、本第1実施例では、電源の変動が本体回路1から分離され、さらに、残留する電源変動の影響も本体回路の出力段に入力する信号のコモンモード電圧を定常状態でのコモンモード電圧に一致させることでジッターを殆どなくすことができる。
【0048】
図8は本発明に係る出力回路装置の第2実施例を概略的に示す回路図である。
【0049】
図8に示されるように、本第2実施例の出力回路装置において、差動の入力信号inおよび/inは、それぞれプッシュプル回路(インバータ)を構成するトランジスタ121,123およびトランジスタ122,125のゲートに入力される。pMOSトランジスタ121および122の共通接続されたソースは、分離用pMOSトランジスタ20および低域フィルタ回路6を介して高電位側電源線(Vdd)に接続され、また、トランジスタ20のゲートは容量30を介してpMOSトランジスタ61のドレイン(トランジスタ20のソース)に接続されている。ここで、トランジスタ20および容量30は、前述した図3(a)におけるトランジスタ2aおよび容量3aに相当する。ただし、本第2実施例において、一端がトランジスタ20のゲートに接続された容量30の他端は、高電位側電源線(Vdd)に直接接続するのではなく、pMOSトランジスタ61を介して接続されている。
【0050】
なお、本第2実施例において、出力信号out,/outは、抵抗127,126を介してトランジスタ124のゲートにフィードバックすることで出力信号のコモンモード電圧が補償されるようになっている。
【0051】
低域フィルタ回路6は、ゲートに低電位側電源電圧Vssが印加されたpMOSトランジスタ(フィルタ用トランジスタ)61および容量(フィルタ用容量)62を備え、この低域フィルタ回路6により、まず、高電位側電源電圧Vddにおける高周波ノイズを取り除き、さらに、ソース接地pMOSトランジスタ20の定電流特性により残ったノイズと回路本体1の分離が行われるようになっている。このように、本第2実施例の出力回路装置によれば、ソース接地トランジスタ(20)に対して低域フィルタ回路6を挿入することで、ノイズに対する耐性をさらに改善することができる。
【0052】
図9は本発明に係る出力回路装置の第3実施例を概略的に示す回路図である。図9と図8との比較から明らかなように、本第3実施例の出力回路装置においては、低域フィルタ回路6のpMOSトランジスタ61として抵抗(フィルタ用抵抗)63を用いるようになっている。なお、他の構成は、図8の第2実施例と同様である。
【0053】
図10は本発明に係る出力回路装置の第4実施例を概略的に示す回路図である。
【0054】
図10と図8との比較から明らかなように、本第4実施例の出力回路装置は、第2実施例の出力回路装置に対してバイアス電圧発生回路4を追加したものである。
【0055】
図10に示されるように、バイアス電圧発生回路4は、容量41、nMOSトランジスタ42およびpMOSトランジスタ43を備えている。容量41およびnMOSトランジスタ42は、pMOSトランジスタ(フィルタ用トランジスタ)61のドレインと低電位側電源線(Vss)との間に直列に接続されている。ここで、nMOSトランジスタ42のゲートには、例えば、高電位側電源電圧Vddの変動に強いバッファからの出力電圧Viが印加されるようになっている。pMOSトランジスタ43は、ソースが高電位側電源線(Vdd)に接続され、また、ゲートおよびドレインが容量41とnMOSトランジスタ42の接続ノードに共通接続されると共に、そこからバイアス電圧Vbpを出力するようになっている。
【0056】
すなわち、本第4実施例の出力回路装置において、pMOSゲート接地トランジスタ20のゲート電圧は、nMOS定電流トランジスタ42からの電流をダイオード接続pMOSトランジスタ43で受けることで発生されている。ここで、pMOSトランジスタ43のゲートには容量30および41が接続され、容量30および41の他端はpMOSトランジスタ61のドレインに接続されている。この容量30および41により、pMOSトランジスタ20のゲートと高電位側電源線(Vdd)との間の電圧の高周波成分が減衰されることになる。
【0057】
ここで、例えば、高電位側電源電圧Vddは1.2Vであり、低電位側電源電圧Vssは0Vであり、そして、バイアス電圧発生回路4から出力されるバイアス電圧Vbpは、例えば、1.0Vである。もちろん、これらの電圧値は、回路の仕様等により様々に変更し得るのはいうまでもない。
【0058】
本第4実施例の出力回路装置によれば、pMOSトランジスタ20のゲート−ソース間電位に高周波ノイズが発生しないため、より良好な分離となり低ジッター特性が得られる。
【0059】
図11は本発明に係る出力回路装置の第5実施例を概略的に示すブロック回路図である。
【0060】
図11と図6および図8との比較から分かるように、本第5実施例の出力回路装置は、初段増幅器として図8に示す第2実施例の回路を適用し、さらに、初段増幅器の出力を増幅する出力段増幅器としてnMOSトランジスタ23’,24’,120,128,129で構成される差動増幅器を適用するようになっている。出力段増幅器は、駆動用の差動対トランジスタ128,129、ソースフォロワ負荷(分離用nMOSトランジスタ)23’,24’、および、電流源120を備えている。
【0061】
ここで、初段増幅器に対しては、第2実施例と同様に、初段増幅器と高電位側電源線(Vdd)との間に挿入された分離用ソース接地pMOSトランジスタ20および低域フィルタ回路6、並びに、トランジスタ20のゲートとpMOSトランジスタ61のドレインとの間に接続された容量30が設けられ、高電位側電源電圧Vddにおける高周波ノイズが十分に取り除かれる。さらに、出力段増幅器に対しては、図6に示す第1実施例と同様に、出力段増幅器(差動対トランジスタ128,129)と高電位側電源線(Vdd)との間に設けられた分離用ソース接地pMOSトランジスタ23,24、および、トランジスタ23,24のゲートと高電位側電源線(Vdd)との間に接続された容量32が設けられて高電位側電源電圧Vddにおける高周波ノイズが取り除かれ、さらに、差動対トランジスタ128,129と高電位側電源線(Vdd)との間に設けられた分離用ソースフォロワnMOSトランジスタ23’,24’、および、トランジスタ23’,24’のゲートと低電位側電源線(Vss)との間に接続された容量32’が設けられて低電位側電源電圧Vssにおける高周波ノイズも取り除かれる。
【0062】
このように、本第5実施例の出力回路装置によれば、高電位側電源電圧Vddおよび低電位側電源電圧Vssの両方の高周波ノイズを取り除くことができ、さらに、増幅段の差動増幅器としてソースフォロワnMOSトランジスタ23’24’を使用するため、低いインピーダンスの負荷となり、高速の小振幅クロックを発生することが可能になる。
【0063】
図12は本発明に係る出力回路装置の第6実施例を概略的に示す回路図である。
【0064】
図12と図8との比較から明らかなように、本第6実施例の出力回路装置は、前述した第2実施例の出力回路装置と同様の回路構成とされている。ただし、本第6実施例の出力回路装置では、pMOSトランジスタ(差動対)121および122のバックゲートBGの電位(ウェル電位)が高電位側電源電圧Vddではなく、分離用pMOSトランジスタ20のドレイン電圧、すなわち、高電位側電源電圧Vddの高周波ノイズが取り除かれた電圧Vdd’とされている。従って、pMOS差動対トランジスタ121および122が形成されるウェルには、その差動対トランジスタ121および122のソース電位(Vdd’)が印加され、このトランジスタ121,122のウェルを介して混入する電源ノイズも取り除くようになっている。
【0065】
図13は本発明に係る出力回路装置の第7実施例を概略的に示すブロック回路図であり、また、図14は図13の出力回路装置におけるコモンモードフィードバック回路の一例を示すブロック回路図である。
【0066】
図13と図8との比較から明らかなように、本第7実施例の出力回路装置は、第2実施例の出力回路装置に対してコモンモードフィードバック回路5を設けるようになっている。このコモンモードフィードバック回路5は、図14に示されるように、コモンモードの基準電圧Vrefを発生するレプリカ回路50、および、出力信号out,/outの電圧レベルを基準電圧Vrefと比較して出力信号のコモンモード電圧を制御する増幅部70,80を備えている。
【0067】
レプリカ回路50は、実質的な出力回路装置(回路本体1、分離用ソース接地pMOSトランジスタ20、容量30、および、フィルタ回路6)と同様な構成(回路本体501、分離用ソース接地pMOSトランジスタ520、容量530、および、フィルタ回路506)とされている。ただし、レプリカ回路50において、各トランジスタ5121〜5125のゲート、並びに、トランジスタ5121〜5123および5125のドレインは共通接続され、そこから基準電圧Vrefを取り出すようになっている。なお、レプリカ回路50におけるフィルタ回路506もフィルタ回路6と同様に、pMOSトランジスタ561および容量562を備えている。
【0068】
増幅部70および80は同様の構成とされ、増幅部70(80)は、抵抗741(841)および容量742(842)で構成されるローパスフィルタを介して入力される信号e(f)と基準電圧Vrefとを差動増幅する増幅回路740(840)、pMOSトランジスタ761(861)および容量762(862)を有するフィルタ回路706(806)、分離用ソース接地pMOSトランジスタ720(820)、容量730(830)、および、駆動用nMOSトランジスタ710(810)を備えている。
【0069】
図15は図14のコモンモードフィードバック回路における差動増幅回路740(840)の一例を示す回路図である。
【0070】
図15に示されるように、差動増幅回路740は、ローパスフィルタを介して入力される信号eおよび基準電圧Vrefが入力されるpMOS差動対トランジスタ741,742、並びに、負荷用のnMOSトランジスタ743,744を備えている。
【0071】
上述したように、本第7実施例の出力回路装置は、実質的な出力回路装置(回路本体1、分離用ソース接地pMOSトランジスタ20、容量30、および、フィルタ回路6)と同様な構成を有するレプリカ回路50(回路本体501、分離用ソース接地pMOSトランジスタ520、容量530、および、フィルタ回路506)により基準電圧Vrefを発生し、この基準電圧Vrefと出力信号out,/out(e,f)のコモンモードを比較し、その比較結果を出力信号にフィードバック(g,h)するようになっているため、出力信号out,/outのコモンモードの電圧レベルを基準電圧Vrefにほぼ一致させるように制御することができる。また、本第7実施例では、コモンモードのフィードバックが出力回路装置の出力側でのみ行われるため、増幅段を1段として構成することもできる。
【0072】
図16は本発明に係る出力回路装置の第8実施例を概略的に示す回路図である。
【0073】
図16と図8(図13)および図14との比較から分かるように、本第8実施例の出力回路装置は、図8の第2実施例と同様な1段構成の増幅回路に対して、図14のレプリカ回路50と同様の回路(コモンモード電圧発生回路)を設け、そのコモンモード電圧発生回路50における差動対トランジスタ5121,5122;5123,5125の各ゲート入力に対して抵抗511および512を介して入力信号in,/inを供給するように、すなわち、差動の入力信号in,/inを、511,512を介してコモンモード電圧発生回路50で終端するようになっている。これにより、入力信号in,/inのコモンモード電圧は、コモンモード電圧発生回路50の出力電圧(レプリカ回路の基準電圧Vref)に近い値になる。
【0074】
本第8実施例の出力回路装置は、コモンモードのフィードバックを行うものに比べてコモンモード電圧の変動を抑える回路の周波数特性が優れている。これは、コモンモードのフィードバックには必ずフィードバック用増幅回路による遅延が含まれるのに対して、本第8実施例では、フィードバックを伴わない終端によりコモンモード電圧を制御することにより、フィードバックに伴う遅延のゆらぎが生じないようにすることができる。
【0075】
図17は本発明に係る出力回路装置の第9実施例を概略的に示す回路図である。
【0076】
図17と図16との比較から明らかなように、本第9実施例の出力回路装置は、本第8実施例の出力回路装置において、入力側に容量513および514を設けてAC結合として構成したものである。なお、AC結合による出力回路の入力側ノードNin,/Ninは、図16に示すコモンモード電圧発生回路(レプリカ回路)50によりバイアス電圧(基準電圧Vref)が与えられている。
【0077】
本第9実施例の出力回路装置は、入力信号in,/inのコモンモード電圧とは独立して出力回路装置に入力コモンモード電圧を与えることができるため、例えば、出力回路装置を多段のクロックバッファ信号が伝播するような構成に適用する場合には、コモンモード電圧の変動を完全に抑圧することができる利点がある。
【0078】
図18は本発明に係る第10実施例としての図5の出力回路装置における差動スキュー補正回路51の一例を示す回路図であり、バッファの出力にデューティの検出回路および補正回路(帰還用のnMOSトランジスタ5009〜5020)を設けたものである。
【0079】
前述したように、図5に示す回路は、例えば、図3に示す出力回路1a,1bとして適用され得るものであり、互いに90°位相が異なる四相クロックφ0〜φ3を伝送するクロックバッファへの適用例を示すものである。
【0080】
図5および図18に示されるように、本第10実施例の出力回路装置において、差動スキュー補正回路51には、相補(差動)の関係にあるクロックφ0(0°の位相のクロック:i)およびφ2(180°の位相のクロック:j)、並びに、相補の関係にあるクロックφ1(90°の位相のクロック:k)およびφ3(270°の位相のクロック:l)が入力され、クロックφ0,φ2およびクロックφ1,φ3間のスキューを検出してそれぞれバッファ回路52および53にフィードバックすることで、位相の均一性が改善された四相クロックΦ0〜Φ3を生成するようになっている。
【0081】
すなわち、差動スキュー補正回路51は、pMOSトランジスタ5001〜5008、nMOSトランジスタ5009〜5026、および、容量5027〜5029を備えている。差動入力i,j(クロックφ0,φ2)は、差動対トランジスタ5009,5010、5011,5012および5020,5019のゲートに供給され、また、差動入力k,l(クロックφ1,φ3)は、差動対トランジスタ5013,5014、5015,5016および5017,5018のゲートに供給されている。
【0082】
各入力信号i,j,k,lの高レベル『H』および低レベル『L』の期間は、信号線L1およびL2に接続された容量5027〜5029により合成され、ゲートが各信号線L1,L2に接続されたpMOSトランジスタ5005,5006および5008,5007を介して信号m,nが出力される。この信号m,nでバッファ回路52,53を制御することにより、各差動クロック対φ0,φ2およびφ1,φ3の間のデューティをほぼ50%付近に調整すると共に、4つのクロックφ0〜φ3における位相差を互いに90°となるようにフィードバックして正確な位相間隔を有する四相クロックΦ0〜Φ3を出力するようになっている。
【0083】
本第10実施例の出力回路装置は、例えば、正確な位相間隔の多位相クロックを必要とするタイミング発生回路に使用するクロックバッファとして好ましいものである。
【0084】
図19は本発明に係る第11実施例としての図5の出力回路装置におけるバッファ回路52の一例を示す回路図である。
【0085】
図19に示されるように、本第11実施例の出力回路装置において、例えば、相補(差動)の関係にあるクロックφ0(0°の位相のクロック)およびφ2(180°の位相のクロック)は、バッファ5201および5202に供給されると共に、デューティサイクル補正回路5203に供給される。デューティサイクル補正回路5203は、クロックφ0およびφ2のデューティサイクル(高レベル『H』と低レベル『L』の期間)を検出および比較し、さらに、クロックφ0およびφ2のデューティサイクルが等しくなるようにバッファ5201および5202に対して制御信号pおよびqを与えて補正する。なお、前述した差動スキュー補正回路51の出力(m)は、バッファ5201および5202に対して供給され、差動スキュー補正回路51により検出および補正された入力クロックφ0およびφ2間のスキューをバッファ5201および5202にフィードバックすることで、位相の均一性が改善されたクロックΦ0およびΦ2を生成するようになっている。
【0086】
図20は図19のバッファ回路におけるデューティサイクル補正回路5203の一例を示す回路図である。
【0087】
図20に示されるように、デューティサイクル補正回路5203は、pMOSトランジスタ5231〜5236、nMOSトランジスタ5237〜5243、および、容量5244〜5246を備えている。このデューティサイクル補正回路5203により、入力クロックφ0およびφ2間のスキューを検出および補正して、制御信号p(q)をバッファ5201(5202)にフィードバックすることで、位相の均一性が改善されたクロックΦ0およびΦ2を生成する。
【0088】
本第11実施例の出力回路装置によれば、各クロックΦ0,Φ2のデューティを常に50%付近に調整することができ、例えば、多段のクロックバッファをクロックが通過する間にパルスが細くなって消失するようなことを防ぐことができる。
【0089】
以上において、本発明に係る出力回路装置は、クロック分配用のクロックバッファに限定されるものではなく、高速で正確なタイミングでの動作が要求される様々なバッファとして適用可能である。さらに、本発明に係る出力回路装置は、二相(差動)信号および四相信号だけでなく、八相信号等の多相信号(例えば、多相クロック)の伝送に適用され得るものであり、例えば、多相クロック間の位相の均一性を検出する均一性検出回路の出力により各出力回路装置の遅延量を調整して多位相間の位相間隔を一定に保つ出力回路システムを構成することもできる。
【0090】
(付記1) 第1の電源線と第2の電源線との間に少なくとも1つの分離用トランジスタを有する制御回路を介して接続された出力回路を備える出力回路装置であって、
前記分離用トランジスタの制御電極には、一定のレベルに保持された制御電圧が印加され、
前記制御電圧は、前記第1または第2の電源線の電圧における高周波成分を減衰させるレベルの電圧であることを特徴とする出力回路装置。
【0091】
(付記2) 付記1に記載の出力回路装置において、
前記制御回路は、前記分離用トランジスタの制御電極に一端が接続された高周波成分減衰用容量を備えることを特徴とする出力回路装置。
【0092】
(付記3) 付記2に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソース接地接続されたMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第1および第2の電源線のうち前記ソース接地接続されたMOSトランジスタが設けられたソース側に接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0093】
(付記4) 付記3に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソースが前記第1の電源線側に接続され且つドレインが前記出力回路側に接続されたpMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第1の電源線に接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0094】
(付記5) 付記3に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソースが前記第2の電源線側に接続され且つドレインが前記出力回路側に接続されたnMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第2の電源線に接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0095】
(付記6) 付記2に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソースフォロワ接続されたMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第1および第2の電源線のうち前記ソースフォロワ接続されたMOSトランジスタが設けられていない側の電源線または当該電源線と一定電圧差のノードに接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0096】
(付記7) 付記6に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソースが前記出力回路側に接続され且つドレインが前記第1の電源線側に接続されたnMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第2の電源線に接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0097】
(付記8) 付記6に記載の出力回路装置において、
前記分離用トランジスタは、ソースが前記出力回路側に接続され且つドレインが前記第2の電源線側に接続されたpMOSトランジスタであり、
前記高周波成分減衰用容量の他端は、前記第1の電源線に接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0098】
(付記9) 付記1に記載の出力回路装置において、
前記制御電圧は、ノイズ低減用フィルタ回路を通して発生され、
該ノイズ低減用フィルタ回路は、前記第1および第2の電源線のうち前記分離用MOSトランジスタが設けられた側の電源線の電圧における高周波成分を減衰させることを特徴とする出力回路装置。
【0099】
(付記10) 付記1〜9のいずれか1項に記載の出力回路装置において、
前記出力回路は、差動信号を増幅する一対のインバータを備え、
該各インバータを構成するトランジスタのバックゲートには、前記制御回路を介した電圧が印加されることを特徴とする出力回路装置。
【0100】
(付記11) 付記10に記載の出力回路装置において、
前記一対のインバータを構成する各pMOSトランジスタのウェルは、当該pMOSトランジスタのソースに接続されることを特徴とする出力回路装置。
【0101】
(付記12) 付記1に記載の出力回路装置において、前記分離用トランジスタは、前記出力回路と前記第1の電源線との間、および、該出力回路と前記第2の電源線との間の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする出力回路装置。
【0102】
(付記13) 付記12に記載の出力回路装置において、前記分離用トランジスタは、前記出力回路と前記第1の電源線との間、および、該出力回路と前記第2の電源線との間の両方に設けられていることを特徴とする出力回路装置。
【0103】
(付記14) 付記1〜13のいずれか1項に記載の出力回路装置において、前記制御回路は、さらに、
前記分離用トランジスタに対して直列に設けられた低域フィルタ回路を備えることを特徴とする出力回路装置。
【0104】
(付記15) 付記14に記載の出力回路装置において、
前記低域フィルタ回路は、
前記分離用トランジスタと前記第1または第2の電源線との間に直列に接続されたフィルタ用トランジスタ、および、
前記分離用トランジスタと前記フィルタ用トランジスタとの接続ノードに一端が接続されたフィルタ用容量を備えることを特徴とする出力回路装置。
【0105】
(付記16) 付記15に記載の出力回路装置において、
前記フィルタ用トランジスタの制御電極および前記フィルタ用容量の他端には、前記第1または第2の電源線の内で該フィルタ用トランジスタが接続されていない側の電源線の電位が印加されることを特徴とする出力回路装置。
【0106】
(付記17) 付記14に記載の出力回路装置において、
前記低域フィルタ回路は、
前記分離用トランジスタと前記第1または第2の電源線との間に直列に接続されたフィルタ用抵抗、および、
前記分離用トランジスタと前記フィルタ用抵抗との接続ノードに一端が接続されたフィルタ用容量を備えることを特徴とする出力回路装置。
【0107】
(付記18) 付記17に記載の出力回路装置において、
前記フィルタ用容量の他端には、前記第1または第2の電源線の内で前記フィルタ用抵抗が接続されていない側の電源線の電位が印加されることを特徴とする出力回路装置。
【0108】
(付記19) 入力信号が供給された増幅回路を有する出力回路装置であって、
前記入力信号のコモンモード電圧は、前記増幅回路から出力される出力信号のコモンモード電圧とほぼ同じ値にする調整されることを特徴とする出力回路装置。
【0109】
(付記20) 付記19に記載の出力回路装置において、
前記入力信号のコモンモード電圧の調整を、前記出力回路装置に信号を送る送信回路の出力側に設けたコモンモードフィードバック回路で行うことを特徴とする出力回路装置。
【0110】
(付記21) 付記19に記載の出力回路装置において、
前記入力信号のコモンモード電圧の調整を、前記出力回路装置の入力側に設けた所定レベルのコモンモード電圧を発生する電源に対して、該入力信号を終端することで行うことを特徴とする出力回路装置。
【0111】
(付記22) 付記19に記載の出力回路装置において、
前記入力信号のコモンモード電圧の調整を、前記出力回路装置の入力側に設けた所定レベルのコモンモード電圧を発生する電源に対して、前記入力信号と前記増幅回路を容量結合とし、該容量結合後の直流電位を前記電源により与えることで行うことを特徴とする出力回路装置。
【0112】
(付記23) 付記1〜22のいずれか1項に記載の出力回路装置において、さらに、
前記出力回路の出力のデューティを検出するデューティ検出回路と、
該検出されたデューティにより前記出力回路の出力デューティを調整するデューティ調整回路とを備え、前記出力デューティの比をほぼ50%に制御することを特徴とする出力回路装置。
【0113】
(付記24) 付記1〜23のいずれか1項に記載の出力回路装置において、該出力回路装置は、クロック信号を分配するために使用されるクロックバッファであることを特徴とする出力回路装置。
【0114】
(付記25) 付記1〜24のいずれか1項に記載の出力回路装置を複数備えた出力回路システムであって、
前記複数の出力回路装置には、多相クロックが伝送され、該多相クロック間の位相の均一性を検出する均一性検出回路の出力により該各出力回路装置の遅延量を調整して多位相間の位相間隔を一定に保つことを特徴とする出力回路システム。
【0115】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、ジッターの発生が小さく高速で正確なタイミングでの動作が可能な出力回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の出力回路装置の一例を示す回路図である。
【図2】従来の出力回路装置の他の例を示す回路図である。
【図3】本発明に係る出力回路装置の原理構成を概略的に示すブロック回路図(その1)である。
【図4】図3の出力回路装置における出力回路の一例を示すブロック回路図である。
【図5】本発明に係る出力回路装置の原理構成を概略的に示すブロック回路図(その2)である。
【図6】本発明に係る出力回路装置の第1実施例を概略的に示すブロック回路図である。
【図7】図6の出力回路装置におけるコモンモードフィードバック回路の一例を示す回路図である。
【図8】本発明に係る出力回路装置の第2実施例を概略的に示す回路図である。
【図9】本発明に係る出力回路装置の第3実施例を概略的に示す回路図である。
【図10】本発明に係る出力回路装置の第4実施例を概略的に示す回路図である。
【図11】本発明に係る出力回路装置の第5実施例を概略的に示すブロック回路図である。
【図12】本発明に係る出力回路装置の第6実施例を概略的に示す回路図である。
【図13】本発明に係る出力回路装置の第7実施例を概略的に示すブロック回路図である。
【図14】図13の出力回路装置におけるコモンモードフィードバック回路の一例を示すブロック回路図である。
【図15】図14のコモンモードフィードバック回路における差動増幅回路の一例を示す回路図である。
【図16】本発明に係る出力回路装置の第8実施例を概略的に示す回路図である。
【図17】本発明に係る出力回路装置の第9実施例を概略的に示す回路図である。
【図18】本発明に係る第10実施例としての図5の出力回路装置における差動スキュー補正回路の一例を示す回路図である。
【図19】本発明に係る第11実施例としての図5の出力回路装置におけるバッファ回路の一例を示す回路図である。
【図20】図19のバッファ回路におけるデューティサイクル補正回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
1,1a,1b…回路本体(出力回路)
2a;20;21〜24…分離用ソース接地pMOSトランジスタ
2a’…分離用ソースフォロワnMOSトランジスタ
2b…分離用ソース接地nMOSトランジスタ
2b’…分離用ソースフォロワpMOSトランジスタ
3a,3a’;3b,3b’;30;31,32…容量(高周波成分減衰用容量)
4a,4a’;4b,4b’…バイアス電圧発生回路
5…コモンモードフィードバック(CMFB)回路
6…低域フィルタ回路
51…差動スキュー補正回路
52,53…バッファ(バッファ回路)
5201,5202…バッファ
5203…デューティサイクル補正回路
61…pMOSトランジスタ(フィルタ用トランジスタ)
62…容量(フィルタ用容量)
63…抵抗(フィルタ用抵抗)
in,/in…入力信号(入力クロック)
out,/out…出力信号(出力クロック)
Vdd…高電位側電源電圧(高電位側電源線)
Vss…低電位側電源電圧(低電位側電源線)
Claims (11)
- 第1の電源線と、
第2の電源線と、
前記第1の電源線に接続された出力回路と、
前記第2の電源線および前記出力回路の間に接続されたトランジスタと、
該トランジスタの制御電極に一端が接続された容量と、
一定のレベルに保持された制御電圧を、前記トランジスタの制御電極に出力する制御電圧生成部と、を備えることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1に記載の出力回路装置において、
前記制御電圧は、前記トランジスタが定電流源となる電圧レベルであることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1または2に記載の出力回路装置において、
前記トランジスタは、ソース接地接続されたMOSトランジスタであり、
前記容量の他端は、前記第1および第2の電源線のうち前記ソース接地接続されたMOSトランジスタが設けられたソース側に接続されることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1または2に記載の出力回路装置において、
前記トランジスタは、ソースフォロワ接続されたMOSトランジスタであり、
前記容量の他端は、前記第1および第2の電源線のうち前記ソースフォロワ接続されたMOSトランジスタが設けられていない側の電源線または当該電源線と一定電圧差のノードに接続されることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1に記載の出力回路装置において、
前記制御電圧は、前記トランジスタのドレインの電位とほぼ等しいことを特徴とする出力回路装置。 - 請求項3に記載の出力回路装置において、
前記制御電圧は、前記トランジスタのソースの電位よりも該トランジスタの閾値電圧以上高いことを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の出力回路装置において、前記トランジスタは、前記出力回路と前記第1の電源線との間、および、該出力回路と前記第2の電源線との間の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする出力回路装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の出力回路装置において、前記制御電圧生成部は、さらに、
前記トランジスタに対して直列に設けられた低域フィルタ回路を備えることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の出力回路装置において、さらに、
入力信号が供給された増幅回路を備え、前記入力信号のコモンモード電圧は、前記増幅回路から出力される出力信号のコモンモード電圧とほぼ同じ値に調整されることを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の出力回路装置において、さらに、
前記出力回路の出力のデューティを検出および補正するデューティ検出回路と、
該検出されたデューティにより前記出力回路の出力デューティを調整するデューティ調整回路と、を備え、前記出力デューティの比をほぼ50%に制御することを特徴とする出力回路装置。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の出力回路装置を複数備えた出力回路システムであって、
前記複数の出力回路装置には、多相クロックが伝送され、該多相クロック間の位相の均一性を検出する均一性検出回路の出力により該各出力回路装置の遅延量を調整して多位相間の位相間隔を一定に保つことを特徴とする出力回路システム。
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