KR19980019800U - 전자 레인지용 마그네트론 - Google Patents

전자 레인지용 마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR19980019800U
KR19980019800U KR2019960032980U KR19960032980U KR19980019800U KR 19980019800 U KR19980019800 U KR 19980019800U KR 2019960032980 U KR2019960032980 U KR 2019960032980U KR 19960032980 U KR19960032980 U KR 19960032980U KR 19980019800 U KR19980019800 U KR 19980019800U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vane
anode
magnetron
microwave oven
working space
Prior art date
Application number
KR2019960032980U
Other languages
English (en)
Inventor
최병태
Original Assignee
구자홍
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR2019960032980U priority Critical patent/KR19980019800U/ko
Publication of KR19980019800U publication Critical patent/KR19980019800U/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/20Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

본 고안은 전자레인지용 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 아노드와 베인의 브래징시 발생하는 불량을 감소하고, 작용공간의 필요거리를 확보함으로써 마그네트론의 특성을 향상하고자 하는 것으로서, 이러한 본 고안은 베인의 선단면에 센터핀과 접촉하는 돌기부를 형성시킨 것이다.

Description

전자 레인지용 마그네트론
종래 전자레인지용 마그네트론은 제 1 도 및 제 2 도와 같이 필라멘트(2)에서 발생한 열전자가 아노드(1)의 내벽에 형성된 복수개의 베인(7)끝과 필라멘트(2) 사이의 작용공간(9)으로 방출되어 전계와 영구자석(10), 상판(5), 하판(6), 자극(11)으로 구성되는 자기회로에서 작용공간(9)에 인가되는 자속으로 인한 상기 열전자의 싸이클로이드 운동에 의하여 운동에너지를 베인(7)에 줌으로써 마이크로파가 생성되며, 이 파가 안테나피이더(8) 및 에이세라믹(16), 배기관(17), 안테나캡(18)으로 구성되는 출력부를 통하여 외부로 방사되고, 아노드 시일(3) 및 필라멘트 시일(4)은 자기회로 통로 및 동체지지체 역할을 하고, 아노드(1) 외부에 결합되어 있는 알루미늄으로 된 다수개의 냉각핀(12)은 아노드(1) 내부에서 발생하는 열을 냉각시키고, 입력부쪽으로 누설되는 불요고주파를 차단하기 위해 입력부에 쵸크코일(15) 및 고압관통형 콘덴서(14)와, 이들을 절연 보호하는 필터박스(13)로 구성되는 필터회로로 구성되어 있다.
미설명 부호 19는 센터핀이다.
이와 같이 구성된 종래의 전자레인지용 마그네트론은 영구자석(10)에서 형성된 자계가 상, 하판(5, 6)과 자극(11)에 따라 자기회로를 형성하여 제 3 도와 같은 형상의 베인(7)과 필라멘트(2) 사이의 작용공간(9)에 자기장을 형성시키고, 베인(7)과 필라멘트(2) 사이에 전계가 형성되어, 상기 전계와 자계에 의해서 음극인 필라멘트(2)에서 방출하는 열전자가 작용공간(9)에서 전자에너지인 고주파에너지로 변환하는데 이때 대부분의 고주파에너지는 안테나 피이더(8)를 통하여 출력부로 전송된다.
그러나 종래의 전자레인지용 마그네트론의 양극부 구성에 있어서 아노드(1)와 베인(7) 결합시 제 4 도의 (가)와 같이 베인(7) 전장길이 L을 13.27mm로 구성시킬 경우 제 4 도의 (나)와 같이 아노드(1)의 곡면부에 베인(7)의 선단면 모서리 부분은 틈이 없이 접촉되나 베인(7) 선단면 중앙부위의 경우 아노드(1) 곡면부와 베인(7)의 틈 D가 0.03mm나 되기 때문에 브래징 불량이 발생하는 원인이 된어 왔다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 종래에는 제 5 도의 (가)와 같이 베인(7)의 전장길이 1을 13.30mm로 하고 작용공간(9) 거리는 8.9mm를 유지하도록 8.9mm의 센터핀(19)을 작용공간(9)에 강제삽입하여 아노드(1)와 베인(7)을 결합시킴으로써 제 5 도의 (나)와 같이 아노드(1)와 베인(7)의 결합부틈 d는 0.01mm 이하로 줄어들어 브래징성은 향상되었으나 제 6 도의 (가)와 같이 작용공간(9)의 공간거리 8.84mm에 8.9mm의 센터핀(19)을 강제 삽입함으로써 베인(7)의 선단면이 움푹 들어가는 라운딩현상(a)과 선단부 동재료가 억지끼움에 의해 밀려 선단면 끝단부에 버(Burr, b)가 발생하고 제 6 도의 (나)와 같이 억지끼움에 의해 아노드(1)와 베인(7)의 접합부분이 밀려 아노드(1)의 중간부위에 배부름 현상(c)이 발생되는데 이 부분이 브래징 후 작용공간(9)에 센터핀(19)을 제거하는 뒷공정에서 냉각핀 삽입 등에 의해서 거의 원위치 되기 때문에 작용공간(9)의 필요거리 8.9mm를 유지하지 못하고 8.84 ~ 8.87mm 정도를 유지함으로써 마그네트론 파워가 30 ~ 40w 떨어져 마그네트론 파워 불량이 증가하는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안은 베인의 선단면 가로중심축면에 돌기부를 형성함으로써, 아노드와 베인의 브래징시 브래징불량을 감소시키고, 작용공간의 필요거리를 확보하여 전자레인지용 마그네트론 파워불량을 감소시키는데 그 목적이 있다.
제 1 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론의 종단면도.
제 2 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론의 아노드 바디 구성도.
제 3 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론의 베인으로서,
(가)는 사시도.
(나)는 정면도.
제 4 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론 아노드와 베인의 결합도 제 1 예로서,
(가)는 결합단면도.
(나)는 (가)의 A부 상세도.
제 5 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론의 아노드와 베인의 결합도 제 2 예로서,
(가)는 결합단면도.
(나)는 (가)의 B부 상세도.
제 6 도는 종래 전자 레인지용 마그네트론으로서,
(가)는 베인의 변형시 상태도.
(나)는 아노드의 변형시 상태도.
제 7 도는 본 고안 전자 레인지용 마그네트론의 아노드 바디 구성도.
제 8 도는 본 고안 전자 레인지용 마그네트론의 베인으로서,
(가)는 사시도.
(나)는 정면도.
(다)는 (가)의 C부 상세도.
제 9 도는 본 고안 전자 레인지용 마그네트론의 아노드와 베인의 결합도.
제 10 도는 본 고안의 다른 실시예로서,
(가)는 베인의 사시도.
(나)는 베인의 정면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
101 : 아노드102 : 필라멘트
103, 203 : 베인103a, 203a : 돌기부
104 : 작용공간105 : 센터핀
이하, 본 고안을 제 7 도 내지 제 10 도에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 7 도는 본 고안에 의한 전자레인지용 마그네트론 아노드바디의 구성도를 나타낸 것으로서, 마그네트론의 중심축 방향으로 설치된 필라멘트(102)와, 상기 필라멘트(102)를 중심으로 주변에 형성된 원통형의 아노드(101)와, 상기 아노드(101) 내면에 방사상으로 고정되는 베인(103)과, 상기 베인(103)의 끝단과 필라멘트(102) 사이에 형성되는 작용공간(104)과, 상기 베인(103)의 선단면 가로중심축면에 작용공간(104)쪽을 향해 형성된 돌기부(103a)로 구성된다.
상기 돌기부(103a)의 상, 하단부는 제 8 도와 같이 센터핀(105)의 삽입이 용이하도록 라운딩을 주고, 가능한한 작용공간(104)의 필요거리 확보면적을 넓게 하기 위해 베인(103)과 아노드(101)의 결합에 문제가 없는한 돌기부(103a)의 면적은 적게 구성한다.
이와 같이 구성된 본 고안 전자레인지용 마그네트론은 제 9 도와 같이 아노드(101)와 베인(103)을 결합하기 위해 먼저 베인(103)과 베인(103) 사이에 8.9mm의 센터핀(105)을 삽입하고 아노드(101)와 베인(103)을 브래징하게 되는데, 베인(103)의 선단면 가로 중심축면에 작용공간(104)쪽을 향해 0.01 ~ 0.1mm 정도 튀어나오도록 제 8 도와 같은 돌기부(103a)를 형성함으로써 아노드(101)와 베인의 브래징시 베인(103) 후단면 중앙부위와 아노드(101) 곡면부 사이의 틈이 0.01mm 이하로 유지되어 브래징 불량을 방지할 수 있다.
그리고 돌기부(103a)가 튀어나오지 않은 부분까지의 베인(103) 전장길이는 13.27mm가 되도록 하여 8.9mm의 센터핀(105)을 강제 삽입시 이 돌기부분에서 강제삽입이 됨으로써 아노드(101) 바디가 센터핀(105)의 강제삽입에 의해 변형된 부분이후 공정에서 원위치하더라도 돌기부(103a)에서는 기존과 같이 작용공간(104)의 필요거리 8.9mm를 확보하지 못하나 돌기부(103a) 이외에서는 베인(103)의 전장길이가 13.27mm로서 작용공간(104)의 필요거리인 8.9mm를 확보할 수 있어 작용공간(104) 거리단축 및 베인(103) 불균일에 의한 마그네트론 파워불량을 감소할 수 있게 된다.
그리고 다른 실시예로 제 10 도와 같이 베인(203) 선단면 가로중심축 상, 하부에 작용공간(104) 방향으로 0.01 ~ 0.1mm 높이의 엠보싱형태의 돌기부(203a)를 두개 형성시키고, 상기 돌기부(203a)가 차지하는 면적을 최대한 적게 구성함으로써 동일한 효과를 거둘 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안은 아노드와 베인의 브래징시 상기 돌기부 위에 센터핀을 강제 삽입함으로써 베인 후단면 중앙부위와 아노드 곡면부 사이의 틈이 0.01mm 이하로 유지되어 브래징 불량을 최대한 감소시킨다. 또한 베인 선단면 돌기부 이외의 베인 전장길이는 13.27mm로 구성함으로써 센터핀 강제 삽입에 의해 변형된 돌기부분 이외에는 작용공간의 필요거리인 8.9mm를 유지하여 작용공간 거리 단축에 의해 발생되는 마그네트론 파워불량을 감소하는 효과가 있다.
본 고안은 전자레인지에 관한 것으로서, 특히 아노드와 베인의 브래징시 브래징 불량감소와 작용공간의 필요거리를 확보함으로써 마그네트론의 특성을 향상시키는 전자레인지용 마그네트론에 관한 것이다.

Claims (3)

  1. 필라멘트와, 상기 필라멘트의 외주방향에 방사상으로 배치된 다수개의 베인을 가진 원통상의 아노드상에 아노드 양단에 설치된 자극과, 상기 자극에 설치된 영구자석과, 상기 영구자석을 고정시켜 주는 상판과 하판으로 구성된 마그네트론에 있어서,
    상기 베인에는 센터핀과 접촉되는 돌기부가 형성된 것을 특징으로 하는 전자레인지용 마그네트론.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기부의 높이는 0.01 ~ 0.1mm로 하고,
    상기 돌기부의 상, 하단부는 센터핀의 삽입이 용이하도록 라운딩을 준 것을 특징으로 하는 전자레인지용 마그네트론.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기부는 엠보싱형태로 다수개 구비된 것을 특징으로 하는 전자레인지용 마그네트론.
KR2019960032980U 1996-10-07 1996-10-07 전자 레인지용 마그네트론 KR19980019800U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960032980U KR19980019800U (ko) 1996-10-07 1996-10-07 전자 레인지용 마그네트론

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960032980U KR19980019800U (ko) 1996-10-07 1996-10-07 전자 레인지용 마그네트론

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980019800U true KR19980019800U (ko) 1998-07-15

Family

ID=53978542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019960032980U KR19980019800U (ko) 1996-10-07 1996-10-07 전자 레인지용 마그네트론

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980019800U (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5180946A (en) Magnetron having coaxial choke means extending into the output side insulating tube space
KR19980019800U (ko) 전자 레인지용 마그네트론
KR19990001481A (ko) 마그네트론
KR100229712B1 (ko) 전자레인지용 마그네트론
KR100351790B1 (ko) 전자레인지용마그네트론의아노드구조및아노드제조방법
KR100313379B1 (ko) 마그네트론의 가스켓 지지구조
KR100374840B1 (ko) 마그네트론
KR940009318B1 (ko) 마그네트론의 가스켓 이탈방지장치
KR100266604B1 (ko) 마그네트론의 고주파 누설 방지구조
KR940006868Y1 (ko) 마그네트론의 가스켓 이탈방지장치
US3412283A (en) Coaxial magnetron in which the anode is welded to the body
KR100388252B1 (ko) 마그네트론의 요크 구조
KR970005952Y1 (ko) 전자레인지용 마그네트론의 에이시일 및 에프시일 구조
KR0160844B1 (ko) 마그네트론의 자극구조
KR100234051B1 (ko) 전자레인지용 마그네트론
KR100301197B1 (ko) 마그네트론의 양극부
KR950005554Y1 (ko) 전자레인지용 마그네트론
KR100279872B1 (ko) 전자레인지용마그네트론
KR200145525Y1 (ko) 전자레인지용 마그네트론의 영구자석 구조
KR0116332Y1 (ko) 마그네트론의 가스켓 이탈방지 장치
KR100320466B1 (ko) 마그네트론용 자기 스페이서
KR940008587Y1 (ko) 마그네트론 음극부의 에프세라믹
KR19990036299U (ko) 전자레인지용 마그네트론
KR19990033681A (ko) 마그네트론의 애노드 조립체
KR19990033680A (ko) 마그네트론의 필터 박스 조립체

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid