JP3895880B2 - サーマルビアを備えたキャビティダウンicパッケージ構造 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、サーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造、特に高効率サーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
少なくとも一つの集積回路(IC)を含むモジュールにおいては、信号および電源の入力/出力に関してICの装着を完成させるために多くの導電性ワイヤが必要とされている。従来、多くの異なる種類のICパッケージが使用されており、一般的なパッケージとしては、平板パッケージ、密封型プラスチックチップキャリヤパッケージおよびグリッドアレイパッケージがある。
【0003】
現在広く使用されているICパッケージには、半導体チップやパーケージの外部リード線との電気的接続のためにリードフレームが使用されている。ICはさらに精密化かつ複雑化しているので、必要とされるワイヤ数はパッケージの寸法が同じであっても増加しており、また縮小されるにつれて増加している。したがって、従来のリードフレームでは実用面での要求に応えることができなくなっている。この問題を解決してさらに複雑化された回路を完成させるために、より多くのワイヤを含む新型ICパッケージが必要とされている。
【0004】
これに対して、多くのワイヤを備えたボールグリッドアレイ(BGA)ICパッケージが導入された。一般に、BGAは正方形パッケージで、リードピンの代わりにはんだボールが外部電気接続に使用される。はんだボールは、プリント配線板、プリント回路板、その他のICボンディングパッドとの電気的接続に使用される。
【0005】
従来の一般的なBGA構造は、小型で2層あるいはそれ以上の多層のプリント回路板である。チップは、複数のワイヤを介してBGA構造に電気的に接続される。さらに、BGA構造内の導体層間の電気的接続はスルーホールメッキや金属プラグを介して行われる。
【0006】
図1は、LSI Logic社の米国特許5,357,672号に開示されているキャビティダウンBGA ICパッケージ構造の概略断面図である。図1に示すように、プリント配線板の3層100、102、104がプリプレグ106,108および110を介して互いに接合されており、その内部にキャビティ111が形成されている。チップ112はキャビティの中心に配置され、3層プリント配線板のキャビティ内に露出するエッジによって囲まれている。これらのエッジにはボンディングパッド114および116が形成される。チップ112のボンディングパッド118はボンディングワイヤ120を介してボンディングパッド114および116に電気的に接続され、さらにスルーホールメッキ122を介してバンプ124に接続される。これにより、メインボード(図示せず)との信号伝送が可能になる。
【0007】
この特許においては、プリプレグ106,108および110を介して互いに接合された三層のプリント配線板100,102および104が基板として使用され、基板内に形成されるキャビティ111がチップ112を収納するために使用されている。したがって、バンプ124はチップ112と同じサイドに形成されている。チップとバンプが対向する両サイドに形成されている通常のBGA ICパッケージに比較して2つの導体層を省くことができる。
【0008】
従来のキャビティダウンBGA、PGA(ピングリッドアレイ)、あるいはマルチチップモジュール(MCM)ICパッケージにおいては、図1に示す導体層126および128のような少なくとも2つの導体層が内部にキャビティを有する多層プリント配線板(基板)内に形成される。一般的なチップは基板の厚さにおよそ等しいかあるいはそれよりも大きい厚みを有し、チップとはんだボールは同じサイドに配置されるので、はんだボールとメインボードとの間の接触はボンディングおよびモールディング中妨げられる。このため、従来型のキャビティダウンICパッケージにおいては、一般にチップは10〜25milの範囲の厚さになるように研磨される。しかしながら、ウエハはこのような研磨工程において破損しやすいので結果的に無視できない材料損失を招くことになる。
【0009】
さらに、従来のキャビティダウンBGA、PGA、あるいはMCMICパッケージにおいては、図1の番号130によって示されるように、単一の平板ヒートシンクがチップの背面に配置される。しかしながら、このヒートシンクの設計は、多量の熱が生成され、IC内の素子が極めて温度に敏感である高集積高速ICにおける要求には合わない。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の観点において、本発明の目的は、チップ積載パッドが金属、熱伝導性セラミックスあるいはポリマーで作成されたヒートシンクに銀ペーストにより直接接着され、それにより積載チップへの直接かつ短い伝熱経路を形成するサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造を提供することである。さらに、熱エネルギーの一部はヒートシンクに近接して設けられたサーマルビアからスルーホールメッキ、ボンディングパッドおよび基板のはんだボールにより基板が積載されるマザーボードに伝達される。これにより伝熱効率が改善される。
【0011】
本発明のさらなる目的は、ヒートシンクがチップと基板の厚さを考慮して凹形状に設計され、それによりボンディングおよびモールディングをしやすくするサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造を提供することである。さらに、本発明のキャビティダウンICパッケージ構造は従来のBGA、PGA,CSP(チップスケールパッケージ)およびMCM ICパッケージにも適応できる。
【0012】
本発明のサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造は、基板、ヒートシンク、および基板とヒートシンクを互いに接着するための接着層を含む。基板は、互いに接合された多層のプリント回路板で構成され、その中心部にはキャビティを有する。複数のサーマルビアが基板の周囲に設けられる。ヒートシンクは、チップ積載パッドを支持するために使用されるチップ積載領域と、サーマルビアに電気的に接続されて空間的に短い長さの経路 ( ショートパス ) を形成するサーマルビア接合領域とを有する。チップはチップ積載パッドを介してヒートシンクに接続される。一方、サーマルビア接合領域は、プリプレグ層を介してサーマルビアに接合される複数の島状突起部を有する。このように、熱エネルギーは直接にヒートシンクによってだけでなく、ヒートシンクからサーマルビアを介して基板に伝達される。
【0013】
本発明に関する上記の記載内容および以下に記載される本発明の詳細な説明はともに例示的なものであり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0014】
【実施例】
図2は、本発明の実施例に基づくサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造の概略断面図である。このキャビティダウンICパッケージ構造は、基板200、ヒートシンク202およびチップ205を含む。
【0015】
図3は、図2の基板200の構造を説明するための概略断面図である。図3に示すように、基板200は本質的にFr−4、Fr−5、ビスマレイミド・トリアジン(BT)、ポリフェニレンエーテル(PPE)のようなプリプレグ(図示せず)を介して互いに接合される多層プリント回路板204からなる。各プリント回路板204は、銅層のような金属層206およびエポキシ層208を含む。プリント回路板204間の金属層206は、スルーホールメッキ210により電気的に内部接続される。本実施例においては、例示的にプリント回路板204の2層のみが図示されているが、これに限定されるものではない。さらに、基板200の中心部に形成されたキャビティ212がチップ205およびワイヤ214を収納するために使用される。ワイヤ214は基板200とチップ205の間を電気的に接続する。チップ205は、キャビティ内において基板200のエッジによって囲まれており、そこにボンディングパッド216が露出されている。ボンディングパッド216は、ワイヤ214を介してチップ205のボンディングパッド(図示せず)に電気的に接続される。さらに、多数のはんだボール218が基板200の一方のサイドに形成される。ICパッケージ全体を完成させた後、ICがはんだボール218によってマザーボード(図示せず)上に搭載される。このように、チップ205と外部との間の信号および電源の入力/出力はボンディングパッド、ワイヤ、金属層、スルーホールメッキ、はんだボールおよびマザーボードを介して実行される。
【0016】
従来技術と違って、スルーホールメッキ210のような複数のサーマルビア220が基板200の周辺部に形成される。これらのサーマルビア220は基板を貫通する穴を開けて形成される。サーマルビア220を形成する方法は、基板200の種類に応じて異なる。すなわち、基板200が従来の多層プリント回路板である場合、サーマルビア220は通常のドリルを使用した穴あけ法により形成できる。一方、基板200が高密度内部接続板である場合、サーマルビアはレーザービア、フォトビア、あるいはプラズマビア技術のようなミクロビア技術によって形成される。この後、サーマルビア220は熱伝導性エポキシ樹脂のようなエポキシプラグあるいは金属ペーストのような金属プラグによって充填され、硬化される。充填材料で満たされたサーマルビア220の各々の一端には金属パッド222が設けられ、ヒートシンク202との接続に使用される。また、サーマルビア220の各々の他端にははんだボール218が設けられ、マザーボードとの接続に使用される。
【0017】
図4は、図2のヒートシンク202の構造を説明するための概略断面図である。ヒートシンク202は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、あるいはその他の合金のような金属、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化アルミニウム(AlN)、あるいは炭化珪素(SiC)のようなセラミックス、あるいは良好な熱伝導性を有するポリマーで形成される。ヒートシンク202は、およそ6〜60milの厚さhを有し、チップ積載領域224およびサーマルビア接合領域226に主として分けられる。サーマルビア接合領域226は複数の島状突起部228を有する。島状突起部228の各々は、図3に示すサーマルビア220の一つに対向する。各突起部228は0.2〜3.0milの高さd1を有し、対応するサーマルビア220に接続される。チップ205と基板200の厚さを考慮して、チップ205を収納するためのチップ積載領域224が凹構造230に設計される。この凹構造は約40milの深さd2を有し、ボンディングおよびモールディングをしやすくしている。チップ205を研磨する必要がないので、製造歩留まりが向上する。図2に示すように、凹構造230はチップ積載パッド232を支持するために使用され、チップ205はチップ積載パッド上に支持される。
【0018】
さらに、ヒートシンク202の島状突起部228および凹構造230はフォトリソグラフィーおよび化学エッチング、モールディング、あるいは押出し成形法等により作成できる。ヒートシンク202の表面はグリース除去、洗浄、ブラシング、あるいは化学エッチングにより粗面化される。これにより、チップ積載パッド232と凹構造230との間の良好な密着性が得られる。あるいは、図2に示すように、ヒートシンク202は銀ペースト234を介して基板200に接着される。
【0019】
銀ペースト234は、ビスマレイミド・トリアジン(BT)プリプレグ、アラミドあるいはポリフェニレンエーテル(PPE)で作成できる。本質的に多層プリント回路板でなる基板200は、高温高圧下、雰囲気中あるいは真空チャンバ内において銀ペースト234を介してヒートシンク202に接着される。図2のパッケージ構造は、チップ205の搭載、ボンディング、モールディング用化合物240によるカプセル化、およびはんだボール配置プロセスを経て得られる。
【0020】
実用的な利用に際しては、ヒートシンク202の島状突起部228は、プリプレグあるいは接着剤234を介して金属パッド222に接着され、それにより伝熱用のショートパスが形成される。このように、熱エネルギーの一部はサーマルビア220、金属パッド222およびはんだボール218を介してマザーボードに効率よく伝達される。
【0021】
さらに、凹構造230はチップ205が直接にヒートシンク202に接着されるように形成できる。すなわち、チップ積載領域224の深さは調整可能である。したがって、厚めのチップを付加的な研磨作業なしに使用できる。本発明のサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造は、製造適応性および製造歩留まりを改善し、プロセスを簡素化でき、さらに電気特性を改善できるだけでなく従来のキャビティダウンBGA、PGA、MCMおよびCSP ICパッケージにも利用できる。
【0022】
本発明を実施例に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。むしろ、本発明の技術思想から逸脱しないかぎりにおいて種々の変更および改良を加えることが可能であるだろう。したがって、本発明の請求項はそのような変更および改良等を含むように広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のBGA ICパッケージ構造の概略断面図である。
【図2】本発明の実施例に基づくサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造の概略断面図である。
【図3】図2の基板の構造を説明するための概略断面図である。
【図4】図2のヒートシンクの構造を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
200 基板
202 ヒートシンク
204 プリント回路板
205 チップ
206 金属層
208 エポキシ層
210 スルーホールメッキ
212 キャビティ
214 ワイヤ
216 ボンディングパッド
218 はんだボール
220 サーマルビア
222 金属パッド
224 チップ積載領域
226 サーマルビア接合領域
228 島状突起部
230 凹構造
232 チップ積載パッド
234 銀ペースト
240 モールディング用化合物
Claims (8)
- 以下の構成に特徴を有するサーマルビアを備えたキャビティダウンICパッケージ構造:
中心部にキャビティ、周辺部に複数のサーマルビア、エッジ部にチップとの電気的な接続に使用される複数のボンディングパッドを有する多層プリント回路板からなる基板;
チップ積載パッドを支持するために使用されるチップ積載領域と、前記サーマルビアとの接合に使用され、伝熱用のショートパスを形成するサーマルビア接合領域とを有するヒートシンク、前記チップはチップ積載パッドを介してヒートシンクに接続され、前記サーマルビア接合領域はプリプレグ層を介して前記サーマルビアに接合される複数の島状突起部を有する;
前記ヒートシンクと前記基板とを互いに接着するためのプリプレグ。 - 前記サーマルビアを充填するための熱伝導性エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記サーマルビアを充填するための金属ペーストを含むことを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記チップ積載領域は凹構造を有することを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記サーマルビアの各々は、一端にプリプレグを介してサーマルビア接合領域に接合される金属パッドを有し、他端にマザーボードとの接続に使用されるはんだボールが設けられることを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記ヒートシンクが高熱伝導性材料で作成されることを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記高熱伝導性材料は酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化アルミニウム、および炭化珪素を含むことを特徴とする請求項6のキャビティダウンICパッケージ構造。
- 前記ヒートシンクを形成するための材料は、銅、銅合金、アルミニウム合金、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化アルミニウムおよび炭化珪素でなるグループから選択されることを特徴とする請求項1のキャビティダウンICパッケージ構造。
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Families Citing this family (71)
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---|---|---|---|---|
FR2798814B1 (fr) * | 1999-09-22 | 2001-11-16 | Valeo Vision | Perfectionnements aux assemblages electroniques a drain thermique, notamment pour module de commande de lampe a decharge de projecteur de vehicule automobile |
US6329220B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Packages for semiconductor die |
US6392257B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-05-21 | Motorola Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
US6730998B1 (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographic method for fabricating heat sinks, stereolithographically fabricated heat sinks, and semiconductor devices including same |
KR20030011083A (ko) * | 2000-05-31 | 2003-02-06 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체 디바이스 및 이를 제조하기 위한 방법 |
US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
WO2002003437A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware | Hybrid semiconductor structure and device |
US6790760B1 (en) * | 2000-07-21 | 2004-09-14 | Agere Systems Inc. | Method of manufacturing an integrated circuit package |
US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
US6590236B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure for use with high-frequency signals |
AU2001277001A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-02-05 | Motorola, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
US6559537B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Ball grid array packages with thermally conductive containers |
US6493497B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-12-10 | Motorola, Inc. | Electro-optic structure and process for fabricating same |
US6278613B1 (en) * | 2000-09-27 | 2001-08-21 | St Assembly Test Services Pte Ltd | Copper pads for heat spreader attach |
US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
US7221043B1 (en) * | 2000-10-20 | 2007-05-22 | Silverbrook Research Pty Ltd | Integrated circuit carrier with recesses |
US6501121B1 (en) | 2000-11-15 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure |
US6559471B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-06 | Motorola, Inc. | Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same |
US20020096683A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
KR20020074073A (ko) * | 2001-03-16 | 2002-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 아이씨 방열구조 |
US6537848B2 (en) * | 2001-05-30 | 2003-03-25 | St. Assembly Test Services Ltd. | Super thin/super thermal ball grid array package |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US20030010992A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure and method for implementing cross-point switch functionality |
US6531740B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-03-11 | Motorola, Inc. | Integrated impedance matching and stability network |
US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6498358B1 (en) | 2001-07-20 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating |
US6855992B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
US6607942B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-08-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of fabricating as grooved heat spreader for stress reduction in an IC package |
US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
US6790710B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-09-14 | Asat Limited | Method of manufacturing an integrated circuit package |
US20030036217A1 (en) * | 2001-08-16 | 2003-02-20 | Motorola, Inc. | Microcavity semiconductor laser coupled to a waveguide |
US20030071327A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Motorola, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
US20030160319A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Wen-Chun Zheng | Solid assembly of flip-chip package attached to heat removal device and method of manufacturing same |
US20030178719A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Combs Edward G. | Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package |
US6916717B2 (en) * | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
US7161240B2 (en) * | 2002-06-27 | 2007-01-09 | Eastman Kodak Company | Insitu-cooled electrical assemblage |
US20040012037A1 (en) * | 2002-07-18 | 2004-01-22 | Motorola, Inc. | Hetero-integration of semiconductor materials on silicon |
US20040070312A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-15 | Motorola, Inc. | Integrated circuit and process for fabricating the same |
US20040069991A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-15 | Motorola, Inc. | Perovskite cuprate electronic device structure and process |
US6781242B1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-08-24 | Asat, Ltd. | Thin ball grid array package |
US6657864B1 (en) | 2002-12-16 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | High density thermal solution for direct attach modules |
US6965128B2 (en) * | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
US7020374B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
US20040164315A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Motorola, Inc. | Structure and device including a tunneling piezoelectric switch and method of forming same |
US20040216864A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-04 | Wong Marvin Glenn | CTE matched application specific heat sink assembly |
US6984785B1 (en) | 2003-10-27 | 2006-01-10 | Asat Ltd. | Thermally enhanced cavity-down integrated circuit package |
JP4234635B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-03-04 | 株式会社東芝 | 電子機器 |
US20060020308A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Muldner James S | Light therapy device heat management |
US7071556B2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-07-04 | Jinghui Mu | Tape ball grid array package with electromagnetic interference protection and method for fabricating the package |
KR20060026130A (ko) * | 2004-09-18 | 2006-03-23 | 삼성전기주식회사 | 칩패키지를 실장한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
TW200644204A (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-16 | Phoenix Prec Technology Corp | Substrate structure of semiconductor package |
US9713258B2 (en) * | 2006-04-27 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit chip packaging |
JP5042591B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-10-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージおよび積層型半導体パッケージ |
WO2009108136A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | Agency For Science, Technology And Research | Substrate cavity semiconductor package |
US20090283889A1 (en) * | 2008-05-16 | 2009-11-19 | Byoung Wook Jang | Integrated circuit package system |
TWI445152B (zh) * | 2010-08-30 | 2014-07-11 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體結構及其製作方法 |
KR102192356B1 (ko) | 2013-07-29 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
CN103531549A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-01-22 | 桂林微网半导体有限责任公司 | 半导体芯片封装结构和封装方法 |
US9460980B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-10-04 | Qualcomm Incorporated | Systems, apparatus, and methods for heat dissipation |
WO2016167750A1 (en) * | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Penetration detection boundary having a heat sink |
CN108293293B (zh) * | 2015-11-30 | 2020-07-14 | 日本精工株式会社 | 控制单元及电动助力转向装置 |
JP2017126668A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ |
CN112714539A (zh) * | 2019-10-24 | 2021-04-27 | 伟创力有限公司 | 电子组件及制造电子组件的方法 |
CN112768418B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-19 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种半导体器件散热模块及电子装置 |
CN116299850B (zh) * | 2023-05-15 | 2023-09-05 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 硅光子封装结构和硅光子封装结构的制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0756887B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1995-06-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体パッケージ及びそれを用いたコンピュータ |
JPH06275677A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
US5397921A (en) * | 1993-09-03 | 1995-03-14 | Advanced Semiconductor Assembly Technology | Tab grid array |
JPH07135394A (ja) * | 1993-11-09 | 1995-05-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 厚膜コンデンサ付きセラミック配線基板及びその製造方法 |
JP2854805B2 (ja) * | 1994-06-15 | 1999-02-10 | 富士通株式会社 | 物体認識方法および視覚装置 |
US5646373A (en) * | 1994-09-02 | 1997-07-08 | Caterpillar Inc. | Apparatus for improving the power dissipation of a semiconductor device |
JPH08172142A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nippon Micron Kk | 半導体パッケージ及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2769296B2 (ja) * | 1995-01-11 | 1998-06-25 | アドバンスト・セミコンダクター・アセンブリー・テクノロジー・インコーポレイテッド | 半導体ダイ用パッケージ及びその製造方法 |
US5798909A (en) * | 1995-02-15 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Single-tiered organic chip carriers for wire bond-type chips |
US5652463A (en) * | 1995-05-26 | 1997-07-29 | Hestia Technologies, Inc. | Transfer modlded electronic package having a passage means |
JPH0955459A (ja) * | 1995-06-06 | 1997-02-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
FR2735648B1 (fr) * | 1995-06-13 | 1997-07-11 | Bull Sa | Procede de refroidissement d'un circuit integre monte dans un boitier |
JP3292798B2 (ja) * | 1995-10-04 | 2002-06-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3506547B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2004-03-15 | シチズン時計株式会社 | 半導体装置 |
KR0163871B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-01 | 김광호 | 하부에 히트 싱크가 부착된 솔더 볼 어레이 패키지 |
JPH09199526A (ja) * | 1996-01-18 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
KR19980024134A (ko) * | 1996-09-18 | 1998-07-06 | 모기 쥰이찌 | 반도체 패키지 |
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