JP3909036B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3909036B2 JP3909036B2 JP2003116019A JP2003116019A JP3909036B2 JP 3909036 B2 JP3909036 B2 JP 3909036B2 JP 2003116019 A JP2003116019 A JP 2003116019A JP 2003116019 A JP2003116019 A JP 2003116019A JP 3909036 B2 JP3909036 B2 JP 3909036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- manufacturing
- external connection
- index mark
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,チップサイズパッケージ(Chip Size Package:CSP)およびその製造方法にかかり,特に,実装基板に対する実装方向及びパッケージ自身の方向を示す文字や記号などの情報(以下,インデックスマークと称する)の構造に特徴を有する技術である。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の実装基板上における高密度な実装を実現するための技術として,半導体装置のパッケージの大きさを,半導体チップ(ベアチップ)とほぼ同じか,わずかに大きい寸法とした,チップサイズパッケージ(Chip Size Package:CSP)と称される技術がある。実装基板に対する接続端子(外部接続端子)を,略正方形形状の半導体チップの主面(回路形成面)に格子形状に配置することにより,パッケージ化された半導体装置の大きさを,半導体チップとほぼ同じか,わずかに大きい寸法にすることができる。このようなチップサイズパッケージによれば,実装基板に対する半導体装置の実装面積が小さくなるとともに,半導体チップ上の電極と外部接続端子とを結ぶ配線長が短くなり,半導体装置の動作速度を向上させることができる。
【0003】
また,ウェハ状態のまま半導体装置をパッケージ化する技術(以下,ウェハレベルCSPと称する)も提案されている。ウェハレベルCSPは,個々の半導体チップをウェハから切り出す前の段階で,そのパッケージ化を施す技術である。ウェハレベルCSPによれば,パッケージプロセスをウェハプロセスと一体にすることができるので,製造コストを大幅に下げられるという利点がある。
【0004】
半導体装置にはインデックスマークが付与される。このインデックスマークは,実装基板に対する半導体装置の実装方向を示すためのマークである。ウェハレベルCSPのような半導体装置では,このインデックスマークが,一般に,半導体装置の裏面(回路非形成面)側に配置され,実装基板に対する半導体装置の実装の際に,半導体基板の実装方向を視覚的に判別できるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,従来技術でのインデックスマーク表示方法では個々の半導体装置ごとにインデックスマークを付与するため,以下のような問題点があった。
▲1▼半導体装置ごとに,インデックスマークと半導体装置との位置関係の調整が必要となる。これにより,処理能力が制限されかつインデックスマークを付与する工程が必要となる。
▲2▼インデックスマークが例えばインクあるいはレーザ光等を用いて形成される場合,インクの場合は剥がれ落ちて判別できない場合が発生し,またレーザ光の場合はシリコン層をレーザ光が透過し内部の回路パターンを劣化させてしまう。
▲3▼半導体装置のサイズが小さくなると,半導体装置とインデックスマークの位置との関係の調整が困難となる。また,インデックスマークも小さくなり,実装基板に対する実装の際に,容易に実装方向を判別できない。
【0006】
本発明は,従来の半導体装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり,本発明の目的は,インデックスマークを付与する工程の簡略化を図ることの可能な,新規かつ改良された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0007】
また,本発明の別の目的は,インデックスマークの離脱や回路パターンの劣化を防止することの可能な,新規かつ改良された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0008】
また,本発明の別の目的は,半導体装置のサイズが小さくなっても,外形寸法とインデックスマークの位置関係の調整が容易に行え,かつ,実装基板に対する実装の際に,容易に実装方向を判別することの可能な,新規かつ改良された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため,本発明によれば,所定の機能を有する回路素子が形成された主表面を有する半導体基板と,前記半導体基板の主表面上方に形成され前記回路素子と電気的に接続された複数の電極パッドと,前記半導体基板の主表面上部を封止する封止樹脂と,前記封止樹脂の表面から突出するよう前記主表面上方に形成された複数の外部接続端子であって,所定の間隔で実質的に規則的に配列された前記外部接続端子とを有する半導体装置において,
前記半導体装置の少なくとも1の側面の色彩を他の側面の色彩と異なるものとしたことを特徴とする,半導体装置が提供される。
