JPH05128976A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH05128976A JPH05128976A JP28998691A JP28998691A JPH05128976A JP H05128976 A JPH05128976 A JP H05128976A JP 28998691 A JP28998691 A JP 28998691A JP 28998691 A JP28998691 A JP 28998691A JP H05128976 A JPH05128976 A JP H05128976A
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- Japan
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- anode
- magnetron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マグネトロン陽極部で、とくに温度上昇の激
しいベイン先端部の温度を速やかに陽極円筒部側に逃が
し、ベイン先端部や内側均圧環の熱変形や熱応力による
破断を防止すると共に、製造工程が容易なマグネトロン
を提供する。 【構成】 マグネトロン陽極部の小空胴を形成するベイ
ンを１枚おきに短絡する均圧環を、ベインの軸方向いず
れか一方の端部にのみ３本形成して、他方の端部には均
圧環用の溝を形成しないで先端部からの熱伝導を良くす
ると共に、組立を容易にした。
しいベイン先端部の温度を速やかに陽極円筒部側に逃が
し、ベイン先端部や内側均圧環の熱変形や熱応力による
破断を防止すると共に、製造工程が容易なマグネトロン
を提供する。 【構成】 マグネトロン陽極部の小空胴を形成するベイ
ンを１枚おきに短絡する均圧環を、ベインの軸方向いず
れか一方の端部にのみ３本形成して、他方の端部には均
圧環用の溝を形成しないで先端部からの熱伝導を良くす
ると共に、組立を容易にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子レンジなどマイクロ
波加熱に主として使用されるマグネトロンに関する。さ
らに詳しくは、陽極部の構造を改良したマグネトロンに
関する。
波加熱に主として使用されるマグネトロンに関する。さ
らに詳しくは、陽極部の構造を改良したマグネトロンに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来電子レンジなどに使用されるマグネ
トロンは、陽極部と、該陽極部の中心軸上に配置された
陰極部と、該陰極部と前記陽極部とで挟まれた作用空間
に磁界を印加する磁極部とからなり、陰極部から発した
電子の螺旋運動によるエネルギーを陽極部で共振させて
発振させている。
トロンは、陽極部と、該陽極部の中心軸上に配置された
陰極部と、該陰極部と前記陽極部とで挟まれた作用空間
に磁界を印加する磁極部とからなり、陰極部から発した
電子の螺旋運動によるエネルギーを陽極部で共振させて
発振させている。
【０００３】このような従来のマグネトロンの陽極部の
構造を図３〜４に示す。図３はマグネトロンの陽極部の
断面説明図で、図４はベインと均圧環の接合部の部分的
拡大説明図である。これらの図において、陽極円筒１の
内周壁には平板状のベイン２（２ａ、２ｂ……）が偶数
枚放射状に取付けられ、２枚のベイン２と陽極円筒１の
内周壁とで囲まれた多数の小空胴が形成され、これらが
まとまってマグネトロンの共振空胴を形成している。こ
のベイン２の管軸方向の両端部８、９には溝６（６ａ、
６ｂ）、７（７ａ、７ｂ）が設けられている。この溝
６、７にはそれぞれ外側均圧環４（４ａ、４ｂ）および
内側均圧環３（３ａ、３ｂ）が取付けられており、これ
らの均圧環４、３は偶数枚のベイン２を１枚おきの交互
に電気的に接続している。これは通常のマグネトロンで
はπモードで発振させ、前述の各小空胴をπラジアンず
つずらせて発振させるため、一つおきの小空胴は同じ位
相となり、これらを連結することにより安定発振をうる
ものである。この均圧環はまた、対向するベインの面と
のあいだに静電容量が形成され、それを利用した発振周
波数の調整機能を有している。
構造を図３〜４に示す。図３はマグネトロンの陽極部の
断面説明図で、図４はベインと均圧環の接合部の部分的
拡大説明図である。これらの図において、陽極円筒１の
内周壁には平板状のベイン２（２ａ、２ｂ……）が偶数
枚放射状に取付けられ、２枚のベイン２と陽極円筒１の
内周壁とで囲まれた多数の小空胴が形成され、これらが
まとまってマグネトロンの共振空胴を形成している。こ
のベイン２の管軸方向の両端部８、９には溝６（６ａ、
６ｂ）、７（７ａ、７ｂ）が設けられている。この溝
６、７にはそれぞれ外側均圧環４（４ａ、４ｂ）および
内側均圧環３（３ａ、３ｂ）が取付けられており、これ
らの均圧環４、３は偶数枚のベイン２を１枚おきの交互
に電気的に接続している。これは通常のマグネトロンで
はπモードで発振させ、前述の各小空胴をπラジアンず
つずらせて発振させるため、一つおきの小空胴は同じ位
相となり、これらを連結することにより安定発振をうる
ものである。この均圧環はまた、対向するベインの面と
のあいだに静電容量が形成され、それを利用した発振周
波数の調整機能を有している。
【０００４】これらの従来技術はたとえば、特開平1-12
4939号公報に開示されており、前述のベインの管軸方向
両端部に均圧環を取付けた構成と、管軸方向の片側端部
にのみ均圧環を取付けた構成とがある。この片側端部に
のみ均圧環を取付けた構成は、一般に安定発振の維持と
いう機能面では、両端部に均圧環を取付けてより確実に
ベインを交互に電気的に接続し短絡した構成より劣ると
考えられているが、部品点数の削減によるコストダウン
が行えるという利点がある。
4939号公報に開示されており、前述のベインの管軸方向
両端部に均圧環を取付けた構成と、管軸方向の片側端部
にのみ均圧環を取付けた構成とがある。この片側端部に
のみ均圧環を取付けた構成は、一般に安定発振の維持と
いう機能面では、両端部に均圧環を取付けてより確実に
ベインを交互に電気的に接続し短絡した構成より劣ると
考えられているが、部品点数の削減によるコストダウン
が行えるという利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のよう
な構造のマグネトロンの動作時には陽極円筒の中心部に
配設された陰極部（図示せず）が加熱されるとともに、
40〜90％の陽極損失によりベイン２の陰極部側先端部
（以下、先端部という）11は500 ℃程度まで上昇する。
この熱はベイン２を陽極円筒１側へ伝導して放熱される
が、ベイン先端部11から陽極円筒１までのあいだに、前
述のようにベイン２の両端部に溝６、７が形成されてお
り、熱伝導を妨げている。
な構造のマグネトロンの動作時には陽極円筒の中心部に
配設された陰極部（図示せず）が加熱されるとともに、
40〜90％の陽極損失によりベイン２の陰極部側先端部
（以下、先端部という）11は500 ℃程度まで上昇する。
この熱はベイン２を陽極円筒１側へ伝導して放熱される
が、ベイン先端部11から陽極円筒１までのあいだに、前
述のようにベイン２の両端部に溝６、７が形成されてお
り、熱伝導を妨げている。
【０００６】またベイン２に取付けられる均圧環３、４
のうちベイン先端部11側の均圧環３ａ、３ｂはベイン先
端部11と同様高温となり、熱応力による疲労から破断し
安定発振ができなくなるという問題がある。
のうちベイン先端部11側の均圧環３ａ、３ｂはベイン先
端部11と同様高温となり、熱応力による疲労から破断し
安定発振ができなくなるという問題がある。
【０００７】本発明はこのような状況に鑑み、ベイン先
端部側の熱をできるだけ効率よく放出し、かつマグネト
ロンの諸特性を劣化させないで、動作の安定した低コス
トのマグネトロンを提供することを目的とする。
端部側の熱をできるだけ効率よく放出し、かつマグネト
ロンの諸特性を劣化させないで、動作の安定した低コス
トのマグネトロンを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるマグネトロ
ンは、陽極円筒と、該陽極円筒の内周面から該陽極円筒
の中心軸に向かって放射状に突出した複数のベインと、
該ベインを交互に短絡する均圧環とを有するマグネトロ
ンであって、前記均圧環が前記ベインの管軸方向端部の
どちらか一方に３本配置されていることを特徴とするも
のである。
ンは、陽極円筒と、該陽極円筒の内周面から該陽極円筒
の中心軸に向かって放射状に突出した複数のベインと、
該ベインを交互に短絡する均圧環とを有するマグネトロ
ンであって、前記均圧環が前記ベインの管軸方向端部の
どちらか一方に３本配置されていることを特徴とするも
のである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、均圧環をベインの一端側にの
み形成したため、均圧環をロウづけしまたは貫通させる
ための溝を、ベインの一端側にのみ形成すればよい。そ
のためベインの陰極側先端部から陽極円筒側への熱伝導
の面積は一方の溝分だけ増加し、大幅に熱伝導が向上す
る。
み形成したため、均圧環をロウづけしまたは貫通させる
ための溝を、ベインの一端側にのみ形成すればよい。そ
のためベインの陰極側先端部から陽極円筒側への熱伝導
の面積は一方の溝分だけ増加し、大幅に熱伝導が向上す
る。
【００１０】一方、均圧環には各小空胴の発振を安定し
てπラジアンで発振させる機能と、均圧環とベインとの
間隔による容量により発振周波数を調整する機能とがあ
るが、πラジアンでの安定した発振に関しては、ベイン
の一端側に３本の均圧環を配置しているため、従来の片
側２本の均圧環を設けたマグネトロンより非常に安定し
た発振をし、両側２本ずつの均圧環を設けたマグネトロ
ンよりは安定性がやや劣るものの、実用上何ら差し支え
ない安定な発振をする。
てπラジアンで発振させる機能と、均圧環とベインとの
間隔による容量により発振周波数を調整する機能とがあ
るが、πラジアンでの安定した発振に関しては、ベイン
の一端側に３本の均圧環を配置しているため、従来の片
側２本の均圧環を設けたマグネトロンより非常に安定し
た発振をし、両側２本ずつの均圧環を設けたマグネトロ
ンよりは安定性がやや劣るものの、実用上何ら差し支え
ない安定な発振をする。
【００１１】また発振周波数に関しては、ベインと均圧
環の間隙と均圧環相互の間隙を一定としたばあい（通常
0.7mm 程度）、予め定められた発振周波数（たとえば電
子レンジ用マグネトロンであれば2450MHz ）にするため
に、ベインと均圧環、均圧環相互間の静電容量を従来構
成と同等にできることから、本発明によるベイン管軸方
向端部の片側に均圧環３本取付けた構成では、従来のベ
イン管軸方向端部両側にそれぞれ均圧環を２本、計４本
の均圧環のばあいと同じ高さに設定することができる。
環の間隙と均圧環相互の間隙を一定としたばあい（通常
0.7mm 程度）、予め定められた発振周波数（たとえば電
子レンジ用マグネトロンであれば2450MHz ）にするため
に、ベインと均圧環、均圧環相互間の静電容量を従来構
成と同等にできることから、本発明によるベイン管軸方
向端部の片側に均圧環３本取付けた構成では、従来のベ
イン管軸方向端部両側にそれぞれ均圧環を２本、計４本
の均圧環のばあいと同じ高さに設定することができる。
【００１２】その結果、ベインとか均圧環の厚さ、幅な
どを変更して発振周波数を調整し直さなくてもよく、マ
グネトロンの特性に影響を与えないで、熱抵抗を小さく
でき、ベイン先端部およびとくに内側均圧環の高温によ
る変形、破断を防止できる。
どを変更して発振周波数を調整し直さなくてもよく、マ
グネトロンの特性に影響を与えないで、熱抵抗を小さく
でき、ベイン先端部およびとくに内側均圧環の高温によ
る変形、破断を防止できる。
【００１３】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明について
説明する。図１は本発明の一実施例であるマグネトロン
陽極部の断面説明図で、図２はそのベインと均圧環の接
続部分の拡大断面説明図である。これらの図において、
１〜９は図３〜４と同じ部分を示し、10は第３の均圧環
である。
説明する。図１は本発明の一実施例であるマグネトロン
陽極部の断面説明図で、図２はそのベインと均圧環の接
続部分の拡大断面説明図である。これらの図において、
１〜９は図３〜４と同じ部分を示し、10は第３の均圧環
である。
【００１４】この構成で、陽極円筒１の内周壁に複数枚
のベイン２（２ａ、２ｂ……）が中心軸に向かって放射
状に突設され、このベイン２の管軸方向端部８、９の一
端部８に設けられた溝６（６ａ、６ｂ）に、ベイン２を
１枚おきに短絡するための均圧環３、４、10が固着され
ている。すなわち、この実施例では、一番内側の均圧環
３と一番外側の均圧環10は同じベイン２を一枚おきに短
絡し、真中の均圧環４がそのあいだの異なるベイン２を
短絡するように形成されている。
のベイン２（２ａ、２ｂ……）が中心軸に向かって放射
状に突設され、このベイン２の管軸方向端部８、９の一
端部８に設けられた溝６（６ａ、６ｂ）に、ベイン２を
１枚おきに短絡するための均圧環３、４、10が固着され
ている。すなわち、この実施例では、一番内側の均圧環
３と一番外側の均圧環10は同じベイン２を一枚おきに短
絡し、真中の均圧環４がそのあいだの異なるベイン２を
短絡するように形成されている。
【００１５】この均圧環は、前述のように安定発振の維
持と、均圧環同士および均圧環が対向するベインの対向
面とのあいだに形成される静電容量を利用して行う発振
周波数の調整という機能を有している。
持と、均圧環同士および均圧環が対向するベインの対向
面とのあいだに形成される静電容量を利用して行う発振
周波数の調整という機能を有している。
【００１６】まず、安定発振という点に関しては、従来
ベイン両端側に２本づつ合計４本の均圧環を形成してい
たのに対し、本発明によれば片側３本だけであるが、一
番内側と一番外側の均圧環で同じベインを短絡してお
り、真中の均圧環で異なるベインを短絡しているため、
従来の片側２本のみの均圧環より非常に安定した発振を
えられ、実用上何ら不具合を生じなかった。
ベイン両端側に２本づつ合計４本の均圧環を形成してい
たのに対し、本発明によれば片側３本だけであるが、一
番内側と一番外側の均圧環で同じベインを短絡してお
り、真中の均圧環で異なるベインを短絡しているため、
従来の片側２本のみの均圧環より非常に安定した発振を
えられ、実用上何ら不具合を生じなかった。
【００１７】また発振周波数の調整については、３本の
均圧環を同じ高さで配置しているため、真中の均圧環４
と内側の均圧環３および外側の均圧環10とのあいだにそ
れぞれ容量が形成され調整幅が大きく、従来の均圧環の
幅、高さのままで何ら支障を生じなかった。
均圧環を同じ高さで配置しているため、真中の均圧環４
と内側の均圧環３および外側の均圧環10とのあいだにそ
れぞれ容量が形成され調整幅が大きく、従来の均圧環の
幅、高さのままで何ら支障を生じなかった。
【００１８】本実施例の構造にすることにより、ベイン
２には一方の端部８側にのみ溝６が形成されているの
で、ベイン２の先端部11から陽極円筒１側への熱抵抗は
一方の溝の深さ分減少し、先端部11で上昇した熱は速や
かに陽極円筒１側に逃げ、陽極円筒１から外部へ放出さ
れる。
２には一方の端部８側にのみ溝６が形成されているの
で、ベイン２の先端部11から陽極円筒１側への熱抵抗は
一方の溝の深さ分減少し、先端部11で上昇した熱は速や
かに陽極円筒１側に逃げ、陽極円筒１から外部へ放出さ
れる。
【００１９】具体例で熱抵抗の概略について説明する。
電子レンジ用マグネトロン2450MHz、840Wのマグネトロ
ン陽極部で図２に示すように、ベイン２の高さｈ＝8.8m
m 、溝６の深さｄ＝1.7mm 、均圧環の幅ｂ＝0.7mm 、均
圧環の厚さｔ＝1.0mm で形成した。従来のベイン両端部
に形成したときの寸法は高さｈ＝8.8mm 、溝の深さｄ＝
1.7mm 、均圧環の幅ｂ＝0.7mm 、厚さｔ＝1.0mm と同じ
で、溝部の面積は１枚当り従来の構造に比し、75％に減
少している。その結果、本実施例は従来例に比して1.33
倍熱伝導が向上する。
電子レンジ用マグネトロン2450MHz、840Wのマグネトロ
ン陽極部で図２に示すように、ベイン２の高さｈ＝8.8m
m 、溝６の深さｄ＝1.7mm 、均圧環の幅ｂ＝0.7mm 、均
圧環の厚さｔ＝1.0mm で形成した。従来のベイン両端部
に形成したときの寸法は高さｈ＝8.8mm 、溝の深さｄ＝
1.7mm 、均圧環の幅ｂ＝0.7mm 、厚さｔ＝1.0mm と同じ
で、溝部の面積は１枚当り従来の構造に比し、75％に減
少している。その結果、本実施例は従来例に比して1.33
倍熱伝導が向上する。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、均圧環をベインの片側
のみに形成して、３本で形成したため、電気的特性の影
響は殆んど生じなく、溝部の深さを大幅に減少でき、熱
伝導を大幅に向上できる。その結果、ベイン先端側での
熱を効率よく放散することができて、ベインの先端部や
内側均圧環の熱変形および熱応力による破断などを防止
でき信頼性の高いマグネトロンをえられる。
のみに形成して、３本で形成したため、電気的特性の影
響は殆んど生じなく、溝部の深さを大幅に減少でき、熱
伝導を大幅に向上できる。その結果、ベイン先端側での
熱を効率よく放散することができて、ベインの先端部や
内側均圧環の熱変形および熱応力による破断などを防止
でき信頼性の高いマグネトロンをえられる。
【００２１】さらに均圧環のロウづけはベインの一方の
端部だけですむため、組立工程が容易で、製造コストを
下げられ、安価なマグネトロンをえられる。
端部だけですむため、組立工程が容易で、製造コストを
下げられ、安価なマグネトロンをえられる。
【図１】本発明の一実施例であるマグネトロン陽極部の
断面説明図である。
断面説明図である。
【図２】図１のベインと均圧環接続部の拡大断面説明図
である。
である。
【図３】従来のマグネトロン陽極部の断面説明図であ
る。
る。
【図４】図３のベインと均圧環接続部の拡大断面図であ
る。
る。
１ 陽極円筒 ２ ベイン ３、４、10 均圧環
Claims (1)
- 【請求項１】 陽極円筒と、該陽極円筒の内周面から該
陽極円筒の中心軸に向かって放射状に突出した複数のベ
インと、該ベインを交互に短絡する均圧環とを有するマ
グネトロンであって、前記均圧環が前記ベインの管軸方
向端部のどちらか一方に３本配置されていることを特徴
とするマグネトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28998691A JPH05128976A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | マグネトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28998691A JPH05128976A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128976A true JPH05128976A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17750301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28998691A Pending JPH05128976A (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128976A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110107756A (ko) | 2010-03-25 | 2011-10-04 | 도시바 호꾸또 덴시 가부시끼가이샤 | 마그네트론 및 이것을 사용한 전자 렌지 |
| JP2012069309A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロンおよび電子レンジ |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP28998691A patent/JPH05128976A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110107756A (ko) | 2010-03-25 | 2011-10-04 | 도시바 호꾸또 덴시 가부시끼가이샤 | 마그네트론 및 이것을 사용한 전자 렌지 |
| JP2011204441A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロンおよびこれを用いた電子レンジ |
| EP2378535A2 (en) | 2010-03-25 | 2011-10-19 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron and microwave oven therewith |
| US8928223B2 (en) | 2010-03-25 | 2015-01-06 | Toshiba Hokuto Electronics Corporation | Magnetron and microwave oven therewith |
| JP2012069309A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | マグネトロンおよび電子レンジ |
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