JP3732729B2 - マグネトロン - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はマグネトロンに関し、より詳しくはマグネトロンのストラップ構造に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
一般に、マグネトロンは、図1及び図2に示すように、円筒形状のアノード本体11と、前記アノード本体11の内壁に放射状に設置されたアノードベーン12と、前記アノードベーンの内部に開けてある2つの孔12a、12bを介して各アノードベーン12と交互に連結するようにストラップ13を備えている共振部(図示せず)と、マグネトロンの中央に位置して陰極の役割を果たす螺旋状のフィラメント14を備えている陰極部15と、任意のアノードベーン12に取り付けられたアンテナ16と、アノード本体11の外周面に設置された多数の冷却フィン17と、前記冷却フィン17を保護支持し外部空気を冷却フィン17に案内するように上・下板に分けられたヨーク18a、18bと、アノード本体11の上・下部に位置して磁気場を形成するN−S極の永久磁石19と、フィルタボックス20等で構成される。
【0003】
上記のようなマグネトロンは次のように動作する。
フィラメント14を加熱すると電子が放出され、この電子は、陰極と共振部との間に印加される電気場、及び永久磁石19により共振部の上・下方向に印加される磁気場の力を受け、陰極と共振部との間の作用空間内でサイクロイド運動を行う。この際、サイクロイド運動を行っている電子はアノードベーン12とアノードベーン12との間に既に印加された高周波電界と相互作用しながら前記共振部側に徐々に移動し、この過程で電子の持っている大部分のエネルギーは高周波エネルギーに転換される。この高周波エネルギーは共振部に蓄積され、この蓄積されたエネルギーはアンテナ16を介して外部に放射される。一方、電子が保持しているエネルギーは共振部に到達し、このエネルギーは共振部で熱エネルギーに転換される。このように、アノードベーン12から発生した熱は、アノード本体11の外周面に設置された多数の冷却フィン17により効率的に冷却されることにより、熱によるマグネトロンの性能低下が防止される。
【0004】
以下、上記のようなマグネトロンに基づいて従来の技術について説明する。特に、従来の技術の中でも多数のアノードベーン12を互いに連結するストラップ13を説明する。
第1の従来技術は、図2の(A)及び(B)に示すように、2つのリング状のステンレススチール材質のストラップ13と、中央部に上・下にそれぞれ孔を形成してある多数のアノードベーン12とを備え、前記2つのストラップ13を各アノードベーン12に形成された2つの孔12a、12bにそれぞれ嵌挿して多数のアノードベーンを連結してなる。
【0005】
この際、前記2つのストラップ13を便宜上第1、第2ストラップ13a、13bに区分し、前記多数のアノードベーン12にそれぞれ形成された2つの孔12a、12bを、便宜上直径の小さな孔を第1孔12aとし、直径の大きな孔を第2孔12bとして上記内容を更に具体的に説明する。
前記第1ストラップ13aは、多数のアノードベーン12の配列手順により奇数番目のアノードベーン12に形成された第1孔12aに接触して貫通し、偶数番目のアノードベーン12に形成された第2孔12bには接触しない状態で第2孔12bを貫通して多数のアノードベーン12を互いに一定の間隙をあけて連結する。前記第2ストラップ13bは、アノードベーン12の配列手順により偶数番目のアノードベーン12に形成された第1孔12aに接触して貫通し、奇数番目のアノードベーン12に形成された第2孔12bには接触しない状態で前記第2孔12bを貫通して多数のアノードベーン12を互いに一定の間隙をあけて連結する。上記したようにストラップ13をアノードベーン12に偶数と奇数に接触するように連結する理由は、互いに隣接するアノードベーン12の極性を異ならせて電気場を形成するためである。
【0006】
しかし、上記した従来の技術は次のような問題点を有している。
従来の1.7KW以上の高出力マグネトロンの前記ストラップ13(以下、「センタ型ストラップ」と称する。)構造は、ステンレススチール材質のセンタ型ストラップ13を一つ一つ結うようにアノードベーン12に嵌挿しなければならず、更に上・下の2つのセンタ型ストラップ13を一定の間隙を維持しながら挿入しなければならないため、製品生産時に生産性の低下をもたらす。また、センタ型ストラップ13をアノードベーン12の孔12a、12bに挿入するべくセンタ型ストラップ13の一部を切断し、前記挿入工程を終えた後再びセンタ型ストラップ13の切断部を溶接するが、この時に前記切断部を隠すためにアノードベーン12の第1孔12aに溶接するか、或いはセンタ型ストラップ13の両切断部を本来状態に溶接する必要があるという制作上の不便さ及び複雑さを有している。従って、前記センタ型ストラップ13とマグネトロンの特性が同等ないし近接水準であり、且つ制作上の問題を解決して生産性を向上させることができる簡便な構造のストラッピング方法が要求される。
【0007】
第2の従来技術は最も量産性よい検証された方法である1KW以下の電子レンジ用のマグネトロンの構造であり、図3の(A)及び(B)に示すように、アノードベーン21の上・下面にそれぞれ1つの溝を形成し、前記アノードベーン21を連結するべく無酸素銅材質の2つの直径の異なるリング状のストラップ22(以下、「サイド型の内外ストラップ」と称する。)をそれぞれ2つずつ備えて以下のようにアノードベーンを連結する。前記直径の大きなリング状のストラップ22b(以下、「外ストラップ」)のうちの1つのストラップと、直径の小さなリング状のストラップ22a(以下、「内ストラップ」)のうちの一つのストラップとを一対とし、電気場を誘導するために前記内・外ストラップ22a、22bをアノードベーン21の上・下面に一つ置きに接触するように前記ストラップ22をアノードベーン21に連結する。
【0008】
更に以下に詳細に説明する。前記アノードベーン21の配列手順により奇数番目のアノードベーン21の溝と偶数番目のアノードベーン21の溝の位置は互いに異に形成されるが、説明の便宜上、前記奇数番目のアノードベーン21の溝を第1溝21aとし、偶数番目のアノードベーン21の溝を第2溝21bとして説明する。前記アノードベーン21の配列手順により奇数番目のアノードベーン21の第1溝21aには前記内ストラップ22aが位置してアノードベーン21に接触しないので、電圧が印加されない。
偶数番目のアノードベーン21には第1溝21aの形成された位置とは異なる位置に第2溝21bが形成され、前記アノードベーン21の面上に前記内ストラップ22aが位置してアノードベーン21に接触するので電圧が印加される。そして、前記偶数番目のアノードベーン21の第2溝21bには前記外ストラップ22bが位置してアノードベーン21に接触しないので電圧が印加されず、奇数番目のアノードベーン21には第2溝21bの形成された位置とは異なる位置に第1溝21aが形成され、前記アノードベーン21の面上に前記外ストラップ22bが位置してアノードベーン21に接触するので電圧が印加される。上記したように、アノードベーン21の上・下面には内・外ストラップ22が一つ置きに接触され、この接触可否は上・下面それぞれ反対となる。
【0009】
上記のような構成を有するので第1の従来技術において問題となる切断部が発生せず、アノードベーンに孔の代わりに溝を形成してストラップを孔に挿入しなくても良いので、生産性が向上し、制作に便宜性を提供する。
【0010】
しかし、1.7KW以上の高出力が発散されるように前記第2の従来技術に高電圧を印加すると、次のような問題点が発生する。一般に、マグネトロンの効率は70%水準であって入力電力の30%程度は熱で消費する。このため、マグネトロンの出力が高くなるほどアノード側で消費される熱損失が大きくなり、高出力マグネトロンの場合に熱的安定性を確保し難い。
【0011】
以下、上記内容をより詳しく説明する。1.7KW以上の高出力が発散されるように前記第2の従来技術に高電圧を印加すると、高電圧に比例して熱損失が多く発生し、これにより共振部内にも甚だしい熱応力がかかる。この中で最も甚だしい部分がサイド型の内外ストラップ22である。その理由は、陰極部から発生する熱電子に最も近く、該熱電子のサイクロイド運動を直接的に受け、材質が無酸素銅だからである。前記無酸素銅は熱伝導性がよく、真空状態に適合するので、広く使われている。しかし、この材質は変形が生じやすく、強度が弱いため、相対的に大きな熱応力が印加されると材質の本来性質に戻れないほど変形されてしまう。これを一定の時間使用すると、疲労が重なってサイド型の内外ストラップ22が破断される。すなわち、多く使っている電子レンジ用のマグネトロンの出力範囲では前記無酸素銅の内外ストラップ22は安定的な寿命を保障することができるが、高周波平均出力が1.7KWを超過するマグネトロンに対して前記無酸素銅材質のサイド型の内外ストラップ22を使用することはできない。
【0012】
本発明は上記の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、マグネトロンのストラップを改善して熱応力に対する変形及び破断を未然に防ぐとともに、周囲部材との構造的なずれを防止することにより、低出力だけでなく高出力のマグネトロンを実現することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達するために、本発明は、上・下面に異なる形状の溝の形成された多数のアノードベーンと、前記アノードベーンに電気場を形成するために前記アノードベーンの上・下面の溝に一つ置きに接触して前記アノードベーンを相互連結するリング状の銅材質の外ストラップと、前記外ストラップの接触してないアノードベーンの上・下面の溝に接触して前記外ストラップの内側に同心円になるよう接触し、銅材質の前記アノードベーンよりも熱応力に強いステンレススチールからなる内ストラップとを備えるマグネトロンを提供する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明を詳述する。従来と同様な部分は同じ名称及び同じ符号を付与し、それに対する詳細な説明を省略する。
本発明は、図3の(A)及び(B)に示すように、上・下面に異なる形状の溝21a、21bの形成された多数のアノードベーン21と、前記アノードベーン21に電気場を形成するために前記アノードベーン21の上・下面の溝21a、21bに一つ置きに接触して前記アノードベーン21を相互連結するリング状の銅材質の外ストラップ22bと、前記外ストラップ22aの接触してないアノードベーン21の上・下面の溝21a、21bに接触して前記外ストラップ22aの内側に同心円になるよう接触し、銅材質の前記アノードベーンよりも熱応力に強いとともに前記アノードベーンの熱膨張係数と類似の材質からなる内ストラップ22aとを備える。この際、前記外ストラップ22bは無酸素銅からなり、前記内ストラップ22aはステンレススチールであることが好ましい。
【0015】
以下、図4を参照して上記内容を更に具体的に説明する。図4は1.7KW以上の高出力が発散されるように第1の従来技術、第2の従来技術、そして本発明に高電圧を印加した時の各ストラップに対する熱的構造安全度を比較したグラフである。図4に示した(A)は第1の従来の技術で、上・下ストラップ(図2(A)の13a、13b)の材質がみなステンレススチールからなるセンタ型ストラップ13である。(B)は本発明で、内ストラップ22aの材質はステンレススチール、外ストラップ22bの材質は無酸素銅からなるサイド型のストラップ22である。そして、(C)は第2の従来技術で、内・外ストラップ22a、22bの材質がみな無酸素銅からなるサイド型のストラップ22である。
【0016】
ここで、構造安全度とは前記(A)、(B)、(C)の実験値の関係を相対的に比較して示した値のことであり、1.0に近いほど安全度は大きい。前記(A)、(B)、(C)の安全度の比較のために各(A)、(B)、(C)の適用された1.7KW以上の高出力マグネトロンに高電圧を加えて実験した結果は次の通りである。図4の棒グラフに示すように、(A)は殆ど1.0に近い結果値を示しているが、第1の従来技術で触れたように組み立てが困難という問題点を有するので適用に困難を伴う。(B)は(A)に近い結果値を示すので構造安全度が大きく、更に第2の従来技術の構造を採択して組み立てやすいので適用可能である。しかし、(C)の構造安全度係数をみると、(A)、(B)に比べて著しく劣るので、高電圧の使用されるマグネトロンに(C)の場合を適用するのは困難である。
【0017】
従って、本発明では第2の従来技術のサイド型の内外ストラップ22を備えたマグネトロンに内ストラップ22aの材質をステンレススチールとしている。上記のような本発明は組み立てやすく、1.7KW以上の高出力を得ることができるので、今後の本発明の波及効果が大きい。
【0018】
以下、上記内容をさらに説明する。第2の従来技術のサイド型の内・外ストラップ22は組み立てやすい。しかし、1.7KW以上の高出力が発散されるように高電圧を印加すると、陰極部(図2(A)の15を参照)からかなりの熱電子が放出され、該熱電子がサイクロイド運動を行うようになって陰極部に最も近い内ストラップ22aが温度変化による熱応力に最も脆弱となる。熱応力試験の結果、マグネトロンにおいて最も熱応力に脆弱で問題となる部分は、サイド型の内・外ストラップの中で内ストラップ22aであった。勿論、サイド型の外ストラップ22bも他の部位に比べては弱いが、前記内ストラップ22aに比べては相対的に安定的である。
【0019】
従って、前記サイド型の内ストラップ22aの材質を、図4に示すように無酸素銅よりも熱に対する降伏強度及び疲労強度に優れたステンレススチールを使用する。実際に、この強度の側面から見るとき、ステンレススチールよりも強い材質は多いが、熱膨張程度及び強度の側面を同時に考慮してみるとき、いろいろの試験結果、ステンレススチールが温度変化に対する構造安全度が最もよいと判明された。なぜならば、ステンレススチールは降伏強度及び疲労強度等に優れるだけでなく、熱膨張係数が既存の材質の無酸素銅と殆ど類似であるからである。
【0020】
すなわち、ステンレススチールは降伏強度及び疲労強度に優れるので、温度変化による膨張及び収縮により発生する熱応力による永久変形又は破断を防止することができる。更に、サイド型の内・外ストラップ22の熱膨張係数とアノードベーン21及びアノード本体11の熱膨張係数とが殆ど類似なので次のような優秀性を有する。マグネトロンの共振部内で互いに構造的に拘束されているサイド型の内・外ストラップ22、アノードベーン21、そしてアノード本体11が陰極部15で形成された熱電子によって膨張と収縮を繰り返す際、これにより発生する構造的なずれを未然に防いでそれに起因するクラックを防止することができる。
【0021】
熱応力に対する構造的な安全性を期するためにサイド型の内ストラップ22aの材質を無条件的に強いものを選択することは悪影響を及ぼす。従って、降伏強度及び疲労強度が良いながら熱膨張係数が殆ど類似であってアノード本体11、アノードベーン21に構造的なずれ無しに膨張及び収縮するようにサイド型の内ストラップ22aの材質をステンレススチールとすることが好ましい。
【0022】
一方、内ストラップ22a、外ストラップ22bの材質をステンレススチールとする1.7KW以上の高出力マグネトロンに高電圧を印加する場合、試験の結果、構造的に拘束されたいろいろの部材とは多少構造的なずれができたが、その量が非常に微細であり、熱応力には非常に強かった。従って、外ストラップ22bの材質もステンレススチールとしてもよい。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、熱応力に強い材質なので、継続的な温度変化による疲労により発生する永久変形及び破断を防止することができる。そして、前記材質は互いに構造的に拘束されている部材と熱膨張係数が類似なので、熱膨張差による拘束された部材等のずれにより発生するクラックを防止することができる。また、本発明は1KW以下の低出力マグネトロンだけでなく1.7KW以上の高出力マグネトロンにも適用可能なので適用範囲が広い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の従来技術に係る一般なマグネトロンの構成を示す構成図である。
【図2】(A)は第1の従来技術に係るマグネトロンのセンタ型ストラップとアノードベーンとの結合状態を示す斜視図、(B)は(A)の要部斜視図である。
【図3】(A)は第2の従来技術に係るマグネトロンのサイド型のストラップとアノードベーンとの結合状態を示す斜視図、(B)は(A)の要部斜視図である。
【図4】1.7KW以上の高出力が発散されるように第1の従来技術、第2の従来技術、そして本発明に高電圧を印加した時の各ストラップに対する熱的構造安全度を比較したグラフである。
Claims (4)
- 上・下面に異なる形状の溝の形成された多数のアノードベーンと、
前記アノードベーンに電気場を形成するために前記アノードベーンの上・下面の溝に一つ置きに接触して前記アノードベーンを相互連結するリング状の銅材質の外ストラップと、
前記外ストラップの接触してないアノードベーンの上・下面の溝に接触して前記外ストラップの内側に同心円になるように接触し、銅材質の前記アノードベーンよりも熱応力に強いステンレススチールからなる内ストラップと
を備えることを特徴とする少なくとも1.7KW以上の出力を有するマグネトロン。 - 前記銅材質は、無酸素銅であることを特徴とする少なくとも1.7KW以上の出力を有する請求項1に記載のマグネトロン。
- 前記アノードベーンの内、奇数番目アノードベーンの上面には前記外ストラップのみに接触する第1溝が形成され、下面には前記内ストラップのみに接触する第2溝が形成され、
偶数番目アノードベーンの上面には前記内ストラップのみに接触する第2溝が形成され、下面には前記外ストラップのみに接触される第1溝が形成されることを特徴とする少なくとも1.7KW以上の出力を有する請求項1に記載のマグネトロン。 - 上下面に異なる形状の溝の形成された銅材質の多数個のアノードベーンと、
前記アノードベーンに電気場を形成するために前記アノードベーンの上・下面の溝に一つ置きに接触して前記アノードベーンを相互連結するリング状のステンレススチールの外ストラップと、
前記外ストラップの接触していないアノードベーンの上・下面の溝に接触して、前記外ストラップの内側に同心円になるように接触し、銅材質の前記アノードベーンよりも熱応力に強いステンレススチールからなる内ストラップと、
を備えることを特徴とする、少なくとも1.7KW以上の出力を有するマグネトロン。
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