JP3768432B2 - ボンディング装置 - Google Patents
ボンディング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3768432B2 JP3768432B2 JP2001336011A JP2001336011A JP3768432B2 JP 3768432 B2 JP3768432 B2 JP 3768432B2 JP 2001336011 A JP2001336011 A JP 2001336011A JP 2001336011 A JP2001336011 A JP 2001336011A JP 3768432 B2 JP3768432 B2 JP 3768432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding apparatus
- suction
- ultrasonic horn
- ultrasonic
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、トランスデューサを含んで構成されるボンディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
バンプ付き電子部品などの電子部品を、リードフレームや基板などに接合する方法として、超音波圧接を利用する方法が知られている。この方法は、電子部品のバンプを基板に押圧しながら超音波振動を付与し、接合面を相互に摩擦させてボンディングするものである。
【0003】
ボンディングに先立って、処理対象となる電子部品を被圧着面の所定位置に搭載する動作と、前述のボンディング動作とを連続して行うために、超音波振動子を固定してなるトランスデューサには、電子部品を吸着するための吸着口と配管取付部とを連通する通路が設けられている。この吸着口は、超音波振動を電子部品に効率よく作用させるために、トランスデューサにおける超音波振動の腹、すなわち定在波の振幅が最大となる部分に設けられる。他方、この通路を通じて電子部品を吸引するための空圧配管は、超音波振動への影響を避けるため、超音波振動の節部に設けられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような構成では、吸着口から空圧配管までの距離が長くなるため、空圧配管を介した負圧のオン・オフが吸着口に作用するまでに所定時間の遅れが生じてしまい、動作の応答性が悪い。また特開平11−307588号公報のように、空圧配管とトランスデューサとの間を接離自在とする構成も提案されているが、可動部分が増えて構成が複雑化する欠点がある。
【0005】
そこで本発明の目的は、空圧配管がトランスデューサに与える振動特性上の悪影響を抑制することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
第1の本発明は、処理対象を吸着するための吸着口を有する吸着ノズルと、配管取付部と、超音波振動が伝達される方向に直交する方向に前記吸着ノズルと前記配管取付部の中央を貫いて連通する通路と、を含む超音波ホーンを備え、前記通路を通じた吸引により前記処理対象を吸着するボンディング装置であって、前記吸着口の中心と、前記通路とが、前記超音波ホーンにおける超音波振動の定在波の振幅が最大となる腹の部分に設けられ、前記配管取付部には、発泡樹脂材からなる接続部材を介して、前記吸引のための空圧配管を固定したことを特徴とするボンディング装置である。
【0007】
第1の発明では、配管取付部に、発泡樹脂材からなる接続部材を介して、吸引のための空圧配管を固定した結果、超音波ホーンの超音波振動に対する空圧配管からの反力の影響をよく抑制できる。その理由は明らかでないが、反力FがF=ma+cv+kx(mは質量、aは加速度、cは粘性係数、vは速度、kはバネ定数、xは変位)で定義されるところ、発泡樹脂材からなる接続部材の質量mおよび粘性係数cが、金属や非発泡性の樹脂材に比して各段に小さく、これが加速度aおよび速度vの大きい超音波振動に対する反力の影響を抑制していることによるものと考えられる。第1の発明はこのことを述べたものである。
【0008】
第2の本発明は、第1の本発明のボンディング装置であって、前記発泡樹脂材が独立発泡体であることを特徴とするボンディング装置である。
【0009】
第2の本発明では、発泡樹脂材を独立発泡体としたので、吸引に対する気密性を確保できる。
【0010】
第3の本発明は、第1または第2の本発明のボンディング装置であって、前記発泡樹脂材がスチロール樹脂からなることを特徴とするボンディング装置である。
【0011】
第3の本発明では、発泡樹脂材をスチロール樹脂としたので、接続部材を特に軽量かつ安価に製造できると共に、ウレタン樹脂などの軟質の材料に比して真空ポンプなどの空圧機器の吸引に対する収縮量が小さいので、吸着動作の応答性を損なうことはない。
【0012】
第4の本発明は、第1ないし第3のいずれか1の本発明のボンディング装置であって、前記接続部材は、その前記通路に臨む内周面に気密層が形成されていることを特徴とするボンディング装置である。
【0013】
第4の本発明では、接続部材の内周面に気密層を形成したので、接続部材の気密性を更に高めることができる。
【0014】
第5の本発明は、第1ないし第4のいずれか1の本発明のボンディング装置であって、前記通路が、前記超音波ホーンの最大振幅点から前記超音波ホーンの長手方向における所定範囲内に形成されていることを特徴とするボンディング装置である。
【0015】
第5の本発明では、通路を超音波ホーンの最大振幅点から超音波ホーンの長手方向における所定範囲内に形成したので、最大振幅点に設けられた吸着口から配管取付部までの距離を短くでき、吸引動作の応答性を向上できる。
【0017】
本発明では、通路を超音波ホーンの長手方向に対する直交方向に設けたので、通路の長さを最小限とでき、吸引動作の応答性を向上できる。
【0018】
第6の本発明は、第1ないし第5のいずれか1の本発明のボンディング装置であって、前記超音波ホーンの長手方向の一端に振動子を、また他端に前記振動子と略同等の質量のウエイトを、それぞれ備えたことを特徴とするボンディング装置である。
【0019】
第6の本発明では、超音波ホーンの長手方向の一端に振動子を、また他端に振動子と略同等の質量のウエイトを設けたので、超音波ホーンにおける質量のアンバランスを抑制して振動伝達効率を向上できる。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態につき、以下に図面に従って説明する。図1に示される実施形態は、本発明をフリップチップボンディング装置に適用したものである。本発明におけるトランスデューサである超音波ホーン1は、吸着ノズル8・配管取付部9および連結部6A,6B(以下適宜に連結部6という)を、いずれも丸棒材からの削り出しにより、ホーン本体4と同一部材により一体的に形成したものである。
【0021】
連結部6A,6Bには、これら連結部6A,6Bをホルダ30に固定するためのネジ孔7A1,7A2,7B1,7B2(以下適宜にネジ孔7という)が設けられている。連結部6A,6Bにおける後方部分および前方部分には、それぞれ平板上の薄肉部14が形成されている。各薄肉部14の厚さは約0.5mmである。
【0022】
各保持部5の長さ(図1における上下方向の長さ)は互いに等しい。また、連結部6Aおよび連結部6Bの長さ(図1における左右方向の長さ)も互いに等しい。そしてネジ孔7A1とネジ孔7A2、およびネジ孔7B1とネジ孔7B2は互いに対称に(すなわち、連結部6の前端または後端からの距離において等しい位置に)設けられている。また連結部6は、超音波ホーン1の軸心4bを含む水平面(図2におけるB−B線)に沿って設けられている。
【0023】
4つの保持部5A1,5A2,5B1,5B2(以下適宜に保持部5という)のうち、ホーン本体4の後方側の保持部5A1,5B1は、ホーン本体4の基端から1番目の節p1の位置に設けられ、ホーン本体4の前方側の保持部5A2,5B2は、ホーン本体4の基端から2番目の節p2の位置に設けられている。各保持部5の厚さは約0.5mmである。
【0024】
他方、チップ吸着口8bは、図示のとおり2つの保持部5の設置点の中間点に設けられており、かつ、その中心が振動の腹s1(速度の絶対値が最大となる部分)と一致するようにされている。
【0025】
吸着ノズル8は角錐状、配管取付部9(図3参照)は円柱状であり、両者の中央を貫いて鉛直方向の通孔8aが穿設されており、通孔8aの下端部がチップ吸着口8bとなっている。
【0026】
図2ないし図4に示すように、超音波ホーン1はホルダ30に対し、ボルト35によってネジ留めして使用される。ホルダ30は、配管取付部9を跨いで左右の連結部6を一体的に連結する構造であり、その上面の装着孔30aにより、図示しないワイヤボンダ本体のボンディングヘッド駆動機構に装着される。装着孔30aの中心は、ホーン本体4の軸心4bの直上に位置している。ホルダ30には、4つの通孔7に対応して設けられボルト35と螺合する鉛直方向のネジ孔30bが、それぞれ設けられている。またホーン本体4の基端部のネジ孔17には、電歪素子を軸方向に積層してなる公知の超音波振動子40が固定される。
【0027】
配管取付部9には、発泡スチロール製の接続部材50が固定され、接続部材50の上端には、シリコンゴム製フレキシブルチューブからなる空圧配管31(図3参照。なお、図4では接続部材50と空圧配管31は省略している)が接続される。空圧配管31の他端は、図示しない真空ポンプやソレノイド弁などから構成される周知の空圧回路(図示せず)に接続されており、この空圧回路により空圧配管31の内部の吸引が選択的にオン・オフされる。
【0028】
接続部材50は、発泡性かつ独立発泡性の樹脂材料である発泡スチロール材を略円筒形に形成してなり、その中央には通孔8aに通じる通孔51が形成されている。
【0029】
以上のように構成された本実施形態では、超音波ホーン1は、空圧配管31および通孔8aを通じた吸引により吸着口8bに半導体デバイス(図示せず)を吸着してボンディング位置に搬送し、その状態で、ボンディングヘッド駆動機構により下向きに駆動される。そして、超音波振動子40が発生する超音波振動が、疎密波(縦波)として超音波ホーン1の長手方向、すなわち軸心4bに沿う方向に、基端側から先端側に向けて伝達され、この超音波振動とボンディングヘッド駆動機構による荷重とによって、ボンディングが行われる。
【0030】
ここで本実施形態では、配管取付部9に、発泡樹脂材からなる接続部材50を介して、吸引のための空圧配管31を固定した結果、超音波ホーン1の超音波振動に対する空圧配管31からの反力の影響をよく抑制できる。この理由は明らかでないが、反力FがF=ma+cv+kx(mは質量、aは加速度、cは粘性係数、vは速度、kはバネ定数、xは変位)で定義されるところ、接続部材50を構成する発泡樹脂材の質量mおよび粘性係数cが、金属や非発泡樹脂材のこれらの値に比して各段に小さく、これが加速度aおよび速度vの大きい超音波振動に対する反力の影響を抑制していることによるものと考えられる。
【0031】
また本実施形態では、接続部材50を独立発泡材料としたので、吸引に対する気密性を確保できる。
【0032】
また本実施形態では、接続部材50をスチロール樹脂としたので、接続部材を特に軽量かつ安価に製造できると共に、ウレタン樹脂などの軟質の材料に比して真空ポンプなどの空圧機器の吸引に対する収縮量が小さいので、吸着動作の応答性を損なうことはない。
【0033】
また本実施形態では、通路となる通孔8aを超音波ホーン1の最大振幅点(振動の腹s1)に一致させ、かつ、通孔8aを超音波ホーン1の長手方向に対する直交方向に設けたので、吸着孔8bから配管取付部9までの経路をきわめて短くでき、吸引動作の応答性を向上できる。
【0034】
図5ないし図7は、本実施形態による効果を示すグラフであり、横軸は周波数、縦軸は超音波振動子40のインピーダンスを示す。図5は配管取付部9に何も取り付けない場合であり、特定の周波数において急峻なピークがあることから、明瞭な定在波が生じていることが判る。図6は対照実験として、接続部材50を用いずに、通常この種の空圧配管に用いられる硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを配管取付部9に直接取り付けた場合であり、定在波がきわめて不明瞭になっていることから、硬質ナイロン製のフレキシブルチューブによる反力が振動特性に悪影響を与えていることが判る。これに対し、図7は同じく硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを、上記実施形態のとおり接続部材50を介して配管取付部9に取り付けた場合であり、図5の場合とほとんど変わらない振動特性が得られていることが確認できた。
【0035】
なお、上記実施形態の構成に加えて、接続部材50の内周面である通孔51の表面に、非発泡性の樹脂による気密層を形成してもよい。この場合には、接続部材50の気密性を更に高めることができ、吸引動作の応答性を更に向上できる。
【0036】
また、上記実施形態では、超音波ホーン1の長手方向の一端に超音波振動子40を取り付ける一方、他端には別段の部材を取り付けない構成としたが、超音波ホーン1の他端に超音波振動子40と略同等の質量を有するウエイトを設けてもよく、これにより、超音波ホーン1における質量のアンバランスを抑制して振動伝達効率を向上できる。
【0037】
また、上記実施形態では、本発明をフリップチップボンディング装置に適用した例について説明したが、本発明はこれらのボンディング装置に限らず、トランスデューサの振動により処理作用を行う各種の処理装置に適用でき、いずれも本発明の範疇に属するものである。またトランスデューサの形状も、上記各実施形態の形状に限らず、その用途や目的に応じた各種の形状を選択することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態におけるホーン本体を振動の節の位置を示すグラフと共に示す底面図である。
【図2】 ホルダに装着された状態のホーン本体を示すA−A線断面図である。
【図3】 ホーン本体の正面図である。
【図4】 ホルダに装着された状態のホーン本体を示す斜視図である。
【図5】 配管取付部に何も取り付けない場合の周波数−インピーダンス特性を示すグラフである。
【図6】 配管取付部に硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを直接取り付けた場合の周波数−インピーダンス特性を示すグラフである。
【図7】 配管取付部に接続部材を介して硬質ナイロン製のフレキシブルチューブを直接取り付けた場合の周波数−インピーダンス特性を示すグラフである。
【符号の説明】
1 超音波ホーン
4 ホーン本体
4b 軸心
5A1,5A2,5B1,5B2 保持部
6A,6B 連結部
7A1,7A2,7B1,7B2 ネジ孔
17 ネジ孔
20 通孔
30 ホルダ
31 空圧配管
35 ボルト
40 超音波振動子
50 接続部材
p1,p2 節
s1 腹
Claims (6)
- 処理対象を吸着するための吸着口を有する吸着ノズルと、配管取付部と、超音波振動が伝達される方向に直交する方向に前記吸着ノズルと前記配管取付部の中央を貫いて連通する通路と、を含む超音波ホーンを備え、前記通路を通じた吸引により前記処理対象を吸着するボンディング装置であって、
前記吸着口の中心と、前記通路とが、前記超音波ホーンにおける超音波振動の定在波の振幅が最大となる腹の部分に設けられ、
前記配管取付部には、発泡樹脂材からなる接続部材を介して、前記吸引のための空圧配管を固定したことを特徴とするボンディング装置。 - 請求項1に記載のボンディング装置であって、
前記発泡樹脂材が独立発泡体であることを特徴とするボンディング装置。 - 請求項1または2に記載のボンディング装置であって、
前記発泡樹脂材がスチロール樹脂からなることを特徴とするボンディング装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1に記載のボンディング装置であって、
前記接続部材は、その前記通路に臨む内周面に気密層が形成されていることを特徴とするボンディング装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1に記載のボンディング装置であって、
前記通路が、前記超音波ホーンの最大振幅点から前記超音波ホーンの長手方向における所定範囲内に形成されていることを特徴とするボンディング装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1に記載のボンディング装置であって、
前記超音波ホーンの長手方向の一端に振動子を、また他端に前記振動子と略同等の質量のウエイトを、それぞれ備えたことを特徴とするボンディング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001336011A JP3768432B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | ボンディング装置 |
TW091122488A TW557524B (en) | 2001-11-01 | 2002-09-30 | Wire-bonding apparatus |
KR10-2002-0065884A KR100510755B1 (ko) | 2001-11-01 | 2002-10-28 | 본딩장치 |
US10/283,833 US6758383B2 (en) | 2001-11-01 | 2002-10-30 | Transducer for a bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001336011A JP3768432B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | ボンディング装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003142532A JP2003142532A (ja) | 2003-05-16 |
JP2003142532A5 JP2003142532A5 (ja) | 2004-11-18 |
JP3768432B2 true JP3768432B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=19150912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001336011A Expired - Fee Related JP3768432B2 (ja) | 2001-11-01 | 2001-11-01 | ボンディング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6758383B2 (ja) |
JP (1) | JP3768432B2 (ja) |
KR (1) | KR100510755B1 (ja) |
TW (1) | TW557524B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4657964B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-03-23 | 株式会社新川 | 超音波ホーン |
US7757926B2 (en) * | 2006-02-28 | 2010-07-20 | Asm Assembly Automation Ltd | Transducer assembly for a bonding apparatus |
JP5491081B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2014-05-14 | 株式会社アルテクス | 超音波振動金属接合用共振器 |
CN104475317A (zh) * | 2014-11-19 | 2015-04-01 | 东莞市优超精密技术有限公司 | 轻质量高刚度换能器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0618221B2 (ja) * | 1984-09-12 | 1994-03-09 | 株式会社東芝 | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 |
US4667870A (en) * | 1984-09-20 | 1987-05-26 | American Telephone And Telegraph Company | Registering articles to sites with recessed ultrasonic bonding tool head |
US4838964A (en) * | 1987-03-20 | 1989-06-13 | Xerox Corporation | Process for preparing belts |
US5931372A (en) * | 1997-02-14 | 1999-08-03 | Miller; Charles F. | Ultrasonic bonding method and apparatus with locking tool tip |
US6152350A (en) * | 1997-06-19 | 2000-11-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ultrasonic welding device and method, and a magnetic tape cartridge reel welding device and method |
JP3409689B2 (ja) | 1998-04-21 | 2003-05-26 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品のボンディングツールおよびボンディング装置 |
CA2314733A1 (en) * | 1999-08-02 | 2001-02-02 | Ultex Corporation | Ultrasonic vibration bonding tool |
JP2002151551A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | フリップチップ実装構造、その実装構造を有する半導体装置及び実装方法 |
JP3525892B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2004-05-10 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品のボンディング装置およびボンディングツール |
US6471116B2 (en) * | 2001-01-19 | 2002-10-29 | Orthodyne Electronics Corporation | Wire bonding spool system |
JP3568496B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2004-09-22 | 株式会社アルテクス | 超音波ワイヤボンディング用共振器 |
US6766936B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-07-27 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Transducer and a bonding apparatus using the same |
TWI281218B (en) * | 2001-09-07 | 2007-05-11 | Shinkawa Kk | Transducer and bonding device |
US6599381B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-07-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combination ultrasonic weld horn/vacuum |
-
2001
- 2001-11-01 JP JP2001336011A patent/JP3768432B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-30 TW TW091122488A patent/TW557524B/zh active
- 2002-10-28 KR KR10-2002-0065884A patent/KR100510755B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-10-30 US US10/283,833 patent/US6758383B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030038380A (ko) | 2003-05-16 |
KR100510755B1 (ko) | 2005-08-26 |
US20030080173A1 (en) | 2003-05-01 |
TW557524B (en) | 2003-10-11 |
JP2003142532A (ja) | 2003-05-16 |
US6758383B2 (en) | 2004-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6558330B1 (en) | Stacked and filled capacitive microelectromechanical ultrasonic transducer for medical diagnostic ultrasound systems | |
CN100574958C (zh) | 用于键合装置的换能器组件 | |
JP2003153391A (ja) | 可変の音響インピーダンスを有する超音波変換器ウェハー | |
US6543669B2 (en) | Bonding apparatus and bonding tool for component | |
KR101049248B1 (ko) | 본딩 장치 및 본딩 툴 | |
JP3768432B2 (ja) | ボンディング装置 | |
US20030006265A1 (en) | Resonator for ultrasonic wire bonding | |
US20080048003A1 (en) | Resonator, ultrasonic head, and ultrasonic bonder using the same | |
JP3347707B2 (ja) | ボンディング装置用超音波ホーン | |
JP4299469B2 (ja) | 超音波接合装置 | |
JP5675213B2 (ja) | 電子部品の実装装置 | |
JP2002261122A (ja) | ボンディング装置 | |
JP4634343B2 (ja) | 超音波実装ツール及び電子部品の実装装置 | |
JP2003142532A5 (ja) | ||
JP4665339B2 (ja) | 超音波ボンディング装置 | |
JP4141125B2 (ja) | トランスデューサおよびボンディング装置 | |
JP4764189B2 (ja) | 超音波接合装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4288363B2 (ja) | 超音波実装ツール及び電子部品の実装装置 | |
JP2003059972A (ja) | ボンディングヘッド及びこれを備えたボンディング装置 | |
KR100495737B1 (ko) | 트랜스듀서 및 본딩장치 | |
Berg et al. | Backing requirements for CMUT arrays on silicon | |
JP4415294B2 (ja) | ボンディングヘッド | |
JP2002261125A (ja) | ボンディング装置 | |
JP3729153B2 (ja) | 電子部品のボンディング装置およびボンディングツール | |
JP2002334907A (ja) | 超音波ボンディング方法およびそれの実施に用いる超音波ボンディング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20031201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |