JP3824837B2 - 液晶装置用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置用基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶を配して成り、液晶の配向状態に応じて液晶を通過する光を変調させて表示を行うものである。特に、任意の画像表示が可能なマトリクス型の液晶装置は、種々の電子機器等のディスプレイに広く用いられている。
このマトリクス型の液晶装置として、アクティブマトリクス型のTFT液晶装置を例にとると、図14に示すように、一方の基板(素子基板)102はマトリクス状に複数の画素電極101を備え、各画素電極101の横の辺に沿って走査線104が延設され、画素電極101の縦の辺に沿ってデータ線103が延設されている。又、データ線103及び走査線104の下の所定位置には半導体層112が形成され、画素電極101を制御するTFT素子を構成している。この半導体層112はコンタクトホール109を介してデータ線103に接続され、コンタクトホール110を介して画素電極101に接続されている。さらに、走査線104の下における半導体層112はチャネル領域114となっている。
【0003】
また、画像のコントラストの向上を目的として、素子基板102と対向する他方の基板側には格子状の遮光層(ブラックマトリクス)が形成され、各基板を対向配置した際に当該遮光層が画素電極の周囲に位置するようになっている。この遮光層は、各基板を貼り合わせる際の位置ずれを考慮し、通常は各画素電極101の周縁部とオーバーラップするようにして形成されている。
【0004】
ところが、このようにして遮光層を形成すると、前記オーバーラップ分だけ液晶装置の開口率(基板の面積に対する画像表示部の面積が占める割合)が低下するという問題がある。そのため、近年では素子基板102側に画素電極とともに遮光層を設け、前記オーバーラップを不要として開口率を向上させる技術が提案されている。特に、透過表示型(又は、反射・透過兼用表示型)の液晶装置の場合、データ線103や走査線104を画素電極101の周縁部の外側に、該画素電極101と一部重なるようにして形成し、データ線103と走査線104とで遮光層を形成することも可能である。そして、この場合には、図15に示すように、各画素電極101のうちデータ線103や走査線104と重なっていない部分は画像表示部200となり、データ線103や走査線104は遮光層220となる。
【0005】
上記した遮光層を備えた素子基板102は、一般的には次のようにして製造される。まず、例えば図16に示すステップ・アンド・リピート型の露光装置(以下、「ステッパ」という)300が用意され、ステージ380上にガラス等の基板120が載置される。基板120の表面には走査線104の形成用膜等が適宜形成され、さらにその上に所定のフォトレジストが塗布されている。そして、ステッパ300はその上部にUV光源320を備え、ここからの光がスリット340を介してフォトマスク400に照射され、光学系360を経て基板120の表面に到達する。
【0006】
フォトマスク400は、例えば図17に示すように、走査線等を形成するための所定パターンが形成されて成り、当該走査線のパターン(以下、「走査線のパターン形成部分」という)401の外側には、駆動回路等のパターン402〜405が適宜形成されている。また、図示しない別のフォトマスクには例えばデータ線のパターンが形成されている。そして、フォトマスク400により走査線104を形成した後、別のフォトマスクを用いてデータ線103を形成することにより、走査線104とデータ線103から成る遮光層を形成する。
この場合、フォトマスク400における走査線のパターン形成部分(図示斜線部)401を光が透過することにより露光が行われ、この部分に相当する基板上に露光領域が形成されるようになっている。
【0007】
ところで、通常、上記したフォトマスク400において、前記パターン形成部分401の大きさは基板120に比べて小さく、従って、走査線を形成するための露光領域も基板120に比べて小さくなっている。そのため、1回の露光で基板120全体を露光することは困難である。そこで、図18に示すように、まず1回目の露光で露光領域R100を形成した後、基板ごとステージ380を移動して2回目の露光を行い、この露光領域R100に隣接して露光領域R101を形成し、各露光領域R100〜R103を互いに継ぎ合わせていく。そして、その後にフォトリソ加工を行って基板120全体に走査線を形成する。同様に、データ線のパターンが形成されたフォトマスクを用いて複数回の露光を行い、図示しない複数の露光領域を継ぎ合わせて形成し、フォトリソ加工を行ってデータ線を形成する。そして、このデータ線と走査線で略格子状の遮光層220を形成した後、画素電極を遮光層220の間に形成することにより、マトリクス状の画像表示部200を有する素子基板102を製造する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図19に示すように、各露光領域R100、R101に形成された走査線104のパターンの大きさが変化することがある。例えば、この場合において、露光領域R100では図の左から右に向って走査線104のパターン幅が太くなり、露光領域R101でも同様になる。つまり、各露光領域R100、R101ごとに周期的にパターンの大きさが変化し、その結果として各露光領域の継ぎ合わせ境界Tで、走査線104の幅が段差状に変化する。
【0009】
このように、露光領域内でパターンの大きさが変化する原因としては、例えばステッパ300のレンズの端部を透過する光とレンズの中央部を透過する光とで露光量が変化したり、レンズの一部に汚れが付着してその部分での光透過率が低下し、露光量が変化すること(露光ムラ)が挙げられる。
そして、上述のように、継ぎ合わせ境界Tで走査線104の幅が段差状に変化すると、遮光層の大きさも段差状に変化し、それに伴って、図20に示すように、継ぎ合わせ境界Tを介して対向する画像表示部200a、200bの大きさがステップ状に変化する。なお、この場合、画像表示部200aの方が画像表示部200bより小さい。
さらに、画像表示部の大きさが変化すると、それに応じて、図21に示すように画像表示部の明るさも境界Tで大きく変化し、当該境界Tが継ぎ目模様として視認されるという問題が生じる。
【0010】
本発明は、液晶装置用基板における上記した問題を解決し、画面に継ぎ目模様が生じることを防止した液晶装置用基板及びその製造方法、並びに液晶装置の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明の液晶装置用基板は、フォトマスクにより形成される露光領域より大きな基板に対して、当該露光領域を複数個継ぎ合わせてフォトリソ加工がなされることにより、少なくとも画素電極と遮光層とが該基板の表面に形成されてなり、
少なくとも前記遮光層を形成する際の露光領域同士の継ぎ合わせ境界が、前記基板のどの方向をとってみても一直線上に連続して並んでいないことを特徴とする。
このような構成によれば、継ぎ合わせ境界において遮光層の大きさが著しく変化し、それに伴って画像表示部の大きさ(明るさ)が大幅に変化しても、かかる明るさの差を生じる部分が基板上に適宜散らばって配列されるので、人間の目で継ぎ合わせ境界を明るさの差(継ぎ目模様)として視認することを防止することができる。
【0012】
本発明の液晶装置用基板においては、前記継ぎ合わせ境界は、一方向からみたときに凸部と凹部とを互い違いに備えていることが好ましい。
また、前記遮光層は、走査線、データ線、又は容量線の少なくともいずれかから成ることが好ましい。
特に、前記画素電極のうち前記遮光層と重なっていない部分が画像表示部となっていて、前記継ぎ合わせ境界を介して対向する画像表示部の大きさが互いに1%以上異なっていることが好ましい。
【0013】
本発明の液晶装置用基板の製造方法は、ステップ・アンド・リピート型の露光装置を用い、遮光層のパターンが形成されたフォトマスクを基板の表面に配設して複数回の露光を行って当該フォトマスクにより形成される露光領域同士を継ぎ合わせ、次いでフォトリソ加工を行うことにより前記基板の表面に遮光層を形成する第1工程と、
少なくとも前記遮光層が形成されていない部分における基板の表面に複数の画素電極を形成する第2工程とを備え、
前記フォトマスクとして、少なくとも前記遮光層のパターン形成部分の端縁が一直線になっていないものを用いることを特徴とする。
このような構成によれば、フォトマスクによる露光領域同士を継ぎ合わせたときの継ぎ合わせ境界が、基板のどの方向をとってみても一直線上に連続して並ぶことはなく、この境界で画像表示部の大きさ(明るさ)が急激に変化したとしても、かかる明るさの差を継ぎ目模様として視認することを防止できる。
【0014】
本発明の液晶装置用基板の製造方法においては、前記フォトマスクとして、前記遮光層のパターン形成部分の端縁が凸部と凹部とを互い違いに備えているものを用い、
前記遮光層のパターンを露光する際、一の露光領域の端縁における凸部と他の露光領域の端縁における凹部とが噛み合うようにすることが好ましい。
又、前記フォトマスクとして、前記遮光層のパターン形成部分の端縁の周辺部に前記露光装置の解像度未満の大きさで、かつ、該端縁の内側から外側に向って徐々に露光量を低減させる模様が形成されたものを用いることが好ましい。
さらに、前記フォトマスクとして、前記遮光層のパターン形成部分の端縁の周辺部に、該端縁の内側から外側に向って徐々に露光量が低減するように金属膜が形成されたものを用いることが好ましい。
特に、前記フォトマスクとして、走査線、データ線、又は容量線の少なくともいずれかのパターンがそれぞれ形成されたものを用い、
該走査線、データ線、又は容量線の少なくともいずれかにより前記遮光層を形成することが好ましい。
【0015】
本発明の液晶装置は、前記液晶装置用基板と、該液晶装置用基板に液晶を介して対向配置される対向基板とを備えたことを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る液晶装置用基板について、図1ないし図6に基づいて説明する。なお、本発明における「液晶装置用基板」とは、液晶装置を構成する一方の基板であって、少なくとも後述する複数の画素電極と遮光層を備えたものをいうが、その他の画素電極制御用の素子等については特に制限はなく、液晶装置の動作方式(TFT方式、TFD方式等)に応じて適宜これらを備えてもよく、又、カラーフィルタ等を適宜備えてもよい。
【0017】
この液晶装置用基板20は、図1に示すようにして構成されている。すなわち、ガラス等から成る所定の基板上に、インジウム錫酸化膜(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと略記する)等の透明導電性薄膜からなる矩形状の画素電極1がマトリクス状に複数個設けられており、画素電極1の縦方向の辺に沿ってデータ線3が延設されている。一方、画素電極1の横方向の辺に沿って容量線6が設けられ、又、画素電極1の横方向の辺に平行に、かつ、画素電極1を横断するようにして走査線4が延設されている。容量線6は、画素電極1と対向電極との間で一定期間保持された画像信号がリークするのを防ぐものであり、画素電極と対向電極との間に形成される液晶容量と並列な蓄積容量をなしている。そして、誘電体膜となるゲート絶縁層を介して、容量線6と半導体層8とを対向配置することにより、全体として蓄積容量をなしている。なお、容量線6は、縦方向に延設されてデータ線3の狭幅部と重なるようになっていて、1画素をとってみたときに略H状に形成されている。
【0018】
データ線3、走査線4、及び容量線6の下の所定位置には逆L字状の半導体層8が形成され、画素電極1を制御するTFT素子を構成している。この半導体層8の一端はコンタクトホール14を介してデータ線3に接続され、ここから横に延びた後に直角に折曲して走査線4と交差し、他端が片状部をなしている。この片状部は容量線6の下に位置し、該片状部の上にはドレイン電極12が形成されている。そして、ドレイン電極12の一端部はコンタクトホール16を介して半導体層8に接続され、他端部はコンタクトホール18を介して画素電極1に接続されている。なお、走査線4は縦方向に延びる舌片部を備えており、走査線4の本体部分及び当該舌片部の2個所で半導体層8と交差し、この部分における半導体層がそれぞれチャネル領域10a、10bをなしている。つまり、この実施形態においては、デュアルゲート型のTFTが構成されている。そして、走査線4に印加された信号に基づいて、ドレイン電極12を介してデータ線3と画素電極1の間を流れる電流の制御が行われる。
【0019】
上記した液晶装置用基板20の断面構造は、図2に示すようになっている。
この図において、基板2の表面には例えばポリシリコン膜から成る半導体層8が形成され、半導体層8及び基板2を覆うようにしてゲート絶縁層22が形成されている。そして、ゲート絶縁層22を介し、半導体層8上の所定位置にゲート電極をなす走査線4、及び容量線6が配設され、さらに、走査線4、容量線6、及びゲート絶縁層22を覆うようにして第1層間絶縁層24が形成されている。第1層間絶縁層24の上には、データ線3及びドレイン電極12が形成され、これらはそれぞれコンタクトホール14、16に接続され、各コンタクトホール14、16は、第1層間絶縁層24及びゲート絶縁層22を貫通して半導体層8に接続されている。又、データ線3、ドレイン電極12、及び第1層間絶縁層24の上には第2層間絶縁層26が形成され、第2層間絶縁層26の上に画素電極1が形成されている。そして、画素電極1はコンタクトホール18に接続され、コンタクトホール18は第2層間絶縁層26を貫通してドレイン電極12に接続されている。なお、画素電極1の表面には適宜配向膜28が形成されている。なお、この図において、液晶装置用基板20には対向基板50が対向配置され、全体として液晶装置60が構成されているが、対向基板50及び液晶装置60の説明については後述する。
【0020】
液晶装置用基板20において、画像表示部は次のように構成されている。まず、画素電極1の下には、該画素電極1とオーバーラップするようにして容量線6とドレイン電極12が配設され、又、画素電極1の下を横切って走査線4が形成されている。そして、これらは、それぞれ透過表示時の遮光層(ブラックマトリクス)32をなしていて、画素電極1のうち上記各遮光層32と重なっていない部分が画像表示部34となっている。又、画素電極1の縦方向(図2の左右方向)においては、該画素電極の下にオーバーラップして配設されたデータ線3、及び容量線6が遮光層32をなしている。
【0021】
なお、本発明における遮光層とは、各画素電極1の周囲に形成され、画像表示部の大きさを規定するとともに、光の反射や透過を抑制してコントラストを向上させるものである。この場合、遮光層と画素電極の周縁部を適宜重ねることにより、遮光層の周縁部が画像表示部の縁となる。かかる遮光層は、例えば顔料分散法によりフォトレジストを格子状にパターニングして形成することができるが、データ線、走査線、及び容量線を適宜画素電極の周囲に配設して形成することもでき、このようにすると、データ線等で遮光層を兼用できるので工程省略を図ることが可能となる。従って、かかるデータ線、走査線、及び容量線等から構成される場合を含めて、「遮光層」と称する。
【0022】
かかる液晶装置用基板20を上面から見たときの各画像表示部34の配設状態は、図3に示すようになっている。
この図において、画素電極の縦方向の周縁部はデータ線3(と容量線6)により遮光され、画素電極の横方向の周縁部は容量線6により遮光されている。さらに、走査線4により画素電極の一部が遮光されている。つまり、データ線3、走査線4、及び容量線6によって略格子状の遮光層32が構成され、該遮光層32の隙間部分が画像表示部34となっている。
【0023】
又、かかる画像表示部34と遮光層32は、図4に示すようにして、基板2の上にフォトマスクを用いて形成されている。この場合、詳しくは後述するが、まず、走査線と容量線のパターンが形成されたフォトマスクを用いて基板2上に露光がされ、次いでフォトリソ加工がなされて走査線と容量線が形成される。次いで、データ線のパターンが形成された別のフォトマスクを用い、上記と同様にしてデータ線が形成され、走査線、容量線、及びデータ線で構成される遮光層32が格子状に形成される。そして、遮光層32を形成する際のフォトマスクによる各露光領域R1〜R4は互いに継ぎ合わされ、当該継ぎ合わせ境界Sが基板2の横方向と縦方向にそれぞれ延び、各継ぎ合わせ境界Sは基板2の中央部で交差している。
【0024】
そして、このようにして形成された遮光層32の上に該遮光層32と一部重なるようにして複数の画素電極が形成され、遮光層32の間に画像表示部34a、34b等が形成されている。なお、基板2の周囲には接続配線70等が配設されている。
【0025】
本発明は、かかる継ぎ合わせ境界Sが、液晶装置用基板20のどの方向をとってみても一直線上に連続して並ばないようにすることで、該継ぎ合わせ境界Sが継ぎ目模様として視認されることを防止するものである。これについて図4の部分拡大図である図5に基づいて説明する。
この図において、継ぎ合わせ境界Sは紙面の縦方向に延び、かつ、基準位置(隣接する画像表示部34a、34b間の境界部分)から左側へ張り出す凸部S1と、右側へ窪む凹部S2とを互い違いに備えている。凸部S1と凹部S2は、それぞれ縦方向に1画像表示部の幅で形成され、該凸部S1と凹部S2の間には、前記基準位置を継ぎ合わせ境界とし、縦方向に1画像表示部の幅を有する平坦部S3が介装されている。また、凸部S1と凹部S2とは、横方向(継ぎ合わせ境界Sの延びる方向と交差する方向)に距離Lだけ離間している。
【0026】
このように、継ぎ合わせ境界Sは鋸歯状に形成されていて、一直線上に連続して並ぶことはない。そのため、継ぎ合わせ境界Sで遮光層32の大きさ(幅)が顕著に変化し、それに伴って、継ぎ合わせ境界Sを介して対向する画像表示部34a、34bの大きさ(画像の明るさ)が互いに異なったとしても、かかる明るさの差を生じる部分は基板上に適宜散らばって(鋸歯状に)配列されることになる。
【0027】
ところで、人間の目は個々の画像表示部の明るさの差を認識することはできず、視野中における画像表示部の集合体の明るさ差が閾値(約1%)を超えると、全体として明るさの差があるものとして認識し、これを継ぎ目模様とみなすと言われている。従って、上記したように明るさの差を生じる部分が基板上に分散していると、継ぎ合わせ境界Sにおいて対向する個々の画像表示部の明るさの差が1%を超えていても、人間の目では全体としてこの部分を明るさの差がないものと認識する。すなわち、本発明においては、フォトマスクを変えて継ぎ合わせ境界Sの配列状態を変えるだけで、継ぎ目模様の発生を容易に防止することができる。この場合、ステッパの露光精度等を向上させて画像表示部の大きさの差自体を低減させる必要はなく、従来の製造装置をそのまま用いることができる。
【0028】
なお、上記した効果を得るためには、凸部S1と凹部S2との離間距離Lが人間の目の分解能より大きな値(例えば0.2mm以上)になっていることが好ましい。離間距離Lが0.2mm未満であると、人間の目には、明るさの差が生じている部分が全体として一直線上にあるように認識され、その結果として、継ぎ合わせ境界Sが継ぎ目模様として視認される虞があるからである。但し、離間距離Lが大きくなり過ぎると、フォトマスクによる露光作業が煩雑となり、又露光回数が増えるので、離間距離Lを10mm以下とするのが好ましい。
【0029】
又、継ぎ合わせ境界Sは、基板上に一直線上に連続して並んでいなければよく、上記した鋸歯状のものに限られることはない。例えば、図6に示すように、継ぎ合わせ境界SAが波形に形成されていてもよい。この場合には、波の山が凸部SA1となり、波の谷が凹部SA2となる。なお、この実施形態において、継ぎ合わせ境界SAにおいて対向する画像表示部34c、34dは、実際には画像表示部の一部分であり、両者が合わさって1つの画像表示部を構成している。従って、このような場合は便宜上、各画像表示部34c、34dにそれぞれ隣接し、1画像表示部の大きさを有する画像表示部34e、34fを、「継ぎ合わせ境界において対向する画像表示部」とみなすこととする。
【0030】
そして、上記した液晶装置用基板20に対向基板50を対向配置することにより、液晶装置60を製造することができる。この対向基板50について、前述した図2に基づいて簡単に説明すると、基板52の表面に、それぞれ3原色のいずれかをなすカラーフィルタ54a、54b、54cが適宜形成され、その上に保護層58を介してITO等から成る対向電極58が基板52の全面に形成されている。なお、各カラーフィルタ54a、54b、54cは、各画素電極1に対応した位置に、かつ、各画素電極1の周縁部より外側にはみ出して配設され、対向電極58の表面には配向膜59が形成されている。そして、各基板20,50の間に液晶40を所定のシール材を用いて介装することにより液晶装置60が構成されている。この液晶装置60の全体の構造や画像表示の詳しい動作については、従来のものと同様であるのでその説明を省略する。
【0031】
次に、本発明の液晶装置用基板の製造方法について図7〜図13に基づいて説明する。なお、本発明の製造方法は、遮光層のパターンが形成された所定のフォトマスクを用いることに特徴があり、ステッパによる露光自体や、各種の層の成膜方法等については従来と同様であるのでその説明を省略する。図7は、遮光層のパターンが形成されたフォトマスク80を示している。
この図において、フォトマスク80の中央部には、遮光層の一部をなす走査線のパターン4aと容量線のパターン6aが形成されたパターン形成部分80Aが配置されている。そして、このパターン形成部分80Aを通った光により基板上の所定位置が露光され、走査線や容量線を形成する際の露光領域Rが形成される。つまり、「露光領域」とは、フォトマスクによる1回の露光でパターン形成された(走査線等の)領域をいい、上記パターン形成部分80Aとほぼ相似形状をなすものである。なお、パターン形成部分80Aの周囲には駆動回路等のパターン90aが形成されている。
【0032】
フォトマスク80の拡大図は、図8に示すようになっていて、パターン形成部分80Aの端縁80bのうちフォトマスク80の縦方向に延びる部分は、それぞれ横に突没する凸部と凹部とを互い違いに備えた鋸歯状をなしている。また、端縁80bのうちフォトマスク80の横方向に延びる部分は、それぞれ縦に突没する凸部と凹部とを備えた鋸歯状をなしている。
そして、上記したフォトマスク80を用い、例えば図9、図10に示すようにして液晶装置用基板20を製造する。
【0033】
まず、走査線及び容量線の形成用膜が表面に形成されたガラス等の透明な基板2を用意し、該形成用膜の上に所定のフォトレジストを塗布した後、ステッパ上に載置する。そして、図9(1)に示すように、フォトマスク80を用いて走査線及び容量線のパターンを基板2の左上部に露光する。ステッパとしては、特に制限はなく、公知のステッパを用いることができる。この1回目の露光においては、露光領域R1が形成され、該露光領域R1の端縁は鋸歯状になっている。
【0034】
次に、図9(2)に示すように、フォトマスク80に対して基板2を移動させ、基板2の右上部を露光し(露光領域R2)、その際に、露光領域R1の右側端縁における凸部と、露光領域R2の左側端縁における凹部とが噛み合うようにする。
以下同様にして、図9(3)に示すように、基板2の表面に4つの露光領域R1〜R4を互いに隣接して継ぎ合わせ、各隣接部において露光領域同士の端縁の凸部と凹部とが噛み合うようにする。
【0035】
そして、図10(4)に示すように、各露光領域R1〜R4の周囲に別のフォトマスクを配設して配線部70等のパターンを露光する。なお、配線部70のパターンの近傍には、各露光領域R1〜R4の周縁の凹凸に継ぎ合わされて該周縁を直線状にするための画素パターンが形成されている。従って、各露光領域R1〜R4の周縁は図示したように凹凸が消失して直線状をなしている。その後、フォトリソ加工することにより、図10(5)に示すように、基板2上に走査線4、容量線6、及び配線部70等を形成する。
【0036】
次に、図示しないが、走査線4や容量線6の上に所定の層間絶縁膜、及びデータ線3形成用膜等を形成した後、データ線のパターンが形成された別のフォトマスクにより、上記と同様にして露光を行って4つの露光領域を継ぎ合わせ、フォトリソ加工して、図10(6)に示すように、走査線4等の上にデータ線3を形成し、遮光層を完成させる。さらに、図示しない画素電極を基板2上の所定の位置に形成することにより、遮光層の間に画像表示部34を備えた液晶装置用基板20を製造する。
【0037】
このようにして製造された液晶装置用基板20においては、隣接する露光領域同士の継ぎ合わせ境界Sは、基板のどの方向をとってみても一直線上に連続して並ぶことはない。そのため、継ぎ合わせ境界Sを介して対向する画像表示部の大きさ(画像の明るさ)が大幅に異なっていたとしても、明るさの差を生じる部分が基板上で適宜分散しているので、人間の目でこの部分を明るさの差(継ぎ目模様)として認識することはない。すなわち、上記したフォトマスクを用いるだけで、継ぎ目模様の発生を容易に防止することができる。
【0038】
なお、上記した実施形態においては、フォトマスクにおける遮光層のパターン形成部分の端縁を鋸歯状に形成した場合について説明したが、端縁の形状はこれに限定されることはなく、例えば図11に示すように、図6における実施例に対応させてフォトマスク82のパターン形成部分82Aの端縁82bを波状に形成してもよく、この場合も上記と同様にして露光を行うことができる。
【0039】
又、図12に示すように、フォトマスク84のパターン形成部分84Aの端縁84bの周辺部に、ステッパの解像度未満の大きさで、かつ、端縁の内側から外側に向って露光量を徐々に低減させる模様86を形成してもよい。ここで、端縁84bの周辺部とは、端縁84bの内側と外側を含む領域をいう。模様86としては、例えばステッパの解像度より小さい径のドット(点)の集まりを用いることができる。又、この実施形態においては、端縁84bの形状は何であってもよく、一直線としても構わない。
【0040】
つまり、模様86により、端縁84bの周辺部の露光量が端縁の内側から外側へ向って緩やかに減少するので、図13に示すように、隣接する露光領域R10、R11間で露光量が急激に変化することが抑制される。そして、その結果として、継ぎ合わせ境界Sで遮光層(走査線等)の大きさが階段状に変化することが防止され、当該継ぎ合わせ境界Sが継ぎ目模様として視認されなくなる。
なお、上記したように、模様86はステッパの解像度より小さい点から成っているため、基板上でこの模様が結像して遮光層の形状に影響を及すことはない。また、模様86の代わりに所定の透過率で光を透過させる金属膜を蒸着等により形成してもよい。
【0041】
本発明は、以上述べた実施形態に限定されるものではない。例えば、液晶装置をTFD(Thin Film Diode)型の液晶装置とした場合、液晶装置用基板20側には、画素電極、該画素電極を制御するTFD、及び走査線を形成し、データ線は対向基板側に形成すればよい。また、遮光層についても、上記した走査線やデータ線とは別の層を形成してもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、フォトマスクにより形成される露光領域の継ぎ合わせ境界が、基板のどの方向をとってみても一直線上に連続して並ぶことはない。
そして、このようにすると、継ぎ合わせ境界において遮光層の大きさが著しく変化し、それに伴って、当該継ぎ合わせ境界を介して対向する画像表示部の大きさ(明るさ)が大幅に変化しても、かかる明るさの差を生じる部分が基板上で適宜散らばって配列されるので、人間の目では継ぎ合わせ境界を継ぎ目模様として視認することがなくなる。すなわち、フォトマスクを変えて継ぎ合わせ境界の配列状態を変えるだけで、画面に継ぎ目模様が生じることを容易に防止できる。この場合、ステッパの露光精度等を向上させて画像表示部の大きさの差を低減させる必要はなく、従来の製造装置等をそのまま用いることができる。
【0043】
又、本発明の製造方法によれば、フォトマスクとして、少なくとも遮光層のパターン形成部分の端縁が一直線になっていないものを用いているので、フォトマスクにより形成される露光領域を継ぎ合わせたときの継ぎ合わせ境界が基板のどの方向をとってみても一直線上に連続して並ぶことはない。そのため、この境界で画像表示部の大きさ(明るさ)が急激に変化したとしても、かかる明るさの差を生じる部分が基板上で適宜散らばって配列されるので、これを継ぎ目模様として視認することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液晶装置用基板を示す上面図である。
【図2】 図1のA−A’線に沿う断面図である。
【図3】 液晶装置用基板における、画像表示部と遮光層の配設状態を示す上面図である。
【図4】 フォトマスクを用いて、基板の表面に画像表示部と遮光層とを形成する態様を示す上面図である。
【図5】 継ぎ合わせ境界Sの近傍における、図4の部分拡大図である。
【図6】 同、図4の部分拡大図である。
【図7】 液晶装置用基板の製造に用いるフォトマスクを示す上面図である。
【図8】 図7の部分拡大図である。
【図9】 液晶装置用基板の製造プロセスを示す工程上面図である。
【図10】 図9に続く工程上面図である。
【図11】 液晶装置用基板の製造に用いるフォトマスクの別の例を示す上面図である。
【図12】 液晶装置用基板の製造に用いるフォトマスクのさらに別の例を示す上面図である。
【図13】 隣接露光領域の端縁の周辺部における露光量を示す図である。
【図14】 従来の素子基板を示す上面図である。
【図15】 従来の素子基板における、画像表示部と遮光層の配設状態を示す上面図である。
【図16】 従来の素子基板の製造方法を示す図である。
【図17】 従来の素子基板の製造に用いるフォトマスクを示す図である。
【図18】 従来の素子基板の全体における、画像表示部と遮光層の配設状態を示す上面図である。
【図19】 継ぎ合わせ境界近傍に形成された走査線を示す図である。
【図20】 継ぎ合わせ境界近傍での画像表示部の大きさを示す図である。
【図21】 従来の素子基板における、隣接する露光領域での明るさを示す図である。
【符号の説明】
2 基板
3 データ線
4 走査線
6 容量線
20 液晶装置用基板
32 遮光層
34、34a、34b、34c、34d、34e、34f 画像表示部
60 液晶装置
80、82、84 フォトマスク
80A、82A、84A (遮光層の)パターン形成部分
80b、82b、84b パターン形成部分の端縁
R1、R2、R3、R4 露光領域
S、S1、S2、S3、SA (露光領域の)継ぎ合わせ境界
Claims (3)
- ステップ・アンド・リピート型の露光装置を用い、遮光層のパターンが形成されたフォトマスクを基板の表面に配設して複数回の露光を行って当該フォトマスクにより形成される露光領域同士を継ぎ合わせ、次いでフォトリソ加工を行うことにより前記基板の表面に遮光層を形成する第1工程と、
少なくとも前記遮光層が形成されていない部分における基板の表面に複数の画素電極を形成する第2工程とを備え、
前記フォトマスクとして、少なくとも前記遮光層のパターン形成部分の端縁が一直線になっていないものを用いると共に、前記遮光層のパターン形成部分の端縁の周辺部に前記露光装置の解像度未満の大きさで、かつ、該端縁の内側から外側に向って徐々に露光量を低減させる模様が形成されたものを用い、前記露光領域同士の継ぎ合せ境界を重複して露光することを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。 - 前記フォトマスクとして、前記遮光層のパターン形成部分の端縁の周辺部に、該端縁の内側から外側に向って徐々に露光量が低減するように金属膜が形成されたものを用いることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置用基板の製造方法。
- 前記フォトマスクとして、走査線、データ線、又は容量線の少なくともいずれかのパターンがそれぞれ形成されたものを用い、該走査線、データ線、又は容量線の少なくともいずれかにより前記遮光層を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置用基板の製造方法。
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