JP3887620B2 - 半導体素子及び半導体装置 - Google Patents

半導体素子及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3887620B2
JP3887620B2 JP2003344068A JP2003344068A JP3887620B2 JP 3887620 B2 JP3887620 B2 JP 3887620B2 JP 2003344068 A JP2003344068 A JP 2003344068A JP 2003344068 A JP2003344068 A JP 2003344068A JP 3887620 B2 JP3887620 B2 JP 3887620B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
semiconductor element
pads
periphery
center line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003344068A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004088116A (ja
Inventor
茂 山田
洋一 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2003344068A priority Critical patent/JP3887620B2/ja
Publication of JP2004088116A publication Critical patent/JP2004088116A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3887620B2 publication Critical patent/JP3887620B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494Connecting portions
    • H01L2224/4943Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49431Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

この発明は,半導体素子及び半導体装置の構造に関する。
半導体装置の製造において,半導体素子に設けられたパッドとリードとを微細な導線を用いて電気的に接続するワイヤボンディング方式が知られている。このワイヤボンディング方式は,接続が容易であり,信頼性も高いため,広く普及している。近年,高付加価値を実現するために半導体素子の集積度は非常に高くなっており,それに伴っていわゆる多ピン化が進み,パッド及びリードとそれらを接続する導線の数が増えてきている。そして,ワイヤボンディングにも,例えば数ミリ四方の半導体素子の素子周辺に沿って配置された数十〜数百個のパッドとリードとを導線でそれぞれ接続し,更に,各導線同士が接触して電気的な短絡や動作不良を起こさないようにすることが要求されている。
従来,このような要求に対応する技術として,先ず,特開平4−269856号が開示されている。即ち,この半導体素子100は,図10,11に示すように,半導体素子100の周辺に沿って,内側のパッド101と外側のパッド102を千鳥状に二列に配列することにより,素子周辺に沿って多数のパッドを配置した構成になっている。この半導体素子100では,内側のパッド101と外側のパッド102は同程度の大きさを有しており,両者は,半ピッチずらして互い違いに配置されている。そして,この半導体素子100を半導体装置に適用する場合,パッド101,102とリード103を金線等の導線104,105によって交互に接続していた。この場合,導線104,105同士の接触による電気的不良を防止するため,外側のパッド102とリード103を結ぶ導線105の上方に,内側のパッド101とリード103を結ぶ導線104を配置していた。このように,従来は,内側のパッド101とリード103を結ぶ導線104と,外側のパッド102とリード103を結ぶ導線105との高さを異ならせることにより,両者の接触を防いでいた。
また従来,特開平6−53413号も開示されている。即ち,この半導体素子110においても,図12に示すように,半導体素子110の周辺に沿って,内側のパッド111と外側のパッド112を千鳥状に二列に配列した構成になっている。この半導体素子110では,内側のパッド111と外側のパッド112はいずれも正方形であるが,両者の大きさが相違しており,図示の例では,外側のパッド112が内側のパッド111よりも大きくなっている。そして,ワイヤボンディングを行う場合は,外側の大きいパッド112を使用し,TABンディングを行う場合は,内側のパッド111と外側のパッド112の両方を使用することにより,汎用性を向上させている。
特開平4−269856号公報 特開平6−53413号公報
しかしながら,特開平4−269856号に開示された半導体素子100のように,内側のパッド101とリード103を結ぶ導線104と,外側のパッド102とリード103を結ぶ導線105との高さを異ならせると,どうしても半導体装置の高さが高くなるため,主流である薄型のパッケージには適用できない。また,この半導体素子100は,図10に示されるように,中心線106に近い部分では導線104,105同士はほぼ並行となるが,半導体素子100のコーナー部100’に近づくほど導線104,105が斜めになって,互いのオーバーラップが大きくなるため,電気的な不良が起きやすくなり,組み立て不良となりやすい。更に,検査等も困難になってしまう。また,リード103も専用設計としなければならず,開発コストが高くなってしまう。
また特開平6−53413号の半導体素子110は,ワイヤボンディング用のパッド112が外側に一列にしか配置されておらず,その形状も相当に大きい正方形状であって,最近の多ピン化に対応できない構成である。
本発明は,上記のような問題点に鑑みてなされたものであり,その目的は,パッドとリードとを接続する導線同士の間隔を調整することができ,特に半導体素子のコーナー部において導線同士の接触を回避できる半導体素子及び半導体装置を提供することにある。
この目的を達成するために,本発明は,素子周辺に沿ってパッドが2列に配置されている半導体素子であって,一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さが,他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さよりも長くなっている。そして,前記一方の列のパッドのパッドの中心線に対する外側の辺と,前記他方の列のパッドの中心線に対する外側の辺とが,中心線からそれぞれ同じ距離となるように各パッドを配置する。あるいは,前記一方の列のパッドのパッドの中心線に対する内側の辺と,前記他方の列のパッドの中心線に対する内側の辺とが,中心線からそれぞれ同じ距離となるように各パッドを配置する。
この半導体素子は,一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さが,他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さよりも長くなっているので,一方の列のパッドに対する導線の接続位置を横にずらすことができ,例えば,中心線に近い部分では,パッドの中心線よりの位置に導線を接続し,半導体素子のコーナー部に近い部分では,パッドの中心線から離れた位置に導線を接続するなどといった手法を採ることにより,導線同士の間隔をなるべく等しくすることが可能となる。
この半導体素子において,前記一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さを,前記他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さの1.5〜2倍にすることが好ましい。例えば,前記素子周辺に沿ってパッドが二列に配置され,内側に配列されたパッドはいずれも正方形状であり,外側に配列されたパッドはいずれも素子周辺に沿って横長の長方形状である。
また,本発明は,これらの半導体素子の各パッドとリードとを導線にてそれぞれ電気的に接続してなる半導体装置において,前記導線を略等しい間隔で配置したことを特徴とする。
この半導体装置のように,導線を略等しい間隔で配置することにより,電気的な不良のない動作の安定した半導体装置を提供できるようになる。なお,最近の主流である薄型のパッケージに適用できるように,前記導線の高さは同一にするのが良い。
本発明の半導体素子は,パッドに接続される導線同士の間隔を調整してほぼ等間隔にできるので,導線同士の電気的接触が無く,半導体装置の組立が容易になる。また,導線を同じ高さに配置することにより,薄型の半導体装置を製造できるようになる。このため,TQFP,LQFPといった薄型の半導体装置を容易に製造できる。
以下,添付の図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明の第1の実施の形態にかかる半導体素子1の平面図であり,図2は,この半導体素子1の一部を拡大して示した部分図である。
この半導体素子1の表面には,周辺に沿ってパッド2,3が二列に配置されている。図示はしないが,半導体素子1の内部にはLSIなどといった電子回路が内蔵されており,これらパッド2,3を介してその電子回路に信号を入出力させるようになっている。図示の例では,内側に配列されたパッド2は,いずれも正方形状になっている。一方,外側に配列されたパッド3は,いずれも素子周辺に沿って横長に扁平した長方形状になっている。そして図2に示すように,この第1の実施の形態では,外側に配列されたパッド3の横幅L3を,内側に配列されたパッド2の横幅L2の1.5〜2倍の長さに設定している。
更に,この第1の実施の形態では,内側に配列されたパッド2と外側に配列されたパッド3のいずれも,図1に示す半導体素子1の中心線5に対して左右対称に配列している。また,図2に示したように,内側の正方形状に形成されたパッド2における中心線5に対する外側の辺2’と,外側の長方形状に形成されたパッド3における中心線5に対する外側の辺3’とが,中心線5からそれぞれ同じ距離となるように各パッド2,3をそれぞれ配置している。
この半導体素子1を半導体装置に組み立てる場合,図3に示すように,半導体素子1の周囲にリード6を配置し,各パッド2,3とリード6とを金線などの導線7でそれぞれ接続する。この場合,内側に配列されたパッド2に対しては,基本的に導線7をパッド2の中央に接続する。一方,外側に配列されたパッド3に対しては,半導体素子1の中心線5に近い部分では,長方形状をなすパッド3の中心線5に近い位置に導線7を接続し,半導体素子1のコーナー部1’では,長方形状をなすパッド3の中心線5から離れた位置に導線7を接続するようにする。このようにすれば,半導体素子1の中心線5に近い部分とコーナー部1’のいずれにおいても,導線7同士の間隔をなるべく等しくすることができる。
この第1の実施の形態にかかる半導体素子1によれば,外側に配列されたパッド3が横長に扁平した長方形状であるので,導線7を任意の位置に接続でき,導線7同士の間隔をなるべく等しくすることにより,導線7同士の電気的接触が無く,半導体装置の組立が容易になる。また,パッド3が長方形状であると,ワイヤボンディングもし易い。
また,この第1の実施の形態にかかる半導体素子1によれば,導線7同士の間隔をなるべく等しくすることができるので,図4に示すように,内側に配列されたパッド2とリード6を接続している導線7と,外側に配列されたパッド3とリード6を接続している導線7とを同じ高さにしても,導線7同士が接触する心配がない。このように全部の導線7を同じ高さに配置することにより,薄型の半導体装置を製造できるようになる。このため,TQFP,LQFPといった薄型の半導体装置を容易に製造できることとなる。
次に,図5は,本発明の第2の実施の形態にかかる半導体素子11の平面図であり,図6は,この半導体素子11の一部を拡大して示した部分図である。この半導体素子11の表面においても,周辺に沿ってパッド12,13が二列に配置されている。先と同様に,半導体素子11の内部にはLSIなどといった電子回路が内蔵されており,これらパッド12,13を介してその電子回路に信号を入出力させるようになっている。図示の例では,内側に配列されたパッド12は,いずれも素子周辺に沿って横長に扁平した長方形状になっている。一方,外側に配列されたパッド13は,いずれも正方形状になっている。そして図6に示すように,この第2の実施の形態では,内側に配列されたパッド12の横幅L12を,外側に配列されたパッド13の横幅L13の1.5〜2倍の長さに設定している。
更に,この第2の実施の形態でも,内側に配列されたパッド12と外側に配列されたパッド13のいずれも,図5に示す半導体素子11の中心線15に対して左右対称に配列している。また,図6に示したように,内側の長方形状に形成されたパッド12における中心線15に対する内側の辺12’と,外側の正方形状に形成されたパッド13における中心線15に対する内側の辺13’とが,中心線15からそれぞれ同じ距離となるように各パッド12,13を配置している。
この第2の実施の形態にかかる半導体素子2によれば,内側に配列された長方形状のパッド12に対して導線を任意の位置に接続でき,各パッド12,13に接続する導線同士の間隔をなるべく等しくすることにより,導線同士の電気的接触を無くすことができ,半導体装置の組立が容易になる。従って,先に説明した第1の実施の形態の半導体素子1と同様に,薄型の半導体装置を製造できるようになり,TQFP,LQFPといった薄型の半導体装置を容易にできるようになる。
以上,添付図面を参照にしながら本発明の好適な実施の形態について説明したが,本発明は以上に説明した実施の形態に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば,図7に示すように,内側のパッド22と外側のパッド23の配置は,半導体素子21の中央線25に対して左右対称にしなくても良い。また,図8に示す半導体素子31のように,外側の長方形状のパッド33の中心位置と,内側の正方形状のパッド32の中心位置とが,中心線35からそれぞれ同じ距離となるように各パッド32,33を配置しても良い。また,内側のパッドと外側のパッドは,何れか一方のみのパッドが,半導体素子周辺に沿って横長に扁平した形状であっても良いが,例えば図9に示す半導体素子41のように,内側のパッド42と外側のパッド43の両方が横長に扁平した長方形状であっても良い。また,パッドの形状は長方形に限らず,横長に扁平した形状であれば,楕円,多角形等でも良い。更に,パッドの配列は2列に限らず,半導体素子の周辺に沿ってパッドを3列以上配置しても良い。
本発明は,特にTQFP,LQFPといった薄型の半導体装置に好適である。
本発明の第1の実施の形態にかかる半導体素子の平面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる半導体素子の一部を拡大して示した部分図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる半導体素子によって製造される半導体装置の説明図である。 導線の拡大図である。 本発明の第2の実施の形態にかかる半導体素子の平面図である。 本発明の第2の実施の形態にかかる半導体素子の一部を拡大して示した部分図である。 内側のパッドと外側のパッドを中央線に対して左右対称に配置していない実施の形態にかかる半導体素子の平面図である。 外側のパッドの中心位置と内側のパッドの中心位置とが中心線からそれぞれ同じ距離となるように配置した実施の形態にかかる半導体素子の平面図である。 内側のパッドと外側のパッドの両方を長方形状とした実施の形態にかかる半導体素子の平面図である。 従来の半導体素子の平面図である。 従来の半導体素子の断面図である。 図10とは異なる従来の半導体素子の平面図である。
符号の説明
1 半導体素子
2,3 パッド
5 中心線
6 リード
7 導線

Claims (5)

  1. 素子周辺に沿ってパッドが2列に配置されている半導体素子であって,
    一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さが,他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さよりも長くなっており,前記一方の列のパッドのパッドの中心線に対する外側の辺と,前記他方の列のパッドの中心線に対する外側の辺とが,中心線からそれぞれ同じ距離となるように各パッドを配置したことを特徴とする,半導体素子。
  2. 素子周辺に沿ってパッドが2列に配置されている半導体素子であって,
    一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さが,他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さよりも長くなっており,前記一方の列のパッドのパッドの中心線に対する内側の辺と,前記他方の列のパッドの中心線に対する内側の辺とが,中心線からそれぞれ同じ距離となるように各パッドを配置したことを特徴とする,半導体素子。
  3. 前記一方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さを,前記他方の列のパッドの素子周辺に沿った辺の長さの1.5〜2倍にしたことを特徴とする,請求項1又は2に記載の半導体素子。
  4. 請求項1,2又は3のいずれかに記載の半導体素子の各パッドとリードとを導線にてそれぞれ電気的に接続してなる半導体装置において,
    前記導線を略等しい間隔で配置したことを特徴とする半導体装置。
  5. 前記導線の高さを同一にしたことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
JP2003344068A 2003-10-02 2003-10-02 半導体素子及び半導体装置 Expired - Fee Related JP3887620B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003344068A JP3887620B2 (ja) 2003-10-02 2003-10-02 半導体素子及び半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003344068A JP3887620B2 (ja) 2003-10-02 2003-10-02 半導体素子及び半導体装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21566697A Division JP3493118B2 (ja) 1997-07-25 1997-07-25 半導体素子及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004088116A JP2004088116A (ja) 2004-03-18
JP3887620B2 true JP3887620B2 (ja) 2007-02-28

Family

ID=32064583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003344068A Expired - Fee Related JP3887620B2 (ja) 2003-10-02 2003-10-02 半導体素子及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3887620B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4211828B2 (ja) * 2006-09-12 2009-01-21 株式会社日立製作所 実装構造体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004088116A (ja) 2004-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4951276B2 (ja) 半導体チップおよび半導体装置
JP2005532672A (ja) 複数のボンド・パッド列を備えた半導体
JP3493118B2 (ja) 半導体素子及び半導体装置
KR20000071393A (ko) 반도체장치
CN1568543B (zh) 半导体元件
JP5164490B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3887620B2 (ja) 半導体素子及び半導体装置
JP2007150144A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2007103792A (ja) 半導体装置
JPH04364051A (ja) 半導体装置
JP4175343B2 (ja) 半導体ペレット及び半導体装置
JP2007149809A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008177424A (ja) 半導体装置
JP2014120501A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2004363224A (ja) 半導体チップの接続構造
JP2002270723A (ja) 半導体装置、半導体チップおよび実装基板
JP4523425B2 (ja) 半導体素子搭載用基板
JP2008091734A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2013026291A (ja) 半導体装置
JP5113509B2 (ja) 半導体装置
JP3706379B2 (ja) 半導体ペレット
JP4640950B2 (ja) 半導体装置
JP2007335576A (ja) 半導体装置
JP2001298039A (ja) 半導体装置
JP2022118876A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20061121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091201

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111201

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131201

Year of fee payment: 7

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees