JP3851811B2 - 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(TFT−LCD)の製造方法に関するものであって、特に、ブラックマトリックス(black matrix)と基板との粘着力を向上する薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図1は公知のTFT−LCDの断面図である。図1に示されるように、TFT−LCDは、カラーフィルター(color filter)基板10、ブラックマトリックス(black matrix)12、コート層14、導電層(ITO層)16、シーラント層18、薄膜トランジスタ陳列基板20、絶縁層22を含む。公知技術のTFT−LCD中、ブラックマトリックス12は基板10に対する粘着性が悪く、振動や衝撃を受けた時、剥落しやすい。ブラックマトリックスは主に、ポリマー(polymer)及び遮光剤(light shielding)から構成されているため、ブラックマトリックスの粘着力を強化する目下の方法としては、ポリマーの比重を増加させ、好ましい光遮蔽剤を探すことである。
【0003】
しかし、ポリマーの比重が増加すれば、光学密度(optical density)が減少するので、ポリマーの比重を増加させてブラックマトリックスの基板に対する粘着力を改善するのは限界がある。この他、好ましい遮光剤を探す過程は多大な時間を費やす。これにより、その他のもっと簡単な方法で、ブラックマトリックスの基板に対する粘着力を強化するのは、業界の重要な研究の一つとなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、カラーフィルター基板に対するブラックマトリックス層の粘着力を容易に強化できる薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
本発明は、カラーフィルター基板に対するブラックマトリックス層の粘着力が強化された薄膜トランジスタ液晶ディスプレイを提供することをもう一つの目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法を提供し、向き合って配置された第1基板と第2基板とを提供する工程と、前記第1基板の表面にブラックマトリックス層を形成する工程と、前記ブラックマトリックス層に、前記第1基板の表面を露出させる複数の開口部を形成する工程と、前記ブラックマトリックス層と前記複数の開口部の表面にコート層を形成する工程と、前記第2基板の表面に形成され、前記複数の開口部と向き合った配置をなし、面積が前記複数の開口部の各々の面積より大きい遮光層を形成する工程と、前記遮光層と前記第2基板の表面に絶縁層を形成する工程と、前記コート層と前記絶縁層との間にシーラント層を形成する工程と、からなり、前記複数の開口部を形成する工程は、前記複数の開口部を、その開口輪郭が閉じるように形成することを含む
【0007】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【0008】
図2を参照すると、先ず、カラーフィルター基板(CF基板)30を準備する。そして、図3で示されるように、前記CF基板30の表面にブラックマトリックス層32を形成すると共に、ブラックマトリックス層32の辺縁付近に複数の開口部33を設置する。続いて、図4で示されるように、ブラックマトリックス層32の表面に全面をコートする方式でコート(over coat)層34を形成する。そして、図5で示されるように、前記コート層34の表面にシーラント層38を形成する。最後に、複数の遮光層44と絶縁層42とを備える薄膜トランジスタ陳列基板40が形成され(後述の図8で示される。薄膜トランジスタ陳列基板40及び絶縁層42は図示されず、複数の遮光層44のみが示されている)、前記遮光層44と前記開口部33とが向き合っているものが図6で示される。その中で、前記遮光層44の面積は前記開口部33の面積より大きい。
【0009】
図8は図6中の点線I−I’の断面図である。図8から分かるように、コート層34は開口部33により直接CF基板30と接触することにより、ブラックマトリックス層32とCF基板との粘着力を大幅に増加し、振動や衝撃を受けても、ブラックマトリックス層32はCF基板から剥落しにくい。その他、前記遮光層44を設置する目的は、前記開口部33で光線が漏れるのを防ぐ為で、これにより、薄膜トランジスタ陳列基板40の前記開口部33に対応する位置に開口部33よりも面積が大きい遮光層44を設置する。
【0010】
なお、前記遮光層44は金属などで構成してもよい。
図7に第2実施形態を示す。第2実施形態において、第1実施形態中の複数の開口部33は開口面積が更に大きい長方形の開口部35に、遮光層44が長方形の遮光層45に換えられる以外は、第1実施形態と同様の工程である。
【0011】
本発明の第2実施形態によると、コート層34は開口部35により、直接CF基板と接触することができるため、振動や衝撃を受けても、ブラックマトリックス層32はCF基板から剥落しにくい。
【0012】
なお、前記遮光層45は金属から構成されてもよい。
本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【0013】
【発明の効果】
ブラックマトリクスとCF基板の粘着力が増す。
【図面の簡単な説明】
【図1】公知の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図3】同じく液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図4】同じく液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図5】同じく液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図6】同じく液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図7】本発明の第2実施形態の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造工程を示す図である。
【図8】図6の点線I−I’の断面図である。
【符号の説明】
10…カラーフィルター基板、12…ブラックマトリックス、
14…コート層、16…導電層(ITO層)、18…シーラント層、
20…薄膜トランジスタ陳列基板、22…絶縁層、30…カラーフィルター基板、32…ブラックマトリックス、33…開口部、34…コート層、
35…開口部、36…導電層(ITO層)、38…シーラント層、40…薄膜トランジスタ陳列基板、42…絶縁層、44…遮光層、45…遮光層。

Claims (8)

  1. 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法であって、
    向き合って配置された第1基板と第2基板とを提供する工程と、
    前記第1基板の表面にブラックマトリックス層を形成する工程と、
    前記ブラックマトリックス層に、前記第1基板の表面を露出させる複数の開口部を形成する工程と、
    前記ブラックマトリックス層と前記複数の開口部の表面にコート層を形成する工程と、
    前記第2基板の表面に形成され、前記複数の開口部と向き合った配置をなし、面積が前記複数の開口部の各々よりも大きい遮光層を形成する工程と、
    前記遮光層と前記第2基板の表面に絶縁層を形成する工程と、
    前記コート層と前記絶縁層との間にシーラント層を形成する工程と、
    を備え
    前記複数の開口部を形成する工程は、前記複数の開口部を、その開口輪郭が閉じるように形成することを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法。
  2. 前記第1基板はカラーフィルター基板であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法。
  3. 前記第2基板は薄膜トランジスタ陳列基板であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法。
  4. 前記遮光層は金属から構成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法。
  5. 向き合って配置された第1基板及び第2基板と、前記第2基板の表面に形成された遮光層と、前記遮光層と前記第2基板の表面に形成された絶縁層とを備えた薄膜トランジスタ液晶ディスプレイであって
    前記第1基板上に形成され、前記第1基板表面を露出させる複数の開口部を有するブラックマトリックス層と、
    前記ブラックマトリックス層と前記複数の開口部の表面に形成されたコート層と
    記コート層と前記絶縁層との間に形成されたシーラント層と、を備え
    前記遮光層は前記複数の開口部と向かい合った配置をなし、その面積が前記複数の開口部の各々より大きく、前記複数の開口部の各々は閉じた開口輪郭を有することを特徴とする薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ。
  6. 前記第1基板はカラーフィルター基板であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ。
  7. 前記第2基板は薄膜トランジスタ陳列基板であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ。
  8. 前記遮光層は金属から構成されることを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100435124B1 (ko) * 2001-05-22 2004-06-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100990500B1 (ko) * 2003-12-23 2010-10-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI335454B (en) 2004-07-13 2011-01-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Positioning apparatus for preventing deformation of diffuser plate of the backlight unit
TWI279630B (en) * 2004-12-17 2007-04-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display
KR20060104093A (ko) * 2005-03-29 2006-10-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2007165012A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
JP2008176237A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP5856006B2 (ja) 2012-04-27 2016-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示パネル
TWI448942B (zh) * 2012-08-28 2014-08-11 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板
CN103531095A (zh) * 2013-10-30 2014-01-22 北京京东方光电科技有限公司 显示用基板及其制作方法、显示装置
CN106597734A (zh) * 2017-02-22 2017-04-26 北京京东方光电科技有限公司 显示基板及显示装置
CN110161744A (zh) * 2019-05-20 2019-08-23 武汉华星光电技术有限公司 彩色滤光基板以及显示装置
CN111679487A (zh) * 2020-06-24 2020-09-18 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114582938A (zh) * 2022-02-18 2022-06-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及oled显示面板的制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042918A (en) * 1988-11-15 1991-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
TW439003B (en) * 1995-11-17 2001-06-07 Semiconductor Energy Lab Display device
JP2000305483A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Toshiba Corp アクティブマトリクス基板の製造方法

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