JP3912797B2 - 撮像システムおよびその方法 - Google Patents
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Description
撮像システムは広範囲の用途に使用されており、特に医学的診断のための撮像、バイオテクノロジー、および非破壊検査およびオンラインによる品質管理に関する工業用用途に使用されている。
これらすべての用途において、撮像を行なう手段として普及しているものは、放射線(radiation)、通常はX線、ガンマ線、ベータ線を用いている。放射線はある種の撮像平面により検出されるが、それは平面状である必要はない。したがって、以下においては撮像面という用語を使用する。画像は撮像面上に直接形成されるか(投影撮像など)、またはコンピュータ内でデータを処理して再構成される(核医学におけるコンピュータ断層撮影や符号化開口結像法(coded aperture imaging)など)。
従来の撮像面はカセット内のフィルムとして形成されていた。撮像面の他の方式は、ディジタル撮像をもたらした過去40年にわたって開発されている。そのような例としては、NaIシンチレーティングスクリーン、NaIシンチレーティングクリスタル、BGOクリスタル、ワイヤガスチャンバ、ディジタルイメージングプレートなどがある。さらに最近では、電荷結合素子、Siマイクロストリップ検出器、半導体画素検出器などの半導体撮像が開発されている。
一般に、上記すべての場合において、広い撮像領域が必要となる場合、一体構造(フィルム、ディジタルイメージングプレート、NaIスクリーンなど)、または支持面上に集められ固定された小片(タイル)のモザイク(NaI結晶を使用したガンマカメラなど)として作られる。
一体型の大きい撮像面が用いられる場合、撮像面の一部が欠損すると面全体を交換しなければならなくなる。残念ながら、これまで提案された中で最も高精度のディジタルオンライン撮像素子は、大きな面積(最大で数平方センチメートルを超える面積)では製造不可能な画素単位の半導体を必要とするものである。さらに、例えば一体構造で30cm×30cmのディジタル半導体撮像面を製造することは歩留りの低下を招くので望ましいことではない。また高価な撮像領域の一部が欠損した場合、撮像面全体を交換しなければならない。
タイル張り方式を用いた、面積の大きな(数平方ミリメートルを超える)撮像面の作製も提案されている。最近の特許出願(EP0 577 487 A1)では、半導体画素検出器をタイル張りして、より大きな固定面を形成するようになっている。このような方式を用いると、個々の撮像素子が撮像支持体上にモザイク状に配列され、撮像モザイクが形成される。個々の撮像素子からの出力を処理すれば、撮像面によってカバーされる領域全体に実質的に一致する単一の出力画像を得ることができる。撮像素子は、はんだ付けなどにより実質永久的に撮像支持体に固定されているので、当該素子および/または支持体および/または取り外すべき素子の周囲の素子に対し損傷を与えずに撮像素子を取り外すことは困難か、さもなければ不可能である。
米国特許第5391881に示されている構成は、多くの検出器を並べて接合しマトリクス状に配列することにより面積の大きい撮像素子を作製するものであり、それらの検出器は、検出器素子から信号を読み出すため検出器の背後にマトリクス形状に配列された多数の集積回路チップと相互接続され連係している。集積回路チップは2個以上の検出器と部分的に重なり合うように、検出器に対してずらされている。検出器は微小球(マイクロスフエア)により実質永久的に集積回路チップと接続されており、チップの部分的重なりにより、固定したタイル張り構造が形成される。
以上のことから了解されるように、これまでに提案された広い撮像領域を得る方式は一体構造または固定されたタイル張り方式のいずれかに依存している。放射線撮像に高解像度の半導体撮像方式が次第に採用されるにつれて、広い撮像領域を構成する効率的な方法が求められるようになっている。半導体撮像方式は半導体の費用および一体化された読出し電子装置のために多くの費用がかかる。したがって撮像領域における方形の各単位を最大限有効に利用することが重要となる。
アーチ形フレームの放射状区画内に摺動自在に収容されている交換可能な検出器モジュールを具備するX線断層撮影装置を記述した、GB-A-2030422を参照することができる。しかし、各検出器の幅が狭く、隣接する検出器から離間しているため、このシステムは面積の大きい「タイル張り形の」影像検出器としては不適当である。
別の分野では、米国特許第4891522には熱量計のための三次元多層高エネルギー粒子検出器が記述されている。各層は、導電性の接着テープにより担持部材に脱着可能に固定された多数の検出器モジュールで構成されている。この設計の最も重要な部分として、各検出器モジュールは、隣接する層の対応する検出器モジュールとの電気的接続のためフィードスルー接続ピンを包含している。このような三次元熱量測定検出器は撮像の分野と関係しておらず、またタイル張り形の影像検出面ないし影像検出平面形成の問題に対処するものでもない。さらに、その解像度は各検出器モジュールの大きさに限定されており、これはこの設計が高解像度画素撮像に適していないことを意味する。
本発明の目的は、タイル張り方式の利点を有する一方で前記従来技術の問題を解決するか少なくとも軽減する撮像システムおよび撮像方法を供給することである。
本発明の第1の側面によれば、複数の撮像素子タイルをそれぞれのタイル設置箇所に支持して、タイル張り形の撮像面を形成するための撮像支持体であって、各撮像素子タイルが、それぞれ信号が生成される複数のイメージセルを備えた撮像素子を包含するとともに、前記撮像素子タイルの設置面におけるそれぞれのタイル接点位置において少なくとも供給、制御信号および出力信号のための複数の接点を備えており、前記撮像支持体が、前記タイル設置箇所の各々におけるそれぞれの支持体接点位置において、少なくとも供給信号、制御信号および出力信号のための、前記タイル設置箇所に取り付けられた撮像素子タイルのそれぞれの接点と協働する複数の支持体接点と、それぞれのタイル接点と支持体接点との間に非破壊的で脱着可能な電気的接触を実現するように非破壊的で脱着可能な方法で前記撮像素子タイルを前記箇所に取り付けるための手段と、を包含することを特徴とする撮像支持体が得られる。
本発明の別の側面によれば:
複数の撮像素子タイルをそれぞれのタイル設置箇所に支持してタイル張り形の撮像面を形成するための撮像支持体であって、各撮像素子タイルが、それぞれ信号が生成される複数のイメージセルを備えた撮像素子を包含するとともに、前記撮像素子タイルの設置面におけるそれぞれのタイル接点位置において少なくとも供給信号、制御信号および出力信号のための複数の接点を備えており、前記撮像支持体が、前記タイル設置箇所の各々におけるそれぞれの支持体接点位置において、少なくとも供給信号、制御信号および読み出し信号のための、撮像素子タイルのそれぞれの接点と協働する複数の支持体接点を包含することを特徴とする撮像支持体を提供することと;
それぞれのタイル接点と支持体接点との間に非破壊的で脱着可能な電気的接触を実現するような非破壊的で脱着可能な方法で複数の前記撮像素子タイルを前記支持体上のそれぞれの設置箇所に脱着可能に取り付けること
を具備する、イメージングアレイの形成方法が提供される。
本発明はまた前記の装置および/または方法において使用するための撮像素子と、前記装置に基づいたシステムとに関する。
本発明は、それぞれ識別可能な出力信号を生成できる複数の撮像領域を備える種類の撮像素子に特に適している。
従来技術による大面積の撮像システムとは異なり、前記撮像素子は、取り外すべき素子、周囲の素子または支持体に損傷を与えることなしに取り外しが可能である。このようにして、不良な素子を容易かつ迅速に取り換えることができる。さらに、適正に機能している撮像素子を容易に取り外して同一のまたは別の撮像支持体上で再利用することができる。こうして1組の撮像素子と多数の異なる支持体とを用いて、撮像支持体ごとに沢山の撮像素子を揃える必要なしに、さまざま撮像面を構成することができる。その結果、モジュール式撮像面の組立ておよび保守を容易かつ経済的に行なうことが可能になる。
その最も広義においては、本発明は前記支持体に取り付けられる前記多数の撮像素子に限定されるものではない。例えば、口腔内歯科撮像や小さな対象物の非破壊検査などの用途においては、撮像素子を2個しか使用しない場合もあり、撮像支持体も2個の撮像素子を取り付けるように構成することができる。全視野胸郭部撮像などの別の用途では、数百個の撮像素子を1つ(またはそれ以上)の支持体に取り付けることもあり、また別の用途のための大型影像検出器において、さらに多くの撮像素子を用いる場合もある。
本発明のある実施例によれば、実装された電子回路を含む「能動的」半導体撮像素子を使用することができる。
ある好適な実施例では、撮像素子は半導体画素検出器、またはその他のアレイ検出器と、それに関連する読み出しチップとを包含している。
それに加えて(またはそれに代えて)、さらなる好ましい特徴としては、撮像素子を撮像支持体に向かって付勢する力を撮像素子に対し作用させる取り付け手段によって、各撮像素子が撮像支持体に取り付けられる。好ましくは、使用中、その力は(撮像素子を解放しようとするときまで)撮像素子に対して維持される。このような構成により、撮像素子を撮像支持体上で確実に位置決めするとともに、撮像素子と撮像支持体との間の電気的接続部において良好な接触圧力を得ることができる。これにより、非常に小型稠密かつ/または取付密度の高い用途であっても、撮像素子に対する非常に良好な電気的接続が確実に得られる。
ある実施例では、撮像素子が減圧空気(真空)により主面上の定位置に一時的に保持される。別の好適な実施例では、前記撮像素子はナットとボルト、またはねじを用いて脱着可能に固定される。これらおよびその他の実現可能な実施例では、撮像素子を撮像支持体に装着するのに、良好な位置合せおよび良好な電気的接触を確保するため、強さの程度が調整可能な力を加えることができる。
密接に関連した観点において、本発明は、撮像素子を撮像支持体に非破壊的で脱着可能な方法で固定するのに使用可能な固定手段を包含する撮像素子を提供するものである。
この固定手段はねじが切られていてもよく、また例えばねじが切られた孔またはピンを具備していてもよいが、それらは単なる例示にすぎない。
前記撮像素子は複数の影像検出領域を具備していてもよく、それら領域の各々からはそれぞれの識別が可能な出力を生成することができる。
前記撮像素子は、撮像素子と撮像素子が取り付けられた前記撮像支持体との間で供給、制御信号、および読み出し信号(出力信号)を転送するための複数の接点を具備していてもよい。
前記撮像素子は、検出領域または各検出領域から前記信号を読み出すための読み出し集積回路を具備していてもよい。
以下、付属図面を参照しつつ本発明の実施例を例示として記述する;付属図面において、
図1Aは、撮像素子の図式的な断面図である;
図1Bは、撮像支持体の一部の図式的な略断面図である;
図1Cは、撮像支持体上に配置された撮像素子の図式的な断面図である;
図2は、撮像支持体の図式的な平面図である;
図3は、撮像システムの図式的な図である;
図4は、撮像素子が配置された別の撮像支持体の図式的な図である;
図5は、撮像素子が配置された撮像支持体のさらに別の実施例の図式的な図である;
図6は、撮像素子が配置された撮像支持体のさらに別の実施例の図式的な図である。
本発明の実施例は、新しい撮像モザイクシステムと、複数の撮像素子(タイル)および撮像支持体を用いた撮像モザイクの作製方法を提供するものである。これらの撮像素子は、可逆的かつ非破壊的な方法で支持体上に配置され保持される。脱着可能の位置決め/固定手段により、個々の撮像素子を何度も取り外すことができるので、同一の撮像素子を異なる撮像支持体で使用することが可能であり、素子が不良と認められた場合、撮像支持体の損傷および撮像支持体上にある他の撮像素子の動作への悪影響を招くことなく素子の取り換えを行なうことができる。
個々の撮像素子を何回でも取り外し別の位置に移すことができるので、同一の撮像素子を多くの用途に使用することが可能になる。例えばマモグラフィに使用されている撮像素子を胸部X線用の別の撮像支持体上に即座に移すことができる。さまざまな撮像支持体の大きさや形状が異なっていても、必要となるのは一組の撮像素子だけである。また撮像素子の取り換えは非熟練者によっても可能であり、保守にかかる費用を最小化することができる。そのため、面積の大きい撮像領域が一体型の撮像手段または固定されタイル張り形の撮像平面である従来技術に対して、本発明は、個々の撮像素子の多目的利用および再利用を可能にし、他方、撮像領域の経済的な保守を可能にする脱着可能な撮像素子によって撮像モザイクが構成される新規の大面積撮像システムを提示するものである。
例示的な意味に限定される好適な実施例においては、撮像素子は、本出願人による特許出願PCT/EP95/02056に記述されているような能動半導体撮像素子(Active Semiconductor Imaging Devices(以下ASIDと称す))を具備している。ASIDは、大きさが数平方ミリメートルから数平方センチメートルの能動的、動的(ダイナミック)な半導体画素撮像素子である。
そのような1個の撮像素子(タイル)20の断面を図1Aに概略的に示す。この撮像素子の表面積は、用途および選択された半導体材料によって異なる。一般的な大きさは1平方ミリメートルから数平方センチメートルのオーダーであるが、本発明はこれらの寸法の撮像素子に限定されない。放射線は一方の面(図1Aの上面)から半導体検出器1に入射し、吸収されて電荷を発生させる。
検出器の出口面では電極パッドが検出器セルないし検出器画素を形成している。連続した放射により発生した電荷は、導電性マイクロバンプ2(インジウムバンプなど)を介して検出器画素に接続された対応する画素回路3に蓄積される。画素回路3は、前記撮像素子のマウント部4(例えば回路基板(以下PCBと称す)など)に取り付けられた半導体基板上に形成されている。このような撮像素子20はそれぞれ数万個の画素を有しているが、制御信号および電圧を供給し信号を読み出す外部線をおよそ5ないし10本必要とするだけである。これらの線はPCB4と、撮像素子20が取り付けられた撮像支持体22とに配設されている。
撮像素子20は、例えば微小な金属の球ないしバンプの形態をとる同数の接点5を備えている。図1Aおよび1Bに示すようにこれらの金属球は、撮像支持体22の回路基板9上にある同数の微小で適切な寸法を有する金属製の球面状の孔ないし空洞7と適合している。撮像支持体22上のこれら空洞は前記の制御、供給および信号線(図示せず)と接続されている。
撮像素子20は非破壊的な方法で撮像支持体22に取り付けられており、必要であれば別の撮像支持体22上に撮像素子20を容易に再配置するか、または撮像素子20を取り換えることができる。本実施例では、非破壊的な取り付けは、撮像素子20の下方から空気を抜き取ることが可能な撮像支持体22の付加的な小開口8によって行なわれ、撮像素子20の上面にかかる大気圧と撮像素子20下方の減圧された空気圧との圧力差によって撮像素子20を撮像支持体上に保持するようになっている。撮像支持体上の各設置箇所には、環状の可撓性不浸透性のシール材で形成されたガスケット6(Oリングなど)が配設され、撮像素子20の上面と下面との間の気圧差を確実に維持するようになっている。
また、撮像素子20および撮像支持体22には位置合せピン5aおよび位置合せ孔5bがそれぞれ設けられ、吸引前の撮像素子20の撮像支持体22上への位置決めを容易にしている(10μmよりも良好な位置決め精度の達成が可能である)。吸引後は、ピン5aにより、撮像素子20上の接点5が撮像支持体22上の雌コネクタ7と正しく適合させられる。さらに、ピン5aと孔5bとの間の許容誤差が厳格なために、図1に示す構成が水平に対してある角度に置かれるか上下が逆になった場合でも、撮像素子20の設置箇所(ソケット)からの撮像素子20の脱落がこれらのピンおよび孔によって防止される。
図2は撮像支持体22の平面図であり、撮像支持体22は支持面ないし支持平面(例えばPCB9)に撮像素子20のための複数の設置箇所(ソケット)を配設したものである。撮像素子20は素子の列が直線状に配列されたものとして配置されており、隣接する列は列方向にずらされていることに留意すべきである。これにより、国際特許出願PCT/EP95/02056に記述されているように撮像支持体22が列の軸に対し垂直な方向に移動すると、撮像素子20の間の狭い不活性領域がカバーされることになる。実際にはそれらの設置箇所の間隔は図2に概略的に示されているものよりも近接することになろう。
本発明のこの例によれば、すべての撮像素子20に対し吸引用の開口部が設けられており、図3に示すように撮像支持体22ごとに必要な共通の真空パイプは1本だけである。同じ図において、バルブ12は、ゲージ14でモニタされている真空状態を制御するものである。真空容器13は、必要な場合、真空状態をさらに強めるため真空バッファとして作用する。真空ポンプ15は、その存在によりまたはノイズの結果として外乱を生じることのないよう遠方に配置することができる。
マモグラフィなどの特別な使用例を考慮する場合、30cm×30cmの撮像面(国際特許出願PCT/EP95/02056に記述されている種類の撮像素子約600個)が必要となるであろう。それら600個の撮像素子は撮像支持体22のプリント回路基板9の上に取り付けられる。本発明のこの例によれば、各撮像素子20について1個の開口部8が設けられている。すべての開口部は、すべての撮像素子20を同時に吸引して定位置に置くための共通の真空パイプに接続されている。真空状態はゲージ14ないし圧力限界センサにより容易にモニタされ、緩衝容器13を介してさらに空気を吸い出すことができる。撮像素子20が一旦吸引されれば、ガスケット6が気密性のものなので、真空スイッチ12から真空パイプを取り外すことができる。
撮像素子20の取り外しが必要な場合、真空スイッチ12を開きさえずれば、1個以上の撮像素子20ないし、実際にはすべての撮像素子20の取り外しおよび再配置または取り換えを行なうことができる。上記のように、ピン5aと孔5bとの係合によって、操作者が撮像素子20を物理的に取り外すまで撮像素子20を保持することが可能になる。
本例において、開口部8はすべて、撮像支持体22の支持構造10内部の通路28を介して共通のバルブ12に接続されている。しかしながら、真空をそれぞれの設置箇所に関して個々の開口部8に加えるかまたは開口部8のグループに加えることができるように複数のバルブを設けることも可能である。選択的な吸引の解除または付加によって、撮像素子20の個別の取り付けまたは取り外しが容易になる。また、手動バルブの代わりに、電子制御バルブを設けて、例えば制御コンピュータまたは他の制御機構により制御を行なうこともできる。
図4は図1の撮像支持体に対する代替例を示している。図4Aは、図1Aのものと同様の撮像素子24の略断面図である。図4Bは、別の例の撮像支持体26の部分略断面図である。図4Cは、別例の撮像支持体26上に配置された撮像素子24の略断面図である。図4Dは、代替的な撮像支持体26の略平面図である。
図4に示すように、撮像支持体26における各接点17の表面には気密ガスケット16が配設されている。ガスケット16は、導電性で可撓性、不浸透性のシール材で形成されている。適切な材料としては、それ自体が導電性であるか、または例えば当業者には自明であるような適切な方法で導電材料を含浸させることにより導電性をもたせた材料であれば、どのようなものを用いてもよい。
各接点17には開口部18が設けられている。各ガスケット16はそれぞれの開口部18を取り囲んでおり、撮像支持体26上の対応する線路ないし電線19とも接続されている。本例においては、上記の例のように、開口部18を必要であれば共通のバルブ、または別々のバルブなどを介して共通の真空パイプに接続することができる。
このように、図4の実施例は、各撮像素子ごとではなく各接点ごとに独立したガスケットが設けられている点において図1の実施例と異なっている。撮像支持体の線路に直接接続された個別の導電性ガスケット16の使用により、撮像素子上の各バンプコネクタ5およびすべてのバンプコネクタ5と、撮像支持体26上の対応するめすコネクタ17との良好な接触が確保される。
第1の実施例のピン/孔5a、5bに対応する位置合せピンおよび位置合せ孔は図4の実施例には示されていないが、それらを図4の実施例において付加的に配設して撮像素子24の正確な位置決めおよび/または保持のために利用することもできる。
また脱着可能な取り付けは真空を用いず、例えばクリップ、ソケット装置、磁石等により実施してもよい。
図5は本発明の別の実施例を示している。この実施例では、撮像素子タイルを主面に取り付けるための吸引は必要とされない。図5Aは、絶縁層29とその絶縁層の孔内の導電性ゴムリングとを備えた主面支持体9の断面図である。図5Bは、撮像素子の設置箇所上方にある撮像素子を示す断面図である。図5Cは、撮像素子マウント部(例えばPCB)4の底面図および断面図である。図5Dは、撮像素子のねじに対するナットの係合によって撮像素子の設置箇所に固定された撮像素子の断面図である。
撮像素子マウント部4と主面9との間の各接点は、独立した導電性ゴムリング16によって確保される。これらは電気的に絶縁性の支持平面29における適切な孔内に配置されており、支持平面29は主面9の上部に位置合せされ接着されている。導電性ゴムリング内の孔は、この場合空気の吸引が行なわれないので不要である。しかし、それらの孔はタイルの位置合せのための利用に関しては、なお有用である。導電性ゴムリング16に代えて導電性重合体や金属製のばねなどを使用することもできる。ねじ31は撮像素子マウント部4の孔34内に挿入接着される。このねじは主面の孔32内に通されナット33により固定される。このナットは、撮像素子マウント部4の金属球5をゴムリング16に対して押圧するように締め付けられ、それによりゴムリング16は主面の金属パッドに対して押圧され良好な電気的接触を確保する。
本実施例は、国際特許出願PCT/EP95/02056に記述されているような複数の容易に取り外し可能な半導体画素撮像素子、または他の種類の画素半導体撮像素子を包含する撮像領域を提供するのに特に適している。本実施例は上記用途のすべてにおいて利用可能である。
本実施例は、撮像素子取り付けのために真空を与える必要がなく、その結果、費用が低減され使用が容易になるという利点を有している。また、導電性ゴムリングなどの可撓性接点素子を用いて良好な位置合せおよび良好な電気的接触を確保するため、ねじおよびナットによって、各撮像素子の取り付け力を個別に調整することもできる。撮像素子の数は用途によって大きく異なることが了解されよう。例えば、口腔内歯科撮像や小さな対象物の非破壊検査については撮像素子を2個しか使用しない場合もあり、そのような用途の撮像支持体もそれに応じて構成可能である。胸郭部の全視野撮像などのより大規模な撮像用途については、数百個の撮像素子が必要となる場合もある(それらは1つの撮像支持体に取り付けるか、またはそれ以上の撮像支持体上に分けて取り付けることができる)。
この具体例のナットおよびねじに代わる別の手段も使用可能であり、その場合でも本実施例の利点は保持される。
例えば、ナットの締め付けおよびその後の解放を容易にするため蝶ナットを使用することもできる。また、ナットをねじ上において伸長体形状とし、主面内の孔をスリット形状として、伸長体ナットをスロットに挿入して締め付け、その伸長体ナットを主面の裏面と係合させるようにすることも可能である。これらのナットおよびスロットの寸法を適切に設定することによって、許容可能な範囲の回転調整を行なうことができる。
さらに別の代替手段として、回転自在に取り付けられたピンを撮像素子のマウント部裏側に配設することができ、このピンは、主面内の同じ形状を有する鍵穴を通る少なくとも2個の垂直突起を備えており、鍵穴への挿入後このピンを回すことにより、突起が主面の裏側と係合して撮像素子を固定するようになっている。
別の実施例が図6に示されている。4つの概略図6A、6B、6Cおよび6Dは全体的に図5に対応しているが、この場合、撮像素子のマウント部5は、ねじ36の係合によって撮像素子を主面に固定できるねじ穴35を備えており、ねじ36は主面9における撮像素子の設置箇所に回転自在に取り付けられる。ねじ36は、撮像素子をその設置箇所に装着しようとする際に、撮像素子の設置箇所における主面9内の孔32に挿入することができる。
別の方法として、図6に示すように、ねじ36を撮像素子の設置箇所に恒久的かつ回転自在に取り付けることもできる。例えばねじのネック部をカラー37に取り付けることができ、このカラーは撮像素子の設置箇所における主面内の孔32を覆うように装着され、ねじ36がその設置箇所に回転自在に取り付けられるようになっている。本実施例において、撮像素子支持体は、ねじ穴を備えた撮像素子の装着が可能な直立ねじ36の配列を有するであろう。本実施例の利点は、その使用の容易性である。
本実施例のねじ36およびねじ穴35に代わる手段として、その他の同様な構成、例えば主面9に回転自在に取り付けられた差込ピンを備える鋲とマウント部5における差込ピン受容構造を備えた協働孔とを配設することも可能である。
本発明のある実施例、例えば上記実施例の一つを用いて、前記撮像素子の使用が予定された対応するシステム上に前記撮像支持体を作用可能に取り付けた、さまざまな医療機器を構成することが可能である。撮像素子は残りの撮像システムとは別に実装、供給することができ、平均的な技術職員であればそれらの素子の取り扱い、およびある平面から別の平面への再配置を行なうことができる。このように、すべてのシステムを同時に揃える場合よりも必要な撮像素子が少ないことにより、比較的高価な画素半導体撮像素子の使用が最適化される。また、保守も経済的に行なえるようになる。撮像面(モザイク)全体ではなく不良な撮像素子を取り換えることができ、さらにこの取り換えは平均的な技術職員が容易に行なうことができる。
本発明は、数平方ミリメートルを上回る面積が必要な、いかなる放射撮像フィールドにおけるいかなる種類の放射線に対しても利用することができる。特にX線およびガンマ線を用いた医学的診断のための撮像(コンピュータ断層撮影など)、バイオテクノロジーにおけるべータ線を用いた撮像(被撮像試料における標識としてアイソトープを用いるもの)、および非破壊検査および品質管理に関する工業用用途が考えられる。
そのため、モザイク撮像システム、および個別の撮像素子(複数)(タイル)からなるモザイク撮像平面を組み立てる方法について上に記述を行なってきた。
その方法は以下のステップを包含している:
1)撮像素子において多くの接点を介してすべての必要な制御信号、供給信号および読み出し信号を得られるような個々の撮像素子(タイル)を製造し、またそれらを実装するステップ;
2)前記撮像素子の各接点ごとに接点を有する撮像支持体(主面)を製造するステップであって、その撮像支持体の接点は外部回路との接続のために適切な制御、供給および読み出しの信号線と接続されており、それら撮像支持体の接点が好ましくは前記撮像素子の接点との協働によって撮像素子の位置合せを容易にする機能も果たすことを特徴とするステップ;
3)各撮像素子を前記主面上に、対応する接点を位置合せして配置するステップ;
4)前記撮像素子をその後に損傷を与えることなく個々に取り外せるような非破壊的方法で、個々の撮像素子それぞれの位置を前記撮像支持体上に脱着可能に固定するステップ。
この脱着可能な固定は、非破壊的な方法で行なわれ、それにより撮像素子の撮像支持体に対する脱着を複数回行なっても撮像素子、基板および対応する接点が実質的に同じ状態に保たれるようになっている。
その脱着可能な取り付けは、以下のものを含む代替的(別の)技術を用いて行なうこともできる:
撮像素子が定位置に吸引される上記のような減圧空気ないし真空;
撮像素子におけるPCBその他の取り付け手段に接着され、主面の対応する孔を貫通したねじであって、主面の反対側でナットによって固定されるねじ;
撮像支持体の対応するソケットに差し込まれるピンを撮像素子が備えているようなソケット構造(好ましくは挿入力ゼロのソケット手段);
機械的クリップ、ストリング等により撮像素子を定位置に保つようなクリップ;
撮像支持体上または撮像素子上、または双方における小型磁石が撮像素子を撮像平面に固定するような磁石;
その他の機械的構成、
などである。
上に具体的な実施例を述べてきたが、本発明から逸脱することなく多くの変型および代替例を実施しうることが了解されるべきである。
例えば撮像モザイク平面は、CCD、フォトダイオード、薄膜トランジスタを備えたアモルファスのケイ素およびセレンその他の半導体素子および、脱着可能のNaIシンチレーティングクリスタル(NaI結晶など)や小規模なワイヤガスチャンバなど、他の非半導体画素素子を含んでもよい。
また、撮像素子上に接点となる球面ないしバンプを設けて撮像支持体上の孔ないし空洞と適合させる代わりに、バンプの少なくとも一部ないしすべてを撮像支持体に設けて、撮像素子をそれらと協働する構成とすることもできる。さらに、他の実施例ではバンプと孔ではなく他の接点の構成(ピンやプレートなど)を用いることができる。
また、例えば吸引とねじとを用いるなど、個々の実施例の特徴を組み合わせることも可能である。
Claims (33)
- タイル張り形の撮像面を形成する複数の撮像素子タイルを複数の各タイル設置箇所で支持する撮像支持体であって、
各撮像素子タイルは、
複数の各信号を生成する複数の撮像セルと、複数の読み出し回路とを有する撮像素子と、
前記撮像素子タイルの設置面上の複数の各タイル側接点箇所に、少なくとも供給、制御および出力信号用の複数のタイル側接点と、
を備え、
前記撮像支持体は、
前記撮像素子タイルが前記タイル設置箇所に設置された時に、前記撮像素子タイルの前記タイル側接点箇所と対応する位置に設けられ少なくとも供給、制御および出力信号用の前記複数のタイル側接点と合致する複数の支持体側接点と、
前記各タイル側接点と支持体側接点との間に非破壊的で脱着可能な電気的接触を提供するように、非破壊的で脱着可能な方法で前記タイル設置箇所に前記撮像素子タイルを取付設置する手段と、
を具備する撮像支持体。 - 複数の前記支持体側接点が、前記撮像素子タイル上にある対応する形状のバンプ形状の前記タイル側接点を受容するための複数の凹部か、または前記撮像素子タイル上にある対応する形状の凹部に係合するための複数のバンプ形状接点を含むことを特徴とする、
請求項1による撮像支持体。 - 前記支持体が、撮像素子タイルの脱着可能の取り付けを取り付け手段により行なうよう構成されており、前記取り付け手段が、前記撮像素子を開放しようとするときまで前記撮像素子タイルを前記支持体に向けて付勢する力を前記撮像素子に対して維持することを特徴とする、
請求項1による撮像支持体。 - 前記取り付け手段が、撮像素子設置箇所に前記撮像素子タイルを脱着可能に取り付けるための調整可能な取り付け力を加えるように構成されていることを特徴とする、
請求項3による撮像支持体。 - 前記脱着可能の取り付け手段が、前記設置箇所における通路を具備しており、前記通路が、前記撮像素子タイルと前記撮像素子設置箇所における前記撮像支持体との間の空気圧を減ずるための減圧手段に接続されているかまたは接続可能であることを特徴とする、
請求項4による撮像支持体。 - 前記脱着可能の取り付け手段が、前記撮像支持体上における前記設置箇所の各接点の位置に通路を具備しており、前記通路が減圧手段に接続されているかまたは接続可能であることを特徴とする、
請求項5による撮像素子。 - 複数の設置箇所のための各通路が共通の減圧手段に接続されていることを特徴とする、
請求項5による撮像支持体。 - 前記接点位置がそれぞれ、前記設置箇所における前記撮像素子タイルの対応する接点の下で真空状態を維持するためシールで囲まれていることを特徴とする、
請求項5による撮像支持体。 - 前記シールが、前記撮像素子タイルの前記対応する接点を前記撮像支持体上の導体に電気的に接続するため導電性を有していることを特徴とする、
請求項8による撮像支持体。 - 前記撮像素子タイルをねじ係合可能な手段によって取り付けるように構成された、
請求項4による撮像支持体。 - 前記取り付け手段が、前記支持体上における前記各撮像素子設置箇所のための孔を包含しており、前記孔が前記撮像素子タイルから突出した固定手段を収容するため適切な直径を有していることを特徴とする、
請求項3による撮像支持体。 - 前記固定手段と係合する締結手段が、前記撮像支持体上における前記各撮像素子設置箇所の孔ごとに設けられていることを特徴とする、
請求項11による撮像支持体。 - 前記締結手段がナットでありかつ前記固定手段がねじであって、前記孔を貫通して延びる前記ねじによって前記撮像素子設置箇所に前記撮像素子タイルが位置決めされた後に前記ねじ上で締め付けられるように前記ナットが構成されており、それにより、調整可能な取り付け力によって前記撮像素子タイルを前記撮像素子設置箇所に固定するように前記ナットが使用されることを特徴とする、
請求項12による撮像支持体。 - 前記取り付け手段が、撮像素子タイルのマウント部におけるねじ穴と係合するための、各撮像素子設置箇所に配置されているかまたは配置可能なねじを包含していることを特徴とする、
請求項10による撮像支持体。 - 前記各支持体側接点位置に、前記撮像素子タイルの対応する接点を前記撮像支持体上の導体と電気的に接続し、かつその電気的接続を確保する導電手段が設けられていることを特徴とする、
請求項1による撮像支持体。 - 独立した絶縁層を具備し、前記導電手段が前記独立した絶縁層に設けられ、前記独立した絶縁層が前記撮像素子タイルと前記撮像支持体との間に配置されるとともに、前記各支持体側接点位置と撮像素子タイルの対応する接点との間に前記導電手段を介して電気的接触をもたらすように位置合せされていることを特徴とする、
請求項15による撮像支持体撮像支持体。 - 各導電手段が、前記撮像素子タイル側接点のバンプまたは前記撮像支持体側接点のバンプを前記撮像支持体の対応する接点または前記撮像素子タイルの対応する接点とそれぞれ位置合せするための孔を有することを特徴とする、
請求項14による撮像支持体。 - 前記導電手段が導電ゴム、導電性重合体または金属ばねを包含していることを特徴とする、
請求項15による撮像支持体。 - 前記撮像素子タイルを前記撮像支持体から離間させるための少なくとも1個の弾性的に圧縮可能なスペーサを具備する、
請求項1による撮像支持体。 - 前記設置箇所に取り付けるための複数の撮像素子タイルとともに、請求項1の撮像支持体を具備する、
撮像システム。 - 請求項1に記載の複数の異なる撮像支持体と、選択された撮像支持体上にいつでも同時に取り付け可能であるが取り外しも可能であり、それにより別の前記撮像支持体に取り付けることができる共通の1組の撮像素子タイルと、を具備する、
撮像システム。 - 前記撮像素子タイルが、
それぞれ複数の信号を生成する複数の撮像セルと、複数の読み出し回路とを有する撮像素子と、
前記撮像素子タイルが前記撮像支持体のタイル設置箇所に設置された時に前記撮像支持体の各支持体側接点と合致して前記撮像素子タイルと前記撮像支持体との間で供給、制御および出力信号を転送するための複数のタイル側接点を有する台と、
前記タイル設置箇所において前記複数の各タイル側接点と複数の支持体側接点との間に非破壊的で脱着可能な電気的接触を提供するように、非破壊的で脱着可能な方法で前記撮像支持体上のタイル設置箇所に前記撮像素子タイルを脱着可能に係合する固定手段を具備する、
請求項20によるシステムと共に用いるための撮像素子タイル。 - 前記撮像素子タイルを前記撮像支持体に向けて付勢するための前記撮像素子タイルにかかる力を維持するような方法により前記撮像素子タイルの脱着可能な取り付けを行なうように前記固定手段が構成されていることを特徴とする請求項22による撮像素子タイル。
- 前記固定手段が、前記撮像支持体上に前記撮像素子タイルを脱着可能に取り付けるための調整可能な取り付け力を加えるように構成されていることを特徴とする、
請求項22の撮像素子タイル。 - 前記固定手段が、ねじ付き固定手段を包含していることを特徴とする、
請求項22による撮像素子タイル。 - 前記固定手段がねじを包含していることを特徴とする、
請求項25による撮像素子タイル。 - 前記固定手段がねじ穴であることを特徴とする
請求項25による撮像素子タイル。 - 画素半導体撮像素子の形態をとっている、
請求項26による撮像素子タイル。 - タイル張り形の撮像面を形成する複数の撮像素子タイルを複数のそれぞれのタイル設置箇所で支持する撮像支持体であって、それぞれ複数の信号を生成する複数の撮像セルと複数の読み出し回路とを有する撮像素子と、少なくとも供給、制御、および出力信号用の前記撮像素子タイルの設置面上の複数のそれぞれのタイル側接点箇所に複数のタイル側接点とを有する複数の各撮像素子タイルを支持し、前記撮像素子タイルが前記タイル設置箇所に設置された時に、前記撮像素子タイルの複数のタイル側接点箇所と対応する位置に設けられ少なくとも供給、制御、及び出力信号用の複数のぞれぞれの前記タイル側接点と合致する複数のそれぞれの支持体側接点とを備える前記撮像支持体を提供するステップと、
複数の各タイル側接点と複数の支持体側接点との間に非破壊的で脱着可能な電気的接触を提供するように、非破壊的で脱着可能な方法で前記支持体上の複数のそれぞれのタイル設置箇所に複数の前記撮像素子タイルを脱着可能に取付設置するステップと、
を含むイメージングアレイの形成方法。 - 複数の撮像素子タイルをそれぞれの定位置にそれぞれ支持してタイル張り形の撮像面を形成するための複数の撮像支持体を供給するステップと;
最初に非破壊的に脱着可能な方法で前記撮像素子タイルを第1の前記撮像支持体に脱着可能に取り付けるステップと;
次に前記撮像素子タイルの少なくとも一部を前記第1の支持体から取り外し、非破壊的、脱着可能な方法で前記撮像素子タイルを第2の前記撮像支持体に脱着可能に取り付けるステップと;
を具備する
請求項29によるイメージングアレイの形成方法。 - 前記撮像素子タイルを脱着可能に取り付けるステップが、前記撮像素子タイルに対して維持すべき力を加えて前記タイルを前記撮像支持体に向けて付勢することにより前記撮像素子タイルを固定するステップを包含していることを特徴とする、
請求項29による方法。 - 前記撮像素子タイルを脱着可能に取り付けるステップが、脱着可能で非破壊的な方法で前記撮像素子を前記支持体上に正確に位置決めし固定するため、強さの程度が調整可能な取り付け力を加えるステップを包含していることを特徴とする、
請求項20によるイメージングアレイの形成方法。 - 前記撮像素子が、画素半導体撮像素子であることを特徴とする、
請求項29によるイメージングアレイの形成方法。
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US7492857B2 (en) * | 2002-12-19 | 2009-02-17 | General Electric Company | Self-aligning scintillator-collimator assembly |
US7177387B2 (en) * | 2003-11-29 | 2007-02-13 | General Electric Company | Self-aligning scintillator-collimator assembly |
US7190759B2 (en) * | 2002-12-19 | 2007-03-13 | General Electric Company | Support structure for Z-extensible CT detectors and methods of making same |
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JP5128052B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2013-01-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出ユニット、光検出装置、及びx線断層撮像装置 |
US9332950B2 (en) | 2005-05-02 | 2016-05-10 | Oy Ajat Ltd. | Radiation imaging device with irregular rectangular shape and extraoral dental imaging system therefrom |
CN100559584C (zh) * | 2005-05-02 | 2009-11-11 | 日本先进系统株式会社 | 具有插口功能的半导体插件、半导体组件、电子电路组件以及带插口的电路基板 |
US7742560B2 (en) | 2005-05-02 | 2010-06-22 | Oy Ajat Ltd. | Radiation imaging device with irregular rectangular shape and extraoral dental imaging system therefrom |
CN101685072B (zh) * | 2008-09-28 | 2011-05-11 | 同方威视技术股份有限公司 | 用于辐射成像的探测器模块及具有其的辐射成像检查系统 |
US7795573B2 (en) * | 2008-11-17 | 2010-09-14 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Detector with mounting hub to isolate temperature induced strain and method of fabricating the same |
CN102246057A (zh) * | 2008-12-10 | 2011-11-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用作可缩放pet和spect系统构建块的自主探测器模块 |
US8117741B2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-02-21 | Oy Ajat Ltd | Method for manufacturing a radiation imaging panel comprising imaging tiles |
US9158369B2 (en) * | 2010-10-12 | 2015-10-13 | Tactonic Technologies, Llc | Sensors having a connecting frame and method for composite sensors |
JP2014150087A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板 |
JP2015053418A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
DE102015115812A1 (de) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
JP6776024B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-28 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | X線検出器、x線検出器モジュール、支持部材及びx線ct装置 |
US9953909B2 (en) * | 2016-07-18 | 2018-04-24 | Intel Corporation | Ball grid array (BGA) with anchoring pins |
CN112951864B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-08-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种拼接用图像传感器的窄边柔性封装结构及其封装方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3765431A (en) * | 1969-10-16 | 1973-10-16 | Western Electric Co | Apparatus for handling and maintaining the orientation of a matrix of miniature electrical devices |
DE2840965C2 (de) * | 1978-09-20 | 1982-11-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Strahlendiagnostikgerät für die Erzeugung von Schichtbildern eines Aufnahmeobjekts |
US4807000A (en) * | 1987-03-02 | 1989-02-21 | Honeywell Inc. | High density small element optical mosaic detector |
US4891522A (en) * | 1988-10-11 | 1990-01-02 | Microtronics Associates, Inc. | Modular multi-element high energy particle detector |
JPH03106528U (ja) * | 1990-02-16 | 1991-11-05 | ||
US5065245A (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-12 | Eastman Kodak Company | Modular image sensor array |
FR2693033B1 (fr) * | 1992-06-30 | 1994-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'imagerie de grande dimension. |
US5436458A (en) * | 1993-12-06 | 1995-07-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Solid state radiation detection panel having tiled photosensitive detectors arranged to minimize edge effects between tiles |
US5635718A (en) * | 1996-01-16 | 1997-06-03 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-module radiation detecting device and fabrication method |
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