【0010】
現状では,1層の面実装が主流であるが,実装密度を高める技術動向が変化し,多層構造化した実装を行う場合であっても,上下に配置する各半導体装置のインデックスマークが半導体装置の側面にあることから,実装基板に対して実装する際に容易に実装方向を確認することができる。
【0011】
また,本発明によれば,ウェハ状態で半導体装置を封止した後に,個々の半導体装置を前記ウェハから切り出すことにより製造される半導体装置の製造方法において,個々の半導体装置を前記ウェハから切り出す前の段階で,前記半導体装置の方向を示す情報を,前記ウェハの裏面に付与することを特徴とする,半導体装置の製造方法が提供される。
【0012】
インデックスマークをウェハレベルで付与することができるため,従来のように個片化された状態でインデックスマークを付与するために行っていた個々の半導体装置の位置調整が不要となる。そして,装置内部に形成されている配線パターンの傾き及び特定の1点のみを位置調整した後は,半導体装置の大きさに合わせてピッチ移動を入れながら,ウェハレベルで一括してインデックスマークを付与することができる。よってインデックスマークを付与する工程における処理時間の大幅な短縮が可能である。
【0013】
上記製造方法において,1つの半導体装置に対してインデックスマークが2以上付与されることが好ましい。半導体装置の大きさに比べて十分に小さいインデックスマークを採用し,1つの半導体装置に対して2以上のインデックスマークを付与するようにすれば,半導体装置の位置概念にとらわれずに,ウェハレベルで一括してインデックスマークを付与することができる。半導体装置とインデックスマークとの位置調整が不要となるため,さらなる処理時間の短縮が可能である。
【0014】
さらに,インデックスマークは,半導体装置を実装基板に実装する際の方向を示す記号であることが好ましい。文字からなるインデックスマークを配置できない小サイズの半導体装置に関してもインデックスマークを容易に配置することができ,実装基板に対する実装の際も,インデックスマークを容易に認識することができる。
【0015】
また,本発明によれば,回路素子が形成された主表面を有する半導体基板と,半導体基板の主表面上方に形成され回路素子と電気的に接続された複数の電極パッドと,半導体基板の主表面上部を封止する封止樹脂と,封止樹脂の表面から突出するよう主表面上方に形成された複数の外部接続端子であって,所定の間隔で実質的に規則的に配列された外部接続端子とを有する半導体装置において,複数の外部接続端子のうち,少なくとも1の外部接続端子の形状を他の外部接続端子の形状と異なるものとしたことを特徴とする,半導体装置が提供される。
【0016】
かかる半導体装置によれば,外部接続端子の形状をインデックスマークとして利用することができる。このため,以下のような優れた効果がある。
▲1▼インデックスマークを付与する工程自体が不要となるため,インデックスマークを個々の半導体装置の位置に合わせるための位置調整作業が不要となる。
▲2▼外部接続端子の形状をインデックスマークとして利用しているため,インデックスマークをインクを用いて形成していた従来技術と異なり,インデックスマークが半導体装置から離脱することを回避できる。また,インデックスマークをレーザ光を用いて形成していた従来技術と異なり,装置内部の回路パターンの劣化を防止できる。
▲3▼外部接続端子の大きさは,一辺(直径)が400μm(0.4mm)程度であり,肉眼でその形状を認識することができる。このため,容易に実装方向を判別することができる。
【0017】
形状の異なる外部接続端子を,半導体基板の4隅近傍に位置する外部接続端子のいずれかとすれば,容易に実装方向を判別することができる。ただし,厳密に4隅部分とする必要はなく,4隅部分の周辺であっても,実装方向を判別することが可能な位置に,形状の異なる外部接続端子を設ければよい。すなわち,形状の異なる外部接続端子が,所定の間隔で実質的に規則的に配列された外部接続端子のうち,中央付近の外部接続端子以外のいずれかであればよい。端子レイアウト設計上,4隅部分に外部接続端子を設けない場合であっても,形状の異なる外部接続端子を設けることができ,端子レイアウト設計に自由度が増加する。
【0018】
また,接地ラインに接続される外部接続端子のように,複数の外部接続端子が同一の機能を有する場合がある。このような場合に,それら複数の外部接続端子を一体に形成することにより,他の外部接続端子と形状を異なるものとし,これをインデックスマークとして利用することも可能である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。まず,一般的なウェハレベルCSP技術について,図1〜図2を参照しながら説明する。
【0020】
(A)銅ポスト形成
まず,通常のウエハプロセスにより,半導体ウエハ1の主面(回路形成面)に所定の機能を有する電子回路(図示しない)が形成される。その後,開口部(図示しない)を有する絶縁膜13が主面上部に形成される。続いて,電極パッド14及びこの電極パッド14と電子回路とを接続する配線(図示しない)が形成される。電極パッド14は絶縁膜13上に形成される。
次に,半導体ウェハ1の主面上全面に絶縁膜15が形成される。ホトリソグラフィ技術により,絶縁膜15には電極パッド14の表面の一部を露出する開口部が形成される。
次に,露出された電極パッド14表面上及び絶縁膜15上に配線16が形成される。
次に,半導体ウェハ1の主面上全面にレジストが塗布される。ホトリソグラフィ技術により,レジストには所定形状の開口部が形成される。この開口部は,配線16の表面上に位置する。
その後,電気めっきを施すことにより,レジストに設けられた開口部内に銅からなる銅ポスト2が形成される。この銅ポスト2は,半導体装置の上方から見て格子状(行列状)に配置されている。この銅ポスト2は,半導体ウェハ1上に形成された電極パッド14および配線16と,後工程で銅ポスト2上に形成される外部接続端子5とを電気的に接続するための配線として機能する。
なお,銅ポスト2を形成するためのレジストのパターンについては,さらに後述する。(図1(A))。
【0021】
(B)樹脂封止
次いで,銅ポスト2を完全に覆う高さまで半導体ウェハ1の主面の全面に対して封止樹脂3を充填する(図1(B))。封止樹脂3の充填は,トランスファーモールド法,ポッティング法,印刷法等により行われる。
【0022】
(C)樹脂研削
次いで,封止樹脂3に埋もれてしまっている各銅ポスト2の上面が露出するまで,研磨剤4によって封止樹脂3の表面を研削する(図1(C))。
【0023】
(D)外部接続端子形成
次いで,銅ポスト2の上面に,以下のような工程を実行することにより外部接続端子5を格子状(行列状)に形成する。この外部接続端子5は,個々に個片化された半導体装置と,半導体装置が実装される実装基板上の配線とを電気的に接続する端子として機能する。
まず,外部接続端子5を形成するためのメタルマスクを準備する。このメタルマスクは,銅ポスト2の上面に外部接続端子5を形成しうるように,銅ポスト2の配置に対応した複数の開口部を有する。次いで,複数の開口部が対応する銅ポスト2上部に位置するようにメタルマスクを封止樹脂3の表面上に載置する。その後,このメタルマスク全域に,はんだペーストを流し込むことにより,外部接続端子5が形成される(図1(D))。なお,はんだペーストは封止樹脂3上では固着しないため,メタルマスクの開口部と銅ポスト2の上面との位置合わせが厳密に行われなくても,外部接続端子5を,銅ポスト2の上面に形成することができる。このため,メタルマスクの形状は,(A)銅ポスト形成工程におけるレジストの形状ほど厳密性を要求されない。
以上の工程を経て,半導体ウェハ1上に,パッケージ化された多数の半導体装置が形成される。
【0024】
(E)個片化
次いで,半導体ウェハ1の裏面(回路非形成面)に研削テープ6を貼付した後,高速回転する切断刃7によって,個々の半導体装置8に個片化する(図1(E))。
【0025】
(F)出荷
研削テープ6上に接着されたままの半導体装置8は,ウェハキャリア9に載せられ,ピックアップコレット10の真下に位置するようにセットされる。そして,ピックアップコレット10に接続されたバキュームの吸引力と突き上げ機構(針状のピン)12による突き上げ力により,半導体装置8を研削テープ6より分離する(図2(F))。そして,個々の半導体装置8は,製品テストが行われた後,エンボスキャリアテープ11のエンボス接着孔11aに装填されて,製品として出荷される(図2(G))。
【0026】
以上,一般的なウェハレベルCSP技術について説明した。
以下の各実施の形態では,上述した一般的なウェハレベルCSP技術の各工程とは異なる工程を中心に説明し,他の工程については重複説明を省略する。
【0027】
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態について説明する。
図3は,本実施の形態の製造方法により製造された半導体装置81を主面側から見た平面図である。半導体装置81は,格子状(行列状)に配置された外部接続端子51のうち,4隅部分の外部接続端子51aの形状を他の外部接続端子51bの形状と異なるものとし,この外部接続端子51aを半導体装置81の実装方向を示すインデックスマークとして利用することを特徴としている。
【0028】
かかる外部接続端子51の形成方法について説明すると,まず,(A)銅ポスト形成工程において,銅ポスト2を形成するためのレジストとして,図3に示したパターンを有するレジストを用いる。すなわち,図3に示したように,格子状(行列状)に配置する銅ポスト2のうち,4隅部分の銅ポストの形状を,他の銅ポストの形状と異なる形状として形成しうるように,レジストのパターンとして,図3に示したパターンを採用する。詳細には,外部接続端子51aに対応する箇所の開口部の断面形状が四角形であるレジストパターンが使用される。
【0029】
さらに,(D)外部接続端子形成工程において,外部接続端子5を形成するためのメタルマスクとして,図3に示したパターンのメタルマスクを用いる。
すなわち,図3に示したように,格子状(行列状)に配置する外部接続端子51のうち,4隅部分の外部接続端子51aの形状を,他の銅ポスト51bの形状と異なる形状となるように,メタルマスクのパターンとして,図3に示したパターンを採用する。詳細には,外部接続端子51aに対応する箇所の開口部の断面形状が四角形であるメタルマスクパターンが使用される。
【0030】
なお,はんだペーストは,封止樹脂3上では固着しないため,メタルマスクの開口位置と銅ポスト2の上面との位置合わせが厳密に行われなくても,外部接続端子51の形状は,銅ポスト2の上面の形状により定まる。このため,(D)外部接続端子形成工程におけるメタルマスクの開口部の形状は,(A)銅ポスト形成工程におけるレジストの開口部の形状ほど厳密性を要求されない。
【0031】
また,はんだペーストはリフロー時の熱で多少変形するが,半導体装置81を上面から見た場合に,4隅の外部接続端子51aの形状が異なることが判別できればよい。半導体装置81を上面から見た形状は,外部接続端子51の底面の形状,すなわち,銅ポスト2の上面の形状により決まるため,リフロー時におけるはんだペーストの多少の変形は,外部接続端子51aをインデックスマークとして利用することに影響を与えるものではない。
【0032】
以上の工程を経て,格子状(行列状)に配置された外部接続端子51のうち,4隅部分の外部接続端子51aの形状を他の外部接続端子51bの形状と異なるものとした半導体装置81が製造される。
【0033】
以上説明したように,本実施の形態によれば,外部接続端子51の形状をインデックスマークとして利用することができる。このため,以下のような優れた効果がある。
▲1▼インデックスマークを付与するための専用の工程が不要となるため,インデックスマークを個々の半導体装置の位置に合わせるための位置調整作業が不要となる。
▲2▼外部接続端子の形状をインデックスマークとして利用しているため,インデックスマークをインクを用いて形成していた従来技術と異なり,インデックスマークが半導体装置から離脱することを回避できる。また,インデックスマークをレーザ光を用いて形成していた従来技術と異なり,装置内部の回路パターンの劣化を防止できる。
▲3▼外部接続端子5の大きさは,一辺(直径)が400μm(0.4mm)程度であり,肉眼でその形状を認識することができる。このため,容易に実装方向を判別することができる。
【0034】
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態について説明する。
図4は,本実施の形態の製造方法により製造された半導体装置82を主面側から見た平面図である。半導体装置82は,格子状(行列状)に配置された外部接続端子52のうち,中央付近の外部接続端子(図中の領域C)以外の外部接続端子52aの形状を他の外部接続端子52bの形状と異なるものとし,この外部接続端子52aを半導体装置82の実装方向を示すインデックスマークとして利用することを特徴としている。
【0035】
かかる外部接続端子52の形状を形成するために,(A)銅ポスト形成工程において図4に示したパターンのレジストを用いる点,および,(D)外部接続端子形成工程において図4に示したパターンのメタルマスクを用いる点については,上記第1の実施の形態の場合と同様である。
【0036】
形状の異なる外部接続端子をインデックスマークとして利用するためには,対称性を有しない中央付近(図中の領域C)の外部接続端子以外のいずれかであればよい。この点,本実施の形態によれば,上記第1の実施の形態と異なり,インデックスマークとして機能する外部端子は,必ずしも格子状(行列状)の4隅部分に設けられなくてもよい。このため,端子レイアウト設計上,格子状(行列状)の4隅部分に外部接続端子を設けない場合であっても,インデックスマークを設けることができ,端子レイアウト設計に自由度が生じる。
【0037】
(第3の実施の形態)
本発明の第3の実施の形態について説明する。
図5は,本実施の形態の製造方法により製造された半導体装置83を主面側から見た平面図である。半導体装置83は,格子状(行列状)に配置された外部接続端子53のうち,4隅部分の外部接続端子とそれに隣接する外部接続端子とを一体に形成し,1つの外部接続端子53aとすることにより,この外部接続端子53aを半導体装置83の実装方向を示すインデックスマークとして利用することを特徴としている。
【0038】
外部接続端子には,例えば接地ラインに接続されるために設けられる端子のように,複数の端子が同一の機能のために設けられる場合がある。このような場合に,2つの外部接続端子を結合して,1つの外部接続端子53aとすることができる。そして,かかる形状の異なる外部接続端子53aを形成することにより,その外部接続端子53aをインデックスマークとして利用することができる。
【0039】
かかる外部接続端子53の形状を形成するためには,図1(A)に示された工程において,同一機能の複数の電極パッド(例えば,電子回路に接地電位を供給するための電極パッド)を,絶縁膜15上の配線16によって互いに接続する。その後,図5に示した断面形状の開口部を有するレジストを用いて銅ポスト2を形成する。すなわち,インデックスマークとして使用する外部接続端子53aに対応する配線16表面上部及び他の外部接続端子53bに対応する配線16表面上部を露出する図5のようなレジストを使用して銅ポスト2が形成される。
その後,図1(D)に示された外部接続端子形成工程において,図5に示した断面形状の開口部を有するメタルマスクを用いて外部接続端子が形成される。すなわち,インデックスマークとして使用する外部接続端子53aに対応するポスト3表面上部及び他の外部接続端子53bに対応するポスト3表面上部を露出する図5のようなメタルマスクを使用して外部接続端子が形成される。
【0040】
(第4の実施の形態)
本発明の第4の実施の形態について説明する。
図6(A)は,本実施の形態の製造方法により製造された半導体装置84の斜視図である。半導体装置84は,一の側面84aの色彩を他の側面84bの色彩と異なるものとしたことを特徴としている。着色の有無や色彩などを組み合わせることにより,種々の情報を保有させることができる。
【0041】
半導体装置の側面への着色は,図2に示した(E)半導体装置の出荷工程において,半導体装置がピックアップコレット10により吸引された状態で行うことが可能である。
【0042】
チップサイズパッケージの実装方法としては,1層の面実装が主流であるが,実装密度を高める技術動向が変化し,図6(B)に示したように,多層構造化した実装を行う場合であっても,上下に配置する各半導体装置のインデックスマークが半導体装置の側面にあることから,実装基板に対して実装する際に容易に実装方向を確認することができる。
【0043】
(第5の実施の形態)
本発明の第5の実施の形態について説明する。
図7(A)は,本実施の形態の製造方法において,個片化する前の半導体ウェハ1を裏面(回路非形成面)側から見た平面図である。図7(A)に示した一例では,点線により区分される領域が一つの半導体装置を示している。図7(B)は個片化された後の半導体装置85を示している。このように,本実施の形態では,図7(A)に示したように,ウェハレベルの段階で半導体ウェハ1の裏面にインデックスマークを付与し,図7(B)に示したように,個片化した後の各半導体装置85にインデックスマークが配置されることを特徴としている。
【0044】
本実施の形態では,インデックスマークとして,文字情報(××× ABCD)と,その文字情報の図中左下の黒丸とにより,半導体装置の種類,実装基板に対する半導体装置の実装方向,半導体装置自身の方向などの情報を持たせている。
【0045】
図7(B)に示したように,個片化された後の半導体装置に対して,位置ずれすることなく適切にインデックスマークが付与されるためには,個々の半導体装置のサイズに対応させてインデックスマークを付与することが必要となる。個々の半導体素子に文字情報等を対応させるには,半導体ウェハ1の形状(オリフラ)を用いて位置決めする方法や,半導体ウェハ1の裏面から内部パターンを透視して位置決めする方法などを採用することができる。
【0046】
そして,装置内部に形成されている配線パターンの傾き及び特定の1点のみを位置調整した後は,個々の半導体装置の大きさに合わせてピッチ移動を行いながら,ウェハレベルで一括してインデックスマークを付与することができる。このように,本実施の形態によれば半導体装置に形成するインデックスマークをウェハレベルで付与することができるため,従来のように個片化された状態でインデックスマークを付与するために行っていた,個々の半導体装置とインデックスマークを付与するための装置との位置調整が不要となる。よってインデックスマークを付与する工程における処理時間の大幅な短縮が可能である。
【0047】
(第6の実施の形態)
本発明の第6の実施の形態について説明する。
図8(A)は,本実施の形態の製造方法において,個片化する前の半導体ウェハ1を裏面(回路非形成面)側から見た平面図である。図8(A)に示した一例では,点線により区分される領域が一つの半導体装置を示している。図8(B)は個片化された後の半導体装置86を示している。このように,本実施の形態では,図8(A)に示したように,ウェハレベルの段階で半導体ウェハ1の裏面にインデックスマークを付与し,図8(B)に示したように,個片化した後の各半導体装置86にインデックスマークが配置されることを特徴としている。この点では,上記第5の実施の形態と同様である。
【0048】
本実施の形態において特徴的なのは,インデックスマークを個々の半導体装置87の大きさよりも十分に小さいものとした点にある。すなわち,個々の半導体装置86(図8(A)において点線により区画される領域)とインデックスマークとの相対的な位置調整を行うことなく,半導体ウェハ1の裏面にインデックスマークを付与した場合であっても,少なくとも1つのインデックスマークが個々の半導体装置に付与される程度の大きさに,インデックスマークの大きさが設定されている。
【0049】
以上のように,本実施の形態によれば,1つの半導体装置86に複数のインデックスマークを付与することで,半導体装置の位置概念にとらわれずインデックスマークを配置することできる。また,半導体装置の個片化の後は,各半導体装置には少なくとも1つのインデックスマークが配置されていることで必要となる情報を把握することができる。
【0050】
(第7の実施の形態)
本発明の第7の実施の形態について説明する。
図9(A)は,本実施の形態の製造方法において,個片化する前の半導体ウェハ1を裏面(回路非形成面)側から見た平面図である。図9(A)に示した一例では,点線により区分される領域が一つの半導体装置を示している。図9(B)は個片化された後の半導体装置87を示している。このように,本実施の形態では,図9(A)に示したように,ウェハレベルの段階で半導体ウェハ1の裏面にインデックスマークを付与し,図9(B)に示したように,個片化した後の各半導体装置87にインデックスマークが配置されることを特徴としている。この点では,上記第6の実施の形態と同様である。
【0051】
本実施の形態において特徴的なのは,インデックスマークが,半導体装置87を実装基板に実装する際の方向を示す記号であるという点にある。本実施の形態では,始点と終点とを有する線分と,それが終点であることを示すマークが付与されたインデックスマークが使用される。具体的にはこのインデックスマークは,矢印で構成されている。
【0052】
半導体装置の小型化に伴い,半導体装置に形成するインデックスマークを配置することが困難になため,比較的大面積を必要としないインデックスマークが必要となる。これを実現するために,図8に示すように,ウエハ状態で黒丸のみを個々の半導体装置に付与する方法が考えられる。しかし,この方法では,黒丸が個々の半導体装置に付与されるものの,個片化された後の個々の半導体装置に付与された黒丸は,インデックスマークとして機能しない場合も予測される。すなわち,インデックスマーク付与工程において,個々の半導体装置の位置と,インデックスを付与する装置(例えば,インクジェット装置のノズル部分)とのアライメントにずれが生じた場合,全ての半導体装置のインデックスマークがずれた状態で付与されてしまう。本来付与されるべきインデックスマークが隣接した半導体装置に付与されてしまう可能性がある。従って,個片化された半導体装置の第1ピンが本来紙面の左下に存在するにもかかわらず,右上に存在するかのように判別されてしまう場合がある。
【0053】
図10(A)は,インデックスマーク付与工程において,個々の半導体装置の位置と,インデックスを付与する装置(例えば,インクジェット装置のノズル部分)とのアライメントにずれが生じた場合を示している。図10(B)は,図10(A)に示された半導体ウエハから個片化された個々の半導体装置を示す図である。図10(B)を見ればわかるように,本実施の形態によれば,仮に上記のようなアライメントずれが生じたとしても,個片化された個々の半導体装置には,第1ピンが紙面の左下に存在することを確実に判別することができる。図10(C)は,個片化される個々の半導体装置の外形寸法が,図10(B)に示された半導体装置よりも大きい場合を示している。本実施の形態によれば,個片化される個々の半導体装置の外形寸法が異なっていたとしても,個片化された個々の半導体装置には,第1ピンが紙面の左下に存在することを確実に判別することができる。
【0054】
以上のように,本実施の形態によれば上記第6の実施の形態で記述した効果の他に,小サイズの半導体装置に関してもインデックスマークを配置することができる。さらに,本実施の形態によれば,個々の半導体装置の位置と,インデックスを付与する装置(例えば,インクジェット装置のノズル部分)とのアライメントずれを考慮することなくインデックスマークを配置することができる。さらに,本実施の形態によれば,個々の半導体装置の外形寸法を考慮することなくインデックスマークを配置することができる。
【0055】
以上,添付図面を参照しながら本発明にかかる半導体装置およびその製造方法の好適な実施形態について説明したが,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0056】
例えば,上記実施の形態では,ウェハレベルCSPによる半導体装置の製造方法について説明したが,上記第1〜第3の実施の形態で説明した半導体装置(図3〜図5)は,ウェハレベルCSPにより製造される場合に限らない。
【0057】
また,図3〜図5では外部接続端子が格子状(行列状)のすべてに設けられているが,本発明はこれに限定されない。格子状(行列状)の一部に外部接続端子が設けられていない場合であっても,設けられている外部接続端子の一部の形状を変更することにより,これをインデックスマークとして機能させることが可能である。
【0058】
また,第3の実施の形態では,4隅の外部接続端子とそれに隣接する外部接続端子とを一体的に形成し,1つの外部接続端子53aとした場合について説明したが(図5),本発明はこれに限定されない。複数の外部接続端子を一体に形成した外部接続端子が,半導体装置の中央付近に形成されておらず,インデックスマークとして機能できる位置に形成されていればよい。
【0059】
また,上記実施の形態の一部では,インデックスマークが,実装基板に対する半導体装置の実装方向を示すためのマークとして説明されている。しかしながら,このインデックスマークは,半導体装置自体の方向を示すマークであっても良い。すなわち,インデックスマークは,半導体装置の1ピンマークが存在している位置を示すマークであっても良い。
【0060】
また,上記実施の形態では,インデックスマークとして機能する外部接続端子が電子回路に電気的に接続された端子として説明されている。しかしながら,このインデックスマークは,電子回路に電気的に接続されていない端子,いわゆるノンコネクトピンであっても良い。
【0061】
また,上記実施の形態で示した各製造工程は,半導体製造技術の進歩に伴い,適宜変更されることが想定されるが,本発明の特徴に直接的に関係のない工程については,上記実施の形態の工程に限定されず,適宜変更可能である。
【0062】
【発明の効果】
以上説明したように,本発明の主な効果を列挙すれば,以下の通りである。
▲1▼インデックスマークを付与する工程自体が不要となるため,インデックスマークを個々の半導体装置の位置に合わせるための位置調整作業が不要となる。
▲2▼外部接続端子の形状をインデックスマークとして利用しているため,インデックスマークをインクを用いて形成していた従来技術と異なり,インデックスマークが半導体装置から離脱することを回避できる。また,インデックスマークをレーザ光を用いて形成していた従来技術と異なり,装置内部の回路パターンの劣化を防止できる。
▲3▼外部接続端子の大きさは,一辺(直径)が400μm(0.4mm)程度であり,肉眼でその形状を認識することができる。このため,容易に実装方向を判別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】チップサイズパッケージの製造工程を示す説明図である。
【図2】図1に続く製造工程を示す説明図である。
【図3】第1の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図4】第2の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図5】第3の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図6】第4の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図7】第5の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図8】第6の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図9】第7の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図10】第7の実施の形態にかかる半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェハ
2 銅ポスト
3 封止樹脂
4 研磨剤
5 外部接続端子
6 研削テープ
7 切断刃
8 半導体装置
9 ウェハキャリア
10 ピックアップコレット
11 エンボスキャリアテープ
12 突き上げ機構(針状のピン)
13 絶縁膜
14 電極パッド
15 絶縁膜
16 配線
Claims (12)
- ウェハ状態で半導体装置を封止した後に,個々の半導体装置を前記ウェハから切り出すことにより製造される半導体装置の製造方法において,
個々の半導体装置を前記ウェハから切り出す前の段階で,前記半導体装置の方向を示す情報を,前記ウェハの裏面に1つの半導体装置に対して2以上,かつ,少なくとも1つの前記半導体装置の方向を示す情報の全体が残存するように付与することを特徴とする,半導体装置の製造方法。 - 前記情報は,前記半導体装置を実装基板に実装する際の方向を示す記号であることを特徴とする,請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記記号は,始点と終点とを有する線分と,前記終点に付加された終点を示すマークとで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記記号は,矢印であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記矢印は,特定のピンの位置を指すものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記矢印は,前記半導体装置のいずれかの辺に対して直交しない方向を指していることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1の主表面と,前記第1の主表面に実質的に対向する第2の主表面と,複数のスクライブラインによって区画された複数の半導体装置形成部を有する半導体ウェハを準備する工程と,
前記半導体装置形成部の前記第1の主表面に回路素子を形成する工程と,
前記半導体装置形成部の前記第1の主表面上部に前記回路素子と電気的に接続される複数の外部端子を形成する工程と,
前記第2の主表面に半導体装置の方向を示す情報を形成する工程と,
前記スクライブラインを研削し前記各半導体装置形成部を個片化することによって前記半導体装置を得る工程とを有し,
前記半導体装置の方向を示す情報は,1つの前記半導体装置形成部に対して2以上形成され,かつ,少なくとも1つの前記半導体装置の方向を示す情報の全体が残存することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記情報は,前記半導体装置を実装基板に実装する際の方向を示す記号であることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記記号は,始点と終点とを有する線分と,前記終点に付加された終点を示すマークとで構成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記記号は,矢印であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記矢印は,特定のピンの位置を指すものであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記矢印は,前記半導体装置のいずれかの辺に対して直交しない方向を指していることを特徴とする請求項10または11に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003116019A JP3909036B2 (ja) | 2001-04-27 | 2003-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-132335 | 2001-04-27 | ||
JP2001132335 | 2001-04-27 | ||
JP2003116019A JP3909036B2 (ja) | 2001-04-27 | 2003-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002121900A Division JP3711341B2 (ja) | 2001-04-27 | 2002-04-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003297959A JP2003297959A (ja) | 2003-10-17 |
JP3909036B2 true JP3909036B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=29404724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003116019A Expired - Lifetime JP3909036B2 (ja) | 2001-04-27 | 2003-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3909036B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303029A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006303305A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Aoi Electronics Co Ltd | 半導体装置 |
JP5966653B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-08-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-04-21 JP JP2003116019A patent/JP3909036B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003297959A (ja) | 2003-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6668449B2 (en) | Method of making a semiconductor device having an opening in a solder mask | |
JP3711341B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7884472B2 (en) | Semiconductor package having substrate ID code and its fabricating method | |
JP4143345B2 (ja) | チップ積層型パッケージ素子及びその製造方法 | |
US7565737B2 (en) | Manufacturing method of package substrate | |
US7141868B2 (en) | Flash preventing substrate and method for fabricating the same | |
TWI353046B (en) | Land grid array semiconductor device packages, ass | |
US20100112761A1 (en) | Semiconductor device and a manufacturing method of the same | |
KR20090021019A (ko) | 재배선 기판을 이용한 반도체 패키지 제조방법 | |
KR102222415B1 (ko) | 열 스프레더를 구비한 집적회로 패키징 시스템 및 그 제조 방법 | |
JP3982082B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0955399A (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
KR101014577B1 (ko) | 반도체 장치, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 | |
US6403401B1 (en) | Heat spreader hole pin 1 identifier | |
JP3909036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3850967B2 (ja) | 半導体パッケージ用基板及びその製造方法 | |
JPH0832296A (ja) | 電子部品を実装する際の位置合わせ方法 | |
JP2006196734A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20040082103A1 (en) | Semiconductor package with marking film and manufacturing method thereof | |
KR100537835B1 (ko) | 반도체 패키지 제조방법 | |
US20070105270A1 (en) | Packaging methods | |
TWI374533B (en) | Semiconductor package having substrate id code and its fabricating method | |
JPH08274425A (ja) | プリント配線板 | |
KR20080062566A (ko) | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3909036 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |