JP3834212B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路装置に係り、特にアナログ回路とデジタル回路とを混在させて同一の半導体基板に形成したLSIにおいて、ノイズ対策を行った半導体集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種のアナログ、デジタル混在LSIでは、デジタル回路領域で発生する電気的ノイズがアナログ回路領域に影響を与えないようにすることが重要な要素の一つとなっている。
【0003】
このために例えば図6及び図7に示すように、デジタル回路領域20とアナログ回路領域10との間に分離領域50としてGND電極51を通して接地電位に維持したP+ 型不純物領域4を形成して、これによりデジタル回路領域20で発生した電気的ノイズがアナログ回路領域10に入り込むのを遮断する技術が用いられていた。
【0004】
尚、図6は平面図であり、図7は図6のA−A部の断面図であるが、図6では図面が煩雑となるのを避けるために、両回路領域内の素子および主面上の絶縁膜、電極等の図示を省略している。
【0005】
図6に示すように、P+ 型不純物領域4はガードリングとしてアナログ回路領域10およびデジタル回路領域20をそれぞれ取り囲んでいる。また、図7に示すように、P- 型基板領域(サブ領域)1にP+ 型不純物領域4が形成され、その両側にウェル11,12、例えばP型ウエル11,21が素子を形成するために設けられている。
【0006】
また、アナログ回路領域10におけるウェル11には、ソース、ドレイン12,12、それらの電極14,14及びゲート絶縁膜上のゲート電極13を具備した絶縁ゲート電界効果トランジスタが形成され、このトランジスタを有してアナログ回路を構成している。
【0007】
同様に、デジタル回路領域20におけるウェル21には、ソース、ドレイン22,22、それらの電極24,24及びゲート絶縁膜上のゲート電極23を具備した絶縁ゲート電界効果トランジスタが形成され、このトランジスタを有してデジタル回路を構成している。
【0008】
しかしながら図6及び図7の構成では基板からのノイズを有効に遮断することができない。すなわち、一方の領域にからの基板ノイズを他方の領域に通過することを阻止することができないから不都合を生じる。
【0009】
このために、例えば図8及び図9に示すような構造が提案された。図8は平面図であり、図9は図8のA−A部の断面図であるが、図8では図面が煩雑となるのを避けるために、両回路領域内の素子および主面上の絶縁膜、電極等の図示を省略している。
【0010】
また、図8及び図9において図6及び図7と同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから、重複する説明は省略する。
【0011】
図8及び図9において、デジタル回路領域20とアナログ回路部領域10との間の分離領域60として、P+ 型不純物領域4とPN接合を形成するN+ 型拡散層63を形成している。このような構成により、P+ 型不純物領域4とN+ 型拡散層63とのPN接合によるダイオードが形成されているから、基板からのノイズをこのダイオードで吸収することが可能になる。さらに、P+ 型不純物領域4が形成されているので両回路部領域間の基板表層部を通過しようとする電気的ノイズも遮断することができる。
【0012】
しかしながらP- 型基板領域1よりも高不純物濃度のP+ 型不純物領域4とここに形成されることにより高不純物濃度となるN+ 型拡散層63とが接触しているからPN接合容量が大きくなり、このためにデジタル回路領域20とアナログ回路領域10との間の結合容量が大きくなり、両領域間の等価回路のインピーダンスが小さくなる。
【0013】
したがって、デジタル回路領域20から発生するノイズが十分に減衰せず、アナログ回路領域10に対するノイズの影響を低減することに関し、十分とは言えない。
【0014】
さらにノイズの周波数が高くなると、アナログ・デジタル回路領域間のインピーダンスは更に小さくなり、高周波ノイズは更にカットしにくいという問題を発生する。
【0015】
一方、図9に示すように、P+ 型不純物領域4をGND電極61を通して接地し、N+ 型拡散層63にVcc電極62を通して高電源電圧Vccを印加することによりPN接合を逆バイアス状態にすることによりPN接合容量を小の状態で動作させようとすると、今度は電源ラインから分離領域60のN+ 型拡散層63に静電サージやVccのリップル等のノイズが入り込みデジタル回路およびアナログ回路の安定動作に支障を生じる。
【0016】
尚、図6乃至図9に示すような従来技術は、例えば特開平7−29972号公報に開示されている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、図6及び図7に示すよ従来技術では、基板ノイズを遮断することができないという問題を有する。
【0018】
一方、図8及び図9に示す従来技術では、アナログ・デジタル回路領域間のインピーダンスが小さくなり、高周波ノイズをカットしにくくなるという問題を発生する。また、図8及び図9に示す従来技術において、分離領域のPN接合を逆バイアス状態にしようとして外部から電源電圧を分離領域に印加すると、外部から電源ラインを通して分離領域のN+ 型拡散層に入力する静電サージや電源電圧のリップル等のノイズによりデジタル回路およびアナログ回路の安定動作に支障を生じる。
【0019】
したがって本発明の目的は、両回路部領域間の基板表層部を通過しようとするノイズを阻止し、かつ電源ラインからの静電サージや電源電圧のリップル等の影響を回避して基板ノイズを有効に遮断することができる分離領域を有する半導体集積回路装置を提供することである。
【0020】
本発明の他の目的は、デジタル回路領域で発生した基板ノイズを、電源ラインからのノイズの影響を受けることなく、有効に遮断しアナログ回路領域に影響を与えなくした半導体集積回路装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、低不純物濃度の一導電型、例えばP- 型の基板領域と、前記基板領域の主面に設けられた第1及び第2の回路領域、例えばアナログ回路を形成するアナログ回路領域及びデジタル回路を形成するデジタル回路領域と、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に設けられた分離領域とを具備した半導体集積回路装置において、前記分離領域は、前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型、例えばP+ 型の不純物領域と、前記不純物領域から離間して間に前記基板領域の部分を有して形成された逆導電型、例えばN型の拡散層とを有して構成された半導体集積回路装置にある。ここで、前記拡散層は電気的に直接バイアスされずに電気的にフローティングされていることが好ましい。また、前記主面側の前記拡散層の全上面は絶縁膜により被覆されていることが好ましい。
【0022】
また、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に、単数の前記拡散層が形成されていることができる。あるいは、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に、複数の前記拡散層が前記基板領域の部分を挟んで配列していることができる。
【0023】
さらに、前記不純物領域は、前記第1及び第2の回路領域のそれぞれを取り囲んで形成されていることが好ましい。この場合、前記分離領域は、前記第1及び第2の回路領域のそれぞれを取り囲んで形成されていることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明を説明する。図1は本発明の第1の実施の形態を示す平面図であり、図2は図1のA−A部の断面図である。また、図1では図面が煩雑となるのを避けるために、両回路領域内の素子および主面上の絶縁膜、電極等の図示を省略している。
【0025】
図1に示すように、P+ 型不純物領域4はガードリングとしてアナログ回路領域10およびデジタル回路領域20をそれぞれ取り囲んでいる。また、図2に示すように、P- 型基板領域(サブ領域)1にP+ 型不純物領域4が形成され、その両側にウェル11,12が素子を形成するために設けられている。
【0026】
アナログ回路領域10におけるウェル11がP型ウエルの場合は、ソース、ドレイン12,12はN型であり、それらの電極14,14及びゲート絶縁膜上のゲート電極13とともにNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが構成され、ウェル11がN型ウエルの場合は、ソース、ドレイン12,12はP型であり、それらの電極14,14及びゲート絶縁膜上のゲート電極13とともにPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが構成され、このようなトランジスタを有してアナログ回路を構成している。
【0027】
同様に、デジタル回路領域20におけるウェル21がP型ウエルの場合は、ソース、ドレイン22,22はN型であり、それらの電極24,24及びゲート絶縁膜上のゲート電極23とともにNチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが構成され、ウェル21がN型ウエルの場合は、ソース、ドレイン22,22はP型であり、それらの電極24,24及びゲート絶縁膜上のゲート電極23とともにPチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタが構成され、このようなトランジスタを有してデジタル回路を構成している。
【0028】
両領域間の分離領域30のP+ 型不純物領域4により、デジタル回路領域20で発生した電気的ノイズが表層を沿ってアナログ回路領域10に入り込むのを遮断する。
【0029】
さらに分離領域30には、幅W1 が10μm〜20μmの実質的にノンドープのP- 型サブ領域(P- 型基板領域)1が存在し、その内側にP+ 型不純物領域4から離間して幅W2が幅2〜3μmのN型拡散層2が形成されている。
【0030】
ここで実質的にノンドープのP- 型サブ領域(P- 型基板領域)とは不純物濃度が1×1015/cm3 以下のP- 型サブ領域(P- 型基板領域)のことである。また、P+ 型不純物領域の範囲は、使用するP- 型サブ領域(P- 型基板領域)の不純物濃度よりも2桁以上高いP型の領域のことを示す。
【0031】
N型拡散層2は高不純物濃度のP+ 型不純物領域4から離間して低不純物濃度のP- 型サブ領域(P- 型基板領域)1とPN接合を形成し、かつ、低不純物濃度のP- 型サブ領域(P- 型基板領域)1に形成するN型拡散層2自体も低不純物濃度にすることができるから、図3に示すこのPN接合の容量Cは小にすることができ、図3におけるデジタル回路領域20とアナログ回路領域10との間の結合容量が小さくなり、両領域間の等価回路のインピーダンスが大きくなる。
【0032】
したがって、デジタル回路領域20から発生するノイズが十分に減衰して、アナログ回路領域10に対するノイズの影響を低減することができる。
【0033】
またこのように本発明の分離領域30におけるPN接合容量は小にすることが出来るから、外部から逆バイアスを印加する必要がない。
【0034】
したがって、N型拡散層2の全上面は例えばシリコン酸化膜による絶縁膜3により被覆されており、N型拡散層2は電気的に直接バイアスされずに電気的にフローティングされている。
【0035】
このため、外部から電源ラインを通して静電サージや電源電圧のリップル等のノイズがN型拡散層2に印加されてデジタル回路およびアナログ回路の安定動作に支障を生じるという問題は生じない。
【0036】
尚、本発明は、N型拡散層2をP+ 型不純物領域4から離間することによりその効果が得られ、特別の工程の追加を必要とせずに、P+ 型不純物領域4を形成するレチクルの変更のみで製造が可能となる。
【0037】
すなわち、いわゆるロコス酸化法でフィールド酸化膜を形成した後、P- 型サブ領域(P- 型基板領域)1内にN型拡散層2を形成し、N型拡散層2から離間した箇所にP+ 型不純物領域4を従来技術と比較してマスクパターン形成用のレチクルの変更のみで形成し、必要に応じて素子形成領域に所定のウエル11,12を形成する。
【0038】
また、図1、図2ではアナログ回路領域10の一方の側(図で右側)のみに設けているが、同一の半導体基板に複数のアナログ回路領域10および複数のデジタル回路領域20が分布して設けられている場合は、アナログ回路領域10およびデジタル回路領域20のそれぞれをN型拡散層2を有する分離領域30で取り囲んだ構成にすることが好ましい。
【0039】
図4は本発明の第2の実施の形態を示す断面図であり、第1の実施の形態の図2に相当する。図5の本発明の第2の実施の形態の等価回路図である。
【0040】
また、図4及び図5において図1乃至図3と同一もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから、重複する説明は省略する。
【0041】
この第2の実施の形態の分離領域40では、図1のW1 に相当する箇所の寸法が50μm〜100μmであり、そこに幅(図1のW2 に相当)が2μm〜3μmで電気的にフローティングされている複数のN型拡散層2が互いの間にP- 型サブ領域(P- 型基板領域)1の部分を挟んで配列している。
【0042】
第2の実施の形態の分離領域40は第1の実施の形態の分離領域30よりも広い面積を必要とするが、図5に示すように、多くのPN接合容量Cが直列接続された態様となるから、アナログ回路領域10とデジタル回路領域20との結合容量がさらに小となり両者間のインピーダンスがさらに高くなり、これによりデジタル回路領域20から発生するノイズがさらに十分に減衰して、アナログ回路領域10に対するノイズの影響をさらに低減することができる。
【0043】
また、複数のN型拡散層2を有する第2の実施の形態の分離領域40も、第1の実施の形態の分離領域30と同様に、アナログ回路領域10およびデジタル回路領域20のそれぞれを取り囲んだ構成にすることができる。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、P型基板上に形成されたアナログ回路領域とデジタル回路領域の間には実質的にノンドープのP- 型サブ領域を存在させ、その中にデジタルノイズ対策用に電気的にフローティングのN型拡散層を形成したから、デジタル回路領域からアナログ回路領域に回り込むノイズを4〜10db程度低減することを実現することが出来、さらに、電源から静電サージ等のノイズがN型拡散層に入り込まないから、両回路領域における安定動作が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す平面図である。
【図2】図1のA−A部の断面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態の等価回路図である。
【図4】本発明の第2の実施例の断面図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態の等価回路図である。
【図6】従来技術を示す平面図である。
【図7】図6のA−A部の断面図である。
【図8】他の従来技術を示す平面図である。
【図9】図8のA−A部の断面図である。
【符号の説明】
1 P- 型サブ領域(P- 型基板領域)
2 N型拡散層
3 絶縁膜
4 ガードリングとなるP+ 型不純物領域
10 アナログ回路領域
11 アナログ回路領域内のウェル
12 アナログ回路領域内のソース、ドレイン
13 アナログ回路領域内のゲート
14 アナログ回路領域内の電極
20 デジタル回路領域
21 デジタル回路領域内のウェル
22 デジタル回路領域内のソース、ドレイン
23 デジタル回路領域内のゲート
24 デジタル回路領域内の電極
30、40 アナログ回路領域とデジタル回路領域間の本発明による分離領域
50、60 アナログ回路領域とデジタル回路領域間の従来技術による分離領域
51 GND電極
61 GND電極
62 Vcc電極
63 N+ 型拡散層
Claims (7)
- 低不純物濃度の一導電型の基板領域と、前記基板領域の主面に設けられた第1及び第2の回路領域と、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に設けられた分離領域とを具備した半導体集積回路装置において、前記分離領域は、前記第1の回路領域に接した前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型の第1の不純物領域と、前記第2の回路領域に接した前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型の第2の不純物領域と、前記第1と第2の不純物領域から離間して間に前記基板領域の部分を有して形成され、直接バイアスされずに電気的にフローティング状態とされている逆導電型の拡散層とを有して構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
- 前記主面側の前記拡散層の全上面は絶縁膜により被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の回路領域と前記第2の回路領域との間に単数の前記拡散層が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項2いずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の回路領域と前記第2の回路領域との間に複数の前記拡散層が互いの間に前記基板領域の部分を挟んで配列していることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の不純物領域は前記第1の回路領域を、前記第2の不純物領域は前記第2の回路領域をそれぞれ取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記一導電型はP型であり、前記逆導電型はN型であることを特徴とする請求項1乃至請求項5いずれかに記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1の回路領域はアナログ回路を形成するアナログ回路領域であり、前記第2の回路領域はデジタル回路を形成するデジタル回路領域であることを特徴とする請求項1乃至請求項6いずれかに記載の半導体集積回路装置。
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