JP3822405B2 - 半導体集積回路装置及びその信号伝送回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路装置及びその信号伝送回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
多くの半導体装置は、信号伝送回路を用いる。信号伝送回路を用いる代表的な回路として遅延同期ループが挙げられる。ここでは、一例として、遅延同期ループについて、信号伝送回路及び伝送時間制御の必要性を検討する。最近の汎用の複合メモリ装置(MML:Merged Memory with Logic)、ラムバスDRAM(RDRAM:Rambus DRAM)、ダブルデータレートシンクロナスDRAM(DDR:Double Data Rate Synchronous DRAM)等は、外部から入力される基準クロック信号に同期して動作する。
【0003】
遅延同期ループは、基準クロック信号を受け取って、内部クロック信号を生成する。内部クロック信号は基準クロック信号に位相が合わせられ、半導体メモリ装置の内部回路は内部クロック信号を基準にして動作する。すなわち、遅延同期ループの最終端から出力される内部クロック信号は、半導体メモリ装置の全体に分配されて、回路動作に必要とされるクロック信号が提供される。
【0004】
しかしながら、遅延同期ループからの出力信号は、集積回路上の様々な回路に提供されるため、極めて大きい出力負荷を駆動する必要がる。かかる大きい出力負荷が原因で、遅延同期ループは一回の駆動だけでも多量の電力を消耗する場合がある。このため、MML、RDRAM、DDRなどの集積回路は、余計な電力消耗を抑えるために、集積回路の動作に応じて遅延同期ループの動作モードを分類し、各モードに応じた出力信号を選択的に提供する。また、場合によっては、遅延同期ループの全ての出力信号が提供される状況もある。このとき、集積回路の各内部回路が正確に動作するには、入力信号として作用する遅延同期ループからの複数の出力信号の間で位相が正確に一致する必要がある。遅延同期ループからの複数の出力信号の間で位相が正確に一致しない限り、集積回路の正確な制御ができない。その結果、集積回路全体としての動作速度が顕著に低下したり、誤動作が発生したりする。
【0005】
これを防止するために、遅延同期ループの中には、伝送時間を調節可能な信号伝送回路を含ものがある。図1は、従来の信号伝送回路を示す図面であって、この信号伝送回路は、ヒューズ(F)を用い、入力信号S1に対する出力信号S2の伝送時間を短縮させることができる。図2は、図1の信号伝送回路の動作を説明するための図面である。時刻t=0で、入力信号S1が“L”レベルから“H”レベルに立ち上がると、時刻t=0からキャパシタCに蓄積された電荷の放電が始まる。しかし、出力信号S2は暫く“L”レベルを維持し続ける。そして、時刻t=Tdで、キャパシタノードn1の電圧がトランジスタG2のしきい値電圧まで降下すると、出力信号S2は“H”レベルとなる。このため、出力信号S2は、入力信号S1がTdだけ遅延した信号となる。ここで、図1のヒューズを切断すると、キャパシタノードn1ではキャパシタC成分の影響がないため、伝送時間Tdが短縮される。しかし、従来の信号伝送回路は、回路設計の際に決定された伝送時間を短縮することしかできない。そのため、従来の信号伝送回路は、伝送時間を延ばすことができず、伝送時間の正確な制御ができないという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、例えば、使用者による信号伝送時間のより正確な制御を可能にすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、信号伝送線を介して所定の信号を伝送する半導体集積回路装置及びその信号伝送回路を提供する。
【0008】
本発明の好適な実施の形態によると、前記信号伝送回路は、前記信号伝送線に接続された少なくとも1つの負荷調節部を備える。前記負荷調節部は、キャパシタと、互いに直列に接続された伝送部及びヒューズであって所定の制御信号に応答して前記信号伝送線に前記キャパシタを接続させる前記伝送部と、前記半導体集積回路装置に印加される電源電圧に応答するパワーアップ感知信号を生成するパワー−アップ感知信号生成回路及び前記パワー−アップ感知信号に応答して前記制御信号を生成するプログラマブル部を含む制御信号生成回路とを備える。
【0009】
本発明の半導体集積回路装置及びその信号伝送回路によると、例えば、入力信号に対する出力信号の伝送時間を使用者がより正確に制御することができる。
【0010】
さらに、本発明の好適な実施の形態に係るマルチ伝送信号生成回路によると、例えば、多数個の伝送信号について、スキューの影響を排除することができる。
【0011】
さらに、本発明の信号伝送回路の信号線のキャパシタンスは、使用者により正確に制御され得る。
【0012】
さらに、本発明によれば、半導体製造工程に関して設計を変更することなく、ヒューズの切断またはパッケージ以降のテスト状態でも信号線のキャパシタンスが調節することができるため、伝送時間の短縮及び延長が簡単であり、また、製造工数を短縮することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。
【0014】
図3は、本発明の第1の実施の形態による信号伝送回路を示す図面である。
【0015】
図3に示すように、本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路10は、信号伝達部11及び負荷調節部13を備える。
【0016】
信号伝送回路10は、例えば、半導体集積回路装置にその内部回路として組み込まれる。信号伝達部11は、第1端11aに入力される入力信号S1を遅延経路11nを通して出力信号S2として出力する。出力信号S2は、入力信号S1に対して、所定の遅延時間Tdだけ遅延する。信号伝達部11の第1端11a及び第2端11bは、例えばインバータで構成することができる。
【0017】
他の適用例を挙げると、この信号伝送回路は、半導体集積回路装置の外部から入力される外部入力信号S1を第1端(入力パッド)で受信し、所定の遅延経路11nを通してその入力信号S1を第2端(入力回路)に伝送し内部入力信号S2として出力しても良い。さらに他の適用例を挙げると、この信号伝送回路は、半導体集積回路装置の内部で生成される内部信号S1を第1端(出力回路)で受信し、所定の遅延経路11nを通して第2端(出力パッド)に伝送し外部信号S2として出力しても良い。また、このほか、信号伝達部11が各種の形態に変形可能なことは当業者にとって自明である。
【0018】
負荷調節部13は、信号伝達部11の遅延経路11nに接続されて、遅延時間Tdを制御する。負荷調節部13は、具体的には、ヒューズ13a、伝送トランジスタ13b及びキャパシタ13cを備える。
【0019】
ヒューズ13aは、その一端が信号伝達部11の遅延経路11nに接続される。また、ヒューズ13aは、パッケージ状態でも使用者により切断可能なことから、製造過程が容易に短縮される。
【0020】
伝送トランジスタ13bは、制御信号CONTに応答してターンオンされ、ヒューズ13aの他端13mの信号を伝送する。好ましくは、伝送トランジスタ13bは、CMOSトランジスタで構成することができるが、NMOSまたはPMOSトランジスタだけで構成することもできる。また、制御信号CONTは、内部回路で生成してもよいし、外部から印加してもよい。
【0021】
キャパシタ13cは、外部電圧端子と伝送トランジスタ13bの一端13nとの間に形成される。好ましくは、キャパシタ13cは、MOSトランジスタで構成される。
【0022】
キャパシタ13cは、図3に示されたように、ゲート端子が伝送トランジスタ13bの一端13nに接続され、ソース/ドレイン端子が接地電圧VSSに共通に接続されるNMOSトランジスタで構成することができる。
【0023】
また、キャパシタ13cは、ゲート端子が伝送トランジスタ13bの一端13nに接続され、ソース/ドレイン端子が電源電圧VCCに共通に接続されるPMOSトランジスタで構成することもできる。
【0024】
図3に示された、本発明の第1実施の形態による信号伝送回路10は、ヒューズ13aの開閉及び制御信号CONTの活性/非活性に応じて、遅延経路11nの負荷が減少または増加する。換言すると、ヒューズ13aの開閉及び制御信号CONTの活性/非活性に応じて、信号伝達部11の遅延時間Tdが延長または短縮される。
【0025】
特に、RDRAMに代表される超高速で動作する製品においては、信号間の僅かなスキューが製品全体としての誤動作を引き起こす場合がある。この観点から、本発明の好適な実施の形態によると、図1に示された従来技術による、ヒューズだけでの負荷調節よりも信号の伝送時間の調節がさらに容易になる。
【0026】
好ましくは、信号伝送回路10は、制御信号CONTを生成する制御信号生成部15をさらに備える。ここで、図3に示す回路からヒューズを削除した負荷調節部を持つ信号伝送回路も、構成が単純であるという観点等で、有用である。
【0027】
図3において、信号伝達部11の他の適用例では、第1端11aが半導体集積回路装置の外部から入力される信号S1を受け取るパッドとして構成され、第2端11bがその信号S1を所定の伝送経路11nを通して伝送する入力回路として構成される。
【0028】
この場合において、パッドには、例えば、データ入力信号、アドレス信号、クロック信号、指令信号(COMMAND)などの信号が印加され得る。ここで、メモリ装置の各アドレス(Ai)ピンがもつキャパシタンスの差は、設計上は0に設定されるが、製造過程における工程の変化等が原因で、各ピンがもつキャパシタンスに違いが生じる場合がある。また、このキャパシタンスの違いは、接続されたメモリデバイスが多いほど大きくなる。その結果、各メモリデバイスのアドレス(Ai)ピン間の動作速度にばらつきが生じ得る。
【0029】
図3に示されたように、本発明の好適な実施の形態によると、各メモリデバイスのアドレス(Ai)ピンラインがもつキャパシタンスは、ヒューズの切断、制御信号の活性化などの操作を通じて、使用者により調節され得る。 図3における信号伝達部11のさらに他の適用例では、第1端11aには半導体集積回路装置の出力回路からの内部信号S1が入力され、その信号が所定の伝送経路11nを通って第2端11bとしてのパッドを介して信号S2として外部に出力される。この場合において、パッドは、データを出力するために使用される。
【0030】
図4は、図3の制御信号生成部15の具体的な構成例を占めず図である。同図を参照すると、制御信号CONTの活性/非活性は、イネーブルヒューズ19の開閉により決定される。イネーブルヒューズ19が切断されていない場合は、制御信号CONTは、NMOSトランジスタ18に印加されるパワーアップ感知信号PWUPの活性化により“H”レベルに活性化される。パワーアップ感知信号PWUPは、パワー(電源電圧)がターンオンされるとき、パワーアップ感知信号生成回路14により生成されるパルス信号である。制御信号CONTを生成する回路は、多種多様に変形可能なことは当業者にとって自明である。
【0031】
図5Aは、図3の制御信号生成部15の他の具体的な構成例を示す図である。同図を参照すると、制御信号生成部15’は、制御レジスタ16及びパワーアップ感知信号生成回路17を備える。この構成例では、制御レジスタ16は、多数の制御アドレス(ADDR0、ADDR1、ADDR2)を生成する制御アドレス生成部16_1及びプログラマブル部16_2で構成される。ここでは、説明上の便宜のため、制御アドレスADDR0によってのみプログラムされるプログラマブル部16_2の例について述べる。
【0032】
図5Bは、図5Aの制御アドレス生成部16_1をより具体的に示す図である。同図を参照すると、制御アドレス生成部16_1は、直列接続された多数のフリップフロップロジックゲート(F/F)16a、16b、16cを備える。第1F/F16aは、データ信号SIOを入力信号とし、クロック信号SCKをクロック入力として、第1制御アドレスADDR0を出力信号として生成する。また、第2F/F16bは、第1F/F16aからの反転出力信号を入力信号とし、クロック信号SCKをクロック入力として、第2制御アドレスADDR1を出力信号として生成する。また、第3F/F16cの動作も第2F/F16bの動作に準じている。指令信号CMDは、制御アドレス生成部16_1をイネーブルさせる信号である。
【0033】
パワーアップ感知信号生成回路17は、集積回路に供給される電源電圧VCCに応答して、パワーアップ感知信号PWUPを生成する。
【0034】
図5Cは、図5Aのプログラマブル部16_2をより具体的に示す図である。同図を参照すると、プログラマブル部16_2は、抵抗RESが切断されていない状態では、制御アドレスADDR0に応答する制御信号CONTを生成する。しかし、抵抗RESが切断された状態では、制御信号CONTは制御アドレスADDR0に応答しない。抵抗RESは、例えば、所定の電流量以上が流れるときに切断される電気的ヒューズで構成され得る。
【0035】
図6は、本発明の第2の実施の形態による信号伝送回路を示す図であって、この信号伝送回路は、図3に示された第1の実施の形態の変形例である。この信号伝送回路20は、信号伝達部21及び負荷調節部23を備える。図6の信号伝達部21は、図3の信号伝達部11と略同一の構成及び機能を有するため、それについての詳しい説明は省略する。
【0036】
また、図6の負荷調節部23及び図3の負荷調節部13を対比すると、以下のような違いがある。すなわち、図3の負荷調節部13のキャパシタ13bは、ソース/ドレイン端子が接地端子VSSまたは電源端子VCCに共通に接続されている。これに対し、図6の負荷調節部23のキャパシタ23cは、伝送トランジスタ23bの制御を司る制御信号CONT1を生成する制御信号生成部25からの他の出力信号CONT2がキャパシタ23cを構成するMOSトランジスタのソース/ドレイン端子に共通に接続されている。
【0037】
好ましくは、制御信号生成部25からの出力信号CONT2は、接地VSSまたは電源電圧VCCレベルを持つ信号である。キャパシタ23cのキャパシタンスは、キャパシタ23cを構成するMOSトランジスタのソース/ドレイン端子に印加される電圧レベルに応じて変化する。このため、使用者は、製造過程以降のパッケージ段階以前にヒューズを切断することもできるし、パッケージ段階以降に所定のテスト過程を経て信号伝送線のキャパシタンスを調節することもできる。その結果、信号伝送回路20の信号伝送時間Tdが正確に制御可能となる。
【0038】
図7は、本発明の第3の実施の形態による信号伝送回路を示す図面であって、この信号伝送回路は、図4の第1の実施の形態の変形例である。ここで、信号伝送回路31は、信号伝達部31及び負荷調節部33を備える。この信号伝達部31は、図7の信号伝達部11に略同一の構成及び機能を有するため、それについての詳しい説明は省略する。
【0039】
また、図7の負荷調節部33及び図3の負荷調節部13を対比すると、以下のような違いがでてくる。図3の負荷調節部13は、1つの伝送トランジスタ13bのみを備える。これに対し、図7の負荷調節部33は、直列接続された2つ以上の伝送トランジスタ33b1、33b2を備える。伝送トランジスタ33b1、33b2の各ゲートの制御を司る信号CONT1、CONT2もそれぞれの制御信号生成部により独立して生成可能である。ここで、伝送トランジスタ33b1の寸法(幅W1、長さL1)及び伝送トランジスタ33b2の寸法(幅W2、長さL2)をそれぞれ異ならしめても良い。
【0040】
負荷調節部33の各伝送トランジスタ33b1、33b2の制御を司る制御信号CONT1、CONT2の活性化は、使用者により各種の段階で制御可能である。すなわち、パッケージ段階前にヒューズを切断することもできるし、パッケージ段階後に所定のテスト過程を経て制御信号CONT1、CONT2を制御することもできる。このように、ヒューズの切断または制御信号の制御を通じて、信号伝送回路30の信号伝送時間Tdの正確な制御が可能となる。
【0041】
伝送トランジスタ33b1、33b2の個数は、必要に応じて2つ以上の多数個に増やす場合もある。これにより、さらなる遅延時間Tdの調節が可能となる。
【0042】
図8は、本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路を適用したマルチ信号伝送回路を示す図である。ここでは、説明上の便宜のために、図8に示されたマルチ信号伝送回路100が入力信号INを遅延させて多数の伝送信号DCLK1、DCLK2、DCLK3を生成する例について述べる。3つの伝送信号DCLK1、DCLK2、DCLK3は、それぞれ3つの回路ブロック103a、103b、103cに入力される信号である。また、図8に示された信号伝送回路101a、101b、101cは、図3から図7において説明された本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路のいずれか1つである。
【0043】
このように、1つの入力信号に同期する多数の伝送信号を生成して用いることにより、電力消耗を抑えることができる。例えば、A回路ブロック103aだけを駆動するモードでは、Aブロック制御信号ENAだけを活性化させ、且つBブロック制御信号ENB及びCブロック制御信号ENCは非活性化させる。その結果、本発明の好適な実施の形態に係るマルチ信号伝送回路は、動作モードに応じた制御信号を活性化させることにより、電力消耗が格段に低減される。
【0044】
また、2つまたは3つの伝送信号を同時に活性化させるモードが選択される場合において、伝送信号間には、伝送時間スキューを0に設定しておいたのにも拘わらず、製造過程における工程の変化が原因で伝送経路の寄生キャパシタンスの違いができ、その結果伝送時間スキューが生じうる。かかる伝送時間スキューは、図3から図7において説明されたように、ヒューズの開閉、制御信号の活性化/非活性化によって無くすことができる。
【0045】
図9は、図3に示された本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路10を用いる信号伝送時間の調節方法を示すフローチャートである。最初に目標伝送時間Ttgを設定し(ステップ203)、信号伝送回路の実際の伝送時間Trelを測定する(ステップ205)。
【0046】
続けて、実際の伝送時間Trelと目標伝送時間Ttgとの比較を行い(ステップ207)、実際の伝送時間Trelと目標伝送時間Ttgとの差分が許容範囲から外れているか否かを判断する(ステップ209)。
【0047】
もし、実際の伝送時間Trelと目標伝送時間Ttgとの差分が許容範囲以内であれば、調節ヒューズ1aまたは制御信号CONTを初期の状態に維持する。
【0048】
これに対し、ステップ209において、実際の伝送時間Trelと目標伝送時間Ttgとの差分が許容範囲から外れた場合には、実際の伝送時間Trelと目標伝送時間Ttgとの大小を比較する(ステップ211)。ここで、実際の伝送時間Trelが目標伝送時間Ttgよりも大であれば、調節ヒューズ13aを切断して(ステップ213)、信号伝送回路の伝送時間を短縮させる。また、ステップ211において、実際の伝送時間Trelが目標伝送時間Ttgよりも小であれば、制御信号CONTを活性化させて(ステップ215)、信号伝送回路の伝送時間を延ばす。
【0049】
このように、図9に示された本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送時間の調節方法によれば、調節ヒューズ13aを切断したり、制御信号CONTを活性化させたりすることにより、実際の伝送時間を目標伝送時間に一致させることができる。
【0050】
図10は、図3に示された本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路10を用いる信号伝送線のキャパシタンス調節方法を示すフローチャートである。最初に目標キャパシタンスCtgを設定し(ステップ303)、信号伝送線の実際のキャパシタンスCrelを測定する(ステップ305)。
【0051】
続けて、実際のキャパシタンスCrelと目標キャパシタンスCtgとの比較を行い(ステップ307)、実際のキャパシタンスCrelと目標キャパシタンスCtgとの違いがが許容範囲から外れているか否かを判断する(ステップ309)。
【0052】
もし、実際のキャパシタンスCrelと目標キャパシタンスCtgとの違いが許容範囲以内であれば、調節ヒューズ13aまたは制御信号CONTを初期の状態に維持する。
【0053】
これに対し、ステップ309において、実際のキャパシタンスCrelと目標キャパシタンスCtgとの違いが許容範囲から外れたならば、実際キャパシタンスCrelと目標キャパシタンスCtgとの大小を比較する(ステップ311)。ここで、実際キャパシタンスCrelが目標キャパシタンスCtgよりも大であれば、調節ヒューズ13aを切断して(ステップ313)、信号伝送線のキャパシタンスを減少させる。また、ステップ311において実際のキャパシタンスCrelが目標キャパシタンスCtgよりも小であれば、制御信号CONTを活性化させて(ステップ315)、信号伝送線のキャパシタンスを増大させる。
【0054】
このように、図10に示された本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送線のキャパシタンス調節方法によれば、調節ヒューズ13aを切断したり、制御信号CONTを活性化させたりすることにより、実際キャパシタンスを目標キャパシタンスに一致させることができる。
【0055】
図11は、多数の半導体メモリ装置のパッド信号が単一の信号線で共有される半導体モジュール装置を示す図であって、この半導体モジュール装置の各半導体メモリ装置には、上記した本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路が適用可能である。ここで、それぞれの半導体メモリ装置のパッド信号は、メモリコントローラの入出力信号線に共通に接続されている。かかる構造を持つ半導体集積回路装置は、メモリコントローラの入出力信号線に共通に接続されるメモリデバイスの数が多いほど、各メモリデバイスのパッド信号(データ入出力信号、アドレスなどの入力信号、クロック信号など)が持つキャパシタンスは所定値以内に固定される必要がある。すなわち、同一種類のパッド信号伝送線が持つキャパシタンスにΔC分の誤差があると仮定すると、各パッド信号伝送線間におけるキャパシタンスの差は、メモリコントローラの入出力信号線に接続されたメモリデバイスの数をかけた値、すなわちn×ΔCとなる。かかるキャパシタンスの違いは、例えば、複数のデータ出力間または各アドレス間に伝送時間の違いをもたらし、モジュール装置の動作速度を低下させる原因となる。
【0056】
ところが、図11に示された各メモリデバイスの出力ピン信号DQiラインが持つキャパシタンスは、ヒューズの切断、制御信号の活性化などを通じて使用者が調節することができる。このように、出力ピン信号DQiラインが持つキャパシタンスを調節することにより、各メモリデバイスのピンライン間で動作速度を一致させるできる。
【0057】
以上述べたように、本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路及び信号伝送調節方法によると、使用者に、入力信号に対する伝送信号の伝送時間を調節するための新たな選択肢を与えることにより、伝送時間の正確な制御が可能となる。
【0058】
また、本発明の好適な実施の形態に係るマルチ信号伝送回路によると、多数の伝送信号について、スキューの影響を排除することができる。
【0059】
また、本発明の好適な実施の形態によると、半導体集積回路装置の製造過程にお関して設計を変更することなく、ヒューズの切断またはパッケージ状態でのテストモードにより伝送時間の短縮及び延長が可能なため、製造過程を短縮することができる。
【0060】
さらに、本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送回路及び信号伝送線の負荷調節方法によると、使用者に、伝送線のキャパシタンスを調節するための新たな選択肢を与えることにより、信号伝送線のキャパシタンスを正確に制御することができる。
【0061】
また、本発明の好適な実施の形態によると、半導体集積回路装置の製造過程に関して設計を変更することなく、ヒューズの切断またはパッケージ状態でのテストモードにより信号伝送線のキャパシタンスの減少及び増大が可能なため、メモリデバイスの各ピン間の動作速度を簡単に一致させることができる。
【0062】
本発明は図面に示された実施の形態に基づいて説明されたが、これは単なる例示的なものに過ぎず、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これらに基づいて種々の変形及び均等な他の実施形式を採用することが可能なことは言うまでもない。よって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的な思想によって定まるべきである。
【0063】
【発明の効果】
本発明によれば、使用者による信号伝送時間のより正確な制御が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の信号伝送回路を示す図である。
【図2】図1の信号伝送回路の伝送時間を説明するための図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態による信号伝送回路を示す図である。
【図4】図3の制御信号生成部を具体的に示す図である。
【図5A】図3の制御信号生成部を具体的に示す他の図である。
【図5B】図5Aの制御アドレス生成部をより具体的に示す図である。
【図5C】図5Aのプログラマブル部をより具体的に示す図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態による信号伝送回路を示す図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態による信号伝送回路を示す図である。
【図8】本発明の信号伝送回路を適用したマルチ信号伝送回路を示す図である。
【図9】本発明の好適な実施の形態に係る信号伝送線の伝送時間調節方法を示すフローチャートである。
【図10】本発明のの好適な実施の形態に係る信号伝送線のキャパシタンス調節方法を示すフローチャートである。
【図11】多数の半導体メモリ装置のパッド信号が単一の信号線で共有される半導体モジュール装置を示す図である。
【符号の説明】
10…信号伝送回路、
11…信号伝達部、
13…負荷調節部、
13a…ヒューズ、
13m…ヒューズの他側、
13b…伝送トランジスタ、
13n…一側接合、
13c…キャパシタ、
VSS…接地電圧
CONT…制御信号、
S1…入力信号、
S2…出力信号
Claims (13)
- 信号伝送線を介して所定の信号を伝送する半導体集積回路装置の信号伝送回路において、
前記信号伝送回路は、前記信号伝送線に接続された少なくとも1つの負荷調節部を有し、
前記負荷調節部は、
キャパシタと、
前記キャパシタに互いに直列に接続された伝送部及びヒューズであって、前記伝送部のオン/オフ及び前記ヒューズの切断/非切断に応じて前記信号伝送線の伝送時間の短縮及び延長が可能な伝送部及びヒューズと、
前記半導体集積回路装置に印加される電源電圧に応答するパワーアップ感知信号を生成するパワーアップ感知信号生成回路及び前記パワーアップ感知信号に応答して前記制御信号を生成するプログラマブル部を含む制御信号生成回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置の信号伝送回路。 - 前記信号伝送線は、前記半導体集積回路装置の内部に形成されており、入力された信号を所定の伝送時間をかけて伝送することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記信号伝送線は、前記半導体集積回路装置の内部から前記半導体集積回路装置のパッドにデータを伝送する出力信号線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記信号伝送線は、前記半導体集積回路装置の外部から前記半導体集積回路装置のパッドに印加される外部信号を受け取り、該外部信号を前記半導体集積回路装置の内部に伝送するパッド信号の伝送線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記伝送部は、前記制御信号がゲート端子に接続されたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記伝送部は、直列接続された少なくとも2つの伝送トランジスタを備え、前記制御信号生成回路は、前記少なくとも2つの伝送トランジスタをそれぞれ制御するための少なくとも2つの異なる信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記各伝送トランジスタは、寸法が互いに異なることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記キャパシタは、前記伝送部により伝送された信号がゲート端子に印加され、ソース/ドレイン端子が電圧供給端子に共通に接続されたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記キャパシタは、前記伝送部により伝送された信号がドレイン端子に印加され、ソース/ゲート端子が電圧供給端子に共通に接続されたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記伝送部は、所定のイネーブルヒューズの切断によって活性化される前記制御信号を提供する制御信号生成部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記伝送部は、パッケージ状態でも所定の外部信号に応答して前記制御信号を提供する制御信号生成部をさらに備え、前記制御信号生成部は、前記外部信号に応答するレジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 前記レジスタは、フリップフロップであることを特徴とする請求項11に記載の半導体集積回路装置の信号伝送回路。
- 信号伝送線を介して所定の信号を伝送する信号伝送回路を含む半導体集積回路装置であって、
前記信号伝送回路は、前記信号伝送線に接続された負荷調節部を有し、前記負荷調節部は、
キャパシタと、
前記キャパシタに互いに直列に接続された伝送部及びヒューズであって、前記伝送部のオン/オフ及び前記ヒューズの切断/非切断に応じて前記信号伝送線の伝送時間の短縮及び延長が可能な伝送部及びヒューズと、
外部から印加される電源電圧に応答してパワーアップ感知信号を生成するパワーアップ感知信号生成回路及び前記パワーアップ感知信号に応答して前記制御信号を生成するプログラマブル部を含む制御信号生成回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
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