JP3742837B2 - フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3742837B2 JP3742837B2 JP2000190088A JP2000190088A JP3742837B2 JP 3742837 B2 JP3742837 B2 JP 3742837B2 JP 2000190088 A JP2000190088 A JP 2000190088A JP 2000190088 A JP2000190088 A JP 2000190088A JP 3742837 B2 JP3742837 B2 JP 3742837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus line
- gate bus
- pixel electrode
- liquid crystal
- fringe field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法に関し、詳しくは、カウンタ電極または画素電極形成の際に、ゲートバスラインの損傷を防止できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、フリンジフィールド駆動液晶表示装置（以下、ＦＦＳ ＬＣＤ）は、ＩＰＳ（inplane switching）−ＬＣＤの低い開口率及び透過率を改善するために提案されたものであり、これに対する大韓民国特許出願第９８−９２４３号が出願されている。
【０００３】
このような、ＦＦＳ−ＬＣＤは、所定セルギャップをおいて離れた上部及び下部基板、上部及び下部基板間に介在された液晶層、並びに下部基板の内側面に形成されたカウンタ電極及び画素電極を含む。カウンタ電極及び画素電極は、透明電導体で形成され、カウンタ電極と画素電極との間隔はセルギャップより狭い。これにより、電極間及び電極上にフリンジフィールドが形成される。
【０００４】
図１はＦＦＳ−ＬＣＤの下部基板の断面図である。
図１を参照して、第１ＩＴＯ（indium tin oxid）が下部基板１１上に形成された後、所定部分パターニングされてカウンタ電極１２が形成される。
ゲートバスライン用金属膜は、カウンタ電極１２が形成された下部基板１１上に形成された後、所定部分がパターニングされてゲートバスライン１３及び共通電極線（不図示）が形成される。
ゲート絶縁膜１５は、カウンタ電極１２、ゲートバスライン１３及び共通電極線の形成された下部基板１１上に所定厚さで蒸着される。非晶質シリコン層及びドープト非晶質シリコン層はゲート絶縁膜１５上に順次蒸着され、ゲートバスライン１３の所定部分を含むようにパターニングされて、チャンネル層１７及びオーミック層１８が形成される。
その後、データバスライン用金属膜がチャンネル層１７及びオーミック層１８が形成されたゲート絶縁膜１５上に形成された後、所定部分パターニングされてソース、ドレイン電極１９ａ、１９ｂ及びデータバスライン（不図示）が形成される。保護膜２０は、ソース、ドレイン電極１９ａ、１９ｂ及びデータバスライン（不図示）が形成されたゲート絶縁膜１５上に蒸着され、ドレイン電極１９ｂの所定部分が開口するように所定部分エッチングされる。
その後、第２ＩＴＯは露出したドレイン電極１９ｂとコンタクトされるように保護膜２０上に蒸着され、カウンタ電極１２とオーバーラップされるように櫛歯形状でパターニングされて画素電極２１が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置のゲートバスライン１３及び共通電極線（不図示）はカウンタ電極１２と同一の平面に形成され、特に共通電極線はカウンタ電極１２と直接コンタクトされる。よって、ゲートバスライン１３及び共通電極線の材料としては、カウンタ電極の材料であるＩＴＯ物質とエッチング速度が類似しているＡｌ物質が適している。すなわち、ゲートバスライン１３がアルミニウム金属層で形成されると、ゲートバスライン１３形成時、カウンタ電極１２がゲートバスラインをエッチングするためのエッチング液にアタックされる。また、アルミニウム膜とＩＴＯ層が直接接触すれば、接触した部位の抵抗が非常に高まる。
【０００６】
このため、従来はゲートバスライン１３及び共通電極線の材料として、ＩＴＯ物質と反応性の少ないＭｏＷを主に利用した。しかし、ＭｏＷはＡｌを含む金属膜より信号遅延が大きいので、ＭｏＷ膜でゲートバスライン及び共通電極線を形成すれば、ラインの線幅が増大するという問題点を有する。
【０００７】
また、カウンタ電極１２と画素電極２１との間にゲート絶縁膜１５及び保護膜２０が積層されるため、電極間の距離が増大する。これにより、補助キャパシタンスが低下する。
【０００８】
本発明は前記問題点を解決するめたに創案されたものであり、その目的は、開口率を改善させることにある。
また、他の目的は、カウンタ電極または画素電極形成の際、ゲートバスラインの損傷を防止することにある。
さらに、他の目的は、補助容量キャパシタンスを増大させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、下部基板；前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成される。
【００１０】
また、本発明は、下部基板；前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記ゲートバスラインは前記データバスラインと平行でありながら、画素電極とデータバスラインとの間に各々配置される一対の遮蔽部を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成される。
【００１１】
更にまた、本発明は、下部基板上の所定部分にゲートバスライン及び遮蔽部を形成する段階；前記下部基板上にゲート絶縁膜、非晶質シリコン層及びドープト半導体層を蒸着する段階；前記ドープト半導体層及び非晶質シリコン層を所定部分パターニングして、オーミック層及びチャンネル層を形成する段階；前記チャンネル層の一側のゲート絶縁膜上に透明導電層で画素電極を形成する段階；前記チャンネル層両側にソース、ドレイン電極を形成すると同時に、前記ゲートバスラインと直交するようにデータバスラインを形成する段階；前記データバスライン及び画素電極の形成されたゲート絶縁膜上に保護膜を形成する段階；前記ゲートバスラインの所定部分が露出するように保護膜をエッチングする段階；及び前記露出したゲートバスライン部分とコンタクトされるように保護膜上に透明導電層でカウンタ電極を形成する段階からなり、前記ゲートバスライン及び遮蔽部はアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施例を詳細に説明する。
本実施例のＦＦＳ−ＬＣＤは、下部基板、下部基板と所定距離をおいて対向する上部基板、並びに上部及び下部基板間に介在される液晶層を含む。
本実施例では下部基板構造について説明する。上部基板、液晶層及びその他の光学的素子（element）は一般のＦＦＳ−ＬＣＤと同様である。
【００１３】
先ず、図２を参照して、ゲートバスライン３１は、図のｘ方向に延長され、データバスライン３６は、ゲートバスライン３１と実質的に垂直なｙ方向に延長されて、矩形の単位画素空間が限定される。
ゲートバスライン３１は、ＭｏＷまたはＣｒより電導特性が優秀なアルミニウムを含む金属層、例えばＡｌ／Ｍｏ、またはＡｌＮｄ／Ｍｏ膜で形成される。しかも、ゲートバスライン３１は、データバスライン３６と平行に一つの画素当たり一対ずつ延長される遮蔽部３１ａ、３１ｂを含む。
ここで、遮蔽部３１ａ、３１ｂは、データバスラインと、以後形成される画素電極間のクロストークを防止する役割を行なう。合わせて、遮蔽部３１ａ、３１ｂ及びゲートバスライン３１は、本発明の補助容量電極の役割も兼ねる。
また、ゲートバスライン３１に欠陥が発生した際に、該ゲートバスライン３１を切断するための溝Ｈが、一対のデータバスライン３６間のゲートバスライン３１部分に形成されている。
ゲートバスライン３１とデータバスライン３６との間にはゲート絶縁膜（不図示）が介在されて、互いに電気的に絶縁される。合わせて、ゲートバスライン３１はゲート絶縁膜の底部に形成され、データバスライン３６はゲート絶縁膜上に形成される。ゲートバスライン３１とデータバスライン３６が交点する近傍には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が各々配置される。
【００１４】
画素電極３５は単位画素空間に各々形成される。ここで、画素電極３５はゲート絶縁膜上に形成される。画素電極３５はデータバスライン３６と平行でかつ等間隔に形成された櫛歯部３５ａと、この櫛歯部３５ａ等の一端を連結しながら薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の所定部分とコンタクトするバー３５ｂとを含む。画素電極３５は透明導電体、例えばＩＴＯ層で形成される。
【００１５】
カウンタ電極３８は、画素電極３５とオーバーラップするように単位画素空間に各々形成される。ここで、画素電極３５とカウンタ電極３８との間には保護膜（不図示）が介在され、カウンタ電極３８は保護膜上に形成される。カウンタ電極３８も透明導電体で形成され、画素電極３５と共にフリンジフィールドを形成するように板状または櫛歯状で形成される。合わせて、カウンタ電極３８は補助容量電極の役割をする前段ゲートバスラインと所定部分コンタクトされる。未説明符号“ＣＴ"はコンタクト部を示す。
【００１６】
また、本実施例において、画素電極３５とカウンタ電極３８は両電極間にフリンジフィールドが形成されるように、両電極間の間隔がセルギャップ（上部及び下部基板間の距離）より狭く形成される。カウンタ電極及び画素電極の線幅は、フリンジフィールドによって電極上の液晶分子が十分に動くことができる程度である。
【００１７】
以下、フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明する。
図２乃至図４を参照して、アルミニウムを含む金属層、例えばＡｌ／ＭｏまたはＡｌＮｄ金属膜が下部基板３０上に所定厚さで蒸着される。その後、アルミニウムを含む金属層は所定部分パターニングされ、遮蔽部３１ａ、３１ｂを含むゲートバスライン３１が形成される。その後、ゲート絶縁膜３２はゲートバスライン３１が形成された下部基板上に蒸着される。
ここで、ゲート絶縁膜３２は、シリコン酸化膜とシリコン窒酸化膜の積層膜からなる。非晶質シリコン層及びドープト半導体層は、ゲート絶縁膜３２上に順次積層された後、ゲートバスライン３１の所定部分を含むようにパターニングされてチャンネル層３３及びオーミック層３４が形成される。第１ＩＴＯ層は、チャンネル層３３及びオーミック層３４が形成されたゲート絶縁膜３２上に蒸着される。続いて、第１ＩＴＯ層はチャンネル層３３の一側の単位画素空間に配置されるように所定部分パターニングされて画素電極３５が形成される。
このとき、画素電極３５は、多数の櫛歯３５ａを含むようにパターニングされる。次に、データバスライン用金属膜、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ膜が、画素電極３５が形成されたゲート絶縁膜３２上に蒸着される。その後、データバスライン用金属膜は所定部分パターニングされ、チャンネル層３３両側に配置されるソース、ドレイン電極３６ａ、３６ｂ及びゲートバスライン３１と直交するデータバスライン３６が形成される。このとき、ドレイン電極３６ｂは画素電極３５のバー３５ｂ部分とコンタクトされる。その後、ソース、ドレイン電極３６ａ、３６ｂの形態で露出したオーミック層３４がパターニングされる。これにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が完成する。
ここで、画素電極３５を形成する段階と、ソース、ドレイン電極及びデータバスラインを形成する段階は変更実施できる。保護膜３７は薄膜トランジスタＴＦＴ及び画素電極３５が形成されたゲート絶縁膜３２上に所定厚さで形成される。その後、ゲートバスライン３１の所定部分を開口できるように、保護膜３７及びゲート絶縁膜３２は所定部分エッチングされる。
次に、露出したゲートバスライン３１とコンタクトされるように保護膜３７上に第２ＩＴＯ層が蒸着される。第２ＩＴＯ層は各単位画素空間に各々位置するようにパターニングされてカウンタ電極３８が形成される。このとき、カウンタ電極３８は上述したように、前段ゲートバスラインと各々コンタクトされる。
【００１８】
なお、本発明は前記実施例に限定されない。本実施例においては、画素電極は櫛歯状で形成され、カウンタ電極は板状で形成されるが、画素電極及びカウンタ電極はフリンジフィールドを形成できる全ての形状、例えば画素電極が板状、カウンタ電極が櫛歯状、或いは画素電極及びカウンタ電極とも櫛歯状で形成することもできる。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明の本発明にかかるフリンジフィールド駆動液晶表示装置は次の様な効果を奏する。
（１）カウンタ電極３８が、ゲートバスライン３１と同一の平面上に形成されず、保護膜３７上に形成されるため、ゲートバスライン３１がアルミニウムを含む金属層で形成される。これにより、ゲートバスラインの信号遅延特性が大きく改善されて、その線幅を減少させることができ、したがって、開口率が改善される。
【００２０】
（２）ゲートバスライン用金属膜としてＡｌ／Ｍｏ、ＡｌＮｄ／Ｍｏ等のモリブデン積層膜を用いるために、ゲートバスラインとカウンタ電極のコンタクト時に、ＡｌとＩＴＯが直接コンタクトされない。これにより、接触抵抗特性が改善される。
【００２１】
（３）画素電極３５とカウンタ電極３８との間に保護膜３７のみが存在するので、画素電極３５とカウンタ電極３８との間の距離が減少する。これにより、補助キャパシタンスが増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＦＦＳ−ＬＣＤの断面図である。
【図２】本発明によるＦＦＳ−ＬＣＤの平面図である。
【図３】 図２に示すIII−III'線に沿う断面図である。
【図４】図２に示すIV−IV'線に沿う断面図である。
【符号の説明】
３０ 下部基板
３１ ゲートバスライン
３２ ゲート絶縁膜
３３ チャンネル層
３４ オーミック層
３５ 画素電極
３６ データバスライン
３６ａ ソース電極
３６ｂ ドレイン電極
３７ 保護膜
３８ カウンタ電極
【発明の属する技術分野】
本発明はフリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法に関し、詳しくは、カウンタ電極または画素電極形成の際に、ゲートバスラインの損傷を防止できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、フリンジフィールド駆動液晶表示装置（以下、ＦＦＳ ＬＣＤ）は、ＩＰＳ（inplane switching）−ＬＣＤの低い開口率及び透過率を改善するために提案されたものであり、これに対する大韓民国特許出願第９８−９２４３号が出願されている。
【０００３】
このような、ＦＦＳ−ＬＣＤは、所定セルギャップをおいて離れた上部及び下部基板、上部及び下部基板間に介在された液晶層、並びに下部基板の内側面に形成されたカウンタ電極及び画素電極を含む。カウンタ電極及び画素電極は、透明電導体で形成され、カウンタ電極と画素電極との間隔はセルギャップより狭い。これにより、電極間及び電極上にフリンジフィールドが形成される。
【０００４】
図１はＦＦＳ−ＬＣＤの下部基板の断面図である。
図１を参照して、第１ＩＴＯ（indium tin oxid）が下部基板１１上に形成された後、所定部分パターニングされてカウンタ電極１２が形成される。
ゲートバスライン用金属膜は、カウンタ電極１２が形成された下部基板１１上に形成された後、所定部分がパターニングされてゲートバスライン１３及び共通電極線（不図示）が形成される。
ゲート絶縁膜１５は、カウンタ電極１２、ゲートバスライン１３及び共通電極線の形成された下部基板１１上に所定厚さで蒸着される。非晶質シリコン層及びドープト非晶質シリコン層はゲート絶縁膜１５上に順次蒸着され、ゲートバスライン１３の所定部分を含むようにパターニングされて、チャンネル層１７及びオーミック層１８が形成される。
その後、データバスライン用金属膜がチャンネル層１７及びオーミック層１８が形成されたゲート絶縁膜１５上に形成された後、所定部分パターニングされてソース、ドレイン電極１９ａ、１９ｂ及びデータバスライン（不図示）が形成される。保護膜２０は、ソース、ドレイン電極１９ａ、１９ｂ及びデータバスライン（不図示）が形成されたゲート絶縁膜１５上に蒸着され、ドレイン電極１９ｂの所定部分が開口するように所定部分エッチングされる。
その後、第２ＩＴＯは露出したドレイン電極１９ｂとコンタクトされるように保護膜２０上に蒸着され、カウンタ電極１２とオーバーラップされるように櫛歯形状でパターニングされて画素電極２１が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフリンジフィールド駆動液晶表示装置のゲートバスライン１３及び共通電極線（不図示）はカウンタ電極１２と同一の平面に形成され、特に共通電極線はカウンタ電極１２と直接コンタクトされる。よって、ゲートバスライン１３及び共通電極線の材料としては、カウンタ電極の材料であるＩＴＯ物質とエッチング速度が類似しているＡｌ物質が適している。すなわち、ゲートバスライン１３がアルミニウム金属層で形成されると、ゲートバスライン１３形成時、カウンタ電極１２がゲートバスラインをエッチングするためのエッチング液にアタックされる。また、アルミニウム膜とＩＴＯ層が直接接触すれば、接触した部位の抵抗が非常に高まる。
【０００６】
このため、従来はゲートバスライン１３及び共通電極線の材料として、ＩＴＯ物質と反応性の少ないＭｏＷを主に利用した。しかし、ＭｏＷはＡｌを含む金属膜より信号遅延が大きいので、ＭｏＷ膜でゲートバスライン及び共通電極線を形成すれば、ラインの線幅が増大するという問題点を有する。
【０００７】
また、カウンタ電極１２と画素電極２１との間にゲート絶縁膜１５及び保護膜２０が積層されるため、電極間の距離が増大する。これにより、補助キャパシタンスが低下する。
【０００８】
本発明は前記問題点を解決するめたに創案されたものであり、その目的は、開口率を改善させることにある。
また、他の目的は、カウンタ電極または画素電極形成の際、ゲートバスラインの損傷を防止することにある。
さらに、他の目的は、補助容量キャパシタンスを増大させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、下部基板；前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成される。
【００１０】
また、本発明は、下部基板；前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記ゲートバスラインは前記データバスラインと平行でありながら、画素電極とデータバスラインとの間に各々配置される一対の遮蔽部を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成される。
【００１１】
更にまた、本発明は、下部基板上の所定部分にゲートバスライン及び遮蔽部を形成する段階；前記下部基板上にゲート絶縁膜、非晶質シリコン層及びドープト半導体層を蒸着する段階；前記ドープト半導体層及び非晶質シリコン層を所定部分パターニングして、オーミック層及びチャンネル層を形成する段階；前記チャンネル層の一側のゲート絶縁膜上に透明導電層で画素電極を形成する段階；前記チャンネル層両側にソース、ドレイン電極を形成すると同時に、前記ゲートバスラインと直交するようにデータバスラインを形成する段階；前記データバスライン及び画素電極の形成されたゲート絶縁膜上に保護膜を形成する段階；前記ゲートバスラインの所定部分が露出するように保護膜をエッチングする段階；及び前記露出したゲートバスライン部分とコンタクトされるように保護膜上に透明導電層でカウンタ電極を形成する段階からなり、前記ゲートバスライン及び遮蔽部はアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適実施例を詳細に説明する。
本実施例のＦＦＳ−ＬＣＤは、下部基板、下部基板と所定距離をおいて対向する上部基板、並びに上部及び下部基板間に介在される液晶層を含む。
本実施例では下部基板構造について説明する。上部基板、液晶層及びその他の光学的素子（element）は一般のＦＦＳ−ＬＣＤと同様である。
【００１３】
先ず、図２を参照して、ゲートバスライン３１は、図のｘ方向に延長され、データバスライン３６は、ゲートバスライン３１と実質的に垂直なｙ方向に延長されて、矩形の単位画素空間が限定される。
ゲートバスライン３１は、ＭｏＷまたはＣｒより電導特性が優秀なアルミニウムを含む金属層、例えばＡｌ／Ｍｏ、またはＡｌＮｄ／Ｍｏ膜で形成される。しかも、ゲートバスライン３１は、データバスライン３６と平行に一つの画素当たり一対ずつ延長される遮蔽部３１ａ、３１ｂを含む。
ここで、遮蔽部３１ａ、３１ｂは、データバスラインと、以後形成される画素電極間のクロストークを防止する役割を行なう。合わせて、遮蔽部３１ａ、３１ｂ及びゲートバスライン３１は、本発明の補助容量電極の役割も兼ねる。
また、ゲートバスライン３１に欠陥が発生した際に、該ゲートバスライン３１を切断するための溝Ｈが、一対のデータバスライン３６間のゲートバスライン３１部分に形成されている。
ゲートバスライン３１とデータバスライン３６との間にはゲート絶縁膜（不図示）が介在されて、互いに電気的に絶縁される。合わせて、ゲートバスライン３１はゲート絶縁膜の底部に形成され、データバスライン３６はゲート絶縁膜上に形成される。ゲートバスライン３１とデータバスライン３６が交点する近傍には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が各々配置される。
【００１４】
画素電極３５は単位画素空間に各々形成される。ここで、画素電極３５はゲート絶縁膜上に形成される。画素電極３５はデータバスライン３６と平行でかつ等間隔に形成された櫛歯部３５ａと、この櫛歯部３５ａ等の一端を連結しながら薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の所定部分とコンタクトするバー３５ｂとを含む。画素電極３５は透明導電体、例えばＩＴＯ層で形成される。
【００１５】
カウンタ電極３８は、画素電極３５とオーバーラップするように単位画素空間に各々形成される。ここで、画素電極３５とカウンタ電極３８との間には保護膜（不図示）が介在され、カウンタ電極３８は保護膜上に形成される。カウンタ電極３８も透明導電体で形成され、画素電極３５と共にフリンジフィールドを形成するように板状または櫛歯状で形成される。合わせて、カウンタ電極３８は補助容量電極の役割をする前段ゲートバスラインと所定部分コンタクトされる。未説明符号“ＣＴ"はコンタクト部を示す。
【００１６】
また、本実施例において、画素電極３５とカウンタ電極３８は両電極間にフリンジフィールドが形成されるように、両電極間の間隔がセルギャップ（上部及び下部基板間の距離）より狭く形成される。カウンタ電極及び画素電極の線幅は、フリンジフィールドによって電極上の液晶分子が十分に動くことができる程度である。
【００１７】
以下、フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法を説明する。
図２乃至図４を参照して、アルミニウムを含む金属層、例えばＡｌ／ＭｏまたはＡｌＮｄ金属膜が下部基板３０上に所定厚さで蒸着される。その後、アルミニウムを含む金属層は所定部分パターニングされ、遮蔽部３１ａ、３１ｂを含むゲートバスライン３１が形成される。その後、ゲート絶縁膜３２はゲートバスライン３１が形成された下部基板上に蒸着される。
ここで、ゲート絶縁膜３２は、シリコン酸化膜とシリコン窒酸化膜の積層膜からなる。非晶質シリコン層及びドープト半導体層は、ゲート絶縁膜３２上に順次積層された後、ゲートバスライン３１の所定部分を含むようにパターニングされてチャンネル層３３及びオーミック層３４が形成される。第１ＩＴＯ層は、チャンネル層３３及びオーミック層３４が形成されたゲート絶縁膜３２上に蒸着される。続いて、第１ＩＴＯ層はチャンネル層３３の一側の単位画素空間に配置されるように所定部分パターニングされて画素電極３５が形成される。
このとき、画素電極３５は、多数の櫛歯３５ａを含むようにパターニングされる。次に、データバスライン用金属膜、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ膜が、画素電極３５が形成されたゲート絶縁膜３２上に蒸着される。その後、データバスライン用金属膜は所定部分パターニングされ、チャンネル層３３両側に配置されるソース、ドレイン電極３６ａ、３６ｂ及びゲートバスライン３１と直交するデータバスライン３６が形成される。このとき、ドレイン電極３６ｂは画素電極３５のバー３５ｂ部分とコンタクトされる。その後、ソース、ドレイン電極３６ａ、３６ｂの形態で露出したオーミック層３４がパターニングされる。これにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が完成する。
ここで、画素電極３５を形成する段階と、ソース、ドレイン電極及びデータバスラインを形成する段階は変更実施できる。保護膜３７は薄膜トランジスタＴＦＴ及び画素電極３５が形成されたゲート絶縁膜３２上に所定厚さで形成される。その後、ゲートバスライン３１の所定部分を開口できるように、保護膜３７及びゲート絶縁膜３２は所定部分エッチングされる。
次に、露出したゲートバスライン３１とコンタクトされるように保護膜３７上に第２ＩＴＯ層が蒸着される。第２ＩＴＯ層は各単位画素空間に各々位置するようにパターニングされてカウンタ電極３８が形成される。このとき、カウンタ電極３８は上述したように、前段ゲートバスラインと各々コンタクトされる。
【００１８】
なお、本発明は前記実施例に限定されない。本実施例においては、画素電極は櫛歯状で形成され、カウンタ電極は板状で形成されるが、画素電極及びカウンタ電極はフリンジフィールドを形成できる全ての形状、例えば画素電極が板状、カウンタ電極が櫛歯状、或いは画素電極及びカウンタ電極とも櫛歯状で形成することもできる。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明の本発明にかかるフリンジフィールド駆動液晶表示装置は次の様な効果を奏する。
（１）カウンタ電極３８が、ゲートバスライン３１と同一の平面上に形成されず、保護膜３７上に形成されるため、ゲートバスライン３１がアルミニウムを含む金属層で形成される。これにより、ゲートバスラインの信号遅延特性が大きく改善されて、その線幅を減少させることができ、したがって、開口率が改善される。
【００２０】
（２）ゲートバスライン用金属膜としてＡｌ／Ｍｏ、ＡｌＮｄ／Ｍｏ等のモリブデン積層膜を用いるために、ゲートバスラインとカウンタ電極のコンタクト時に、ＡｌとＩＴＯが直接コンタクトされない。これにより、接触抵抗特性が改善される。
【００２１】
（３）画素電極３５とカウンタ電極３８との間に保護膜３７のみが存在するので、画素電極３５とカウンタ電極３８との間の距離が減少する。これにより、補助キャパシタンスが増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるＦＦＳ−ＬＣＤの断面図である。
【図２】本発明によるＦＦＳ−ＬＣＤの平面図である。
【図３】 図２に示すIII−III'線に沿う断面図である。
【図４】図２に示すIV−IV'線に沿う断面図である。
【符号の説明】
３０ 下部基板
３１ ゲートバスライン
３２ ゲート絶縁膜
３３ チャンネル層
３４ オーミック層
３５ 画素電極
３６ データバスライン
３６ａ ソース電極
３６ｂ ドレイン電極
３７ 保護膜
３８ カウンタ電極
Claims (12)
- 下部基板；
前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；
前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；
前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；
前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；
前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び、
前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、
前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、
前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とするフリンジフィールド駆動液晶表示装置。 - 前記アルミニウムを含む金属膜はＡｌ／ＭｏまたはＡｌＮｄ／Ｍｏ膜であることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記カウンタ電極は該単位画素を選択するゲートバスラインの前段のゲートバスラインと所定部分コンタクトされることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記画素電極とデータバスラインとの間には、前記データバスラインと平行でありながら、画素電極とデータバスラインとの間の空間を遮蔽する遮蔽部がさらに形成されることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記遮蔽部は該画素を選択するゲートバスラインの前段のゲートバスラインとコンタクトされることを特徴とする請求項４記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記ゲートバスラインは各単位画素当たり一つの切断溝を備えることを特徴とする請求項１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 下部基板；
前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン；
前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン；
前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜；
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ；
前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極；
前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極；及び、
前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、
前記ゲートバスラインは前記データバスラインと平行でありながら、画素電極とデータバスラインとの間に各々配置される一対の遮蔽部を含み、
前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、
前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とするフリンジフィールド駆動液晶表示装置。 - 前記アルミニウムを含む金属膜はＡｌ／ＭｏまたはＡｌＮｄ／Ｍｏ膜であることを特徴とする請求項７記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記カウンタ電極は該単位画素を選択するゲートバスラインの前段のゲートバスラインと所定部分コンタクトされることを特徴とする請求項８記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 前記ゲートバスラインは各単位画素当たり一つの切断溝を備えることを特徴とする請求項７記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
- 下部基板上の所定部分にゲートバスライン及び遮蔽部を形成する段階；
前記下部基板上にゲート絶縁膜、非晶質シリコン層及びドープト半導体層を蒸着する段階；
前記ドープト半導体層及び非晶質シリコン層を所定部分パターニングして、オーミック層及びチャンネル層を形成する段階；
前記チャンネル層の一側のゲート絶縁膜上に透明導電層で画素電極を形成する段階；
前記チャンネル層両側にソース、ドレイン電極を形成すると同時に、前記ゲートバスラインと直交するようにデータバスラインを形成する段階；
前記データバスライン及び画素電極の形成されたゲート絶縁膜上に保護膜を形成する段階；
前記ゲートバスラインの所定部分が露出するように保護膜をエッチングする段階；及び、
前記露出したゲートバスライン部分とコンタクトされるように保護膜上に透明導電層でカウンタ電極を形成する段階を含み、
前記ゲートバスライン及び遮蔽部はアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とするフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。 - 前記アルミニウムを含む金属膜はＡｌ／Ｍｏ、ＡｌＮｄ／Ｍｏであることを特徴とする請求項１１記載のフリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990024179A KR100341126B1 (ko) | 1999-06-25 | 1999-06-25 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR1999/P24179 | 1999-06-29 | ||
| KR1999/P25222 | 1999-06-29 | ||
| KR1019990025222A KR100311213B1 (ko) | 1999-06-29 | 1999-06-29 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001056474A JP2001056474A (ja) | 2001-02-27 |
| JP3742837B2 true JP3742837B2 (ja) | 2006-02-08 |
Family
ID=26635550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000190088A Expired - Lifetime JP3742837B2 (ja) | 1999-06-25 | 2000-06-23 | フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6449026B1 (ja) |
| JP (1) | JP3742837B2 (ja) |
| TW (1) | TWI226471B (ja) |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507271B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2001343669A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5165169B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2013-03-21 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
| KR20020085242A (ko) * | 2001-05-07 | 2002-11-16 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100467638B1 (ko) * | 2001-08-01 | 2005-01-24 | (주) 위즈도메인 | 특허 데이터베이스로부터 관련 특허들의 인용관계를 빠른시간내에 검색하여 분석하기 위한 방법 |
| JP4305811B2 (ja) * | 2001-10-15 | 2009-07-29 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置、画像表示装置およびその製造方法 |
| JP4162890B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-10-08 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| US7188308B2 (en) * | 2003-04-08 | 2007-03-06 | Thomas Weise | Interface and method for exploring a collection of data |
| US10198478B2 (en) | 2003-10-11 | 2019-02-05 | Magic Number, Inc. | Methods and systems for technology analysis and mapping |
| US9104648B2 (en) | 2004-11-08 | 2015-08-11 | Jinan Glasgow | Patent claims analysis system and method |
| CN100397215C (zh) * | 2004-04-28 | 2008-06-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 边缘电场开关型液晶显示装置 |
| US7563490B2 (en) | 2004-12-06 | 2009-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| KR101107265B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| TWI483048B (zh) * | 2005-10-18 | 2015-05-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
| DE602006011960D1 (de) * | 2006-01-31 | 2010-03-11 | Casio Computer Co Ltd | Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem im wesentlichen zu den substratoberflächen parallelen elektrischen feld |
| EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| TWI444731B (zh) | 2006-05-16 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置和半導體裝置 |
| JP2008009425A (ja) * | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び電子機器 |
| US7847904B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
| US20080133476A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-05 | Ivo Welch | Automated peer performance measurement system for academic citation databases |
| JP2008164787A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR101389219B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2014-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시패널 및 그 제조 방법 |
| US8068202B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-11-29 | Sony Corporation | Liquid crystal device |
| KR101374102B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2014-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조 방법 |
| JP5143484B2 (ja) | 2007-07-09 | 2013-02-13 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示装置および電子機器 |
| JP4487318B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2010-06-23 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP5403459B2 (ja) | 2007-08-17 | 2014-01-29 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶パネル及び液晶表示装置 |
| JP5235363B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
| JP5456980B2 (ja) | 2008-02-15 | 2014-04-02 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP5246782B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-07-24 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置および電子機器 |
| JP5172508B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-03-27 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 液晶表示装置 |
| TWI371619B (en) * | 2008-08-13 | 2012-09-01 | Wintek Corp | Fringe field switch lcd |
| JP5646162B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-12-24 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置 |
| CN101963726B (zh) * | 2009-07-24 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN102243382B (zh) * | 2010-05-13 | 2014-12-31 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置及其制作方法、检测及改善装置 |
| US7999899B1 (en) | 2011-01-25 | 2011-08-16 | Hannstar Display Corp. | Fringe field switching liquid crystal display apparatus |
| US8189158B1 (en) | 2011-09-29 | 2012-05-29 | Hannstar Display Corp. | Fringe field switching liquid crystal display apparatus |
| CN102629055B (zh) * | 2011-10-24 | 2015-06-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法 |
| TWI474076B (zh) * | 2012-09-24 | 2015-02-21 | Au Optronics Corp | 邊際場切換式液晶顯示面板 |
| JP6124668B2 (ja) | 2013-04-26 | 2017-05-10 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP2015012048A (ja) | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP6315966B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2018-04-25 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリックス基板およびその製造方法 |
| JP6436660B2 (ja) | 2014-07-07 | 2018-12-12 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| JP6422310B2 (ja) | 2014-11-12 | 2018-11-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法、及び、液晶表示装置 |
| US10705358B2 (en) * | 2016-02-02 | 2020-07-07 | Apple, Inc. | Display apparatus with adjustable angles-of-view comprising backlight structures having an electrically adjustable lens array that adjusts backlight illumination |
| JP6689108B2 (ja) | 2016-03-22 | 2020-04-28 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
| WO2018150620A1 (ja) | 2017-02-16 | 2018-08-23 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置、及び、薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP6903503B2 (ja) | 2017-07-05 | 2021-07-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| KR101877769B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2018-07-13 | 한국표준과학연구원 | 복합 다중 주파수 초음파 위상배열 영상화 장치 |
| US11100151B2 (en) | 2018-01-08 | 2021-08-24 | Magic Number, Inc. | Interactive patent visualization systems and methods |
| US11977722B2 (en) | 2018-01-08 | 2024-05-07 | Magic Number, Inc. | Interactive patent visualization systems and methods |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769281A (en) | 1980-10-17 | 1982-04-27 | Citizen Watch Co Ltd | Input device for watch |
| JPS5883478A (ja) | 1981-11-13 | 1983-05-19 | Hitachi Ltd | 受信チヤンネル表示回路 |
| US4542960A (en) | 1982-06-30 | 1985-09-24 | International Business Machines Corporation | Fringe-field switched storage-effect liquid crystal display devices |
| JPS6017419A (ja) | 1983-07-08 | 1985-01-29 | Canon Inc | 像形成装置 |
| JPS60222825A (ja) | 1984-04-20 | 1985-11-07 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶マトリクス表示パネルの駆動方法 |
| US4643533A (en) | 1985-04-11 | 1987-02-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Differentiating spatial light modulator |
| JPH0271616A (ja) | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Seiko Epson Corp | 文字入力装置 |
| JPH03148636A (ja) | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子の製造方法 |
| US5162933A (en) * | 1990-05-16 | 1992-11-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium |
| US5309264A (en) | 1992-04-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal displays having multi-domain cells |
| EP1061404A1 (en) * | 1992-09-18 | 2000-12-20 | Hitachi, Ltd. | A liquid crystal display device |
| JP2693368B2 (ja) | 1993-06-29 | 1997-12-24 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子とその製造方法 |
| JPH08179355A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| JP2874605B2 (ja) * | 1995-07-27 | 1999-03-24 | ヤマハ株式会社 | 電界放出型素子の製造方法 |
| TW329500B (en) * | 1995-11-14 | 1998-04-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Electro-optical device |
| JP3241981B2 (ja) | 1995-12-12 | 2001-12-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5959708A (en) | 1996-06-21 | 1999-09-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display having a conductive high molecular film for preventing the fringe field in the in-plane switching mode |
| KR100286762B1 (ko) | 1997-06-27 | 2001-04-16 | 박종섭 | 액정 표시 소자 |
| KR100477130B1 (ko) * | 1997-09-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법 |
| TW387997B (en) * | 1997-12-29 | 2000-04-21 | Hyundai Electronics Ind | Liquid crystal display and fabrication method |
| JPH11282427A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Ricoh Co Ltd | 液晶ディスプレイの駆動電圧制御装置 |
-
2000
- 2000-06-22 US US09/599,372 patent/US6449026B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-23 JP JP2000190088A patent/JP3742837B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-23 TW TW089112252A patent/TWI226471B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI226471B (en) | 2005-01-11 |
| US6449026B1 (en) | 2002-09-10 |
| JP2001056474A (ja) | 2001-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3742837B2 (ja) | フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3740513B2 (ja) | フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP3740514B2 (ja) | フリンジフィールド駆動モード液晶表示装置の製造方法 | |
| US6281953B1 (en) | Liquid crystal display having high aperture ratio and high transmittance and method of manufacturing the same | |
| KR101905757B1 (ko) | 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR100620322B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP3796566B2 (ja) | フリンジフィールド駆動液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2002229069A (ja) | 横電界スイッチング方式の液晶ディスプレイの電極配列構造 | |
| KR20010038386A (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 | |
| KR100654158B1 (ko) | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 | |
| KR20130054772A (ko) | 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
| KR20130033676A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 | |
| US20020080293A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| KR20080047085A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR101460138B1 (ko) | 표시기판, 이를 포함하는 액정표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR100311213B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20090091250A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| KR100613766B1 (ko) | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 | |
| KR100348994B1 (ko) | 인 플레인 스위칭 모드의 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 | |
| KR20110067369A (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| EP1310822B1 (en) | Electrode array of in-plane switching mode liquid crystal display | |
| KR100543037B1 (ko) | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JP4098392B2 (ja) | アクティブマトリクス型の液晶表示素子およびその製造方法 | |
| KR100697368B1 (ko) | 박막트랜지스터-액정표시패널의 제조방법 | |
| KR101899066B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050809 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050920 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051011 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3742837 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081125 Year of fee payment: 3 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081125 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091125 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101125 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111125 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111125 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111125 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121125 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121125 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121125 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131125 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |