JP3729604B2 - イオン注入装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はイオン注入装置に関し、特にイオンビームの出射方向を固定とし、半導体ウェハをメカニカルに横方向と縦方向に移動させながら半導体ウェハにイオン注入を行うイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン注入装置には、バッチ式と枚葉式の２つのタイプがある。高エネルギイオン注入装置と、高電流イオン注入装置は一般的にバッチ式であり、中電流イオン注入装置は、通常、枚葉式を採用している。
【０００３】
バッチ式のイオン注入装置は、例えば米国特許第４７３３０９１号に開示されているように、一度に複数枚の半導体ウェハを載せることのできるウェハディスクを高速回転させながらウェハディスク全体を低速で縦（上下）方向に移動させる方式が一般的である。このような方式は、ＤＲＡＭ等の記憶装置の大量生産には適しているが、今後要求が高まるであろうプロセッサ（演算装置）等の高付加価値製品の開発や生産の場合には、枚葉式の方が効率的であることが指摘されている。
【０００４】
中電流イオン注入装置に採用されている枚葉式のイオン注入装置は、例えば特開平６−２８３１３０号公報に開示されているように、イオンビームを、電場方式、又は磁場方式で横方向に高速スキャンさせながら半導体ウェハを縦（上下）方向にメカニカルに低速で移動させるタイプが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、枚葉式のイオン注入装置は、イオンビームを横方向に高速スキャンさせるための静電界発生装置あるいは磁界発生装置が必要であり、装置コストが高くなるという問題点がある。また、イオンビームを半導体ウェハに到達するまでの間に振らせる必要があるので、ビームラインが長くなり、装置がかさ張ったものになるという問題点もある。
【０００６】
そこで、本発明の課題は、イオンビームの出射方向を固定とした状態で半導体ウェハに均一にイオン注入を行うことのできる枚葉式のイオン注入装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、イオンビームの進行方向を固定とし、半導体ウェハを横方向にメカニカルに移動させながら、同時に縦方向にメカニカルに移動させて、該半導体ウェハに左右上下に連続した均一なイオン注入を行うイオン注入装置であって、前記半導体ウェハを保持しているウェハプラテンを真空容器内で等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構と、前記ウェハプラテンを前記揺動機構と共に前記縦方向に等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備え、前記ウェハプラテンを前記揺動機構の駆動部よりも上方で支持するとともに該揺動機構の駆動部を上下駆動機構にて支持するよう構成し、前記横方向に往復運動させる揺動機構の基部は、前記上下駆動機構のスライドプレート上に支持するよう構成し、前記揺動機構と上下駆動機構とを同時に作動させるとともに、ウェハプラテンを揺動機構により横方向に高速スキャンさせながら、上下駆動機構により縦方向の低速スキャンを行うよう構成し、横方向の高速スキャン往復運動のストロークを、イオンビームの照射を受ける定速スキャン範囲とその前後の加減速範囲により構成したことを特徴とする。
【０００８】
なお、前記揺動機構は、前記真空容器の壁を貫通して設けられたアームを含み、該アームはその前記真空容器の内側の一端に前記ウェハプラテンを設け、前記真空容器の外側の他端を往復回動用のモータの出力軸に連結して往復回動するように構成されている。
【０００９】
また、前記上下駆動機構は、前記真空容器の外側に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプレートを含み、該スライドプレートは、前記アームを前記真空容器の壁に設けられた長穴を通して一体的に上下動可能に支持すると共に、前記モータを支持しており、しかも前記長穴の周囲における前記真空容器の壁と前記スライドプレートとの間には、密封用のスライディングシールを設けている。
【００１０】
等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構には、該揺動機構に揺動機構が反転移動するときに緩衝作用を行なう緩衝機構が設けられる。
【００１１】
前記緩衝機構は、前記揺動機構の衝突力を吸収するばねを設けて構成されるか、あるいは前記揺動機構と前記緩衝機構とにそれぞれ、同磁極同士が対向するように設けた磁石で構成される。
【００１２】
更に、前記アームの回転中心から前記イオンビームの中心までの距離がＲである時、前記等速度Ｖｕが前記距離Ｒに反比例するように前記上下駆動機構を制御することが好ましい。
【００１３】
また、前記ウェハプラテンは、前記半導体ウェハを保持するための静電クランプ機構を有すると共に、該静電クランプ機構をモータ駆動により前記イオンビームの入射角度が可変となるように回動させる回動機構を備えていることが好ましい。
【００１４】
加えて、前記ウェハプラテンの内部には水及びガスの少なくとも一方の冷却材用の循環回路が設けられ、前記アームにもその内部を通して前記真空容器の外側から前記循環回路に至る冷却材用の循環回路が設けられていることが好ましい。
【００１５】
また、前記アームは、前記ウェハプラテンを保持する保持部を複数個有するようにしても良い。更に、前記真空容器の外側の前記アームには該アームと共に回動する補助アームを固着し、前記アームの往復回動範囲のうち両側の所定の範囲を除く領域を前記等速度Ｖｓで移動させるようにし、前記スライドプレートには前記補助アームが反転移動する箇所に緩衝機構を設けても良い。更に、横方向の往復運動を等速度Ｖｓの高速スキャンとし、上下動を等速度Ｖｕの低速スキャンの同時複合スキャン方式とすることが好ましい。更に、横方向に往復運動させる揺動機構と、縦方向に上下動させる上下駆動機構とを、前記真空容器外から作動させるよう真空容器の外側に駆動動力装置を配設することが好ましい。更に、横方向における高速スキャンの周波数は、最大およそ１０Ｈｚとすることが好ましい。更に、注入均一性を確保するために、高速スキャンのアームの回転中心から半導体ウェハの中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行うようにしても良い。更に、イオンの注入角度を変更するときは、縦方向の低速スキャンの上端、又は下端で縦方向スキャンを固定し、ウェハプラテンをその直径方向の軸を中心に回転させてイオンの進行方向に対する角度を変更することで実現できる。更に、プラテン駆動によるウェハプラテンの回転または、プラテンチルト駆動による回転支持用の軸を中心としたウェハプラテンの回転により、イオンビームラインに対して、半導体ウェハの角度を変更することができる。更に、プラテン駆動モータによるウェハプラテンの回転と、プラテンチルト用モータによる回転支持用の軸を中心としたウェハプラテンの回転とにより、イオンビームラインに対して、半導体ウェハに任意の角度の傾斜を与えることができる。更に、低速スキャン機構の上に、高速スキャン機構を従動させて配設しても良い。更に低速スキャン機構の上に、高速スキャン機構を従動させて配設するとともに、低速スキャン機構の駆動部分よりも上方位置でウェハプラテンが高速スキャンされるよう配設しても良い。更に、横方向の高速スキャン往復運動を、イオンビームを中心に左右均等のストロークとなるよう構成しても良い。更に、横方向の高速スキャン往復運動のストロークを、定速スキャン範囲とその前後の加減速範囲により構成し、定速スキャン範囲の両端の領域ではイオンビームが照射されない区間を設けるよう構 成しても良い。更に、前記定速スキャン範囲に対してその前後の加減速範囲を小さくして、横方向の高速スキャン往復運動のストロークを全体として小さくなるように構成しても良い。
【００１６】
【作用】
このイオン注入装置では、イオンビームを固定したまま、半導体ウェハを揺動機構により横方向に高速移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆動機構により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行い、イオンを注入する。横方向における高速スキャンの周波数は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向のスキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注入均一性を確保するために、アームの回転中心から半導体ウェハの中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行う。イオンの注入角度を変更するときは、縦方向の低速スキャンの上端、又は下端で縦方向スキャンを固定し、ウェハプラテンをその直径方向の軸を中心に回転させてイオンの進行方向に対する角度を変更する。なお、同一のビームで注入角度を変更して注入する、ステップ注入等も可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、図１〜図４を参照して本発明の好ましい実施の形態について説明する。本形態は、枚葉式のイオン注入装置であり、イオンビームの出射方向を固定し、半導体ウェハ１をメカニカルに縦方向と横方向に移動させることで、半導体ウェハ１全体に均一にイオンを注入できることを特徴としている。
【００１８】
このイオン注入装置は、半導体ウェハ１を保持しているウェハプラテン２を真空容器９内で等速度Ｖｓにて横方向に往復運動させる揺動機構と、ウェハプラテン２を前記揺動機構と共に縦方向に等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備えている。
【００１９】
揺動機構は、真空容器９の壁を貫通して設けられた中空のＬ形のアーム７を含む。アーム７は、水平方向に延びる中空の回転軸７１と、その一端、すなわち真空容器９の内側の端部に上下方向に延びるように組み付けられた中空の揺動アーム７２とから成る。揺動アーム７２は、その上端にＹ字形の支持部７３を有しており、この支持部７３にウェハプラテン２を軸７４を中心に回動自在に設けている。真空容器９の外側に延びている回転軸７１の他端部にはプーリ（あるいはスプロケット）１６を設け、ベルト（あるいはチェーン）１７を介して往復回動用のモータ１９の出力軸に連結している。揺動アーム７２はモータ１９の往復回動により回転軸７１を中心とする所定角度範囲（図１に示すＸ´−Ｙ´）内の揺動運動を行う。
【００２０】
また、上下駆動機構は、真空容器９の外側に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプレート１０を含む。スライドプレート１０は、アーム７を真空容器９の壁に設けられた長穴９１を通して一体的に上下動可能に支持すると共に、ブラケット１８でモータ１９を支持している。長穴９１の周囲における真空容器９の壁とスライドプレート１０との間には、密封用のスライディングシール２０を設けている。
【００２１】
スライドプレート１０は、真空容器９の上部に取り付けられた駆動モータ２３で回転駆動されるボールねじ２４とスライドプレート１０に取り付けられたナット２６との組合わせにより上下方向に等速度Ｖｕで移動可能にされている。特に、等速度Ｖｕは最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、イオンの注入均一性を確保するためには、アーム７の回転中心から半導体ウェハ１の中心、つまりここではイオンビームの中心までの距離をＲとする時、等速度Ｖｕが距離Ｒに反比例するように上下駆動機構を制御することが好ましいことが知られている。
【００２２】
回転軸７１が貫通しているスライドプレート１０の穴には真空容器９の内側に延びる筒状体４が設けられ、回転軸７１と筒状体４との間には、電磁シールユニット４１とその両側にベアリング４２が設けられている。このようにして、アーム７は、回転軸７１の周囲における隙間をシールしながら、回転可能にスライドプレート１０に支持されている。
【００２３】
真空容器９の外側のアーム７、すなわち回転軸７１にはこの回転軸７１と共に回動する補助アーム７５が固着されている。揺動アーム７２は、図１に示すＸ´−Ｙ´の所定角度の往復回動範囲のうち両側の所定の加減速範囲Ｘ−Ｘ´，Ｙ−Ｙ´を除く領域Ｘ−Ｙを等速度Ｖｓで移動するようにされている。そして、スライドプレート１０には補助アーム７５の移動が反転する箇所に緩衝機構が設けられる。ここでは、緩衝機構はスライドプレート１０に取り付けたばねサポート２５に取り付けられたばね２２で構成される。ばね２２は、半導体ウェハ１の中心が図１の位置Ｘ´、Ｙ´に到達した時に補助アーム７５が当接する角度位置に設けられる。その結果、例えばモータ１９の正転によりアーム７が等速度Ｖｓで図１の実線の位置からＹの角度位置に至ると減速してＹ´の角度位置で補助アーム７５がばね２２に衝突し、ばね２２の反発力により反転すると同時にモータ１９は逆転してＹ´の角度位置で再び等速度Ｖｓに達して実線位置に向かう。
【００２４】
このような緩衝機構は、補助アーム７５とばねサポート２５との互いに対向し合う位置にそれぞれ永久磁石を取り付け、同磁極同士を対向させることで反発力を利用するように構成されても良い。
【００２５】
また、ウェハプラテン２は、半導体ウェハ１を周知の静電クランプ機構（例えば、ＵＳＰ第５４３６７８０号あるいはＵＳＰ第５４４４５９７号参照）により保持している。イオンの注入均一性を向上させるために、ウェハプラテン２の後部のケース２７内にはプラテン駆動モータ３が組み付けられ、半導体ウェハ１を静電クランプ機構と共に、図１に矢印で示す方向に回転可能にしている。更に、前述したようにウェハプラテン２を軸７４を中心に回動させるために、ボールねじ機構が組み付けられる。このボールねじ機構は、アーム７に取り付けられたプラテンチルト用モータ１２と、ボールねじ２８と、プラテンチルト用モータ１２とボールねじ２８とを連結しているカップリング１１と、カバー２７に取り付けられたナット２９とから成る。このようにして、ウェハプラテン２は、プラテンチルト用モータ１２の回転により軸７４を中心に回動することでイオンビームの入射角度を可変とすることができる。
【００２６】
図示していないが、ウェハプラテン２におけるケース２７内には冷却用の水及びガスの循環回路が設けられている。この循環回路に水及びガスを循環させるために、アーム７の中空空間が利用される。すなわち、回転軸７１の他端からその中空部及び揺動アーム７２の中空部を通して冷却水用の配管１４と冷却ガス用の配管１５とが挿通され、支持部７３を通しフレキシブルホースを経てケース２７内の冷却水及び冷却ガスの循環回路に接続されている。アーム７の中空空間はまた、プラテン駆動モータ３、プラテンチルト用モータ１２への電源供給のためのケーブル１３を通すために利用される。なお、アーム７内の冷却水配管、冷却ガス配管及びケーブルは、回転軸７１及び揺動アーム７２と共に回転あるいは揺動するので、冷却水配管、冷却ガス配管及びケーブルは、回転軸７１から出た箇所で冷却水源、冷却ガス源及び電源側とフレキシブルタイプの配管を通して接続される。
【００２７】
以上のように、図１に示した真空容器９の窓９２を通して行われるイオン注入を均一とするために、横方向に関しては、図１に示す区間Ｘ〜Ｙで半導体ウェハ１の移動速度を一定とし、区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜Ｙ´は加減速区間としている。区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜Ｙ´での加減速は、図３に示すように、スライドプレート１０に取り付けられたばね２２により補助的に行われる。縦方向については、図２に示すスライドプレート１０の上下運動による低速移動が行われる。また、プラテン駆動モータ３によるウェハプラテン２の回転と、プラテンチルト用モータ１２による回転支持用の軸７４を中心としたウェハプラテン２の回転とにより、イオンビームラインに対して、半導体ウェハ１に任意の角度の傾斜を与えることが可能となる。
【００２８】
このイオン注入装置では、イオンビームを固定したまま、半導体ウェハ１を揺動機構により横方向に高速移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆動機構により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行いイオンを注入する。横方向における高速スキャンの周波数は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向のスキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注入均一性を確保するために、アーム７の回転中心から半導体ウェハ１の中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行う。イオンの注入角度を変更する時は、縦方向の低速スキャンの上端、又は下端でスライドプレート１０を固定し、ウェハプラテン２を回転させてイオンの進行方向に対する角度を変更する。
【００２９】
図５は、本発明の他の形態を示した図であり、ウェハプラテン２を２個設けて生産性の向上を図った例である。このために、揺動アーム７２に支持部７３を２つ設けている。ウェハプラテン２の回転機構や、冷却構造は前述した形態とまったく同じで良いが、真空容器９の幅は広くする必要がある。
【００３０】
なお、本方式は、イオン注入以外にも電子や原子、中性子、分子注入等にも応用できる。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によるイオン注入装置は、次のような効果を持つ。
１．イオンビームを固定できるので、イオンビームをスキャンするための静電方式やマグネット方式の機構が不要となり、ビームラインを短くでき、注入装置の長さを短くできるだけでなく、イオンビームスキャン機構が無くなることにより装置のコストも安くできる。つまり、イオンビームの進行方向を固定とし、半導体ウェハをメカニカルに横方向と縦方向に同時に移動させながら、半導体ウェハに左右上下に連続した均一なイオン注入を行うことにより、イオンビーム自体を左右上下に連続してスキャン走査する必要がなく、イオンビームラインに大掛かりな左右用・上下用の各スキャン走査装置が不用となる。
２．高エネルギーイオン注入装置と、高電流イオン注入装置は、これまで複数枚同時に注入するバッチ式であったが、本発明の方式を採用することにより、一枚ずつイオン注入ができる枚葉式のイオン注入装置を提供することができる。
【００３２】
１．イオンビームを固定できるので、イオンビームをスキャンするための静電方式やマグネット方式の機構が不要となり、ビームラインを短くでき、注入装置の長さを短くできるだけでなく、イオンビームスキャン機構が無くなることにより装置のコストも安くできる。
【００３３】
２．高エネルギーイオン注入装置と、高電流イオン注入装置は、これまで複数枚同時に注入するバッチ式であったが、本発明の方式を採用することにより、一枚ずつイオン注入ができる枚葉式のイオン注入装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるイオン注入装置の主要部を正面から見た図である。
【図２】本発明によるイオン注入装置の主要部を側面から見た断面図である。
【図３】図２に示された上下駆動機構を背面から見た図である。
【図４】図２に示されたウェハプラテンとその周辺の構成要素を図２の矢印Ａ方向から見た図である。
【図５】本発明の他の形態によるイオン注入装置の主要部を正面から見た図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウェハ
２ ウェハプラテン
３ プラテン駆動モータ
４ 筒状体
７ アーム
９ 真空容器
１０ スライドプレート
１１ カップリング
１２ プラテンチルト用モータ
１３ ケーブル
１４ 冷却水用の配管
１５ 冷却ガス用の配管
１６ プーリ
１７ ベルト
１９ モータ
２０ スライディングシール
２２ ばね
２３ 駆動モータ
２４、２８ ボールねじ
２６、２９ ナット
７１ 回転軸
７２ 揺動アーム

Claims (22)

1. イオンビームの進行方向を固定とし、半導体ウェハを横方向にメカニカルに移動させながら、同時に縦方向にメカニカルに移動させて、該半導体ウェハに左右上下に連続した均一なイオン注入を行うイオン注入装置であって、
   前記半導体ウェハを保持しているウェハプラテンを真空容器内で等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構と、
   前記ウェハプラテンを前記揺動機構と共に前記縦方向に等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備え、
   前記ウェハプラテン前記揺動機構の駆動部よりも上方で支持するとともに該揺動機構の駆動部を上下運動機構にて支持するよう構成し、
   前記横方向に往復運動させる揺動機構の基部は、前記上下駆動機構のスライドプレート上に支持するよう構成し、
   前記揺動機構と上下駆動機構とを同時に作動させるとともに、ウェハプラテンを揺動機構により横方向に高速スキャンさせながら、上下駆動機構により縦方向の低速スキャンを行うよう構成し、
   横方向の高速スキャン往復運動のストロークを、イオンビームの照射を受ける定速スキャン範囲とその前後の加減速範囲により構成したことを特徴とするイオン注入装置。
2. 請求項１記載のイオン注入装置において、前記揺動機構は、前記真空容器の壁を貫通して設けられたアームを含み、該アームはその前記真空容器の内側の一端に前記ウェハプラテンを設け、前記真空容器の外側の他端を往復回動用のモータの出力軸に連結して往復回動するように構成されていることを特徴とするイオン注入装置。
3. 請求項２記載のイオン注入装置において、前記上下駆動機構は、前記真空容器の外側に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプレートを含み、該スライドプレートは、前記アームを前記真空容器の壁に設けられた長穴を通して一体的に上下動可能に支持すると共に、前記モータを支持しており、しかも前記長穴の周囲における前記真空容器の壁と前記スライドプレートとの間には、密封用のスライディングシールを設けたことを特徴とするイオン注入装置。
4. 請求項１記載のイオン注入装置において、等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構には、該揺動機構に揺動機構が反転移動するときに緩衝作用を行なう緩衝機構を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
5. 請求項４記載のイオン注入装置において、前記緩衝機構は、前記揺動機構の衝突力を吸収するばねを設けて構成されることを特徴とするイオン注入装置。
6. 請求項４記載のイオン注入装置において、前記緩衝機構は、前記揺動機構と前記緩衝機構とにそれぞれ、同磁極同士が対向するように設けた磁石で構成されることを特徴とするイオン注入装置。
7. 請求項２あるいは３記載のイオン注入装置において、前記アームの回転中心から前記イオンビームの中心までの距離がＲである時、前記等速度Ｖｕが前記距離Ｒに反比例するように前記上下駆動機構を制御することを特徴とするイオン注入装置。
8. 請求項１記載のイオン注入装置において、前記ウェハプラテンは、前記半導体ウェハを保持するための静電クランプ機構を有すると共に、該静電クランプ機構をモータ駆動により前記イオンビームの入射角度が可変となるように回動させる回動機構を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
9. 請求項１記載のイオン注入装置において、前記ウェハプラテンの内部には水及びガスの少なくとも一方の冷却材用の循環回路が設けられ、前記アームにもその内部を通して前記真空容器の外側から前記循環回路に至る冷却材用の循環回路が設けられていることを特徴とするイオン注入装置。
10. 請求項１記載のイオン注入装置において、前記アームは、前記ウェハプラテンを保持する保持部を複数個有することを特徴とするイオン注入装置。
11. 請求項１記載のイオン注入装置において、前記真空容器の外側の前記アームには該アームと共に回動する補助アームが固着されており、前記アームの往復回動範囲のうち両側の所定の範囲を除く領域を前記等速度Ｖｓで移動させるようにし、前記スライドプレートには前記補助アームが反転移動する箇所に緩衝機構を設けたことを特徴とするイオン注入装置。
12. 請求項１記載のイオン注入装置において、横方向の往復運動を等速度Ｖｓの高速スキャンとし、上下動を等速度Ｖｕの低速スキャンの同時複合スキャン方式としたことを特徴とするイオン注入装置。
13. 請求項１記載のイオン注入装置において、横方向に往復運動させる揺動機構と、縦方向に上下動させる上下駆動機構とを、前記真空容器外から作動させるよう真空容器の外側に駆動動力装置を配設したことを特徴とするイオン注入装置。
14. 請求項１記載のイオン注入装置において、横方向における高速スキャンの周波数は、最大およそ１０Ｈｚとしたことを特徴とするイオン注入装置。
15. 請求項１記載のイオン注入装置において、注入均一性を確保するために、高速スキャンのアームの回転中心から半導体ウェハの中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行うことを特徴とするイオン注入装置。
16. 請求項１記載のイオン注入装置において、イオンの注入角度を変更するときは、縦方向の低速スキャンの上端、又は下端で縦方向スキャンを固定し、ウェハプラテンをその直径方向の軸を中心に回転させてイオンの進行方向に対する角度を変更することを特徴とするイオン注入装置。
17. 請求項１記載のイオン注入装置において、プラテン駆動によるウェハプラテンの回転または、プラテンチルト駆動による回転支持用の軸を中心としたウェハプラテンの回転により、イオンビームラインに対して、半導体ウェハの角度を変更することを特徴とするイオン注入装置。
18. 請求項１記載のイオン注入装置において、プラテン駆動モータによるウェハプラテンの回転と、プラテンチルト用モータによる回転支持用の軸を中心としたウェハプラテンの回転とにより、イオンビームラインに対して、半導体ウェハに任意の角度の傾斜を与えることを特徴とするイオン注入装置。
19. 請求項１記載のイオン注入装置において、低速スキャン機構の上に、高速スキャン機構を従動させて配設したことを特徴とするイオン注入装置。
20. 請求項１記載のイオン注入装置において、低速スキャン機構の上に、高速スキャン機構を従動させて配設するとともに、低速スキャン機構の駆動部分よりも上方位置でウェハプラテンが高速スキャンされるよう配設したことを特徴とするイオン注入装置。
21. 請求項２記載のイオン注入装置において、横方向の高速スキャン往復運動を、イオンビームを中心に左右均等のストロークとなるよう構成したことを特徴とするイオン注入装置。
22. 請求項２１記載のイオン注入装置において、前記定速スキャン範囲に対してその前後の加減速範囲を小さくして、横方向の高速スキャン往復運動のストロークを全体として小さくなるように構成したことを特徴とするイオン注入装置。

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