JP3716700B2 - イオン源およびその運転方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマ生成容器内にフィラメントおよび反射電極を有すると共に、フィラメントと反射電極とを結ぶ方向に磁界を印加する構造をしている、いわゆるバーナス(Bernus)型のイオン源およびその運転方法に関し、より具体的には、イオンビーム中の分子イオンの比率を高める手段に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種のイオン源の一例が、例えば特開平11−339674号公報に開示されている。それを図3および図4を参照して説明する。
【0003】
このイオン源は、陽極を兼ねていてガス導入口6からイオン源ガスが導入されるプラズマ生成容器2と、このプラズマ生成容器2の一方側内にその壁面を貫通して設けられたU字状のフィラメント8と、プラズマ生成容器2の他方側内にフィラメント8に向けて設けられた反射電極10とを備えている。24および30は絶縁体である。
【0004】
プラズマ生成容器2の壁面には、フィラメント8と反射電極10とを結ぶ方向に長いイオン引出しスリット4が設けられている。このイオン引出しスリット4の出口付近には、プラズマ生成容器2内から(より具体的にはそこに生成されるプラズマ12から)イオンビーム16を引き出す引出し電極14が設けられている。
【0005】
プラズマ生成容器2の外部には、プラズマ生成容器2内に、フィラメント8と反射電極10とを結ぶ方向に磁界19を発生させる磁石18が設けられている。磁石18は、例えば電磁石であるが、永久磁石でも良い。磁界19の向きは図示例とは逆向きでも良い。
【0006】
なお、フィラメント8の向きは、図3はフィラメント電源20との接続を明らかにするために便宜的に示したものであり、実際上は図4に示すように、U字状に曲げたフィラメント8を含む面がイオン引出しスリット4にほぼ平行になるように配置されている。
【0007】
フィラメント8の両端には、フィラメント8を加熱するためのフィラメント電源20が接続される。フィラメント8の一端とプラズマ生成容器2との間には、両者8、2間にアーク電圧VA を印加して両者8、2間でアーク放電を生じさせて、イオン源ガスを電離させてプラズマ12を生じさせるためのアーク電源22が接続される。
【0008】
反射電極10は、フィラメント8から放出された電子をはね返す作用をするものであり、図示例のようにどこにも接続せずに浮遊電位にしても良いし、フィラメント8に接続してフィラメント電位に固定しても良い。このような反射電極10を設けると、フィラメント8から放出された電子は、プラズマ生成容器2内に印加されている磁界19およびアーク電圧VA による電界の作用を受けて、磁界19の方向を軸として磁界19中で旋回しながらフィラメント8と反射電極10との間を往復運動するようになり、その結果当該電子とガス分子との衝突確率が高くなってイオン源ガスの電離効率が高まるので、プラズマ12の生成効率が高まる。
【0009】
更に従来は、フィラメント8から放出された電子がプラズマ生成容器2の壁面に衝突するまでの寿命を延ばしてプラズマ12の生成効率を高めるために、フィラメント8の先端中央付近にある最多電子放出点9からプラズマ生成容器2の壁面までの最短距離Lよりも、磁界19中での上記電子のラーモア半径R(後述する数2参照)が小さくなるように、プラズマ生成容器2内における磁界19の磁束密度B等を設定しているのが一般的である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記イオン源から引き出すイオンビーム16中には、単原子イオン(例えばP+ 、As+ )の他に、分子状のイオンである分子イオン(例えばP2 + 、As2 +
)も含まれている。分子イオンには、例えば二原子から成る二原子イオンや、三原子から成る三原子イオン等がある。
【0011】
分子イオンは、単原子イオンに比べて次のような利点がある。即ち、(1)分子イオンは、単原子イオンに比べて発散が少ないので輸送効率が向上する。(2)分子イオンをターゲットに注入する場合、複数原子が注入されるので、同じビーム電流の場合、実質的に単原子イオンの複数倍の注入量(ドーズ量)を得ることができる。(3)逆に同じ注入量の場合、分子イオンは単原子イオンに比べてビーム電流が少なくて済むので、ターゲットに入射する電荷量が少なくて済み、ターゲットのチャージアップ(帯電)を抑制する効果が期待できる。
【0012】
このような観点からは、イオンビーム中の分子イオンの比率が高い方が好ましい。そこでこの発明は、イオンビーム中の分子イオンの比率を高めることを主たる目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るイオン源は、前記プラズマ生成容器とフィラメントとの間に印加されるアーク電圧をVA [V]、前記プラズマ生成容器内における磁界の磁束密度をB[T]、前記フィラメントの先端中央付近にある最多電子放出点からプラズマ生成容器の壁面までの最短距離をL[m]としたとき、これらを次式の関係を満たすように設定していることを特徴としている。
【0014】
【数1】
L<3.37B-1√(VA )×10-6
【0015】
この発明に係るイオン源の運転方法は、前記プラズマ生成容器とフィラメントとの間に印加されるアーク電圧をVA [V]、前記プラズマ生成容器内における磁界の磁束密度をB[T]、前記フィラメントの先端中央付近にある最多電子放出点からプラズマ生成容器の壁面までの最短距離をL[m]としたとき、これらを上記数1の関係を満たすように設定してイオンビームを引き出すことを特徴としている。
【0016】
プラズマ生成容器内に生成されるプラズマの内部では、電子、イオン、原子、分子等による各種物理衝突、分子解離、化学反応等が起こり、絶えず分子イオンの生成および消滅が繰り返されている。この生成された分子イオンを解離させないためには、数eV以上の高いエネルギーを持つ電子の存在確率をできるだけ下げることが有効である。
【0017】
フィラメントから放出された電子のプラズマ生成容器内での磁界中における旋回運動のラーモア半径Rは、次式で表される。BとVA は前述のとおりであり、mは電子の質量、eは電気素量である。
【0018】
【数2】
R=B-1√(2mVA /e)≒3.37B-1√(VA )×10-6 [m]
【0019】
即ち、上記数1の右辺は、この電子のラーモア半径Rを表しており、上記数1はL<Rを表している。このような条件に設定しておくと、高いエネルギーを持つ電子がプラズマ生成容器の壁面に衝突して消滅する確率が高くなるので、エネルギーの高い電子の寿命(存在確率)を下げることが可能になり、それによって上述したようにプラズマ中の分子イオンの比率を高めることができる。その結果、イオンビーム中の分子イオンの比率を高めることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明に係るイオン源の一例を示す断面図である。図3および図4に示した例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては従来例との相違点を主に説明する。
【0021】
このイオン源の基本的な構造は図3の従来例と同様であるけれども、このイオン源では、アーク電源22からプラズマ生成容器2とフィラメント8との間に印加されるアーク電圧をVA [V]、磁石18によるプラズマ生成容器2内における磁界19の磁束密度をB[T]、フィラメント8の先端中央付近にある最多電子放出点9からプラズマ生成容器2の壁面までの最短距離をL[m]としたとき、これらVA 、BおよびLを、上記数1の関係を満たすように設定している。この点が図3の従来例と大きく異なる。
【0022】
換言すれば、このイオン源を運転するとき、上記数1の関係を満たすように設定してイオンビーム16を引き出す。
【0023】
上記最多電子放出点9は、U字状のフィラメント8の先端中央が最も温度が高いのでその付近にある。但し、フィラメント8からの電子放出には、熱電子放出に加えて、プラズマ12中のイオンのスパッタによる電子放出もある。熱電子放出が最も多いのは、最も高温になるフィラメント8の先端中央である。スパッタによる電子放出が最も多いのは、フィラメント電源20からのフィラメント電圧の影響を受けて、フィラメント8の先端中央から若干フィラメント電源20の陰極側にずれることがある。このような影響を受けて、最多電子放出点9はフィラメント8の先端中央から若干(例えば数mm程度)陰極側にずれることがある。この場合も含めて、この明細書では、最多電子放出点9はフィラメント8の先端中央付近にあると言っている。
【0024】
上記数1の関係を満たす具体的な手段としては、例えば、上記磁束密度Bを調整すれば良い。例えば上記磁石18を電磁石で構成しておけば、この調整は容易である。
【0025】
上記数1の関係を満たすように設定しておくと、上記最短距離Lよりも電子のラーモア半径Rの方が大きくなって、例えば数eV以上という高いエネルギーを持つ電子がプラズマ生成容器2の壁面に衝突して消滅する確率が高くなるので、エネルギーの高い電子の寿命を下げることが可能になり、それによって上述したようにプラズマ12中の分子イオンの比率を高めることができる。その結果、イオンビーム16中の分子イオンの比率を高めることができる。ひいては、分子イオンを利用する場合の前述した(1)輸送効率の向上、(2)実注入量の増加、および(3)チャージアップの抑制、という利点を生かす上で有利になる。
【0026】
なお、このようにすると、プラズマ12全体の生成効率が低下してイオンビーム16全体の量が減少する可能性はあるけれども、それは、フィラメント電流を増やす等して、プラズマ12への投入パワーを増やすことによって補うことができる。そのようにすればイオンビーム16全体の量を増やすことができる。その場合でも、この発明によればイオンビーム16中の分子イオンの比率を高めることができるので、分子イオンを多く得ることができる。
【0027】
【実施例】
上記磁石18を電磁石としてそのコイル電流を変化させてプラズマ生成容器2内の磁束密度Bを変化させたときの、イオンビーム16中に含まれる着目イオンの電流比を測定した結果の一例を図2に示す。縦軸のイオン電流比は、着目イオン電流の全ビーム電流に対する比率である。
【0028】
同図中の三角印は、プラズマ生成容器2にイオン源ガスとしてPH3 を導入してリンイオンを含むイオンビーム16を引き出したときの例であり、丸印はAsH3 を導入してヒ素イオンを含むイオンビーム16を引き出したときの例である。
【0029】
従来は前述したようにL>Rの領域を用いていたのであるが、この発明に従ってL<Rの領域を用いることによって、二分子イオン(P2 + 、As2 + )の比率を従来よりもかなり高めることができた。同比率は、最大で50%近くに達している。
【0030】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、上記のような関係を満たすように設定することによって、高いエネルギーを持つ電子がプラズマ生成容器の壁面に衝突して消滅する確率が高くなるので、エネルギーの高い電子の寿命を下げることが可能になり、それによってプラズマ中の分子イオンの比率を高めることができる。その結果、イオンビーム中の分子イオンの比率を高めることができる。ひいては、分子イオンを利用する場合の(1)輸送効率の向上、(2)実注入量の増加、および(3)チャージアップの抑制、という利点を生かす上で有利になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオン源の一例を示す断面図である。
【図2】磁石のコイル電流を変化させてプラズマ生成容器内の磁束密度を変化させたときの、イオンビーム中に含まれる着目イオンの電流比の測定結果の一例を示す図である。
【図3】従来のイオン源の一例を示す断面図である。
【図4】プラズマ生成容器内のフィラメントの配置例を示す断面図であり、図1および図3のC−C断面に相当する。
【符号の説明】
2 プラズマ生成容器
8 フィラメント
9 最多電子放出点
10 反射電極
12 プラズマ
16 イオンビーム
18 磁石
19 磁界
Claims (2)
