JP2003084305A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2003084305A JP2003084305A JP2001278767A JP2001278767A JP2003084305A JP 2003084305 A JP2003084305 A JP 2003084305A JP 2001278767 A JP2001278767 A JP 2001278767A JP 2001278767 A JP2001278767 A JP 2001278767A JP 2003084305 A JP2003084305 A JP 2003084305A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線をマスクとした裏面露光による自己整合で
画素電極を形成するに際し、裏面露光の回り込み光によ
る画素隣接短絡の発生による歩留まり低下を低減し、か
つ開口率の大きなアクティブ素子アレイ基板を提供す
る。 【解決手段】アクティブ素子への給電用の配線部を備え
た液晶表示装置であって、前記配線部は各アクティブ素
子に給電するソース配線5ならびにゲート配線とソース
配線5上と前記ゲート配線上の少なくともいずれかを含
む近傍に凸形状の透明層20を備え、前記画素電極は前記
凸形状の透明層20の一部分を被覆してソース配線5もし
くは前記ゲート配線と近接している。高開口率化のため
に配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっても裏面
露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を抑制でき
る。
画素電極を形成するに際し、裏面露光の回り込み光によ
る画素隣接短絡の発生による歩留まり低下を低減し、か
つ開口率の大きなアクティブ素子アレイ基板を提供す
る。 【解決手段】アクティブ素子への給電用の配線部を備え
た液晶表示装置であって、前記配線部は各アクティブ素
子に給電するソース配線5ならびにゲート配線とソース
配線5上と前記ゲート配線上の少なくともいずれかを含
む近傍に凸形状の透明層20を備え、前記画素電極は前記
凸形状の透明層20の一部分を被覆してソース配線5もし
くは前記ゲート配線と近接している。高開口率化のため
に配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっても裏面
露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を抑制でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器などの画像表示応用装置の表示部に用いられる液
晶表示装置およびその製造方法に関し、更に詳しくは開
口率を高め高輝度化もしくは低消費電力化を可能とした
透過型もしくは半透過型の液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
像機器などの画像表示応用装置の表示部に用いられる液
晶表示装置およびその製造方法に関し、更に詳しくは開
口率を高め高輝度化もしくは低消費電力化を可能とした
透過型もしくは半透過型の液晶表示装置およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報の個人化にともない携帯電話
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、開口率を高めた液晶パネルを用いた液晶表示装置が
注目されている。このような液晶パネルの開口率を高め
るため、液晶パネルを構成するアクティブ素子アレイ基
板の最上層に画素電極を形成した液晶表示装置およびそ
の製造方法として、特開昭60-112089号公報に提案され
ている。
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、開口率を高めた液晶パネルを用いた液晶表示装置が
注目されている。このような液晶パネルの開口率を高め
るため、液晶パネルを構成するアクティブ素子アレイ基
板の最上層に画素電極を形成した液晶表示装置およびそ
の製造方法として、特開昭60-112089号公報に提案され
ている。
【０００３】図６は従来の液晶表示装置およびその製造
方法を示す断面図であり、図７は同平面図である。図６
は図７中のII−II線の断面図である。図６および図７に
おいて１はガラスからなる基板、２、３は薄膜トランジ
スタ（Thin Film Transistor;以下、ＴＦＴと略す）の
ゲート電極配線およびゲート絶縁膜、４は非晶質Si（以
下a-Siと略す）の島、５、６はＴＦＴのソース電極配線
およびドレイン電極、７は画素電極７ａとなる透明導電
層、8は裏面照射光１２と遮光層９を有するフォトマス
ク基板１０を通じて表面照射光１１とによって露光され
る感光性樹脂である。
方法を示す断面図であり、図７は同平面図である。図６
は図７中のII−II線の断面図である。図６および図７に
おいて１はガラスからなる基板、２、３は薄膜トランジ
スタ（Thin Film Transistor;以下、ＴＦＴと略す）の
ゲート電極配線およびゲート絶縁膜、４は非晶質Si（以
下a-Siと略す）の島、５、６はＴＦＴのソース電極配線
およびドレイン電極、７は画素電極７ａとなる透明導電
層、8は裏面照射光１２と遮光層９を有するフォトマス
ク基板１０を通じて表面照射光１１とによって露光され
る感光性樹脂である。
【０００４】まず、ガラスからなる基板１上に配線を兼
ねたゲート電極配線２を形成後、全面にゲート絶縁膜３
を形成する。次に、ＴＦＴのチャネルおよびソース・ド
レインコンタクトとなるa-Siの島４を形成後、前記a-Si
の島４に一部重畳して配線を兼ねたソース電極配線５な
らびにドレイン電極６を形成する。次に全面にインジュ
ウム錫酸化物（Indium Tin Oxide 以下ＩＴＯと略す）
からなる透明導電層７を形成後、ネガ型の感光性樹脂８
を塗布する。次に、基板１の裏面から裏面照射光１２に
より、ゲート電極配線２およびソース電極配線５ならび
にドレイン電極６をマスクとした自己整合で感光性樹脂
８を露光し、さらに基板１の表面から遮光層９を有する
フォトマスク基板１０を用いた表面照射光１２の選択露
光によりドレイン電極６上の感光性樹脂８を露光する
（図６）。次に現像により感光性樹脂８の感光部以外を
除去した後、感光性樹脂８の感光部をマスクとして透明
導電層７をエッチングし、ゲート電極配線２およびソー
ス電極配線５のエッジまで延伸しドレイン電極６上でＴ
ＦＴと接続した画素電極７ａを形成する。次に、感光性
樹脂８の感光部を除去することにより、アクティブ素子
アレイ基板を形成する（図７）。
ねたゲート電極配線２を形成後、全面にゲート絶縁膜３
を形成する。次に、ＴＦＴのチャネルおよびソース・ド
レインコンタクトとなるa-Siの島４を形成後、前記a-Si
の島４に一部重畳して配線を兼ねたソース電極配線５な
らびにドレイン電極６を形成する。次に全面にインジュ
ウム錫酸化物（Indium Tin Oxide 以下ＩＴＯと略す）
からなる透明導電層７を形成後、ネガ型の感光性樹脂８
を塗布する。次に、基板１の裏面から裏面照射光１２に
より、ゲート電極配線２およびソース電極配線５ならび
にドレイン電極６をマスクとした自己整合で感光性樹脂
８を露光し、さらに基板１の表面から遮光層９を有する
フォトマスク基板１０を用いた表面照射光１２の選択露
光によりドレイン電極６上の感光性樹脂８を露光する
（図６）。次に現像により感光性樹脂８の感光部以外を
除去した後、感光性樹脂８の感光部をマスクとして透明
導電層７をエッチングし、ゲート電極配線２およびソー
ス電極配線５のエッジまで延伸しドレイン電極６上でＴ
ＦＴと接続した画素電極７ａを形成する。次に、感光性
樹脂８の感光部を除去することにより、アクティブ素子
アレイ基板を形成する（図７）。
【０００５】以上のように、裏面照射光１２を用い配線
をマスクとした自己整合とドレイン電極６上への表面照
射光１２の選択露光により、感光性樹脂８の感光部を形
成することにより、画素電極７ａを、ゲート電極配線２
およびソース電極配線５のエッジまで延伸し面積を大き
くできるとともに、ゲート電極配線２およびソース電極
配線との短絡を防止できる。よって、開口率の大きなア
クティブ素子アレイ基板を得ることが可能となる。
をマスクとした自己整合とドレイン電極６上への表面照
射光１２の選択露光により、感光性樹脂８の感光部を形
成することにより、画素電極７ａを、ゲート電極配線２
およびソース電極配線５のエッジまで延伸し面積を大き
くできるとともに、ゲート電極配線２およびソース電極
配線との短絡を防止できる。よって、開口率の大きなア
クティブ素子アレイ基板を得ることが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来のアクティブ素子アレイ基板の製造方法では、
開口率をさらに上げるため配線を細くした場合、配線近
傍での裏面照射光の回り込みにより画素電極の隣接短絡
が生じ、画素欠陥による歩留まり低下をもたらすという
問題を有していた。この裏面照射光の回り込みの影響に
ついて、以下に図８および図９を用いて説明する。
うな従来のアクティブ素子アレイ基板の製造方法では、
開口率をさらに上げるため配線を細くした場合、配線近
傍での裏面照射光の回り込みにより画素電極の隣接短絡
が生じ、画素欠陥による歩留まり低下をもたらすという
問題を有していた。この裏面照射光の回り込みの影響に
ついて、以下に図８および図９を用いて説明する。
【０００７】図８および図９は、従来のアクティブ素子
アレイ基板の製造方法における配線を細くした場合での
それぞれ断面図および平面図であり、図８は図９中のII
I-III線の断面図を示している。図８および図９におい
て、１５は画素電極７ａとドレイン電極６とを電気的に
接続したコンタクトホール１５ａを有し一般にＴＦＴを
保護するために形成される保護膜、１２ａはソース電極
配線５の近傍での裏面照射光１２の回り込み光、７ｂは
隣接短絡を生じた画素電極７ａの画素隣接部である。そ
の他の構成は、従来の技術で示したものと同じであるた
め、同一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省
略する。
アレイ基板の製造方法における配線を細くした場合での
それぞれ断面図および平面図であり、図８は図９中のII
I-III線の断面図を示している。図８および図９におい
て、１５は画素電極７ａとドレイン電極６とを電気的に
接続したコンタクトホール１５ａを有し一般にＴＦＴを
保護するために形成される保護膜、１２ａはソース電極
配線５の近傍での裏面照射光１２の回り込み光、７ｂは
隣接短絡を生じた画素電極７ａの画素隣接部である。そ
の他の構成は、従来の技術で示したものと同じであるた
め、同一構成部分には同一番号を付して詳細な説明を省
略する。
【０００８】まず、従来の技術と同様にガラスからなる
基板１上にゲート電極配線２、ゲート絶縁膜３、a-Siの
島４、ソース電極配線５ならびにドレイン電極６を形成
する。全面にＳｉＮからなる保護膜１５を成膜後、前記
ドレイン電極６上に後工程で画素電極７ａと前記ドレイ
ン電極６との電気的接続を可能とするコンタクトホール
１５ａを形成する。次に全面にＩＴＯからなる透明導電
層７を成膜し、さらにネガ型の感光性樹脂８を塗布す
る。次に、基板１の裏面より配線をマスクとした自己整
合での裏面照射光１２による感光性樹脂８の露光と、通
常の基板１の表面より表面照射光１１の選択露光により
ドレイン電極６上の感光性樹脂８を露光する。ここで、
前記裏面照射光１２による露光において、自己整合のマ
スクとなる配線の近傍では前記裏面照射光１２は回折や
散乱の影響により回り込み光１２ａが発生する。この回
り込み光１２ａは前記裏面照射光１２の強度分布や平行
度に依存し、結果としてマスクとした配線のエッジから
１．０ないし１．５μｍ程度まで部分的に内側まで露光
される（図８）。次に現像を行ない前記感光性樹脂８の
感光部をマスクとして透明導電層７をエッチングするこ
とにより画素電極７ａが形成されるが、高開口率化のた
めに配線の幅を３μｍ程度とした場合、前記回り込み光
１２ａにより画素隣接部７ｂが生じる（図９）。この画
素隣接部７ｂの発生は、連結する画素の欠陥となり、ア
クティブ素子アレイ基板の歩留まり低下をもたらすこと
となる。このため、配線の幅はせいぜい５μｍ程度にし
か細線化できず、開口率向上を阻むものとなっていた。
基板１上にゲート電極配線２、ゲート絶縁膜３、a-Siの
島４、ソース電極配線５ならびにドレイン電極６を形成
する。全面にＳｉＮからなる保護膜１５を成膜後、前記
ドレイン電極６上に後工程で画素電極７ａと前記ドレイ
ン電極６との電気的接続を可能とするコンタクトホール
１５ａを形成する。次に全面にＩＴＯからなる透明導電
層７を成膜し、さらにネガ型の感光性樹脂８を塗布す
る。次に、基板１の裏面より配線をマスクとした自己整
合での裏面照射光１２による感光性樹脂８の露光と、通
常の基板１の表面より表面照射光１１の選択露光により
ドレイン電極６上の感光性樹脂８を露光する。ここで、
前記裏面照射光１２による露光において、自己整合のマ
スクとなる配線の近傍では前記裏面照射光１２は回折や
散乱の影響により回り込み光１２ａが発生する。この回
り込み光１２ａは前記裏面照射光１２の強度分布や平行
度に依存し、結果としてマスクとした配線のエッジから
１．０ないし１．５μｍ程度まで部分的に内側まで露光
される（図８）。次に現像を行ない前記感光性樹脂８の
感光部をマスクとして透明導電層７をエッチングするこ
とにより画素電極７ａが形成されるが、高開口率化のた
めに配線の幅を３μｍ程度とした場合、前記回り込み光
１２ａにより画素隣接部７ｂが生じる（図９）。この画
素隣接部７ｂの発生は、連結する画素の欠陥となり、ア
クティブ素子アレイ基板の歩留まり低下をもたらすこと
となる。このため、配線の幅はせいぜい５μｍ程度にし
か細線化できず、開口率向上を阻むものとなっていた。
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、画素隣接部７ｂの発生による歩留まり低下を低減
し、もって歩留まり良く開口率の大きなアクティブ素子
アレイ基板を有する液晶表示装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
め、画素隣接部７ｂの発生による歩留まり低下を低減
し、もって歩留まり良く開口率の大きなアクティブ素子
アレイ基板を有する液晶表示装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示装置は、相対する２枚の基板の隙
間部に液晶層とシール部とを有し、前記シール部は前記
液晶層を封止するように前記隙間部の外周部に配置さ
れ、前記２枚の基板のうちの片方の基板は前記液晶層と
接する面に前記液晶層を駆動する複数の画素電極と前記
画素電極と接続されるアクティブ素子と前記アクティブ
素子への給電用の配線部とを備えた液晶表示装置であっ
て、前記配線部は各アクティブ素子に給電するソース配
線ならびにゲート配線と前記ソース配線上と前記ゲート
配線上の少なくともいずれかを含む近傍に凸形状の透明
層を備え、前記画素電極は前記凸形状の透明層の一部分
を被覆して前記ソース配線もしくは前記ゲート配線と近
接していることを特徴とする。
め、本発明の液晶表示装置は、相対する２枚の基板の隙
間部に液晶層とシール部とを有し、前記シール部は前記
液晶層を封止するように前記隙間部の外周部に配置さ
れ、前記２枚の基板のうちの片方の基板は前記液晶層と
接する面に前記液晶層を駆動する複数の画素電極と前記
画素電極と接続されるアクティブ素子と前記アクティブ
素子への給電用の配線部とを備えた液晶表示装置であっ
て、前記配線部は各アクティブ素子に給電するソース配
線ならびにゲート配線と前記ソース配線上と前記ゲート
配線上の少なくともいずれかを含む近傍に凸形状の透明
層を備え、前記画素電極は前記凸形状の透明層の一部分
を被覆して前記ソース配線もしくは前記ゲート配線と近
接していることを特徴とする。
【００１１】次に本発明の液晶表示装置の製造方法は、
相対する２枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを有
し、前記シール部は前記液晶層を封止するように前記隙
間部の外周部に配置され、前記２枚の基板のうちの片方
の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆動する
複数の画素電極と前記画素電極と接続されるアクティブ
素子と前記アクティブ素子への給電用の配線部とを備え
た液晶表示装置の製造方法であって、前記配線部は各ア
クティブ素子に給電するソース配線ならびにゲート配線
と前記ソース配線上と前記ゲート配線上の少なくともい
ずれかを含む近傍に凸形状の透明層とを形成し、前記画
素電極は、前記凸形状の透明層を含む全面に透明導電層
とネガ型感光性樹脂をこの順に形成し、裏面露光により
前記ネガ型感光性樹脂を選択的に感光させ、現像により
前記感光した感光性樹脂からなるマスクを形成し、前記
マスクを用いて前記透明導電層を加工し、前記凸形状の
透明層の一部分を被覆して前記ソース配線もしくは前記
ゲート配線と近接するように形成したことを特徴とす
る。
相対する２枚の基板の隙間部に液晶層とシール部とを有
し、前記シール部は前記液晶層を封止するように前記隙
間部の外周部に配置され、前記２枚の基板のうちの片方
の基板は前記液晶層と接する面に前記液晶層を駆動する
複数の画素電極と前記画素電極と接続されるアクティブ
素子と前記アクティブ素子への給電用の配線部とを備え
た液晶表示装置の製造方法であって、前記配線部は各ア
クティブ素子に給電するソース配線ならびにゲート配線
と前記ソース配線上と前記ゲート配線上の少なくともい
ずれかを含む近傍に凸形状の透明層とを形成し、前記画
素電極は、前記凸形状の透明層を含む全面に透明導電層
とネガ型感光性樹脂をこの順に形成し、裏面露光により
前記ネガ型感光性樹脂を選択的に感光させ、現像により
前記感光した感光性樹脂からなるマスクを形成し、前記
マスクを用いて前記透明導電層を加工し、前記凸形状の
透明層の一部分を被覆して前記ソース配線もしくは前記
ゲート配線と近接するように形成したことを特徴とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の液晶表示装置およびその
製造方法は、配線上に凸形状の透明層を有し、これを被
覆した透明導電層を裏面露光により加工形成し画素電極
を得るものである。本発明によれば、高開口率化のため
に配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっても裏面
露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を抑制し、
もって歩留まり良く開口率の大きな液晶表示装置および
その製造方法が得られる。
製造方法は、配線上に凸形状の透明層を有し、これを被
覆した透明導電層を裏面露光により加工形成し画素電極
を得るものである。本発明によれば、高開口率化のため
に配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっても裏面
露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を抑制し、
もって歩留まり良く開口率の大きな液晶表示装置および
その製造方法が得られる。
【００１３】液晶表示装置の凸形状の透明層は有機膜、
例えばアクリル樹脂などの透明樹脂であることが好まし
い。これにより、所望の凸形状が容易に得られるととも
に、配線と画素電極との寄生容量が低減できる。凸形状
としては、例えば最大厚みが３μｍ程度の断面円弧形状
が好ましい。
例えばアクリル樹脂などの透明樹脂であることが好まし
い。これにより、所望の凸形状が容易に得られるととも
に、配線と画素電極との寄生容量が低減できる。凸形状
としては、例えば最大厚みが３μｍ程度の断面円弧形状
が好ましい。
【００１４】また、液晶表示装置の画素電極はインジウ
ム錫酸化物であることが好ましい。これにより、安定し
た光学的ならびに電気的特性を有し加工精度の優れた画
素電極が得られる。
ム錫酸化物であることが好ましい。これにより、安定し
た光学的ならびに電気的特性を有し加工精度の優れた画
素電極が得られる。
【００１５】また、液晶表示装置のアクティブ素子は薄
膜トランジスタであることが好ましい。また、液晶表示
装置のアクティブ素子は非線形２端子素子であることが
好ましい。
膜トランジスタであることが好ましい。また、液晶表示
装置のアクティブ素子は非線形２端子素子であることが
好ましい。
【００１６】また、本発明方法においては、液晶表示装
置の凸形状の透明層を設ける際に、感光性有機膜を露光
現像後加熱処理することが好ましい。これにより、所望
の凸形状が容易に得られる。
置の凸形状の透明層を設ける際に、感光性有機膜を露光
現像後加熱処理することが好ましい。これにより、所望
の凸形状が容易に得られる。
【００１７】また、液晶表示装置の製造方法の画素電極
を設ける際に、前記画素電極をインジウム錫酸化物で形
成すると、安定した光学的ならびに電気的特性を有し加
工精度の優れた画素電極が得られる。
を設ける際に、前記画素電極をインジウム錫酸化物で形
成すると、安定した光学的ならびに電気的特性を有し加
工精度の優れた画素電極が得られる。
【００１８】そして、本発明の画像表示応用装置は、上
記の液晶表示装置が備えられることを特徴とする。この
ようにして、長時間駆動や薄型軽量化を可能とした画像
表示応用装置が得られる。本発明の画像表示応用装置と
しては、例えば携帯電話、ナビゲーション、携帯情報端
末、携帯パソコン（ノートパソコン）、ビデオカメラ、
デジタルカメラ等がある。
記の液晶表示装置が備えられることを特徴とする。この
ようにして、長時間駆動や薄型軽量化を可能とした画像
表示応用装置が得られる。本発明の画像表示応用装置と
しては、例えば携帯電話、ナビゲーション、携帯情報端
末、携帯パソコン（ノートパソコン）、ビデオカメラ、
デジタルカメラ等がある。
【００１９】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２および図３（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
１、図２および図３（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
【００２０】（実施の形態１）図１は、液晶表示装置の
アクティブ素子アレイ基板における配線部の断面構造を
示し、図２は同様に画素部の平面図、図３（ａ）〜
（ｅ）は図２中Ｉ-Ｉ線での断面を各製造工程ごとに示
す。
アクティブ素子アレイ基板における配線部の断面構造を
示し、図２は同様に画素部の平面図、図３（ａ）〜
（ｅ）は図２中Ｉ-Ｉ線での断面を各製造工程ごとに示
す。
【００２１】図１、図２および図３（ａ）〜（ｅ）にお
いて、２０はソース電極配線５上に形成した凸形状の透
明層、１２ｂは裏面照射光１２のうち前記凸形状の透明
層２０を通過したことによる屈折した回り込み光であ
り、その他の構成は従来例の図６〜図９に示した液晶表
示装置およびその製造方法と同じであるため、同一構成
部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
いて、２０はソース電極配線５上に形成した凸形状の透
明層、１２ｂは裏面照射光１２のうち前記凸形状の透明
層２０を通過したことによる屈折した回り込み光であ
り、その他の構成は従来例の図６〜図９に示した液晶表
示装置およびその製造方法と同じであるため、同一構成
部分には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００２２】まず、ガラスからなる透明基板１上に、厚
さ350nmのAlZr合金（Zr：1atomic%）を成膜後、ゲート
パターンにエッチング加工し、ゲート電極配線２を形成
する。次に、プラズマ化学気相蒸着法（以下p-CVD法と
略す）によりゲート絶縁膜３となるSiNxとチャネル層と
なるa-Siとコンタクト層となる低抵抗a-Siとの三層を成
膜後、a-Siと低抵抗a-Siとを島状にエッチング加工しa-
Siの島４を形成する。次に、厚さを200nmとしたTiを成
膜後ソース電極配線５ならびにドレイン電極６の形状に
エッチング加工するとともにソース電極配線５とドレイ
ン電極６との間の低抵抗a-Siを除去しＴＦＴのソース・
ドレインにそれぞれ対応した低抵抗a-Siからなるコンタ
クト層を形成する。次に全面にp-CVD法によりSiNxを成
膜し保護膜１５を形成する（図３(a)）。次にドレイン
電極６上の保護膜１５の一部を除去しコンタクトホール
１５ａを形成する。次に全面に感光性アクリル系樹脂
（ＪＳＲ社製ＰＣ３０５）を約３μｍ塗布後、露光現像
ならびに２２０℃、３０分の加熱処理により、前記ゲー
ト電極配線２および前記ソース電極配線５上近傍を被覆
した滑らかな凸形状の透明層２０を形成後、全面に厚さ
100nmのＩＴＯからなる透明導電層７を成膜形成する
（図３(ｂ)）。次に、ネガ型の感光性樹脂８を塗布後、
感光性樹脂８の塗布面に対し基板１の裏面からの裏面照
射光１２による露光と、表面からフォトマスクを用い前
記ドレイン電極６上の感光性樹脂８の露光とを行なう
（図３(ｃ)、表面からの露光は従来例と同様であるので
図示せず）。次に現像を行ない前記感光性樹脂８の感光
部からなるマスクを形成するが、このマスク形状は、配
線近傍の裏面照射光１２であって従来回り込み光として
配線のエッジから１．０ないし１．５μｍ程度まで部分
的に内側まで露光されていたものが、せいぜい１．０μ
ｍ程度以下に減少したものとなった（図３(ｄ)）。この
詳細は明らかでないが、凸形状の透明層２０（屈折率1.
5）とその上の透明導電層７（屈折率2.0）で屈折した回
り込み光１２ｂが生じた、また、凸形状の透明層２０に
より裏面照射光１２の強度が減衰したことが考えられ
る。次に、前記マスクを用い透明導電膜７をエッチング
除去することにより画素電極７ａを形成後、前記マスク
を除去してアクティブ素子アレイ基板が得られる（図
２、図３(e)）。さらに、従来例と同様に上記のアクテ
ィブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明
電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液
晶表示装置が完成する。
さ350nmのAlZr合金（Zr：1atomic%）を成膜後、ゲート
パターンにエッチング加工し、ゲート電極配線２を形成
する。次に、プラズマ化学気相蒸着法（以下p-CVD法と
略す）によりゲート絶縁膜３となるSiNxとチャネル層と
なるa-Siとコンタクト層となる低抵抗a-Siとの三層を成
膜後、a-Siと低抵抗a-Siとを島状にエッチング加工しa-
Siの島４を形成する。次に、厚さを200nmとしたTiを成
膜後ソース電極配線５ならびにドレイン電極６の形状に
エッチング加工するとともにソース電極配線５とドレイ
ン電極６との間の低抵抗a-Siを除去しＴＦＴのソース・
ドレインにそれぞれ対応した低抵抗a-Siからなるコンタ
クト層を形成する。次に全面にp-CVD法によりSiNxを成
膜し保護膜１５を形成する（図３(a)）。次にドレイン
電極６上の保護膜１５の一部を除去しコンタクトホール
１５ａを形成する。次に全面に感光性アクリル系樹脂
（ＪＳＲ社製ＰＣ３０５）を約３μｍ塗布後、露光現像
ならびに２２０℃、３０分の加熱処理により、前記ゲー
ト電極配線２および前記ソース電極配線５上近傍を被覆
した滑らかな凸形状の透明層２０を形成後、全面に厚さ
100nmのＩＴＯからなる透明導電層７を成膜形成する
（図３(ｂ)）。次に、ネガ型の感光性樹脂８を塗布後、
感光性樹脂８の塗布面に対し基板１の裏面からの裏面照
射光１２による露光と、表面からフォトマスクを用い前
記ドレイン電極６上の感光性樹脂８の露光とを行なう
（図３(ｃ)、表面からの露光は従来例と同様であるので
図示せず）。次に現像を行ない前記感光性樹脂８の感光
部からなるマスクを形成するが、このマスク形状は、配
線近傍の裏面照射光１２であって従来回り込み光として
配線のエッジから１．０ないし１．５μｍ程度まで部分
的に内側まで露光されていたものが、せいぜい１．０μ
ｍ程度以下に減少したものとなった（図３(ｄ)）。この
詳細は明らかでないが、凸形状の透明層２０（屈折率1.
5）とその上の透明導電層７（屈折率2.0）で屈折した回
り込み光１２ｂが生じた、また、凸形状の透明層２０に
より裏面照射光１２の強度が減衰したことが考えられ
る。次に、前記マスクを用い透明導電膜７をエッチング
除去することにより画素電極７ａを形成後、前記マスク
を除去してアクティブ素子アレイ基板が得られる（図
２、図３(e)）。さらに、従来例と同様に上記のアクテ
ィブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明
電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液
晶表示装置が完成する。
【００２３】以上の実施の形態１によれば、裏面照射光
による露光において、自己整合のマスクとなる配線近傍
での前記裏面照射光の回り込み光による影響を低減する
という作用を有する。
による露光において、自己整合のマスクとなる配線近傍
での前記裏面照射光の回り込み光による影響を低減する
という作用を有する。
【００２４】（実施の形態２）前記実施の形態１では、
凸形状の透明層２０を配線上のみに形成したものとした
が、凸形状の透明層２０形成時に同時に画素内にも形成
してもよく、この場合図４、図５に示す半透過型の液晶
表示装置に使用できるアクティブ素子アレイ基板とする
ことができる。図４では画素内に形成した凸形状の透明
層２０ａの一部にAlからなる反射板２１を形成した。そ
の後、実施の形態１と同様に全面にＩＴＯからなる透明
導電層７を成膜形成した。その後、裏面露光と従来の表
面からの露光により前記反射板２１上ならびに配線近傍
に伸延した画素電極を形成した。また、図５に示すよう
に凸形状の透明層２０を画素内まで伸延させ凹凸形状２
０ｂとして形成し、前記凹凸形状２０ｂ上に前記反射板
２１を形成するものとしてもよい。図４、図５において
画素電極７ａのみの部分は透過光２２による透過型の、
また、反射板２１と画素電極７ａとが積層された部分は
反射光２３による反射型の液晶表示がなされる。
凸形状の透明層２０を配線上のみに形成したものとした
が、凸形状の透明層２０形成時に同時に画素内にも形成
してもよく、この場合図４、図５に示す半透過型の液晶
表示装置に使用できるアクティブ素子アレイ基板とする
ことができる。図４では画素内に形成した凸形状の透明
層２０ａの一部にAlからなる反射板２１を形成した。そ
の後、実施の形態１と同様に全面にＩＴＯからなる透明
導電層７を成膜形成した。その後、裏面露光と従来の表
面からの露光により前記反射板２１上ならびに配線近傍
に伸延した画素電極を形成した。また、図５に示すよう
に凸形状の透明層２０を画素内まで伸延させ凹凸形状２
０ｂとして形成し、前記凹凸形状２０ｂ上に前記反射板
２１を形成するものとしてもよい。図４、図５において
画素電極７ａのみの部分は透過光２２による透過型の、
また、反射板２１と画素電極７ａとが積層された部分は
反射光２３による反射型の液晶表示がなされる。
【００２５】さらに、ゲート電極配線２をAlZr合金から
なるものとしソース電極配線５ならびにドレイン電極６
をTiからなるものとしたが、ゲート電極配線２およびソ
ース電極配線５およびドレイン電極６は裏面照射光を遮
光し、ＴＦＴアレイの電極および配線となるものであれ
ばよく、Cr、Ta等の高融点金属やTi/Al/Ti等の多層金属
構造としてもよい。また、裏面照射光１２による露光と
表面照射光１１による露光の順序は任意である。さら
に、アクティブ素子をＴＦＴからなるものとしたが、Ｍ
ＩＭ等の非線形２端子素子としてもよいことは明らかで
ある。
なるものとしソース電極配線５ならびにドレイン電極６
をTiからなるものとしたが、ゲート電極配線２およびソ
ース電極配線５およびドレイン電極６は裏面照射光を遮
光し、ＴＦＴアレイの電極および配線となるものであれ
ばよく、Cr、Ta等の高融点金属やTi/Al/Ti等の多層金属
構造としてもよい。また、裏面照射光１２による露光と
表面照射光１１による露光の順序は任意である。さら
に、アクティブ素子をＴＦＴからなるものとしたが、Ｍ
ＩＭ等の非線形２端子素子としてもよいことは明らかで
ある。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、高開口率
化のために配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっ
ても裏面露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を
抑制する。よって歩留まり良く開口率の大きな液晶表示
装置およびその製造方法が得られるという有利な効果が
もたらされる。
化のために配線の幅を３μｍ程度と細くした場合であっ
ても裏面露光の回り込み光による画素隣接短絡の発生を
抑制する。よって歩留まり良く開口率の大きな液晶表示
装置およびその製造方法が得られるという有利な効果が
もたらされる。
【図１】本発明の一実施形態における液晶表示装置の製
造方法の途中工程を示した構造断面図
造方法の途中工程を示した構造断面図
【図２】本発明の一実施形態における液晶表示装置の部
分透視平面図
分透視平面図
【図３】本発明の一実施形態における液晶表示装置の製
造方法を各工程で示した構造断面図
造方法を各工程で示した構造断面図
【図４】本発明の他の実施形態における液晶表示装置の
製造方法の途中工程を示した構造断面図
製造方法の途中工程を示した構造断面図
【図５】本発明のさらに別の実施形態における液晶表示
装置の製造方法の途中工程を示した構造断面図
装置の製造方法の途中工程を示した構造断面図
【図６】従来の液晶表示装置を示す構造断面図
【図７】従来の液晶表示装置を示す部分透視平面図
【図８】従来の液晶表示装置を示す構造断面図
【図９】従来の液晶表示装置示す部分透視平面図
１ 基板
２ ゲート電極配線
３ ゲート絶縁膜
４ a-Siの島
５ ソース電極配線
６ ドレイン電極
７ 透明導電層
７ａ 画素電極
７ｂ 画素隣接部
８ 感光性樹脂
９ 遮光層
１０ フォトマスク基板
１１ 表面照射光
１２ 裏面照射光
１２ａ 回り込み光
１２ｂ 屈折した回り込み光
１５ 保護膜
１５ａ コンタクトホール
２０ 凸形状の透明層
２０ａ 画素内に形成した凸形状の透明層
２０ｂ 凹凸形状
２１ 反射板
２２ 透過光
２３ 反射光
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８Ａ
9/35 9/35
Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 49/02
29/786 29/78 ６１２Ｃ
49/02 ６１９Ａ
６１２Ｄ
(72)発明者 米谷 善唯
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 三輪 直也
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H092 GA17 JA03 JA24 JA34 JA37
JA41 JA47 JB01 JB05 JB07
JB22 JB31 KB24 MA13 MA14
MA18 MA42 NA07 NA26 PA12
5C094 AA12 AA42 BA04 BA43 CA19
DA14 DA15 DB04 EA04 EA07
EB02 ED01
5F110 AA26 BB01 CC07 DD02 EE03
EE04 EE06 EE15 EE37 FF03
FF30 GG02 GG15 GG45 HK03
HK04 HK09 HK16 HK21 HK22
HK35 HL07 HM19 NN03 NN04
NN06 NN24 NN27 NN35 NN36
QQ09 QQ12
Claims (11)
- 【請求項１】 相対する２枚の基板の隙間部に液晶層と
シール部とを有し、前記シール部は前記液晶層を封止す
るように前記隙間部の外周部に配置され、前記２枚の基
板のうちの片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液
晶層を駆動する複数の画素電極と前記画素電極と接続さ
れるアクティブ素子と前記アクティブ素子への給電用の
配線部とを備えた液晶表示装置であって、 前記配線部は各アクティブ素子に給電するソース配線な
らびにゲート配線と前記ソース配線上と前記ゲート配線
上の少なくともいずれかを含む近傍に凸形状の透明層を
備え、 前記画素電極は前記凸形状の透明層の一部分を被覆して
前記ソース配線もしくは前記ゲート配線と近接している
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記凸形状の透明層が有機膜である請求
項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記画素電極がインジウム錫酸化物であ
る請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記アクティブ素子が薄膜トランジスタ
である請求項１〜３のいずれかに液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記アクティブ素子が非線形２端子素子
である請求項１〜４のいずれかに液晶表示装置。 - 【請求項６】 相対する２枚の基板の隙間部に液晶層と
シール部とを有し、前記シール部は前記液晶層を封止す
るように前記隙間部の外周部に配置され、前記２枚の基
板のうちの片方の基板は前記液晶層と接する面に前記液
晶層を駆動する複数の画素電極と前記画素電極と接続さ
れるアクティブ素子と前記アクティブ素子への給電用の
配線部とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、 前記配線部は各アクティブ素子に給電するソース配線な
らびにゲート配線と前記ソース配線上と前記ゲート配線
上の少なくともいずれかを含む近傍に凸形状の透明層と
を形成し、 前記画素電極は、前記凸形状の透明層を含む全面に透明
導電層とネガ型感光性樹脂をこの順に形成し、裏面露光
により前記ネガ型感光性樹脂を選択的に感光させ、現像
により前記感光した感光性樹脂からなるマスクを形成
し、前記マスクを用いて前記透明導電層を加工し、前記
凸形状の透明層の一部分を被覆して前記ソース配線もし
くは前記ゲート配線と近接するように形成したことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記凸形状の透明層を形成する際に、感
光性有機膜を露光現像後、加熱処理する請求項６に記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記画素電極を形成する際に、インジウ
ム錫酸化物をスパッタリング法により形成する請求項６
又は７に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記アクティブ素子を薄膜トランジスタ
で形成する請求項６〜８のいずれかに記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記アクティブ素子を非線形２端子素
子で形成する請求項６〜９のいずれかに記載の液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項５のいずれかに記
載の液晶表示装置が備えられることを特徴とする画像表
示応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278767A JP2003084305A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278767A JP2003084305A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003084305A true JP2003084305A (ja) | 2003-03-19 |
Family
ID=19103082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278767A Pending JP2003084305A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003084305A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100406971C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-07-30 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其具有此种基板的液晶显示面板 |
| WO2009048167A1 (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 薄膜能動素子、有機発光装置、表示装置、電子デバイス および薄膜能動素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278767A patent/JP2003084305A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100406971C (zh) * | 2004-02-03 | 2008-07-30 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板及其具有此种基板的液晶显示面板 |
| WO2009048167A1 (ja) | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 薄膜能動素子、有機発光装置、表示装置、電子デバイス および薄膜能動素子の製造方法 |
| US8298839B2 (en) | 2007-10-11 | 2012-10-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Manufacturing method of a thin film active element |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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