JP3859040B2 - ダイナミック型ram - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、ダイナミック型RAM(ランダム・アクセス・メモリ)における欠陥救済技術に利用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
不良ワード線を冗長ワード線に切り換えるという欠陥救済方法とし、特開平8−55494号公報、特開平5−334896号公報、特開平2−192100号公報等がある。この救済方法では、正規ワード線から冗長ワード線への切り換えをメモリマット(又はサブアレイ)間にまたがって自由に行うようにするというAny−to−any方式をとるものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
シェアードセンスアンプ方式では、1つのセンスアンプが2つのメモリマット又はサブアレイに共用される。上記のようなAny−to−any方式を採用した場合、最上位アドレス境界で隣接する2つのメモリマットに冗長ワード線を設けると、上記最上位アドレスを無効にしたリフレッシュ動作を行う場合に、正規ワード線からの切り換えにより一方のメモリマットが選択され、かつ、他方のメモリマットでは正規ワード線が選択されてしまうことがある。つまり、通常動作では4Kリフレッシュを行いつつ、試験動作において2Kリフレッシュを実施すると、上記最上位アドレスを無効にして2つのメモリマットのワード線が同時に選択されてリフレッシュが行われる。このとき、例えば正規ワード線に不良が発生して、上記隣接メモリマットの冗長ワード線に切り換えられると、上記2つのメモリマットの間に設けられるセンスアンプにおいて衝突が生じてしまう。つまり、センスアンプは、2つのメモリマットのうち一方のメモリマットのビット線にした接続されないから、上記冗長ワード線に対応したビット線のメモリセルのの増幅動作が不可能になってしまう。
【0004】
この問題を解決する方法として、最上位アドレスをdon’careとして2つのメモリマットを同時に救済することが考えられる。しかし、このようにすると、一方のメモリマットでは不良が存在しないにもかかわらず、冗長ワード線に切り換えられてしまい、冗長ワード線の半数が無駄に使われて、冗長効率を悪くしてしまう。
【0005】
この発明の目的は、使い勝手を良くしつつ、冗長ワード線の使用効率を高くすることができる欠陥救済回路を備えたダイナミック型RAMを提供することにある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、シェアードセンスアンプを備え、相補ビット線方向に複数のサブアレイが設けられたダイナミック型RAMにおいて、上記相補ビット線方向に並べられる複数のサブアレイのうち、中央部分に配置されて隣接する2つのサブアレイには、冗長ワード線を配置しないようにする。
【0007】
【発明の実施の形態】
図1には、この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例の概略レイアウト図が示されている。同図においては、この発明が適用されるダイナミック型RAMを構成する各回路ブロックのうち、その主要部が判るように示されており、それが公知の半導体集積回路の製造技術により、単結晶シリコンのような1個の半導体基板上において形成される。
【0008】
この実施例では、特に制限されないが、メモリアレイは、全体として4個に分けられる。半導体チップの長手方向に対して左右に分けられて、中央部分14にアドレス入力回路、データ入出力回路及びボンディングパッド列からなる入出力インターフェイス回路及び昇圧回路や降圧回路を含む電源回路等が設けられる。これら中央部分14の両側のメモリアレイに接する部分には、カラムデコーダ領域13が配置される。
【0009】
上述のように半導体チップの長手方向に対して左右に2個、上下に2個ずつに分けられた4個からなる各メモリアレイにおいて、長手方向に対して上下中央部にメインロウデコーダ領域11が設けられる。このメインロウデコーダの上下には、メインワードドライバ領域12が形成されて、上記上下に分けられたメモリアレイのメインワード線をそれぞれが駆動するようにされる。
【0010】
上記メモリセルアレイ(サブアレイ)15は、その拡大図に示すように、メモリセルアレイ15を挟んでセンスアンプ領域16、サブワードドライバ領域17に囲まれて形成されるものである。上記センスアンプ領域と、上記サブワードドライバ領域の交差部は、交差領域(クロスエリア)18とされる。上記センスアンプ領域16に設けられるセンスアンプは、シェアードセンス方式により構成され、メモリセルアレイの両端に配置されるセンスアンプを除いて、センスアンプを中心にして左右に相補ビット線が設けられ、左右いずれかのメモリセルアレイの相補ビット線に選択的に接続される。
【0011】
上述のように半導体チップの長手方向に対して左右に4個ずつに分けられたメモリアレイは、2個ずつ組となって配置される。このように2個ずつ組となって配置された2つのメモリアレイは、その中央部分に上記メインロウデコーダ領域11とメインワードドライバ12が配置される。メインワードドライバ12は、上記1つのメモリアレイを貫通するように延長されるメインワード線の選択信号を形成する。上記メインワードドライバ12にサブワード選択用のドライバも設けられ、後述するように上記メインワード線と平行に延長されてサブワード選択線の選択信号を形成する。
【0012】
拡大図として示された1つのメモリセルアレイ(サブアレイ)15は、特に制限されないが、サブワード線が256本と、それと直交する相補ビット線(又はデータ線)が256対とされる。上記1つのメモリアレイにおいて、上記メモリセルアレイ(サブアレイ)15がビット線方向に16個設けられるからサブワード線が約4K分設けられ、ワード線方向に16個設けられるから相補ビット線が約4K分設けられる。このようなメモリアレイがメモリチップ10全体で4個設けられるから、メモリチップ10全体の記憶容量は、4×4K×4K=64Mビットのようにされる。
【0013】
上記1つのメモリアレイは、メインワード線方向に対して16個に分割される。かかる分割されたサブアレイ15毎にサブワードドライバ(サブワード線駆動回路)17が設けられる。サブワードドライバ17は、メインワード線に対して1/16の長さに分割され、それと平行に延長されるサブワード線の選択信号を形成する。この実施例では、メインワード線の数を減らすために、言い換えるならば、メインワード線の配線ピッチを緩やかにするために、特に制限されないが、1つのメインワード線に対して、相補ビット線方向に8本からなるサブワード線を配置させる。このようにメインワード線方向には8本に分割され、及び相補ビット線方向に対して8本ずつが割り当てられたサブワード線の中から1本のサブワード線を選択するために、サブワード選択ドライバが配置される。このサブワード選択ドライバは、上記サブワードドライバの配列方向に延長される8本のサブワード選択線の中から1つを選択する選択信号を形成する。
【0014】
図2には、この発明に係るダイナミック型RAMにおけるサブアレイとその周辺回路の一実施例の概略レイアウト図が示されている。同図には、図1に示されたメモリアレイの中の4つのサブアレイSBARYが代表として示されている。図2においては、サブアレイSBARYが形成される領域には斜線を付すことによって、その周辺に設けられサブワードドライバ領域、センスアンプ領域及びクロスエリアとを区別するものである。
【0015】
サブアレイSBARYは、次のような4種類に分けられる。つまり、ワード線の延長方向を水平方向とすると、同図の右下に配置される第1のサブアレイSBARYは、サブワード線SWLが256本配置され、相補ビット線対は256対から構成される。それ故、上記256本のサブワード線SWLに対応した256個のサブワードドライバSWDは、かかるサブアレイの左右に128個ずつに分割して配置される。上記256対の相補ビット線BLに対応して設けられる256個のセンスアンプSAは、前記のようなシェアードセンスアンプ方式に加えて、さらに交互配置とし、かかるサブアレイの上下において128個ずつに分割して配置される。
【0016】
同図の右上配置される第2のサブアレイSBARYは、特に制限されないが、正規のサブワード線SWLが256本に加えて8本の予備(冗長)ワード線が設けられ、相補ビット線対は256対から構成される。それ故、上記256+8本のサブワード線SWLに対応した264個のサブワードドライバSWDは、かかるサブアレイの左右に132個ずつに分割して配置される。センスアンプは、上記同様に128個ずつが上下に配置される。すなわち、上記右側の上下に配置されるサブアレイSBARYに形成される256対のうちの128対の相補ビット線は、それに挟まれたセンスアンプSAに対してシェアードスイッチMOSFETを介して共通に接続される。
【0017】
同図の左下配置される第3のサブアレイSBARYは、右隣接のサブアレイSBARYと同様にサブワード線SWLが256本により構成される。上記同様に128個のサブワードドライバが分割して配置される。上記下側左右に配置されたサブアレイSBARYの256本のうちの128本のサブワード線SWLは、それに挟まれた領域に形成された128個のサブワードドライバSWDに対して共通に接続される。上記のように左下配置されるサブアレイSBARYは、256対からなる正規の相補ビット線BLに加えて、4対の予備(冗長)ビット線4REDが設けられる。それ故、上記260対からなる相補ビット線BLに対応した260個のセンスアンプSAは、かかるサブアレイの上下に130個ずつに分割して配置される。
【0018】
同図の左上配置される第4のサブアレイSBARYは、右隣接のサブアレイSBARYと同様に正規のサブワード線SWLが256本に予備サブワード線が8本設けられ、下隣接のサブアレイと同様に正規の相補ビット線対の256対に加えて、予備のビット線が4対設けられるので、サブワードドライバは、左右に132個ずつ分割して配置され、センスアンプSAは上下に130個ずつが分割して配置される。
【0019】
メインワード線MWLは、その1つが代表として例示的に示されているように前記のような水平方向に延長される。また、カラム選択線YSは、その1つが代表として例示されるように縦方向に延長される。上記メインワード線MWLと平行にサブワード線SWLが配置され、上記カラム選択線YSと平行に相補ビット線BL(図示ぜす)が配置されるものである。この実施例では、特に制限されないが、上記4つのサブアレイを基本単位の1組として、図1のように16Mビット分のメモリアレイでは、ビット線方向には8組のサブアレイが形成され、ワード線方向には8組のサブアレイが構成される。1組のサブアレイが4個で構成されるから、上記16Mビットのメモリアレイでは、8×8×4=256個のサブアレイが設けられる。上記16Mビットのメモリアレイがチップ全体では4個設けられるから、メモリチップ全体では256×4=1024個ものサブアレイが形成されるものである。
【0020】
上記4個からなるサブアレイに対して、8本のサブワード選択線FX0B〜FX7Bが、メインワード線MWLと同様に8組(16個)のサブアレイを貫通するように延長される。そして、サブワード選択線FX0B〜FX3Bからなる4本と、FX4B〜FX7Bからなる4本とが上下のサブアレイ上に分けて延長させるようにする。このように2つのサブアレイに対して1組のサブワード選択線FX0B〜FX7Bを割り当て、かつ、それらをサブアレイ上を延長させるようにする理由は、メモリチップサイズの小型化を図るためである。
【0021】
つまり、各サブアレイに対して上記8本のサブワード選択線FX0B〜FX7Bを割り当て、しかもそれをセンスアンプエリア上の配線チャンネルに形成した場合、図1のメモリアレイのように短辺方向の32個ものセンスアンプで、8×32=256本分もの配線チャンネルが必要になるものである。これに対して、上記の実施例では、配線そのものが上下2つのサブアレイに対して上記8本のサブワード選択線FX0B〜FX7Bを共通に割り当て、しかも、それをサブアレイ上をメインワード線と平行に互いに混在させるように配置させることにより、格別な配線専用領域を設けることなく形成することができる。
【0022】
そもそも、サブアレイ上には、8本のサブワード線に対して1本のメインワード線が設けられるものであり、その8本の中の1本のサブワード線を選択するためにサブワード選択線FX0B〜FX7Bが必要になるものである。メモリセルのピッチに合わせて形成されるサブワード線SWLの8本分に1本の割り合いでメインワード線MWLが形成されるものであるために、メインワード線MWLの配線ピッチは緩やかになっている。したがって、メインワード線MWLと同じ配線層を利用して、上記サブワード選択線をメインワード線の間に形成することは配線ピッチの緩やかさを少し犠牲にするだけで比較的容易にできるものである。
【0023】
この実施例のサブワードドライバSWDは、上記サブワード選択線FX0B等を通して供給される選択信号と、それを反転させた選択信号とを用いて1つのサブワード線SWLを選択する構成を採る。そして、サブワードドライバSWDは、それを中心として左右に配置されるサブアレイのサブワード線SWLを同時に選択するような構成を採るものである。そのため、上記のようにFX0B等を共有する2つのサブアレイに対しては、128×2=256個ものサブワードドライバに対して、上記4本のサブワード選択線を割り振って供給する。つまり、サブワード選択線FX0Bに着目すると、2つのサブアレイに対して256÷4=64個ものサブワードドライバSWDに選択信号を供給する必要がある。
【0024】
上記メインワード線MWLと平行に延長されるものを第1のサブワード選択線FX0Bとすると、左上部のクロスエリアに設けられ,上記第1のサブワード選択線FX0Bからの選択信号を受けるサブワード選択線駆動回路FXDを介して、上記上下に配列される64個のサブワードドライバに選択信号を供給する第2のサブワード選択線FX0が設けられる。上記第1のサブワード選択線FX0Bは上記メインワード線MWL及びサブワード線SWLと平行に延長されるのに対して上記第2のサブワード選択線は、それと直交するカラム選択線YS及び相補ビット線BLと平行にサブワードドライバ領域上を延長される。上記8本の第1のサブワード選択線FX0B〜FX7Bと同様に、上記第2のサブワード選択線FX0〜FX7も、偶数FX0,2,4,6と、奇数FX1,3,5,7とに分割されてサブアレイSBARYの左右に設けられたサブワードドライバSWDに振り分けられて配置される。
【0025】
上記サブワード選択線駆動回路FXDは、同図において■で示したように、1つのクロスエリアの上下に2個ずつ分配して配置される。つまり、上記のように左上部のクロスエリアでは、下側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX0Bに対応され、左中間部のクロスエリアに設けられた2つのサブワード選択線駆動回路FXDが、第1のサブワード選択線FX2Bと、FX4Bに対応され、左下部のクロスエリアの上側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX6Bに対応される。
【0026】
中央上部のクロスエリアでは、下側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX1Bに対応され、中央中間部のクロスエリアに設けられた2つのサブワード選択線駆動回路FXDが、第1のサブワード選択線FX3Bと、FX5Bに対応され、中央下部のクロスエリアの上側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX7Bに対応される。そして、右上部のクロスエリアでは、下側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX0Bに対応され、右中間部のクロスエリアに設けられた2つのサブワード選択線駆動回路FXDが、第1のサブワード選択線FX2Bと、FX4Bに対応され、右下部のクロスエリアの上側に配置されたサブワード選択線駆動回路が上記第1のサブワード選択線FX6Bに対応される。このようにメモリアレイの端部に設けられたサブワードドライバでは、その右側にはサブアレイが存在しないから、左側だけのサブワード線SWLのみを駆動する。
【0027】
この実施例のようにサブアレイ上のメインワード線MWLのピッチの隙間にサブワード選択線FXBを配置する構成では、格別な配線チャンネルが不要にできるから、1つのサブアレイに8本のサブワード選択線を配置するようにしてもメモリチップが大きくなることはない。しかしながら、上記のようなサブワード選択線駆動回路FXDを形成するためにクロス領域の面積が増大し、高集積化を妨げることとなる。つまり、上記クロスエリアには、同図において点線で示したようなメイン入出力線MIOやローカル入出力線LIOに対応して設けられるスイッチ回路IOSWや、センスアンプを駆動するパワーMOSFET、シェアードスイッチMOSFETを駆動するための駆動回路、プリチャージMOSFETを駆動する駆動回路等の周辺回路が形成されるために面積的な余裕が無いからである。このため、図2の実施例では、上/下の2つのサブアレイでサブワード選択線駆動回路FXDを共用して面積増加を抑えている。
【0028】
上記クロスエリアのうち、偶数に対応した第2のサブワード選択線FX0〜FX6の延長方向Aに配置されたものには、後述するようにセンスアンプに対して定電圧化された内部電圧VDLを供給するNチャンネル型のパワーMOSFETQ16及びオーバードライブ用の電源電圧VDDを供給するNチャンネル型のパワーMOSFETQ15、及びセンスアンプに対して回路の接地電位VSSを供給するためのNチャンネル型のパワーMOSFETQ14が設けられる。
【0029】
上記クロスエリアのうち、奇数に対応した第2のサブワード選択線FX1〜FX7の延長方向Bに配置されたものには、IOスイッチ(ローカルIO(LIO)とメインIO(MIO)間のスイッチMOSFET)と、ビット線のプリチャージ及びイコライズ用MOSFETをオフ状態にさせるインバータ回路と、特に制限されないが、センスアンプに対して回路の接地電位VSSを供給するためのNチャンネル型のパワーMOSFETとが設けられる。このNチャンネル型のパワーMOSFETは、センスアンプ列の両側からセンスアンプを構成するNチャンネル型MOSFETの増幅MOSFETの共通ソース線(CSN)に接地電位を供給するものである。つまり、センスアンプエリアに設けられる128個又は130個のセンスアンプに対しては、上記A側のクロスエリアに設けられたNチャンネル型のパワーMOSFETと、上記B側のクロスエリアに設けられたNチャンネル型のパワーMOSFETの両方により接地電位が供給される。
【0030】
上記のようにサブワード線駆動回路SWDは、それを中心にして左右両側のサブアレイのサブワード線を選択する。これに対して、上記選択された2つのサブアレイのサブワード線に対応して左右2つのセンスアンプが活性化される。つまり、サブワード線を選択状態にすると、アドレス選択MOSFETがオン状態となり、記憶キャパシタの電荷がビット線電荷と合成されてしまうので、センスアンプを活性化させてもとの電荷の状態に戻すという再書き込み動作を行う必要があるからである。このため、上記端部のサブアレイに対応したものを除いて、上記パワーMOSFETは、それを挟んで両側のセンスアンプを活性化させるために用いられる。これに対して、サブアレイ群の端に設けられたサブアレイの右側又は左側に設けられたサブワード線駆動回路SWDでは、上記サブアレイのサブワード線しか選択しないから、上記パワーMOSFETは、上記サブアレイに対応した片側のセンスアンプ群のみを活性化するものである。
【0031】
上記センスアンプは、シェアードセンス方式とされ、それを挟んで両側に配置されるサブアレイのうち、上記サブワード線が非選択された側の相補ビット線に対応したシェアードスイッチMOSFETがオフ状態にされて切り離されることにより、上記選択されたサブワード線に対応した相補ビット線の読み出し信号を増幅し、メモリセルの記憶キャパシタをもとの電荷状態に戻すという再書き込み動作を行う。
【0032】
図3には、この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にして、アドレス入力からデータ出力までの簡略化された一実施例の回路図が示されている。同図においては、2つのサブアレイ15に上下から挟まれるようにされたセンスアンプ16と前記交差エリア18に設けられる回路が例示的に示され、他はブロック図として示されている。また、点線で示された回路ブロックは、前記符号によりそれぞれが示されている。
【0033】
ダイナミック型メモリセルは、上記1つのサブアレイ15に設けられたサブワード線SWLと、相補ビット線BL,BLBのうちの一方のビット線BLとの間に設けられた1つが代表として例示的に示されている。ダイナミック型メモリセルは、アドレス選択MOSFETQmと記憶キャパシタCsから構成される。アドレス選択MOSFETQmのゲートは、サブワード線SWLに接続され、このMOSFETQmのドレインがビット線BLに接続され、ソースに記憶キャパシタCsが接続される。記憶キャパシタCsの他方の電極は共通化されてプレート電圧VPLTが与えられる。上記MOSFETQmの基板(チャンネル)には負のバックバイアス電圧VBBが印加される。特に制限されないが、後述するような理由によって、上記バックバイアス電圧VBBは、−1Vのような電圧に設定される。上記サブワード線SWLの選択レベルは、上記ビット線のハイレベルに対して上記アドレス選択MOSFETQmのしきい値電圧分だけ高くされた高電圧VPPとされる。
【0034】
センスアンプを内部降圧電圧VDLで動作させるようにした場合、センスアンプにより増幅されてビット線に与えられるハイレベルは、上記内部電圧VDLレベルにされる。したがって、上記ワード線の選択レベルに対応した高電圧VPPはVDL+Vth+αにされる。センスアンプの左側に設けられたサブアレイの一対の相補ビット線BLとBLBは、同図に示すように平行に配置される。かかる相補ビット線BLとBLBは、シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2によりセンスアンプの単位回路の入出力ノードと接続される。
【0035】
センスアンプの単位回路は、ゲートとドレインとが交差接続されてラッチ形態にされたNチャンネル型の増幅MOSFETQ5,Q6及びPチャンネル型の増幅MOSFETMOSFETQ7,Q8から構成される。Nチャンネル型MOSFETQ5とQ6のソースは、共通ソース線CSNに接続される。Pチャンネル型MOSFETQ7とQ8のソースは、共通ソース線CSPに接続される。上記共通ソース線CSNとCSPには、それぞれパワースイッチMOSFETが接続される。特に制限されないが、Nチャンネル型の増幅MOSFETQ5とQ6のソースが接続された共通ソース線CSNには、上記クロスエリア18に設けられたNチャンネル型のパワースイッチMOSFETQ14により接地電位に対応した動作電圧が与えられる。
【0036】
特に制限されないが、上記Pチャンネル型の増幅MOSFETQ7とQ8のソースが接続された共通ソース線CSPには、上記クロスエリア18に設けられたオーバードライブ用のNチャンネル型のパワーMOSFETQ15と、上記内部電圧VDLを供給するNチャンネル型のパワーMOSFETQ16が設けられる。上記オーバードライブ用の電圧には、特に制限されないが、外部端子から供給される電源電圧VDDが用いられる。あるいは、センスアンプ動作速度の電源電圧VDD依存性を軽減するために、ゲートにVPPが印加され、ドレインに電源電圧VDDが供給されたNチャンネル型MOSFETのソースから上記電圧を得るものとしてわずかに降圧してもよい。
【0037】
上記Nチャンネル型のパワーMOSFETQ15のゲートに供給されるセンスアンプオーバードライブ用活性化信号SAP1は、上記Nチャンネル型MOSFETQ16のゲートに供給される活性化信号SAP2と同相の信号とされ、SAP1とSAP2は時系列的にハイレベルにされる。特に制限されないが、SAP1とSAP2のハイレベルは昇圧電圧VPPレベルの信号とされる。つまり、昇圧電圧VPPは、約3.8Vであるので、上記Nチャンネル型MOSFETQ15を十分にオン状態にさせることができる。MOSFETQ15がオフ状態(信号SAP1がロウレベル)の後にはMOSFETQ16のオン状態(信号SAP2がハイレベル)によりソース側から内部電圧VDLに対応した電圧を出力させることができる。
【0038】
上記センスアンプの単位回路の入出力ノードには、相補ビット線を短絡させるイコライズMOSFETQ11と、相補ビット線にハーフプリチャージ電圧VBLRを供給するスイッチMOSFETQ9とQ10からなるプリチャージ(イコライズ)回路が設けられる。これらのMOSFETQ9〜Q11のゲートは、共通にプリチャージ信号PCBが供給される。このプリチャージ信号PCBを形成するドライバ回路は、図示しないが、上記クロスエリアにインバータ回路を設けて、その立ち上がりや立ち上がりを高速にする。つまり、メモリアクセスの開始時にワード線選択タイミングに先行して、各クロスエリアに分散して設けられたインバータ回路を通して上記プリチャージ回路を構成するMOSFETQ9〜Q11を高速に切り替えるようにするものである。
【0039】
上記クロスエリア18には、IOSW(ローカルIOとメインIOを接続するスイッチMOSFETき19,Q20)が置かれる。さらに、図4に示した回路以外にも、必要に応じて、センスアンプのコモンソース線CSPとCSNのハーフプリチャージ回路、ローカル入出力線LIOのハーフプリチャージ回路、メインIOのVDLプリチャージ回路、シェアード選択信号線SHRとSHLの分散ドライバ回路等も設けられる。
【0040】
センスアンプの単位回路は、シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4を介して図下側のサブアレイ15の同様な相補ビット線BL,BLBに接続される。例えば、上側のサブアレイのサブワード線SWLが選択されたときには、センスアンプの上側シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2はオン状態に、下側シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4とがオフ状態にされる。スイッチMOSFETQ12とQ13は、カラムスイッチ回路を構成するものであり、上記選択信号YSが選択レベル(ハイレベル)にされるとオン状態となり、上記センスアンプの単位回路の入出力ノードとローカル入出力線LIO1とLIO1B、LIO2,LIO2B等とを接続させる。
【0041】
これにより、センスアンプの入出力ノードは、上記上側の相補ビット線BL,BLBに接続されて、選択されたサブワード線SWLに接続されたメモリセルの微小信号を増幅し、上記カラムスイッチ回路(Q12とQ13)を通してローカル入出力線LIO1,LIO1Bに伝える。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、上記センスアンプ列に沿って、つまり、同図では横方向に延長される。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、クロスエリア18に設けられたNチャンネル型MOSFETQ19とQ20からなるIOスイッチ回路を介してメインアンプ61の入力端子が接続されるメイン入出力線MIO,MIOBに接続される。なお、上記IOスイッチ回路は、選択信号IOSWによりスイッチ制御され、後述するように上記Nチャンネル型MOSFETQ19とQ20のそれぞれにPチャンネル型MOSFETを並列に接続したCMOSスイッチとされる。
【0042】
特に制限されないが、上記カラムスイッチ回路は、1つの選択信号YSにより二対の相補ビット線BL,BLBと二対のローカル入出力線LIO1,LIO1BとLIO2,LIO2Bとを接続させる。それ故、1つのメインワード線の選択動作により選択されたサブアレイにおいて、その両側に設けられるセンスアンプに対応して設けられる上記二対のカラムスイッチ回路により合計四対の相補ビット線が選択されることになる。シンクロナスDRAMのバーストモードでは、上記カラム選択信号YSがカウンタ動作により切り換えられ、上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bとサブアレイの相補ビット線BL,BLBとの接続が順次に切り換えられる。
【0043】
アドレス信号Aiは、アドレスバッファ51に供給される。このアドレスバッファは、時分割的に動作してXアドレス信号とYアドレス信号を取り込む。Xアドレス信号は、プリデコーダ52に供給され、メインローデコーダ11とメインワードドライバ12を介してメインワード線MWLの選択信号が形成される。上記アドレスバッファ51は、外部端子から供給されるアドレス信号Aiを受けるものであるので、外部端子から供給される電源電圧VDDにより動作させられ、上記プリデコーダは、降圧電圧VPERIにより動作させられ、上記メインワードドライバ12は、昇圧電圧VPPにより動作させられる。カラムデコーダ(ドライバ)53は、上記アドレスバフッァ51の時分割的な動作によって供給されるYアドレス信号を受けて、上記選択信号YSを形成する。
【0044】
上記メインアンプ61は、降圧電圧VPERIにより動作させられ、外部端子から供給される電源電圧VDDで動作させられる出力バッファ62を通して外部端子Dout から出力される。外部端子Dinから入力される書き込み信号は、入力バッファ63を通して取り込まれ、同図においてメインアンプ61に含まれる後述するようなライトアンプを通して上記メイン入出力線MIOとMIOBに書き込み信号を供給する。上記出力バッファの入力部には、レベルシフト回路とその出力信号を上記クロック信号に対応したタイミング信号に同期させて出力させるための論理部が設けられる。
【0045】
特に制限されないが、上記外部端子から供給される電源電圧VDDは、3.3Vにされ、内部回路に供給される降圧電圧VPERIは2.5Vに設定され、上記センスアンプの動作電圧VDLは2.0Vとされる。そして、ワード線の選択信号(昇圧電圧)は、3.6Vにされる。ビット線のプリチャージ電圧VBLRは、VDL/2に対応した1.0Vにされ、プレート電圧VPLTも1.0Vにされる。そして、基板電圧VBBは−1.0Vにされる。
【0046】
図4には、この発明に係るダイナミック型RAMの一実施例のメモリマット構成図が示されている。この実施例は、前記のようにメモリアレイが4個に分割されたメモリチップのうち、1つのメモリアレイのビット線方向に分割されたメモリマットの構成図が示されている。メインワード線方向に並べられたMAT1〜MAT16からなる16個のサブアレイから構成される。
【0047】
上記16個のメモリマットMAT1〜MAT16は、8個ずつ2組に分けられる。つまり、メモリマットMAT1〜MAT8とMAT9〜MAT16のように8個ずつ2組に分けられる。上記8個のメモリマットMAT1〜MAT8とMAT9〜MAT16は、それぞれがビット線方向に約2Kずつのメモリセルが設けられる。
【0048】
この実施例では、図2の実施例のようにビット線方向に並べられた2つずつのサブアレイが1組として、一方のサブアレイには冗長ワード線が設けられる。上記上半分の8個からなるメモリマットMAT1〜MAT8では、上側に対応した奇数番目のメモリマットMAT1、MAT3、MAT5及びMAT7に上記冗長ワード線が設けられる。これに対して、下半分の8個からなるメモリマットMAT9〜MAT16では、下側に対応した偶数番目のメモリマットMAT10、MAT12、MAT14及びMAT16に上記冗長ワード線が設けられる。別の見方をすると、上記2Kずつ2つのメモリマットに分けられた中央部分に設けられるメモリマットMAT8とMAT9には、冗長ワード線を設けないようにするものである。
【0049】
つまり、図2に示した冗長ワード線を有する第2と第4のサブアレイは、上記メモリアレイの上半分の8個のメモリマットMAT1〜MAT8のうち、MAT1、MAT3、MAT5及びMAT7に対応する。図2に示した冗長ワード線のない第1と第3のサブアレイは、上記8個のメモリマットMAT1〜MAT8のうち、MAT2、MAT4、MAT6及びMAT8にそれぞれ対応する。これに対して、上記上半分とは逆に、図2に示した第1と第3のサブアレイは、上記メモリアレイの下半分の8個のメモリマットMAT9〜MAT16のうち、MAT9、MAT11、MAT13及びMAT15に対応し、第2と第4のサブアレイは、上記8個のメモリマットMAT9〜MAT16のうち、MAT10、MAT012、MAT14及びMAT16に対応する。
【0050】
図5には、この発明に係るダイナミック型RAMの入出力線の構成図が示されている。この実施例は、前記のようにメモリアレイが4個に分割されたメモリチップのうち、1つのメモリアレイのワード線方向に分割されたメモリマットの構成が拡大して示されている。
【0051】
1つのメモリアレイでは、前記のように16個のサブアレイが並べられ、サブアレイの両側にはサブワードドライバ17が設けられる。このサブワードドライバ17は、チップ中央部から#1から#17まで17個設けられる。この17個のサブワードドライバ領域のうち、偶数番目のサブワードドライバ領域#2〜#16に、2対ずつのメイン入出力線MIOが配置される。前記図4のように上記4個に分割されたメモリアレイをそれぞれメモリバンク(Bank)0〜3に割り当てて、各メモリバンクにおいて1本のサブワード線を選択すると、メモリバンク当たり16ビットの単位でのデータのリード/ライトを行うようにされる。
【0052】
図6には、この発明に係るダイナミック型RAMのワード線の欠陥救済方法を説明するための構成図が示されている。同図は、前記図4の実施例に対応して、1つのメモリアレイ又はメモリバンクのうち、ビット線方向に並べられる#1から#16までの16個のサブアレイと、それに対応した17個のセンスアンプSAが示され、上側半分(2K分)の8個のサブアレイは、#1、#3、#5、#7の奇数番目において8本ずつの冗長ワード線RWが設けられ、下側半分(2K分)の8個のサブアレイは、#10、#12、#14、#16の偶数番目において8本ずつの冗長ワード線RWが設けられる。
【0053】
この構成において、例えば第1番目のサブアレイのサブワード線Wiに不良(NG)が発生した場合、前記のAny−to−any方式では、#1、#3、#5、#7の中の任意の冗長ワード線に切り換えることができる。この実施例では、例えば同図で点線で示したように#7に設けられた8本の冗長ワード線のうちの1本の冗長ワード線に切り換えられる。
【0054】
前記のような64Mビットの記憶容量を持つダイナミック型RAMのリフレッシュ周期は、標準規格として4K(4096)サイクルに決められている。それ故、通常動作では、上記4つのメモリアレイにおいて、同時に1本のメインワード線とそれに対応された16本のサブワード線(16個のサブアレイ)がそれぞれ選択されて、上記4Kリフレッシュ動作が実施される。
【0055】
この標準規格のリフレッシュに加えて、テストモードとしてテスト時間短縮のため2Kリフレッシュ動作が設けられている。このような2Kリフレッシュを行う場合には、メモリアレイを上記のように2Kずつに分割し、上側のWiのアドレスのワード線と、下側のWi+2048のアドレスのワード線が同時に選択されることにより行われる。つまり、X系のアドレス信号のうち最上位ビットのアドレスのデコード動作が無効にされて、それによりメモリアレイの上側半分と下側半分とを同時に選択状態にするものである。
【0056】
この構成においても、この実施例のダイナミック型RAMでは、上記上側で発生したワード線の不良は、上側のサブアレイ#1、#3、#5、#7の中の任意の冗長ワード線に切り換え、下側の発生したワード線の不良は、下側のサブアレイ#10、#12、#14、#16の中の任意の冗長ワード線に切り換えるという原則を守るという簡単な規則だけを設けることにより、上記2Kリフレッシュ動作を行うようにすることができる。
【0057】
上記サブアレイ#8とサブアレイ#9との間に設けられるセンスアンプSAは、上記のような冗長ワード線の割り付けを行うことにより、不良ワード線の救済のためにサブアレイ#8又はサブアレイ#9の中のワード線が同時に選択されることはない。このため、最上位ビットを無効にしたアドレス信号のデコード動作において、冗長ワード線の切り替え後もサブアレイ#8とサブアレイ#9の中のワード線が同時に選択されることはなく、前記のAny−to−any方式と、シェアードセンスアンプ方式とを採用しつつセンスアンプの競合を回避することができる。
【0058】
図7には、この発明に係るダイナミック型RAMの他の一実施例のメモリマット構成図が示されている。この実施例は、前記図4と同様に前記のようにメモリアレイが4個に分割されたメモリチップのうち、1つのメモリアレイのビット線方向に分割されたメモリマットの構成図が示されている。1つのメモリアレイは、MAT1〜MAT16からなる16個のサブアレイから構成される。
【0059】
上記16個のメモリマットMAT1〜MAT16は、8個ずつ2組に分けられてメモリバンク0と1が割り当てられる。つまり、メモリマットMAT1〜MAT8とMAT9〜MAT16のように8個ずつ2組に分けられて、上半分がメモリバンク(Bank)0とされ、下半分がメモリバンク1とされる。メモリチップの全体図に示すように、前記のようなメインロウデーダとメインワードドライバとからなるワードドライバWDを挟んで対称的に設けられる他方のメモリアレイも上記同様にメモリバンク0と1に分けられる。同様に、残りの2つのメモリアレイも、ビット線方向に2分割されてメモリバンク2と3に分けられる。このようなバンク分割は、×32ビット品のようにチップ長辺の両側から各々16ビットを取り出す製品において好適とされる。
【0060】
この実施例でも、図2の実施例のようにビット線方向に並べられた2つずつのサブアレイが1組として、一方のサブアレイには冗長ワード線が設けられる。上記上半分のメモリバンク0に対応した8個からなるメモリマットMAT1〜MAT8では、上側に対応した奇数番目のメモリマットMAT1、MAT3、MAT5及びMAT7に上記冗長ワード線が設けられる。これに対して、下半分のメモリバンク1に対応した8個からなるメモリマットMAT9〜MAT16では、下側に対応した偶数番目のメモリマットMAT10、MAT12、MAT14及びMAT16に上記冗長ワード線が設けられる。別の見方をすると、上記2Kずつに分けられメモリバンクの境界に隣接するメモリマットMAT8とMAT9には、冗長ワード線を設けないようにするものである。
【0061】
残りの2つのメモリアレイを上下に2分割して構成されるメモリバンク2と3においても、上記同様にビット線方向に16個並べられるメモリマットのうち、2Kずつに分けられメモリバンクの境界に隣接するメモリマットMAT8とMAT9には冗長ワード線を設けないようにするものである。
【0062】
図8には、この発明に係るダイナミック型RAMの他の一実施例のサブアレイの構成図が示されている。この実施例では、サブアレイのワード線が256本でなく512本のように大きくされる。したがって、前記のような4K分のワード線が、8個のサブアレイによって構成される。したがって、同図(A)のようにビット線方向に並べられる#1から#8までの8個のサブアレイと、それに対応した9個のセンスアンプSAが示され、上側半分(2K分)の4個のサブアレイは、#1、#2においてそれぞれ8本ずつの冗長ワード線RWが設けられ、#3のサブアレイには16本の冗長ワード線RWが設けられる。つまり、メインワード線で換算すると、上記#1、#2では1本の冗長メインワード線が設けられ、#3のサブアレイでは2本の冗長メインワード線が設けられる。また、下側半分(2K分)の4個のサブアレイは、#7、#8においてそれぞれ8本ずつの冗長ワード線RWが設けられ、#6のサブアレイには16本の冗長ワード線RWが設けられる。
【0063】
この構成において、上記2Kずつ分けられる境界において隣接するサブアレイ#4と#5にのみ上記冗長ワード線が設けられないものとなる。これにより、前記(図6)同様に2Kリフレッシュを実施する場合、前記のようなメモリバンク構成とした場合において、センスアンプの不所望な競合を避けることができる。なお、例えば第1番目のサブアレイ#1のワード線Wiに不良(NG)が発生した場合、前記のAny−to−any方式では、#1、#2、#3の中の任意の冗長ワード線に切り換えられる。
【0064】
同図(B)においては、メモリアレイの上半分において、512本からなる正規ワード線のサブアレイが#1、#2、#3及び#5とされ、第4番目のサブアレイ#4は32本の冗長ワード線のみからなる冗長アレイとされる。メモリアレイの下半分において、512本からなる正規ワード線のサブアレイが#6、#8、#9及び#10とされ、第7番目のサブアレイ#7は32本の冗長ワード線のみからなる冗長アレイとされる。
【0065】
この構成では、前記冗長サブアレイ#4と#7において、ワード線の数が32本のように少なくされることに応じてビット線に接続されるメモリセルの少なくなる。この結果、メモリセルの記憶電荷とビット線の寄生容量のプリチャージ電荷とのチャージシェアによって読み出される信号量が大きくなって読み出し動作マージンを大きくできるため、冗長サブアレイでの不良発生率が上記サブアレイとの比較において著しく低くなり、救済効率を高くすることができる。
【0066】
上記のようにビット線に接続されるメモリセルの数が少なくなると、センスアンプSAが駆動するビット線の寄生容量からなる負荷も軽くなって、高速な読み出し動作が可能になる。したがって、不良アドレスへのアクセスを検出し、その結果によって冗長ワード線の選択動作が行われることにより、ワード線の選択動作は遅くなってしまうが、読み出し信号量の増大とセンスアンプの高速動作化とが相乗的に作用して、上記冗長ワード線の選択動作を遅れをカバーすることができ、正規ワード線のメモリセルからの読み出し動作と、冗長ワード線のメモリセルからの読み出し動作の時間差を実質的になくすことができ、メモリの高速動作が可能になる。
【0067】
なお、上記サブアレイの正規ワード線を512本とする構成において、メモリアレイをワード線方向に16分割し、サブアレイの正規ビット線対を256対としてもよいし、上記ワード線と同様に512対として8分割からなるサブアレイとしてもよい。
【0068】
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りである。
(1) シェアードセンスアンプを備え、相補ビット線方向に複数のサブアレイが設けられたダイナミック型RAMにおいて、上記相補ビット線方向に並べられる複数のサブアレイのうち、中央部分に配置されて隣接する2つのサブアレイには冗長ワード線を配置しないようにすることにより、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0069】
(2) 上記ワード線を、メインワード線と上記メインワード線の延長方向に対して分割された長さとされ、かつ、上記メインワード線と交差するビット線方向に対して複数配置され、複数からなるダイナミック型メモリセルのアドレス選択端子が接続されてなるサブワード線により構成し、上記複数からなるサブワード線配列の両端側にサブワード線駆動回路が振り分けられて分割して配置し、上記サブアレイの1つは、上記複数のサブワード線駆動回路列と上記複数のセンスアンプ列とにより囲まれるように形成することにより、高集積化と高速化を図りつつ、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0070】
(3) 上記サブアレイをワード線方向及びビット線方向に複数個がそれぞれ配置されてメモリアレイを構成し、上記メモリアレイにおいて上記ビット線方向に並べられた複数個のサブアレイのうち上半分には奇数番目のサブアレイに冗長ワード線を設け、下半分には偶数番目のサブアレイに冗長ワード線を設けることにより、サブアレイ毎のメモリセルをほぼ均一にできるから、全体の読み出し動作のバランスをとりつつ、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0071】
(4) 上記サブアレイを、ワード線方向及びビット線方向に複数個をそれぞれ配置してメモリアレイを構成し、上記メモリアレイにおいて上記ビット線方向に並べられた複数個のサブアレイのうち上半分と下半分のサブアレイの中央部分で隣接する1つのサブアレイを除いた残り全部のサブアレイに冗長ワード線を設けることにより、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0072】
(5) 上記サブアレイを、ワード線方向及びビット線方向に複数個をそれぞれ配置してメモリアレイを構成し、上記メモリアレイにおいて上記ビット線方向に並べられた複数個のサブアレイのうち上半分と下半分のサブアレイの中央部分で隣接する1つのサブアレイを除いた特定の1つのサブアレイを冗長専用サブアレイとすることにより、冗長サブアレイの動作マージンの向上と高速動作によってメモリ動作の高速化を図りつつ、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0073】
(6) 上記メモリアレイの上半分と下半分のメモリセルを同時にリフレッシュされるリフレッシュモードを設けることにより、効率的な試験動作が可能にしつつ、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0074】
(7) 上記メモリアレイの上半分と下半分で異なるメモリバンクを構成し、かる2つのメモリバンクにおいて同時にワード線が選択状態となる動作モードを設けつつ、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0075】
(8) 上記メモリアレイをメモリチップに4個設け、メモリチップの長手方向の中央部にはボンディングパッドと周辺回路を形成し、メモリチップの短手方向の中央部にはワード線の選択回路が配置することにより、効率的な試験機能あるいは複数メモリバンクを持たせつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができるという効果が得られる。
【0076】
以上本発明者よりなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記図1に示したダイナミック型RAMにおいてメモリアレイ、サブアレイ及びサブワードドライバの構成は、種々の実施形態を採ることができるし、サブワードドライバを用いないワードシャント方式でもよい。この発明に係るダイナミック型RAMは、1チップマイクロコンピュータ等のようなディジタル集積回路に内蔵されるものであってもよい。この発明は、ダイナミック型RAMに広く利用することができる。
【0077】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、シェアードセンスアンプを備え、相補ビット線方向に複数のサブアレイが設けられたダイナミック型RAMにおいて、上記相補ビット線方向に並べられる複数のサブアレイのうち、中央部分に配置されて隣接する2つのサブアレイには冗長ワード線を配置しないようにすることにより、Any−to−anyによる効率的な欠陥救済を行いつつ、センスアンプの不所望な競合を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例を示す概略レイアウト図である。
【図2】この発明に係るダイナミック型RAMにおけるサブアレイとその周辺回路の一実施例を示す概略レイアウト図である。
【図3】この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にして、アドレス入力からデータ出力までの簡略化された一実施例を示す回路図である。
【図4】この発明に係るダイナミック型RAMの一実施例を示すメモリマット構成図である。
【図5】この発明に係るダイナミック型RAMの入出力線の一実施例を示す構成図である。
【図6】この発明に係るダイナミック型RAMのワード線の一実施例の欠陥救済方法を説明するための構成図である。
【図7】この発明に係るダイナミック型RAMの他の一実施例を示すメモリマット構成図である。
【図8】この発明に係るダイナミック型RAMのワード線の他の一実施例の欠陥救済方法を説明するための構成図である。
【符号の説明】
10…メモリチップ、11…メインロウデコーダ領域、12…メインワードドライバ領域、13…カラムデコーダ領域、14…周辺回路、ポンディングパッド領域、15…メセリセルアレイ(サブアレイ)、16…センスアンプ領域、17…サブワードドライバ領域、18…交差領域(クロスエリア)、
51…アドレスバッファ、52…プリデコーダ、53…デコーダ、61…メインアンプ、62…出力バッファ、63…入力バッファ、
Q1〜Q20…MOSFET。
Claims (6)
- 複数のワード線と、
複数の相補ビット線と、
上記複数のワード線と複数の相補ビット線との交点部に設けられた複数のダイナミック型メモリセルとを備え、
上記ダイナミック型メモリセルは、対応する上記ワード線にアドレス選択端子としてのゲートが接続され、対応する上記相補ビット線に入出力端子としてのソース,ドレインが接続されたアドレス選択MOSFETと、上記アドレス選択MOSFETの他方のソース,ドレインに蓄積ノードが接続され、他方に所定の電圧が与えられた記憶キャパシタとからなり、
上記相補ビット線は、上記ダイナミック型メモリセルの上記入出力端子がその一方に接続された複数の相補ビット線対からなり、
上記複数のワード線及び上記複数の相補ビット線及びこれらの交点に設けられた複数の上記ダイナミック型メモリセルにより1つのサブアレイが構成され、
上記ワード線方向及び相補ビット線方向のそれぞれに複数のサブアレイが配置されてメモリアレイが構成され、
上記メモリアレイは、上記相補ビット線の延長方向において上記サブアレイを挟むセンスアンプを更に有し、
上記センスアンプは、それを挟む2つの上記サブアレイの上記相補ビット線と選択的に接続されるシェアードセンスアンプであり、
上記サブアレイは、上記相補ビット線の延長方向において第1グループと第2グループに分けられ、
上記第1グループに属する第1サブアレイと上記第2グループに属する第2サブアレイは、互いに隣接して配置されて冗長ワード線が無く、
上記第1グループに属する上記第1サブアレイを除く他のサブアレイは、少なくとも1つが上記第1グループに属するいずれかのサブアレイの欠陥ワード線に置き換え可能な冗長ワード線を有し、
上記第2グループに属する上記第2サブアレイを除く他のサブアレイは、少なくとも1つが上記第2グループに属するいずれかのサブアレイの欠陥ワード線に置き換え可能な冗長ワード線を有し、
上記第1グールプに属するサブアレイと第2グループに属するサブアレイとを別々にリフレッシュする第1リフレッシュモードと、
上記第1グールプに属するサブアレイと第2グループに属するサブアレイとを同時にリフレッシュする第2リフレッシュモードとを有するダイナミック型RAM。 - 請求項1において、
上記ワード線は、メインワード線と、上記メインワード線の延長方向に対して上記サブアレイに対応して分割された長さとされ、かつ、上記メインワード線と交差するビット線方向に対して複数配置され、複数からなるダイナミック型メモリセルの上記アドレス選択端子が接続されてなるサブワード線からなり、
上記メインワード線の選択信号と、サブワード線の選択信号とを受けるサブワード線駆動回路が上記サブアレイに配置された複数からなるサブワード線配列の両端側に振り分けられ、かつ隣接するサブアレイのサブワード線を選択するよう配置されたダイナミック型RAM。 - 請求項2において、
上記第1グループのサブアレイは、上記相補ビット線の延長方向において上記第1サブアレイを基準にしてそれと隣接するサブアレイから1つおきに冗長ワード線が設けられるものであり、
上記第2グループのサブアレイは、上記相補ビット線の延長方向において上記第2サブアレイを基準にしてそれと隣接するサブアレイから1つおきに冗長ワード線が設けられたダイナミック型RAM。 - 請求項2において、
上記第1グループのサブアレイは、上記相補ビット線の延長方向において1つのサブアレイが上記冗長ワード線を含む冗長専用サブアレイとされ、他のサブアレイは上記第1サブアレイを含んで冗長ワード線が無く、
上記第2グループのサブアレイは、上記相補ビット線の延長方向において1つのサブアレイが上記冗長ワード線を含む冗長専用サブアレイとされ、他のサブアレイは上記第2サブアレイを含んで冗長ワード線が無いダイナミック型RAM。 - 請求項1乃至4のいずれか1つにおいて、
上記第1リフレッシュモードは、4Kサイクルであり、
上記第2リフレッシュモードは、2Kサイクルであるダイナミック型RAM。 - 請求項1乃至5のいずれか1つにおいて、
上記メモリアレイを複数個備え、
上記複数のメモリアレイは、複数のメモリバンクを構成するダイナミック型RAM。
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