JP3780862B2 - 液晶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光量が大きい光束を入射するライトバルブとして好適な液晶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の2枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、TFTと称す)等の能動素子と能動素子に接続した画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【0003】
即ち、TFT素子によってマトリクス状に配列された画素電極(ITO)に画像信号を供給し、画素電極及び液晶層を通過する光の偏光状態を画像信号に応じて変化させることで画像表示が行われる。液晶層に印加される電圧によって、液晶分子の配列が変化し、これにより、液晶層を透過する光の偏光状態が変化するのである。
【0004】
電圧無印加時の液晶分子の配列を規定するために、一方の基板(アクティブマトリクス基板(素子基板ともいう))及び他方の基板(対向基板)の液晶層に接する面上に配向膜を形成し、配向膜にラビング処理を施す。ラビング処理によって、電圧無印加時の液晶分子はラビング方向に配列する。例えば、素子基板と対向基板とで相互に90度ねじれたラビング処理を施すと、液晶分子は液晶パネル内で連続的に向きを変え、両基板間では90度異なる向きに配列される。
【0005】
液晶パネルの出射面及び入射面に偏光板を設けて、入射した光のうち所定の偏光成分のみを通過させる。ノーマリホワイトモードでは、液晶パネルの出射面及び入射面の偏光板の偏光軸を90度相違させて、夫々基板のラビング方向に一致させる。そうすると、液晶パネルの入射面の偏光板を介して入射した光は、電圧無印加時には、液晶層において液晶分子の配列に従って90度回転し、液晶パネルの前面から偏光板を介して出射される。これにより、白表示が行われる。
【0006】
液晶に電圧を印加すると、液晶の配列方向が変化し、液晶パネル内の液晶による光の振動方向の回転が制限され、液晶パネル前面から出射される光は偏光板によって吸収される。画像信号に応じた電圧を液晶に印加し画像信号に応じた透過率で光を透過させることで、画像表示を行うのである。
【0007】
また、対向基板側には、TFT素子部分に光が入射することによって起きる表示上の不具合や、TFT素子構造によって発生する非配向領域によるコントラストの低下、色材の混色防止のために、遮光膜が形成されて、いわゆるブラックマトリクスとも呼ばれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
近年、液晶プロジェクタ等においては、投影画像の益々の高輝度化や益々の小型化を実現するために、高出力ランプを採用している。しかし、ランプの高出力化によりランプが発生する熱量が大きくなり、また液晶プロジェクタの小型化に伴い放熱性が低下する。この熱エネルギによって液晶プロジェクタ内の温度は上昇し液晶ライトバルブが高温となり、熱劣化しやすいという問題点があった。
【0009】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、表示部及びその近傍部材からの効果的な放熱を可能にすることにより、表示部が熱劣化することを抑制することができる液晶装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶が封入されて構成される液晶表示部と、少なくとも前記対向基板上にマトリクス状又はストライプ状に形成された導体からなり、前記素子基板上の素子を遮光する遮光膜と、該遮光膜の両端の一方側に接続されるP型半導体素子、及び他方側に接続されるN型半導体素子と、該P型及びN型半導体素子に夫々接続される放熱用の電極と、該電極に夫々接続される放熱部材と、該放熱部材に接続し、かつ前記液晶表示部を保持するフレームと、前記放熱用の電極相互間に電圧を供給して前記遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用する電源手段とを具備したことを特徴とする。
【0011】
このような構成によれば、素子基板上の素子へのリーク光の入射を防止するための遮光膜は、液晶表示部の全域に設けられている。遮光膜の両端には相互に異なる導電型の一対の半導体素子が接続され、各半導体素子には夫々放熱用の電極が接続される。電源手段が放熱用の電極相互間に電圧を供給する。これにより、遮光膜はペルチェ素子の吸熱体として作用し、液晶表示部からの熱を吸熱して冷却する。これにより、液晶表示部及びその近傍部材の熱劣化が防止される。
【0012】
また、前記遮光膜が、前記液晶表示部の水平又は垂直方向に配向されたストライプ状の導体である場合、該導体によって液晶表示部が冷却される。
【0013】
また、前記遮光膜が、前記液晶表示部にマトリクス状に形成された導体である場合、該導体によって液晶表示部が冷却され、遮光性能も向上する。
【0016】
また、本発明に係る液晶装置は、さらに、前記液晶表示部の表示領域を区画する額縁を有し、前記額縁は前記P型半導体素子及びN型半導体素子に接続されていることを特徴とする。
【0017】
このような構成によれば、液晶表示部の表示領域を区画する額縁によって、液晶表示部が冷却されて、良好な表示特性が得られる。
【0018】
本発明に係る液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶が封入されて構成される液晶表示部と、該液晶表示部の入射面側及び出射面側に夫々配置される入射面側防塵ガラス及び出射面側防塵ガラスと、前記素子基板、前記対向基板、前記入射面側防塵ガラスの少なくとも1つに形成され、前記液晶表示部の表示領域を区画する額縁としての遮光膜と、前記遮光膜の少なくとも1つの両端の一方に接続されたP型半導体素子、及び他方に接続されたN型半導体素子と、該P型及びN型半導体素子に夫々接続される放熱用の電極と、前記入射面側防塵ガラス及び出射面側防塵ガラスが取り付けられた前記液晶表示部を収納し、かつ前記電極に接続されたフレームと、前記電極相互間に電圧を供給して前記遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用する電源手段とを具備し、前記P型及びN型半導体素子が、前記フレームと前記対向基板との間に設けられ、及び/又は前記フレームと前記入射面側防塵ガラスとの間に設けられていることを特徴とする。
【0019】
このような構成によれば、液晶表示部の表示領域を区画する額縁としての遮光膜は、素子基板、対向基板、及び入射面側防塵ガラスの少なくとも1つの縁辺部に形成される。遮光膜の両端にはP型及びN型半導体素子が接続され、各半導体素子には夫々放熱用の電極が接続される。電源手段が放熱用の電極相互間に電圧を供給する。これにより、遮光膜は表示領域を区画する額縁とペルチェ素子の吸熱体として作用し、液晶表示部の縁辺部から熱を吸熱して冷却する。これにより、液晶表示部及びその近傍部材の熱劣化が防止される。また、フレームを介して、放熱用の電極に発生した熱が放熱され、効果的に液晶表示部及びその近傍部材が冷却される。
【0022】
また、本発明に係る液晶装置は、さらに、前記放熱用の電極が接続されるフックを具備したことを特徴とする。
【0023】
このような構成によれば、フックを介して、放熱用の電極に発生した熱が放熱され、効果的に液晶表示部及びその近傍部材が冷却される。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施の形態に係る液晶装置を説明するための説明図である。図2は液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図3はTFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図4は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図3のH−H'線の位置で切断して示す断面図である。また、図5は液晶パネルを詳細に示す断面図である。図6は液晶パネルの画素平面を示す平面図である。
【0025】
本実施の形態は、液晶パネルのマトリクス状の遮光膜をペルチェ素子の吸熱体によって構成することにより、液晶パネルのパネル部分全面を冷却することを可能にしたものである。
【0026】
先ず、図2乃至図6を参照して、液晶表示部である液晶パネルの構造について説明する。なお、図2乃至図6においては、図面を簡略化するために、ペルチェ素子を構成するP型及びN型半導体等については図示を省略している。また、図5は図6のA−A′線で切断した断面を示している。
【0027】
液晶パネルは、図3及び図4に示すように、TFT基板等の素子基板10と対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。素子基板10上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図2は画素を構成する素子基板10上の素子の等価回路を示している。
【0028】
図2に示すように、画素領域においては、複数本の走査線3aと複数本のデータ線6aとが交差するように配線され、走査線3aとデータ線6aとで区画された領域に画素電極9aがマトリクス状に配置される。そして、走査線3aとデータ線6aの各交差部分に対応してTFT30が設けられ、このTFT30に画素電極9aが接続される。
【0029】
TFT30は走査線3aのON信号によってオンとなり、これにより、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに供給される。この画素電極9aと対向基板20に設けられた対向電極21との間の電圧が液晶50に印加される。また、画素電極9aと並列に蓄積容量70が設けられており、蓄積容量70によって、画素電極9aの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば3桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量70によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【0030】
図5は、一つの画素に着目した液晶パネルの模式的断面図である。
【0031】
ガラスや石英等の素子基板10には、遮光膜11が形成され、遮光膜11上に層間絶縁膜12を介してLDD構造をなすTFT30が設けられている。TFT30は、チャネル領域1a、ソース領域1d、ドレイン領域1eが形成された半導体層に絶縁膜2を介してゲート電極をなす走査線3aが設けられてなる。TFT30上には第1層間絶縁膜4を介してデータ線6aが積層され、データ線6aはコンタクトホール5を介してソース領域1dに電気的に接続される。データ線6a上には第2層間絶縁膜7を介して画素電極9aが積層され、画素電極9aはコンタクトホール8を介してドレイン領域1eに電気的に接続される。
【0032】
走査線3a(ゲート電極)にON信号が供給されることで、チャネル領域1aが導通状態となり、ソース領域1dとドレイン領域1eとが接続されて、データ線6aに供給された画像信号が画素電極9aに与えられる。
【0033】
また、半導体層にはドレイン領域1eから延びる蓄積容量電極1fが形成されている。蓄積容量電極1fは、誘電体膜である絶縁膜2を介して容量線3bが対向配置され、これにより蓄積容量70を構成している。画素電極9a上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜16が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【0034】
一方、対向基板20には、TFTアレイ基板のデータ線6a、走査線3a及びTFT30の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第1遮光膜23が設けられている。この第1遮光膜23によって、対向基板20側からの入射光がTFT30のチャネル領域1a、ソース領域1d及びドレイン領域1eに入射することが防止される。第1遮光膜23上に、対向電極(共通電極)21が基板20全面に亘って形成されている。対向電極21上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜22が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【0035】
そして、素子基板10と対向基板20との間に液晶50が封入されている。これにより、TFT30は所定のタイミングでデータ線6aから供給される画像信号を画素電極9aに書き込む。書き込まれた画素電極9aと対向電極21との電位差に応じて液晶50の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【0036】
図3及び図4に示すように、対向基板20には表示領域を区画する額縁としての第2遮光膜42が設けられている。第2遮光膜42は例えば第1遮光膜23と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【0037】
第2遮光膜42の外側の領域に液晶を封入するシール材41が、素子基板10と対向基板20間に形成されている。シール材41は対向基板20の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板10と対向基板20を相互に固着する。シール材41は、素子基板10の1辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板10及び対向基板20相互の間隙に液晶50を注入するための液晶注入口78を形成する。液晶注入口78より液晶が注入された後、封止材79で封止される。
【0038】
素子基板10のシール材41の外側の領域には、データ線駆動回路61及び実装端子62が素子基板10の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する2辺に沿って、走査線駆動回路63が設けられている。素子基板10の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路63間を接続するための複数の配線64が設けられている。また、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所においては、素子基板10と対向基板20との間を電気的に導通させるための導通材65が設けられている。
【0039】
本実施の形態においては、第2遮光膜42をペルチェ素子の吸熱体の電極として利用するようになっている。図6は液晶パネルの平面構造を示している。液晶パネルの表示面の水平方向に形成された複数の走査線3a(実線)と垂直方向に形成された複数のデータ線6a(1点鎖線)とによってマトリクス状に画素が配置される。走査線3a及びデータ線6a以外によって囲まれた部分が表示領域を構成する。上述したように、チャネル領域1a、ソース領域1d、ドレイン領域1eを有する半導体層1(長破線)によってTFT30が形成されており、半導体層1は走査線3a及びデータ線6aの部分に形成されている。半導体層1下の遮光膜11は、走査線3a、容量線3b、データ線6aの領域下にマトリクス状に形成されている。そして、素子基板10側の走査線3a、容量線3b及びデータ線6aに対応するように、対向基板20側に短破線にて示す第1遮光膜23が形成されている。
【0040】
第1遮光膜23によって、走査線3a部分及びデータ線6a部分における光の通過が阻止される遮光部分が構成される。
【0041】
本実施の形態においては、図1に示すように、マトリクス状に配置された第1遮光膜23の全て又は所定の本数毎に、両端にP型,N型半導体素子13,14が形成されている。各P型半導体素子13は電極15に接続され、N型半導体素子14は電極17に接続されている。各電極15,17には、電源供給部25から電源電圧が供給されるようになっている。電極15,17は図1に示すように、縦方向に並設しても良いし、横方向に並設しても良い。
【0042】
電源供給部25が電極15,17相互間に所定の電圧を印加することにより、相互に接続された電極15,17、P型,N型半導体素子13,14及び第1遮光膜23はペルチェ素子を構成し、電極15,17を発熱させると共に、第1遮光膜23を冷却させることができる。
【0043】
各電極15,17は、夫々放熱部材18,19(図3参照)に接続されており、放熱部材18,19によって発熱する電極15,17から熱を放熱させることができるようになっている。なお、放熱部材18,19は液晶パネルを保持するフレームに接続される。
【0044】
このように構成された実施の形態においては、対向基板20上の第1遮光膜23の形成工程において、走査線方向両端部の第1遮光膜23に夫々接続されるP型半導体13及びN型半導体14を形成する。更に、P型半導体13に接続した電極15を形成し、N型半導体14に接続した電極17も形成する。
【0045】
別々に製造された素子基板と対向基板とは組み立て工程に投入される。即ち、素子基板と対向基板とには、配向膜16,22となるポリイミド(PI)が塗布される。次に、素子基板及び対向基板表面の配向膜16,22に対して、ラビング処理を施す。そして、ラビング処理によって発生した塵埃を洗浄工程において洗浄する。
【0046】
洗浄工程が終了すると、シール材41、及び導通材65(図3参照)を形成する。シール材41を形成した後、次に、素子基板と対向基板とを貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着し、シール材41を硬化させる。次に、シール材41の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。
【0047】
次に、実装工程が行われる。素子基板10のシール部材41の外側の領域には、パネル上の各種駆動回路と外部機器との間で、駆動信号、タイミング信号及び画像信号等を送受するための実装端子62が配列されている。外部機器との接続には図示しないFPC(フレキシブルプリント板)が採用され、実装端子62とFPCとは、FPCに形成されたACF(Anisotoropic Conductive Film)(異方性導電膜)を用いて圧着する。
【0048】
更に、本実施の形態においては、対向基板20の両端のP型半導体13及びN型半導体14に接続された電極15,17を、夫々放熱部材18,19に接続する。また、電極15,17を電源供給部25に接続して、電源電圧を供給可能にする。
【0049】
液晶パネルの表示時には、対向基板20側から光を入射させる。これにより、液晶パネル及び偏光板等は入射光により加熱される。しかし、本実施の形態においては、電源供給部25からの電源電圧によって、電極15,17は発熱すると共に、P型半導体13及びN型半導体14相互間にに接続された第1遮光膜23は冷却される。電極15,17に発生した熱は放熱部材18,19を介して放熱され、液晶パネルの表示面の全域から熱が第1遮光膜23に吸熱される。これにより、液晶パネルの表示面が効果的に冷却される。
【0050】
このように本実施の形態においては、表示面にマトリクス状に配列された第1遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用しており、液晶装置の表示面の全域を効率的に冷却することができる。
【0051】
なお、本実施の形態においては、マトリクス状の第1遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用したが、水平方向又は垂直方向にストライプ状に形成された遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用することができることは明らかである。図7はこの場合の例を示す説明図である。
【0052】
液晶パネルを構成する対向基板には、水平方向にストライプ状の遮光膜23′が形成されている。遮光膜23′の全て又は所定の本数毎に、両端にP型,N型半導体素子13′,14′が形成されている。各P型半導体素子13′は電極15′に接続され、N型半導体素子14′は電極17′に接続されている。各電極15′,17′には、電源供給部25′から電源電圧が供給されるようになっている。
【0053】
電源供給部25′が電極15′,17′相互間に所定の電圧を印加することにより、相互に接続された電極15′,17′、P型,N型半導体素子13′,14′及び遮光膜23′はペルチェ素子を構成し、電極15′,17′を発熱させると共に、遮光膜23′を冷却させることができる。
【0054】
各電極15′,17′は、夫々放熱部材18,19(図3参照)に接続されており、放熱部材18,19によって発熱する電極15′,17′から熱を放熱させることができるようになっている。
【0055】
このように、水平方向に形成された遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用することによって、液晶パネルの表示面を冷却することが可能である。
【0056】
なお、図7の例では、表示面の水平方向の両端まで形成されている遮光膜を利用して吸熱を行ったが、垂直方向の両端まで形成されている遮光膜(図7の破線)を利用して吸熱を行うようにしてもよいことは明らかである。
【0057】
図8は本発明の第2の実施の形態を説明するための説明図である。
【0058】
上述したように、対向基板には表示領域を区画する額縁としての遮光膜(図3の符号42)が設けられている。また、素子基板側においても額縁としての遮光膜が形成されている。また、素子基板及び対向基板を塵埃から保護する入射側の防塵ガラスにも額縁としての遮光膜が形成されている。本実施の形態はこれらの額縁としての遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用して冷却を行うようにしたものである。
【0059】
液晶パネルは素子基板71及び対向基板72が貼り合わされ、液晶が封入されて構成されている。素子基板71及び対向基板72には夫々縁辺に額縁としての遮光膜75,76が形成されている。また、対向基板72の素子基板71貼り付け面とは反対側の面(入射面)には入射側防塵ガラス73が設けられ、素子基板71の対向基板72貼り付け面とは反対側の面(出射面)には出射側防塵ガラス74が設けられている。入射側防塵ガラス73には縁辺に額縁としての遮光膜80が形成されている。
【0060】
これらの入射側防塵ガラス73、対向基板72、素子基板71及び出射側防塵ガラス74は一体化されてフレーム82に収納されている。フレーム82は出射面側が開口し、入射面側は液晶パネルの表示部分に対応する部分が開口した筐体である。フレーム82は熱伝導性に優れた部材で構成されている。
【0061】
本実施の形態においては、素子基板71に設けた遮光膜75の一端には、電極が取り付けられたP型半導体78aが接続され、他端には電極が取り付けられたN型半導体78bが接続されている。また、対向基板72に設けた遮光膜76の一端には、電極が取り付けられたP型半導体79aが接続され、他端には電極が取り付けられたN型半導体79bが接続されている。更に、入射側防塵ガラス73に設けた遮光膜80の一端には、電極が取り付けられたP型半導体81aが接続され、他端には電極が取り付けられたN型半導体81bが接続されている。
【0062】
P型半導体78a,79a,81aに接続された電極とN型半導体78b,79b,81bに接続された電極間には図示しない電源供給部から電源電圧が供給されると共に、これらの電極はフレーム82に接続されるようになっている。
【0063】
このように構成された実施の形態においては、素子基板71に設けられた遮光膜75、対向基板72に設けられた遮光膜76及び入射側防塵ガラス73に設けられた遮光膜80はペルチェ素子の吸熱体として機能する。遮光膜75,76,80に接続されたP型半導体78a,79a,81aと、遮光膜75,76,80に接続されたN型半導体78b,79b,81bとの間には、電源電圧が供給される。これにより、P型半導体78a,79a,81a及びN型半導体78b,79b,81bに接続された電極が発熱し、遮光膜75,76,80が冷却される。
【0064】
P型半導体78a,79a,81a及びN型半導体78b,79b,81bに接続された電極に生じる熱は、フレーム82によって放熱され、遮光膜75,76,80は、素子基板71、対向基板72及び入射側防塵ガラスの熱を吸収する。これにより、入射光による熱エネルギを効率的に放熱させて、液晶パネル及びその近傍部材の熱劣化が防止される。
【0065】
このように本実施の形態においては、額縁としての遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用して、放熱を促進させ、熱劣化を防止している。
【0066】
なお、本実施の形態においては、入射側防塵ガラス、対向基板及び素子基板の全ての額縁をペルチェ素子として機能させたが、いずれか1つ以上の額縁を利用すればよいことは明らかである。
【0067】
図9は本発明の第3の実施の形態を説明するための説明図である。図9において図8と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【0068】
本実施の形態は入射側防塵ガラス及び出射側防塵ガラスに設けた額縁としての遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として用い、液晶パネルを収納するフレーム及びフックを放熱部材として用いた場合に適用した例である。
【0069】
フック85は、フレーム82の出射面側開口面に嵌合する板状部材であり、出射面に対応する部分は開口し、側面にはフレーム82に取付けるための係止部材86が設けられている。フック85もフレーム82と同様に、熱伝導性に優れた部材で構成されている。
【0070】
出射側防塵ガラス74及び入射側防塵ガラス73には夫々縁辺に額縁としての遮光膜91,93が形成されている。
【0071】
本実施の形態においては、出射側防塵ガラス74に設けた遮光膜91の一端には、電極が取り付けられたP型半導体92aが接続され、他端には電極が取り付けられたN型半導体92bが接続されている。また、入射側防塵ガラス73に設けた遮光膜93の一端には、電極が取り付けられたP型半導体94aが接続され、他端には電極が取り付けられたN型半導体94bが接続されている。
【0072】
このように構成された実施の形態においては、入出射側防塵ガラス73,74に設けられた遮光膜93,91はペルチェ素子の吸熱体として機能する。遮光膜91,93に接続されたP型半導体92a,94aと、遮光膜91,93に接続されたN型半導体92b,94bとの間には、電源電圧が供給される。これにより、P型半導体92a,94a及びN型半導体92b,94bに接続された電極が発熱し、遮光膜91,93が冷却される。
【0073】
P型半導体92a,94a及びN型半導体92b,94bに接続された電極に生じる熱は、夫々フック85及びフレーム82によって放熱され、遮光膜91,93は、出射側防塵ガラス74及び入射側防塵ガラス73の熱を吸収し、結果的に素子基板71及び対向基板72も冷却する。これにより、入射光による熱エネルギを効率的に放熱させて、液晶装置の熱劣化が防止される。
【0074】
このように本実施の形態においても、第2の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0075】
なお、本実施の形態においては、入射側防塵ガラス及び出射側防塵ガラスの両方の額縁をペルチェ素子として機能させたが、いずれか一方の額縁のみを利用してもよいことは明らかである。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、表示部及びその近傍部材からの効果的な放熱を可能にすることにより、表示部及び偏光板等が熱劣化することを抑制することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る液晶装置を説明するための説明図。
【図2】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図3】TFT基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図4】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図3のH−H'線の位置で切断して示す断面図。
【図5】液晶装置を詳細に示す断面図。
【図6】図6は液晶装置の画素平面を示す平面図。
【図7】第1の実施の形態の変形例を示す説明図。
【図8】本発明の第2の実施の形態を説明するための説明図。
【図9】本発明の第3の実施の形態を説明するための説明図。
【符号の説明】
11…遮光膜
13…P型半導体
14…N型半導体
15,17…電極
25…電源供給部
Claims (4)
- 素子基板と対向基板との間に液晶が封入されて構成される液晶表示部と、少なくとも前記対向基板上にマトリクス状又はストライプ状に形成された導体からなり、前記素子基板上の素子を遮光する遮光膜と、該遮光膜の両端の一方側に接続されるP型半導体素子、及び他方側に接続されるN型半導体素子と、該P型及びN型半導体素子に夫々接続される放熱用の電極と、該電極に夫々接続される放熱部材と、該放熱部材に接続し、かつ前記液晶表示部を保持するフレームと、前記放熱用の電極相互間に電圧を供給して前記遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用する電源手段とを具備したことを特徴とする液晶装置。
- さらに、前記液晶表示部の表示領域を区画する額縁を有し、前記額縁は前記P型半導体素子及びN型半導体素子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 素子基板と対向基板との間に液晶が封入されて構成される液晶表示部と、該液晶表示部の入射面側及び出射面側に夫々配置される入射面側防塵ガラス及び出射面側防塵ガラスと、前記素子基板、前記対向基板、前記入射面側防塵ガラスの少なくとも1つに形成され、前記液晶表示部の表示領域を区画する額縁としての遮光膜と、前記遮光膜の少なくとも1つの両端の一方に接続されたP型半導体素子、及び他方に接続されたN型半導体素子と、該P型及びN型半導体素子に夫々接続される放熱用の電極と、前記入射面側防塵ガラス及び出射面側防塵ガラスが取り付けられた前記液晶表示部を収納し、かつ前記電極に接続されたフレームと、前記電極相互間に電圧を供給して前記遮光膜をペルチェ素子の吸熱体として利用する電源手段とを具備し、
前記P型及びN型半導体素子が、前記フレームと前記対向基板との間に設けられ、及び/又は前記フレームと前記入射面側防塵ガラスとの間に設けられていることを特徴とする液晶装置。 - さらに、前記放熱用の電極が接続されるフックを具備したことを特徴とする請求項3に記載の液晶装置。
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