KR19990077326A - 멀티 모듈 방사선 검출 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
멀티-모듈 방사선 검출 장치, 멀티-모듈 방사선 검출 장치내에 포함된 방사선 검출 모듈, 및 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 조립하기 위한 방법이 제공된다. 방사선 검출 모듈은 캐리어 기판 및 캐리어 기판 상에 탑재된 방사선 검출 타일을 포함한다. 모듈은 방사선 검출 타일내의 방사선 검출 소자를 베이스 기판 상의 도전성 콘택트에 접속시키기 위한 상호 결선 구소를 포함한다. 모듈은 베이스 기판에 관련되고 검사 및 번-인 동작에 사용되는 검사 고정물에 관련된 모듈의 부착 및 분리를 용이하게 한다. 모듈은 검사 및 번-인, 조립, 및 재작업 동작 시의 부착 및 분리 동안의 상호 결선 인터페이스에서 생성되는 열 및/또는 기계적 응력로부터 방사선 검출 타일을 고립시키도록 구성된다. 결과적으로, 모듈은 강화된 신뢰도를 갖는 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 생산하는데 사용될 수 있다. 모듈은 재작업에도 불구하고 장치 신뢰도를 유지하는 것을 도와서, 재작업 가격을 감소시키게 된다.
Description
방사선 촬영 화상(radiographic image)은 X-선 방사선 하에 물체를 노출시킴에 의해 형성된다. 물체는 X-선 방사를 변화시켜서, 물체를 묘사하는 방사선 패턴을 생성한다. 종래의 방사선 촬영에 있어서, 방사선 패턴은 은 할로겐화물(silver halide) 또는 건식 은 필름(dry silver film)과 같은 방사선 감지 매체의 판 상에 화상으로서 기록된다. 더욱 최근에는, 방사선 촬영 기술은 디지탈 기술쪽으로 이동하기 시작했다. 특히, 종래 방사선 촬영에서 사용되는 막을 고체 상태 방사선 검출 장치와 대체하여 직접 디지탈 방사선 촬영을 제공하려는 노력이 시도되었다.
다양한 고체 상태 방사선 검출 장치기 제안되었다. 제안된 고체 상태 방사선 검출 장치의 일부가 예를 들면 Berger 등의 미국 특허 제4,810,881호, Jagielinski의 미국 특허 제5,105,087호, Tran 등의 미국 특허 제5,235,295호, 및 Tran 등의 미국 특허 제5,436,458호에 설명된다. 제안된 방사선 검출 장치의 일부는 광다이오드 어레이를 포함한다. 광다이오드는 형광층(phosphor layer)을 통해 수신된 X-선 방사선 또는 광 방사선을 전기전 전하로 변환시킨다. 검출 장치는 또한 픽셀 어드레싱 및 전하 센싱을 용이하게 하기 위해서 각각의 광 다이오드와 하나 또는 그 이상의 트랜지스터를 포함할 수 있다. 그러므로, 광다이오드 및 트랜지스터 쌍은 방사선 검출 소자를 형성하여 픽셀 대 픽셀 단위로 X-선 방사를 검출한다. 제안된 장치의 다른 유형은 광도전층 인근에 위치한 트랜지스터의 어레이를 사용한다. 광도전층은 X-선 방사를 전기적 전하로 변환시켜서 트랜지스터에 의해 감지된다. 광도전체 및 트랜지스터는 픽셀 대 픽셀 단위로 전기적 전하를 검출하는 방사선 검출 소자를 형성한다.
본 발명은 일반적으로 전자 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히 멀티 모듈 방사선 검출 장치의 제조 기술에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 멀티 모듈 방사선 검출 장치의 예의 전면도.
도 2는 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립에 사용되는 제1 실시예의 방사선 검출 모듈의 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립에 유용한 제2 실시예의 방사선 검출 모듈의 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립에 유용한 제3 실시예의 방사선 검출 모듈의 측면도.
도 5는 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립을 도시하는 평면도.
도 6은 본 발명에 따른 도 4의 모듈과 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립을 위한 베이스 플레이트 예를 도시하는 평면도.
각각의 제안된 방법에 공통적인 한가지 목표는 특별한 방사선 촬영 응용예에 충분히 큰 면적을 갖는 고체 상태 방사선 검출 장치를 제조하는 것이다. 예를 들면, 표준 흉부 X-선은 14인치×17인치(35.56㎝×43.18㎝)의 화상 면적을 필요로 한다. 집적 회로 장비로 인해 큰 면적의 반도체 웨이퍼의 비효용성으로 인해 고체 상태 방사선 검출 장치의 제조에 사용되는 트랜지스터 어레이의 면적이 제한된다. 더욱이, 수율은 어레이의 면적이 증가함에 따라 신속히 감소한다. 그러므로, 수율과 면적 사이에는 트레이드-오프가 있다. 그러한 제약의 관점에서, 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 제조에 관한 노력이 있어왔다. 멀티-모듈 방사선 검출 장치는 복수개의 개별적인 검출기 모듈 또는 "타일"을 포함한다. 모듈은 어레이 형태로 조립되어 흉부 X-선과 같은 방사선 촬영 응용예에 대한 큰 전체 면적을 갖는 방사선 검출 장치를 형성한다.
멀티-모듈 검출기에 있어서, 일반적으로 모듈은 보통 "마더보드"라 칭하는 베이스 기판 상에 일체로 탑재된다. 베이스 기판은 리드아웃 회로에 접속된 도전성 콘택트를 포함한다. 개별 모듈은 또한 방사선 검출 소자에 접속된 도전성 콘택트를 포함한다. 직접 땜납 접속은 일반적으로 모듈 상의 콘택트와 베이스 기판 상의 콘택트 사이에 수행된다. 직접 땜납 접속은 2개의 중요한 문제가 있다. 구체적으로, 직접 땜납 접속은 조립 이전에 분리된 무듈의 검사 및 번-인(burn-in)을 복잡하게 하여 조립 이후의 결함있는 모듈의 제거, 수리 및 교환을 어렵게 한다.
방사선 검출 장치는 복잡하며 고가이다. 그러므로, 베이스 기판 상에 조립하기 전에 각각의 모듈을 검사하는 것이 바람직하다. 각각의 모듈 상의 도전성 콘택트의 수 및 밀도가 전기적 연속성 검사에 대한 검침을 사용하는 것을 어렵게 한다. 이러한 이유로, 각각의 모듈을 검사 및 번-인을 위해 검사 고정물(fixture)에 탑재시키는 것이 바람직하다. 모듈을 검사 고정물에 일시적으로 부착하는 것은 그러나 일반적으로 바람직하지 않은데, 이는 추가 땜납, 땜납 제거 및 세정 단계에 의해 모듈이 손상될 수 있기 때문이다. 또한, 땜납, 땜납 제거, 및 세정은 소비성 공정이므로 제조 단가를 증가시킨다. 또한, 땜납 제거 및 세정 이후에, 모듈은 베이스 기판으로 부착시키기 위한 다른 땜납 단계를 거쳐야 한다.
모듈이 조립 동안 손상되거나 또는 베이스 기판과 임의의 불량 땜납 접속이 된다면, 모듈은 방사선 검출 장치로부터 제거되어야 한다. 사용 동안 모듈이 고장나는 경우 또한 제거가 필요하다. 모듈은 땜납 제거되어야 하고 모듈이 탑재된 부분의 베이스 기판 면적은 새로운 모듈로 교체되기 전에 세정되어야 한다. 인접 모륭과의 정밀한 패킹(packing)은 그러한 재작업을 어렵게 한다. 빈 공간을 제거하기 위해, 인접 모듈들 사이의 틈은 거의 25마이크론 수준이 될 수 있다. 모듈의 제거 및 교체 동안, 인접 모듈들은 손상을 입을 수 있다. 특히, 땜납 제거 공정은 인접 모듈들은 과도한 열에 노출시키고 베이스 기판 및 모듈내에 큰 응력을 생성한다. 결과적으로, 인접 모듈은 손상될 수 있고, 일부 경우에는, 복구불가능한 손상을 끼쳐 제거해야만 한다. 새로윤 모듈의 설치 동안에도 유사한 손상 가능성이 잠재되어 있다. 또한, 노후된 땜납을 제거하거나 평탄화시키고 노후된 용매제 찌꺼기(flux residue)를 제거하는 식으로 베이스 기판은 설치 이전에 세정되어야 한다. 작업 공간의 부족은 또한 세정 동작을 어렵게 한다.
멀티-모듈 방사선 검출 장치를 구현하는데 있어서의 방사선 검출 모듈의 부착 및 분리에 연관된 상술한 문제의 측면에서, 개선된 방사선 검출 모듈이 요구된다. 특히, 검사 및 번-인, 조립 및 재작업 동작 동안의 부착 및 분리로 인한 모듈 및 기존의 모듈들에 대한 손상 가능성을 감소시키는 방사선 검출 모듈이 필요하다.
<발명의 요약>
본 발명은 멀티-모듈 방사선 검출 장치, 멀티-모듈 검출 장치에서 채용되는 방사선 검출 모듈, 및 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 조립 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 방사선 검출 장치는 캐리어 기판 상에 탑재된 캐리어 기판 및 방사선 검출 타일을 포함한다. 본 발명의 모듈은 베이스 기판 상에서 방사선 검출 타일내의 방사선 검출 소자를 도전성 콘택트와 접속시키기 위한 상호 접속 구조를 포함한다. 본 발명의 모듈은 베이스 기판에 대한 및 검사 및 번-인 동작에 사용되는 검사 고정물에 대한 모듈의 부착 및 분리를 용이하게 한다. 본 발명의 모듈은 검사 및 번-인, 조립 및 재작업 동작 시의 부착 및 분리 동안의 상호 접속 인터페이스에서 생성된 열 및/또는 기계적 응력으로부터 방사선 검출 타일을 고립시키기 위한 구조이다. 결과적으로, 본 발명의 모듈은 개선된 신뢰도를 갖는 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 생성하는데 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치의 예의 전면도이다. 도 1에 도시된 것처럼, 검출 장치(10)은 베이스 기판(12) 및 어레이 형태로 베이스 기판 상에 탑재된 복수의 방사선 검출 모듈(14)을 포함한다. 각각의 방사선 검출 모듈(14)은 캐리어 기판 및 캐리어 기판 상에 탑재된 방사선 검출 타일(18)을 포함한다. 각각의 방사선 검출 타일(18)은 픽셀 대 픽셀 기준으로 방사선을 검출하기 위한 방사선 검출 소자(도시 없음)의 어레이를 포함한다. 각각의 방사선 검출 소자는 예를 들면, 광다이오드, 하나 또는 그 이상의 트랜지스터와 하나 또는 그 이상의 광다이오드의 결합, 또는 광도전층 인접에 배치된 트랜지스터의 결합에 의해 구현될 수 있다. 필요하다면, 종래의 또는 구조화된 형광층이 타일(18)에 추가될 수 있다. 방사선 검출 소자는 X-선 방사선과 같은 방사선을 전기적 신호로 변환시킨다. 각각의 방사선 검출 타일(18)은 캐리어 기판(16)에 의해 제공되고 이와 연관된 도전 경로를 통해 베이스 기판(12) 상의 도전성 콘택트로 전기적으로 결합된다. 이러한 방식으로, 방사선 검출 소자에 의해 생성된 전기 신호는 베이스 기판(12)를 통해 디지탈 데이타 획득 시스템으로 간다.
방사선 검출 모듈(14)은 베이스 기판(12)에 대한 및 검사 및 번-인 동작에 사용되는 검사 고정물에 대한 모듈의 부착 및 분리를 용이하게 한다. 모듈(14)은 검사 및 번-인, 조립, 및 재작업 동작 시의 부착 및 분리 동안의 상호접속 인터페이스에서 생성되는 열 및/또는 기계적 응력으로부터 방사선 검출 타일(18)을 고립시키기 위한 구성이다. 캐리어 기판(16)은 방사선 검출 타일(18)과 베이스 기판(12) 사이에서 간접적인 상호접속을 가능하게 하고, 타일에 대한 잠재적 손상을 감소시킨다. 결과적으로, 모듈(14)은 재작업 동작에도 불구하고 장치 신뢰도를 유지하도록 하며, 재작업 가격을 감소시킬 수 있다. 모듈(14)의 구성에 의해 제공되는 이점은 도 2 내지 도 4에서 도시된 모듈의 설명에서 더욱 명백해질 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치(10)의 조립에 유용한 제1 실시예의 방사선 검출 모듈(14A)의 측면도이다. 도 2에 도시된 것처럼, 모듈(14A)는 캐리어 기판(16) 및 방사선 검출 타일(18)을 포함한다. 방사선 검출 타일(18)은 주 표면(21) 상에 복수의 전기적 도전성 콘택트(20)를 포함한다. 캐리어 기판(16)은 방사선 검출 타일(18)의 주 표면(21)에 대향한 주 표면(23) 상에 복수의 전기적 도전성 콘택트(22)를 포함한다. 캐리어 기판(16)의 주 표면(23)은 방사선 검출 타일(18)의 주 표면(21)의 면적보다 약간 작은 크기의 면적을 갖는다. 다시 말하면, 각각의 주 표면(23)의 주 체적은 주 표면(21)의 주 체적보다 작다. 캐리어 기판(16)은 방사선 검출 타일(18)보다 약간 작은 크기이므로 타일과 캐리어 기판 사이의 임의의 정합 오차는 베이스 기판(12) 상의 인접 모듈(14A)의 순차적인 정렬과 간섭되지 않는 한 무방하다. 별도로, 캐리어 기판(16)의 주 표면(23)은 제공된 방사선 검출 타일(18)의 주 표면(21)과 거의 동일한 크기가 될 수 있어서, 주 표면(25)은 주 표면(21)보다 작다. 또한, 캐리어 기판(16)은 양호하게는 방사선 검출 타일(18)의 것과 거의 일치된 열 확장 계수를 가져서 땜납 또는 땜납 제거 동안의 과도한 열로 인한 응력을 방지할 수 있다. 방사선 검출 타일(18)의 측면 모서리는 그라인딩, 폴리싱, 또는 비벨링과 같은 추가 공정을 격게되어, 인접 타일들 사이에는 소망된 틈 체적, 예를 들면 1 내지 100 마이크론을 구할 수 있다.
도 2의 예에서, 콘택트(20 및 22)는 도전성 콘택트 패드를 포함한다. 콘택트 패드(20, 22)는 땜납 볼(26)과 상호 접속된다. 용해된 상태에서의 땜납 패드(20, 22)의 표면 장력은 다른 것과 관련된 콘택트 패드(20, 22)를 정렬하는데 도움을 준다. 캐리어 기판(16)은 캐리어 기판 대향 주 표면(23)의 다른 주 표면(25) 상에서 도전성 콘택트(24)로 콘택트 패드(22)를 전기적으로 접속시키는 내부 도전 트레이스(internal conductive trace: 도시 없음)를 포함한다. 도 2에서, 콘택트(24)는 끝이 가는 도전 핀에 의해 구현된다. 핀(24)은 베이스 기판(12)내에 형성된 도전 소캣(도시 없음)에 맞물리도록 구성된다. 이러한 유형의 맞물림은 모듈(14A)가 베이스 기판(12)에 전기적 및 기계적으로 결합되도록 한다. 별도로, 핀(24)은 땜납 조인트로 소캣에 접속될 수 있다. 검사 및 번-인을 위해서, 핀(24)은 검사 고정물내에 형성된 도전 소캣을 착탈 가능하게 맞물리도록 구성된다. 모듈(14A)은 단순히 검사 고정물로 "플러그"될 수 있다. 그러므로, 검사 및 번-인 동작의 수행에 있어서 단계의 수가 감소하고 방사선 검출 타일(18)에 대한 손상의 위험이 적다. 땜납 접속이 검사 및 번-인에 사용되는 경우라도, 그러한 접속은 방사선 검출 타일(18)이 열 및 기계적 응력으로부터 고립되도록 하는 캐리어 기판(16)에 이용 된다.
캐리어 기판(16)내에 형성된 내부 도전 트레이스는 예를 들면 3개의 금속화 층으로서 달성될 수 있다. 금속층들은 패턴화되어 어드레싱 라인, 센싱 라인 및 DC 전류를 형성하고, 콘택트(22) 및 핀(24)를 접속하는 비아(via)를 구비한다. 어드레싱, 센싱, 및 DC 전류 라인은 콘택트(20, 22) 및 땜납 볼(26)을 통해 방사선 검출 타일내의 방사선 검출 소자에 전기적으로 결합된다. 상호 결선의 상당수가 콘택트(20)의 적어도 일부를 콘택트(22)를 통해 공통 핀(24)으로 전기적으로 결합시키기 위해 캐리어 기판(16)내에서 내부적으로 이뤄진다. 멀티플렉싱 회로는 핀(24)의 수의 감소를 돕기 위해 캐리어 기판내에 포함될 수 있다. 핀(24)와 관련된 어드레싱 및 센싱 라인은 다음으로 공통 핀에 결합된 개별 방사선 검출 소자를 동작시키기 위해 멀티플렉스될 수 있다. 핀(24)의 수는 콘택트(20, 220의 수보다 훨씬 작을 수 있다. 이러한 방식으로, 캐리어 기판(16)과 베이스 기판(12) 사이의 상호 결선의 수는 캐리어 기판과 방사선 검출 타일(18) 사이의 상호 결선의 수에 비해 크게 감소될 수 있다. 예를 들면 핀(24)의 수는 콘택트(20, 22)의 수보다 10의 인수 이상 작을 수 있다는 것이 예상된다. 핀(24)이 감소된 수 및 그로 인한 캐리어 기판(16)과 베이스 기판(12) 사이의 상호 결선의 감소된 수는 검사 및 번-인, 조립, 및 재작업 동작에 대한 부착 및 분리를 상당히 축진시킨다.
도 3은 본 발명에 따른 멀티-모듈 방사선 검출 장치(10)의 조립에 유용한 방사선 검출 모듈(14B)의 제2 실시예의 측면도이다. 도 2의 모듈(14A)와 유사하게, 모듈(14B)는 캐리어 기판 상에 탑재된 캐리어 기판(16) 및 방사선 검출 타일(18)을 포함한다. 또한, 방사선 검출 타일(18) 상의 콘택트(20)는 땜납 볼로 캐리어 기판(16) 상의 콘택트(22)에 결합될 수 있어서, 방사선 검출 타일내의 방사선 검출 소자를 캐리어 기판 상의 콘택트로 결합시킨다.
도 2의 모듈(14A)와는 상이하게, 모듈(14B)는 캐리어 기판(16)을 베이스 기판(12)에 결합시키기 위한 별도 수단을 포함한다. 특히, 모듈(14B)의 도전성 콘택트(28) 및 베이스 기판(12)의 도전성 콘택트(30)은 베이스 기판과 캐리어 기판 사이에 배치된 탄성 삽입물(elastomeric interposer: 32)을 통해 서로 전기적으로 결합된다. 탄성 삽입물(32)은 양호하게는 z-축 도전성 탄성체를 포함한다. z-축 도전성 탄성체는 점착성이거나 또는 점착성이 아닐 수 있다. z-축 도전성 탄성체는 그 차원을 따라 인가된 응력에 응답하는 단일 차원으로만 연장하는 도전성 경로를 제공할 것이다. 베이스 기판(12)의 콘택트(30) 및/또는 캐리어 기판(16)의 콘택트(28)는 각각의 콘택트와 탄성 삽입물(32) 사이의 결합 응력을 강화하는 도전성 범프를 포함할 수 있다.
모듈(14B)는 양호하게는 캐리어 기판(16)을 베이스 기판(12)에 기계적으로 결합하는 기계적 고정기(fastener)을 포함한다. 도 3에 도시된 것처럼, 기계적 고정기는 예를 들면 베이스 기판(12)내의 어퍼츄어(aperture: 36)를 통해 연장하는 하나 또는 그 이상의 핀(34)을 포함할 수 있다. 핀(34)은 도 3에 도시된 것처럼 땜납(38) 구슬 또는 에폭시로 어퍼츄어내에 고정되거나, 또는 작은 너트 또는 다른 고정 장치로 끼워서 고정시킬 수 있다. 검사 고정물은 핀(34)을 수용하도록 구성되어, 검사 및 번-인 동작을 위해 모듈(14B)의 부착 및 분리를 용이하게 한다. 클램핑 메카니즘과 같은 별도 기계적 고정기가 모듈(14B)의 부착 및 분리를 용이하게 하기 위해 검사 고정물내에 제공될 수 있다.
도 2에 도시된 것처럼, 캐리어 기판(16)은 설치시의 오류를 조정할 수 있도록 방사선 검출 타일(18)의 주 표면 면적보다 약간 작은 크기의 주 표면 면적을 가질 수 있다. 또한, 캐리어 기판(16)은 양호하게는 응력을 방지하기 위해 방사선 검출 타일(18)의 것과 거의 일치하는 열 확장 계수를 갖는다. 다시, 캐리어 기판(16)은 방사선 검출 타일(18) 및 캐리어 기판의 땜납 상호 결선 콘택트(20, 22) 각각을 콘택트(28)로 전기적으로 결합시키는 내부 도전성 트레이스(도시 없음)을 포함한다. 또한, 상호 결선 및 멀티플렉서 회로를 포함한 상호 결선은 캐리어 기판(16)내에서 내부적으로 수행되어 베이스 기판(12)의 콘택트(30)로 상호 결선시키기 위해 콘택트(28)의 수를 감소시킬 수 있다.
도 4는 본 발명에 따라 멀티 모듈 방사선 검출 장치(10)의 조립에 유용한 방사선 검출 모듈(14C)의 제3 실시예의 측면도이다. 다시 말하면, 모듈(14C)은 캐리어 기판 상에 탑재된 캐리어 기판(16) 및 방사선 검출 타일(18)을 포함한다. 그러나, 캐리어 기판(16)과 방사선 검출 타일(18) 사이에 플렉스 회로(40)이 배치된다. 플렉스 회로(40)의 적어도 일부가 캐리어 기판(16)에 부착될 수 있다. 캐리어 기판(16)은 베이스 기판(12)와 접촉하도록 배치되고, 방사선 검출 타일(18)과 플렉스 회로(40)에 대해 기계적 지지를 제공한다. 이러한 이유로, 캐리어 기판(16)은 양호하게는 플렉스 회로(4)에 비해 상당히 강성이다. 캐리어 기판(16)은 타일(18)보다 약간 작은 크기일 수 있다. 캐리어 기판(16)은 또한 방사선 검출 타일(18)의 열 확장 계수와 일치하도록 선택될 수 있다. 그러나, 모듈(14C)내의 캐리어 기판(16)은 방사선 검출 타일(18) 상의 콘택트를 베이스 기판(12) 상의 콘택트로 결합시키는 역할을 하지 않는다. 대신에, 플렉스 회로(40)가 방사선 검출 타일(18) 상의 콘택트를 베이스 기판(12) 상의 콘택트로 결합시키는 역할을 한다.
플렉스 회로(40)는 복수의 제1 도전성 콘택트, 복수의 전기적 도전성 경로, 및 복수의 제2 도전성 콘택트를 포함한다. 플렉스 회로(40)의 제1 및 제2 콘택트는 도전성 경로를 통해 서로 결합된다. 방사선 검출 타일(18)은 플렉스 회로(40) 상에 탑재된다. 방사선 검출 타일(18)의 도전성 콘택트(도 4에는 도시 없음)는 플렉스 회로의 제1 콘택트 및 도전성 경로를 통해 타일내의 방사선 검출 소자 및 플렉스 회로(40)의 제2 콘택트로 전기적으로 결합된다. 타일(18) 상의 콘택트는 예를 들면 땜납, 테이프 자동화 접착(TAB), 서모소닉 본딩(thermosonic bonding), 또는 도전성 접착제로 플렉스 회로(40)의 제1 콘택트로 결합될 수 있다. 플렉스 회로(40)의 제2 콘택트는 유사한 방식으로 베이스 기판(12)의 콘택트에 전기적으로 결합될 수 있다. 서모소닉 본딩은 예를 들면 마이크로 전자 공학 패키징 핸드북, Rao Tuumala, Van Nostrand - Teinhold(1982), 페이지 391 - 393에 기술된다. TAB 공정은 Tuumala 책 페이지 1151에 기술된다. 상술한 방식으로, 플렉스 회로(40)의 제1 콘택트, 도전성 경로, 및 제2 콘택트, 및 방사선 검출 타일(18)의 콘택트는 타일내의 방사선 검출기 소자를 베이스 기판(12)의 콘택트로 전기적으로 결합시킨다.
도 4에 도시된 것처럼, 플렉스 회로(40)은 적어도 하나의 베이스 기판 결합부(42)를 포함하는데, 이는 유연성의 탭-형 부재의 형태를 취한다. 베이스 기판 결합부(42)는 양호하게는 방사선 검출 타일(18)의 폭보다 적은 폭을 갖는다. 플렉스 회로(40)의 제2 콘택트는 베이스 기판 결합부(42) 상에 배치된다. 베이스 기판 결합부(42)는 베이스 기판(12)의 콘택트의 인접한 위치로 연장한다. 도 4의 예에서, 콘택트는 캐리어 기판(16)에 대항한 베이스 기판(12)의 한 측 상에 배치된다. 베이스 기판(12)은 적어도 하나의 슬롯-형 어퍼츄어(44)를 포함하며, 베이스 기판 결합부(42)는 베이스 기판의 콘택트에 인접한 위치로 어퍼츄어를 통해 연장한다. 베이스 기판 결합부(42)는 베이스 기판(12)의 주 표면 평면에 실질적으로 평행하게 연장하는 벤드부(bent portion: 46)를 포함할 수 있다. 플렉스 회로(40)의 제2 콘택트는 벤트부(46) 상에 제공되며 베이스 기판(12)의 콘택트(참조 번호 48)로 결합된다. 베이스 기판 결합부(42) 및 베이스 기판의 각각의 콘택트는 예를 들면 땜납(참조 번호 50) 또는 테이프 자동화 접착(TAB), 서모소닉 본딩, 또는 도전성 접착제로 결합될 수 있다.
플렉스 회로(40)의 도전성 경로는 어드레싱, 센싱, 및 DC 전류 라인으로 구성될 수 있다. 또한, 플렉스 회로(40)의 도전성 경로는 방사선 검출 타일(18) 및 플렉스 회로(40)의 제1 콘택트를 공통 제2 콘택트로 전기적으로 결합시키도록 구성되어, 베이스 기판 결합부(42)와 베이스 기판(12) 사이의 상호 결선에 대한 콘택트으 수를 감소시킨다. 검사 고정물은 예를 들면 베이스 기판 결합부(42)를 수신하기 위한 어퍼츄어를 포함하는 베이스 기판(12)과 유사한 방식으로 구성될 수 있다. 벤트부(46)은 검사 고정물 상에 콘택트로 땜납 처리되거나 그러한 콘택트에 대해 기계적으로 고정하도록 하여 검사 및 번-인 동작을 위한 모듈(14C)의 부착 및 분리를 용이하게 한다.
도 5는 본 발명에 따라 도 4의 모듈(14C)로 멀티-모듈 방사선 검출 장치(10)의 조립을 위한 예시적 베이스 프레이트(12)를 도시하는 평면도이다. 도 4에 도시된 것처럼, 복수의 모듈(14C)은 베이스 플레이트(12)를 횡단한 어레이로 조립될 수 있다. 각각의 모듈(14C)와 연관된 캐리어 기판(16)은 베이스 기판(12) 상에 상주할 것이다. 그러한 모듈(14C)의 베이스 기판 결합부(42)는 어퍼츄어(44)로 삽입될 수 있다. 벤트부(46)에 의해 소유된 콘택트는 땜납되어 베이스 기판(12) 상의 콘택트로 된다.
도 6은 본 발명에 다른 멀티-모듈 방사선 검출 장치(10)이 조립을 도시하는 평면도이다. 도 2 내지 도 4에 관해 설명된 임의의 것과 같은 복수의 방사선 검출 모듈(14)은 지지체 상에 2차원 어레이로 조립된다. 모듈(14)은 방사선 검출 타일(18)이 지지체 상에 위치하도록 "뒤집어져" 조립된다. 도 6에 도시된 것처럼, 모듈(14)의 2차원 어레이는 4개의 주위면(52, 54, 56, 58)을 갖는다. 힘이 모듈(14)의 2차원 어레이의 주위면(52, 54, 56, 58)에 인가되어 서로 관련되어 방사선 검출 모듈을 정렬시킨다. 각각의 면(52, 54, 56, 58)을 따라 연장하는 바(bar)를 통해 힘이 인가된다. 바는 그들이 연관된 면에 수직인 방향으로 개별적으로 이동한다. 이러한 방식으로, 모듈(14)은 인접 모듈들 사이의 균일 틈을 제공하도록 정렬된다. 모듈(14)이 적절히 정렬되는 경우, 베이스 기판(12)은 어레이 상에 탑재된다. 캐리어 기판(16) 상에 제공된 콘택트는 베이스 기판 상에 제공된 콘택트에 전기적으로결합되며, 임의의 기계적 고정기가 정 위치에 놓인다. 모듈(14) 및 베이스 기판(12)의 어레이를 포함하는 전체 방사선 검출 장치(10)는 다음으로 지지체에서 제거되어, 조립 공정을 완성한다.
Claims (27)
- 복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판;어레이 형태로 베이스 기판 상에 탑재된 복수의 방사선 검출 모듈을 포함하며, 각각의 상기 방사선 검출 모듈은:복수의 제2 전기적 도전성 콘택트 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 캐리어 기판 - 상기 제2 콘택트는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트 및 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합됨 - ; 및복수의 방사선 검출 소자 및 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 가지며, 상기 캐리어 기판 상에 탑재된 방사선 검출 타일 - 상기 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 소자와 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트에 전기적으로 결합됨 -을 포함하되,상기 제2, 제3, 및 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트는 도전성 소캣(socket)을 포함하며, 상기 캐리어 기판의 상기 제2 콘택트는 상기 소캣을 맞물리게 하는 도전성 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 핀은 땜납으로 상기 소캣과 결합되는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 도전성 소캣 및 도선성 핀은 서로 착탈 가능하게 맞물려 있는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트 및 상기 방사선 검출 타일의 상기 제4 콘택트는 땜납으로 전기적으로 결합되는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트와 상기 캐리어 기판의 제2 콘택트는 상기 베이스 기판과 상기 캐리어 기판 사이에 배치된 탄성 삽입물(elastomeric interposer) - 상기 삽입물은 상기 제1 콘택트와 상기 제2 콘택트를 결합하는 복수의 도전성 경로를 제공함 - 를 통해 결합되는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 탄성 삽입물은 z-축 도전성 탄성체를 포함하는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트와 캐리어 기판의 상기 제2 콘택트 중 적어도 하나는 도선성 범프(bump) - 상기 도전성 범프는 상기 제1 콘택트, 상기 제2 콘택트, 및 상기 탄성 삽입물 사이의 결합 응력을 증대함 - 을 포함하는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판을 베이스 기판에 기계적으로 결합시키는 기계적 고정기(fastener)를 더 포함하는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트는 상기 캐리어 기판의 제1 주 표면 상에 배치되며, 상기 방사선 검출 타일의 상기 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 제1 주 표면 상에 배치되며, 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면과 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면은 서로 대향하며, 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면은 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면의 면적보다 작은 면적을 갖는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트는 상기 캐리어 기판의 제1 주 표면 상에 배치되고 상기 방사선 검출 타일의 상기 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 제1 주 표면 상에 배치되며, 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면과 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면은 서로 대향하며, 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면은 상기 방사선 검출 타일의 제1 주 표면의 면적과 거의 동일한 면적을 가지며, 상기 캐리어 기판의 측면은 상기 캐리어 기판의 제2 주 표면이 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면의 면적보다 작은 면적을 가지도록 비스듬하게 자르는 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 방사선 검출 타일의 상기 제4 콘택트의 적어도 일부는 상기 제3 콘택트를 통해 공통 제2 콘택트에 결합되고, 상기 제2 콘택트와 제1 콘택트의 각각의 수는 상기 제4 콘택트의 수보다 작은 것을 특징으로 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판; 및각각이상기 상기 베이스 기판과 접촉하여 배치된 캐리어 기판,상기 캐리어 기판 상에 배치되며, 복수의 전기적 도전성 경로, 복수의 제2 전기적 도전성 콘택트, 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 가지며, 상기 제2 콘택트 및 제3 콘택트는 상기 도전성 경로를 통해 서로 결합되는 플렉스 회로,상기 플렉스 회로 상에 탑재되며, 복수의 방사선 검출 소자 및 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 가지며, 상기 제4 콘택트는 상기 제2 콘택트 및 상기 플렉스 회로의 상기 도전성 경로를 통해 상기 방사선 검출 소자와 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하며, 상기 베이스 기판 상에 어레이 형태로 탑재된 복수의 방사선 검출 모듈을 포함하되, 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 전기적으로 결합되고, 상기 제4 콘택트, 상기 제2 콘택트, 상기 도전성 경로, 및 상기 제3 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트는 땜납 접착, 테이프 자동화 접착, 서머소닉 본딩(thermosonic bonding), 및 도전성 접착제 본딩 중 어느 하나를 이용하여 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 전기적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 플렉스 회로의 적어도 일부분은 상기 캐리어 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 캐리어 기판은 상기 플렉스 회로에 비해서 실질적으로 강성인 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 플렉스 회로는 적어도 하나의 베이스 기판 결합부를 포함하되, 상기 제3 콘택트는 상기 베이스 기판 결합부 상에 배치되며, 상기 베이스 기판 결합부는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 인접한 위치로 연장하는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 제1 콘택트는 상기 캐리어 기판에 대향하는 상기 베이스 기판의 일측 상에 배치되고, 상기 베이스 기판은 적어도 하나의 어퍼츄어(aperture)을 포함하며, 상기 베이스 기판 결합부는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 인접한 위치로 상기 어퍼츄어를 통해 연장하는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 방사선 검출 타일은 상기 캐리어 기판의 제1 주 표면에 대향하여 탑재된 제1 주 표면을 가지며, 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면은 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면의 면적보다 큰 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 방사선 검출 타일은 상기 캐리어 기판의 제1 주 표면에 대향하여 탑재된 제1 주 표면을 가지며, 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면은 상기 캐리어 기판의 상기 제1 주 표면의 면적과 거의 동일한 면적을 가지며, 상기 캐리어 기판의 측면은 상기 캐리어 기판의 제2 주 표면이 상기 방사선 검출 타일의 상기 제1 주 표면의 상기 면적보다 작은 면적을 가지도록 비스듬하게 자르는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 제13항에 있어서, 상기 방사선 검출 타일의 상기 제4 콘택트의 적어도 일부는 상기 제2 콘택트와 상기 도전성 경로를 통해 공통 제3 콘택트로 결합되며, 상기 제3 콘택트와 상기 제1 콘택트의 각각의 수는 상기 제4 콘택트의 수보다 작은 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치.
- 방사선 검출 모듈 어레이를 형성하도록 복수의 다른 방사선 검출 모듈을 갖는 베이스 기판 상에 탑재 가능한 방사선 검출 모듈에 있어서, 상기 베이스 기판은 복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 포함하며, 상기 방사선 검출 모듈은:복수의 제2 전기적 도전성 콘택트 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 캐리어 기판으로서, 상기 제2 콘택트는 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트에 전기적으로 결합되고 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 전기적으로 결합하도록 구성되는 캐리어 기판, 및상기 캐리어 기판 상에 탑재되며, 복수의 방사선 검출 소자와 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 소자와 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트에 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하되, 상기 제2, 제3, 및 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 전기적으로 결합하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 모듈.
- 방사선 검출 모듈 어레이를 형성하도록 복수의 다른 방사선 검출 모듈을 갖는 베이스 기판 상에 탑재 가능한 방사선 검출 모듈에 있어서, 상기 베이스 기판은 복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 포함하며, 상기 방사선 검출 모듈은:상기 베이스 기판과 접촉하여 배치된 캐리어 기판,상기 케리어 기판 상에 배치되고, 복수의 전기적 도전성 경로, 복수의 제2 전기적 도전성 콘택트, 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 플렉스 회로로서, 상기 제2 콘택트 및 상기 제3 콘택트는 상기 도전성 경로를 통해 서로 결합되는 플렉스 회로, 및상기 플렉스 회로 상에 탑재되며, 복수의 방사선 검출 소자와 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제4 콘택트는 상기 제2 콘택트와 상기 플렉스 회로의 상기 도전성 경로를 통해 상기 방사선 검출 소자 및 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하되, 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 전기적으로 결합되며, 상기 제4 콘택트, 상기 제2 콘택트, 상기 도전성 경로, 및 상기 제3 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 결합시키는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 모듈.
- 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서,복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판 상에 탑재된 복수의 방사선 검출 모듈을 어레이 형태로 탑재하는 단계를 포함하되, 상기 방사선 검출 모듈의 각각은복수의 제2 전기적 도전성 콘택트와 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 캐리어 기판으로서, 상기 제2 콘택트는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트 및 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합되는 캐리어 기판, 및상기 캐리어 기판 상에 탑재되고, 복수의 방사선 검출 소자 및 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 소자와 상기 캐리어 기판의 상기 제3 콘택트에 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하되,상기 제2, 제3, 및 제4 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 전기적으로 결합시키는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치 제조 방법.
- 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서,복수의 제1 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 베이스 기판 상에 복수의 방사선 검출 모듈을 어레이 형태로 탑재하는 단계를 포함하되, 상기 방사선 검출 모듈의 각각은상기 베이스 기판과 접촉하여 배치된 캐리어 기판,상기 케리어 기판 상에 배치되고, 복수의 전기적 도전성 경로, 복수의 제2 전기적 도전성 콘택트, 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 플렉스 회로로서, 상기 제2 콘택트 및 상기 제3 콘택트는 상기 도전성 경로를 통해 서로 결합되는 플렉스 회로, 및상기 플렉스 회로 상에 탑재되며, 복수의 방사선 검출 소자와 복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제4 콘택트는 상기 제2 콘택트와 상기 플렉스 회로의 상기 도전성 경로를 통해 상기 방사선 검출 소자 및 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하되, 상기 플렉스 회로의 상기 제3 콘택트는 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트에 전기적으로 결합되며, 상기 제4 콘택트, 상기 제2 콘택트, 상기 도전성 경로, 및 상기 제3 콘택트는 상기 방사선 검출 타일의 상기 방사선 검출 소자를 상기 베이스 기판의 상기 제1 콘택트로 결합시키는 것을 특징으로 하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치 제조 방법.
- 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 제조하는 방법에 있어서,지지체(support) 상에, 각각이복수의 제1 전기적 도전성 콘택트 및 복수의 제2 전기적 도전성 콘택트를 가지는 캐리어 기판으로서, 상기 제1 콘택트는 상기 제2 콘택트로 전기적으로 결합되는 캐리어 기판, 및상기 캐리어 기판 상에 장착되고, 복수의 방사선 검출 소자 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제3 콘택트는 상기 방사선 검출 소자 및 상기 캐리어 기판의 상기 제2 콘택트로 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하는 복수의 방사선 검출 모듈을 4개의 주위면을 갖는 2차원 어레이로 조립하는 단계;상기 방사선 검출 모듈을 서로 연관하여 정렬하도록 상기 방사선 검출 모듈의 2차원 어레이의 상기 4개의 주위면 각각에 힘을 인가하는 단계;복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;방사선 검출 모듈의 어레이 상에 상기 베이스 기판을 탑재하는 단계; 및상기 캐리어 기판의 상기 제1 콘택트를 상기 베이스 기판의 상기 제4 콘택트로 전기적으로 결합시켜서, 상기 제1 콘택트, 상기 제2 콘택트, 및 상기 제3 콘택트를 통해 상기 방사선 검출 소자를 상기 제4 콘택트로 결합시키는 단계를 포함하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치 제조 방법.
- 멀티-모듈 방사선 검출 장치를 제조하는 방법에 있어서,지지체(support) 상에, 각각이캐리어 기판,상기 캐리어 기판 상에 배치되고, 복수의 제1 전기적 도전성 콘택트, 복수의 전기적 도전성 경로, 및 복수의 제2 전기적 도전성 콘택트를 갖는 플렉스 회로로서, 상기 제1 콘택트 및 상기 제2 콘택트는 상기 도전성 경로를 통해 서로 결합되는 플렉스 회로, 및상기 플렉스 회로 상에 탑재되고, 복수의 방사선 검출 소자 및 복수의 제3 전기적 도전성 콘택트를 갖는 방사선 검출 타일로서, 상기 제3 콘택트는 제1 콘택트 및 상기 플렉스 회로의 상기 도전성 경로를 통해 상기 방사선 검출 소자 및 상기 플렉스 회로의 상기 제2 콘택트로 전기적으로 결합되는 방사선 검출 타일을 포함하는 복수의 방사선 검출 모듈을 4개의 주위면을 갖는 2차원 어레이로 조립하는 단계;상기 방사선 검출 모듈을 서로 연관하여 정렬하도록 상기 방사선 검출 모듈의 2차원 어레이의 상기 4개의 주위면 각각에 힘을 인가하는 단계;복수의 제4 전기적 도전성 콘택트를 갖는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 방사선 검출 모듈의 어레이 상에 상기 베이스 기판을 탑재하는 단계; 및상기 플렉스 회로의 상기 제2 콘택트를 상기 베이스 기판의 상기 제3 콘택트로 전기적으로 결합시켜서, 상기 제1 콘택트, 상기 도전성 경로, 상기 제2 콘택트, 및 상기 제3 콘택트를 통해 상기 방사선 검출 소자를 상기 제4 콘택트로 결합시키는 단계를 포함하는 멀티-모듈 방사선 검출 장치 제조 방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9054010B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Large-scale X-ray detectors |
| WO2023282448A1 (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | 삼성전자주식회사 | 적층된 인쇄 회로 기판들을 포함하는 전자 장치 |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2305096B (en) * | 1995-08-29 | 1997-09-10 | Simage Oy | Imaging system and method |
| US6236050B1 (en) * | 1996-02-02 | 2001-05-22 | TüMER TüMAY O. | Method and apparatus for radiation detection |
| US5827757A (en) * | 1996-07-16 | 1998-10-27 | Direct Radiography Corp. | Fabrication of large area x-ray image capturing element |
| US5804832A (en) * | 1996-11-26 | 1998-09-08 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Digital array for radiographic imaging |
| JP3805100B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| GB2332608B (en) * | 1997-12-18 | 2000-09-06 | Simage Oy | Modular imaging apparatus |
| JP3545247B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器 |
| DE19904904A1 (de) * | 1999-02-06 | 2000-08-10 | Peter Fischer | Detektor zum zählenden, ortsaufgelösten Nachweis von Röntgenstrahlung mit zusätzlicher Energiefensterung |
| WO2000065376A1 (en) * | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Simage Oy | Device for imaging radiation |
| US6559388B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-05-06 | International Business Machines Corporation | Strain relief for substrates having a low coefficient of thermal expansion |
| DE19933472A1 (de) * | 1999-07-20 | 2001-02-01 | Daimler Chrysler Ag | Netzwerk zur Signalverarbeitung, insbesondere zur Bilddatenverarbeitung, und Bildaufnahmesystem |
| US6396898B1 (en) * | 1999-12-24 | 2002-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector and x-ray CT apparatus |
| US6800836B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device, radiation image pickup device and image processing system |
| GB0025463D0 (en) * | 2000-10-17 | 2000-11-29 | Isis Innovation | Improvements in or relating to optical wireless communications |
| US7189971B2 (en) * | 2002-02-15 | 2007-03-13 | Oy Ajat Ltd | Radiation imaging device and system |
| GB2392308B (en) * | 2002-08-15 | 2006-10-25 | Detection Technology Oy | Packaging structure for imaging detectors |
| US7492857B2 (en) * | 2002-12-19 | 2009-02-17 | General Electric Company | Self-aligning scintillator-collimator assembly |
| US7190759B2 (en) * | 2002-12-19 | 2007-03-13 | General Electric Company | Support structure for Z-extensible CT detectors and methods of making same |
| JP4133429B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US7561916B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-07-14 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Implantable medical device with indicator |
| US7862546B2 (en) * | 2003-06-16 | 2011-01-04 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Subcutaneous self attaching injection port with integral moveable retention members |
| US8007474B2 (en) | 2003-06-16 | 2011-08-30 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Implantable medical device with reversible attachment mechanism and method |
| US8715243B2 (en) * | 2003-06-16 | 2014-05-06 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Injection port applier with downward force actuation |
| ATE529045T1 (de) * | 2003-07-22 | 2011-11-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Strahlungsmaske für einen zweidimensionalen ct detektor |
| FR2861895B1 (fr) * | 2003-11-03 | 2006-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de connexion de puces |
| US8162897B2 (en) * | 2003-12-19 | 2012-04-24 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Audible and tactile feedback |
| JP4594624B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-12-08 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出装置および核医学診断装置 |
| US7842948B2 (en) * | 2004-02-27 | 2010-11-30 | Nvidia Corporation | Flip chip semiconductor die internal signal access system and method |
| WO2005096946A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-20 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Modular device for the detection and/or transmission of radiation |
| US7279887B1 (en) * | 2004-08-06 | 2007-10-09 | Nvidia Corporation | In-process system level test before surface mount |
| JP5128052B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2013-01-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出ユニット、光検出装置、及びｘ線断層撮像装置 |
| US7291842B2 (en) * | 2005-06-14 | 2007-11-06 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | Photoconductor imagers with sandwich structure |
| US7651483B2 (en) * | 2005-06-24 | 2010-01-26 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Injection port |
| US7918844B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-04-05 | Ethicon Endo-Surgery, Inc. | Applier for implantable medical device |
| JP5136736B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2013-02-06 | 株式会社アクロラド | 放射線画像検出モジュールおよび放射線画像検出装置 |
| FR2916117B1 (fr) * | 2007-05-10 | 2011-03-18 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif d'imagerie par rayons x a source poly-chromatique |
| US8271252B2 (en) * | 2007-11-08 | 2012-09-18 | Nvidia Corporation | Automatic verification of device models |
| US8510616B2 (en) * | 2008-02-14 | 2013-08-13 | Nvidia Corporation | Scalable scan-based test architecture with reduced test time and test power |
| US8745200B2 (en) * | 2008-05-06 | 2014-06-03 | Nvidia Corporation | Testing operation of processors setup to operate in different modes |
| US7795573B2 (en) * | 2008-11-17 | 2010-09-14 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Detector with mounting hub to isolate temperature induced strain and method of fabricating the same |
| US8943457B2 (en) * | 2008-11-24 | 2015-01-27 | Nvidia Corporation | Simulating scan tests with reduced resources |
| US8117741B2 (en) * | 2009-04-07 | 2012-02-21 | Oy Ajat Ltd | Method for manufacturing a radiation imaging panel comprising imaging tiles |
| GB0917401D0 (en) | 2009-10-05 | 2009-11-18 | Selex Sensors & Airborne Sys | Large format arrays and methods |
| US9163995B2 (en) * | 2011-10-21 | 2015-10-20 | Santa Barbara Infrared, Inc. | Techniques for tiling arrays of pixel elements |
| WO2013098699A2 (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tile mounting for pet detectors |
| JP2014150087A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板 |
| JP5424371B1 (ja) | 2013-05-08 | 2014-02-26 | 誠 雫石 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| CZ2013669A3 (cs) * | 2013-08-30 | 2015-01-07 | České vysoké učení technické v Praze Ústav technické a experimentální fyziky | Detektor ionizujícího záření umožňující vytvoření souvislého digitálního obrazu |
| EP3210043B1 (en) * | 2014-10-20 | 2020-09-23 | Analogic Corporation | Detector unit for detector array of radiation imaging modality |
| WO2016066850A1 (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-06 | Koninklijke Philips N.V. | Sensor device and imaging system for detecting radiation signals |
| DE102014225396B3 (de) * | 2014-12-10 | 2016-04-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensorboard für ein Detektormodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP3281040B1 (en) * | 2015-04-07 | 2021-11-24 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Semiconductor x-ray detector |
| JP6776024B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-28 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線検出器、ｘ線検出器モジュール、支持部材及びｘ線ｃｔ装置 |
| EP3355081B1 (en) * | 2017-01-27 | 2019-06-19 | Detection Technology Oy | Direct conversion compound semiconductor tile structure |
| CZ310034B6 (cs) * | 2018-10-09 | 2024-05-29 | Advacam S.R.O. | Způsob výroby elektricky vodivých spojů s 3D uspořádáním mezi komponentami detektoru ionizujícího záření a detektor s elektricky vodivými spoji vyrobenými tímto způsobem |
| JP2020008587A (ja) * | 2019-08-01 | 2020-01-16 | シェンゼン・エクスペクトビジョン・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | 半導体ｘ線検出器の製造方法 |
| US11762108B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-09-19 | LightSpin Technologies Inc. | Modular pet detector comprising a plurality of modular one-dimensional arrays of monolithic detector sub-modules |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3390308A (en) * | 1966-03-31 | 1968-06-25 | Itt | Multiple chip integrated circuit assembly |
| US4467342A (en) * | 1982-07-15 | 1984-08-21 | Rca Corporation | Multi-chip imager |
| US4736520A (en) * | 1983-11-04 | 1988-04-12 | Control Data Corporation | Process for assembling integrated circuit packages |
| US4672454A (en) * | 1984-05-04 | 1987-06-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | X-ray image scanner and method |
| US4694317A (en) * | 1984-10-22 | 1987-09-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state imaging device and process for fabricating the same |
| FR2598250B1 (fr) * | 1986-04-30 | 1988-07-08 | Thomson Csf | Panneau de prise de vue radiologique, et procede de fabrication |
| US4770965A (en) * | 1986-12-23 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Selenium alloy imaging member |
| JPH0670702B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1994-09-07 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取装置 |
| DE8717526U1 (ko) * | 1987-11-17 | 1989-04-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | |
| US5365088A (en) * | 1988-08-02 | 1994-11-15 | Santa Barbara Research Center | Thermal/mechanical buffer for HgCdTe/Si direct hybridization |
| US5065245A (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-12 | Eastman Kodak Company | Modular image sensor array |
| US5182624A (en) * | 1990-08-08 | 1993-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Solid state electromagnetic radiation detector fet array |
| DE69116770T2 (de) * | 1990-08-30 | 1996-07-04 | Shimadzu Corp | Strahlungsdetektor |
| US5086558A (en) * | 1990-09-13 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Direct attachment of semiconductor chips to a substrate with a substrate with a thermoplastic interposer |
| US5258330A (en) * | 1990-09-24 | 1993-11-02 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
| US5148265A (en) * | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
| US5148266A (en) * | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead |
| US5105087A (en) * | 1990-11-28 | 1992-04-14 | Eastman Kodak Company | Large solid state sensor assembly formed from smaller sensors |
| US5127038A (en) * | 1991-06-28 | 1992-06-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for capturing and displaying a latent radiographic image |
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5289631A (en) * | 1992-03-04 | 1994-03-01 | Mcnc | Method for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips |
| US5413489A (en) * | 1993-04-27 | 1995-05-09 | Aptix Corporation | Integrated socket and IC package assembly |
| US5436458A (en) * | 1993-12-06 | 1995-07-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Solid state radiation detection panel having tiled photosensitive detectors arranged to minimize edge effects between tiles |
-
1996
- 1996-01-16 US US08/585,507 patent/US5635718A/en not_active Expired - Fee Related
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9054010B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Large-scale X-ray detectors |
| WO2023282448A1 (ko) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | 삼성전자주식회사 | 적층된 인쇄 회로 기판들을 포함하는 전자 장치 |
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