- アノードを兼ねるプラズマ生成容器と、このプラズマ生成容器の一方側内に設けられたフィラメントと、前記プラズマ生成容器の他方側内にフィラメントに向けて設けられていてフィラメント電位または浮遊電位に保たれる反射電極と、前記プラズマ生成容器内に前記フィラメントと反射電極とを結ぶ方向に磁界を発生させる磁石とを備えるイオン源において、前記プラズマ生成容器とフィラメントとの間に印加されるアーク電圧をVA [V]、前記プラズマ生成容器内における磁界の磁束密度をB[T]、前記フィラメントの先端中央付近にある最多電子放出点からプラズマ生成容器の壁面までの最短距離をL[m]としたとき、これらを、
L<3.37B-1√(VA )×10-6
なる関係を満たすように設定していることを特徴とするイオン源。 - アノードを兼ねるプラズマ生成容器と、このプラズマ生成容器の一方側内に設けられたフィラメントと、前記プラズマ生成容器の他方側内にフィラメントに向けて設けられていてフィラメント電位または浮遊電位に保たれる反射電極と、前記プラズマ生成容器内に前記フィラメントと反射電極とを結ぶ方向に磁界を発生させる磁石とを備えるイオン源において、前記プラズマ生成容器とフィラメントとの間に印加されるアーク電圧をVA [V]、前記プラズマ生成容器内における磁界の磁束密度をB[T]、前記フィラメントの先端中央付近にある最多電子放出点からプラズマ生成容器の壁面までの最短距離をL[m]としたとき、これらを、
L<3.37B-1√(VA )×10-6
なる関係を満たすように設定してイオンビームを引き出すことを特徴とするイオン源の運転方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000048470A JP3716700B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | イオン源およびその運転方法 |
US09/773,664 US6797964B2 (en) | 2000-02-25 | 2001-02-02 | Ion source and operation method thereof |
GB0102633A GB2360390B (en) | 2000-02-25 | 2001-02-02 | Ion source and operation method thereof |
KR1020010007400A KR100642353B1 (ko) | 2000-02-25 | 2001-02-15 | 이온 소스 및 그 동작방법 |
CN01104953A CN1312578A (zh) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | 离子源及其操作方法 |
TW090104148A TW486713B (en) | 2000-02-25 | 2001-02-23 | Ion source and operation method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000048470A JP3716700B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | イオン源およびその運転方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001236897A JP2001236897A (ja) | 2001-08-31 |
JP3716700B2 true JP3716700B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=18570552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000048470A Expired - Fee Related JP3716700B2 (ja) | 2000-02-25 | 2000-02-25 | イオン源およびその運転方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6797964B2 (ja) |
JP (1) | JP3716700B2 (ja) |
KR (1) | KR100642353B1 (ja) |
CN (1) | CN1312578A (ja) |
GB (1) | GB2360390B (ja) |
TW (1) | TW486713B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6176977B1 (en) | 1998-11-05 | 2001-01-23 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter-conditioner |
US20050210902A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-29 | Sharper Image Corporation | Electro-kinetic air transporter and/or conditioner devices with features for cleaning emitter electrodes |
US20030206837A1 (en) | 1998-11-05 | 2003-11-06 | Taylor Charles E. | Electro-kinetic air transporter and conditioner device with enhanced maintenance features and enhanced anti-microorganism capability |
US7695690B2 (en) | 1998-11-05 | 2010-04-13 | Tessera, Inc. | Air treatment apparatus having multiple downstream electrodes |
US7247863B2 (en) * | 2000-10-20 | 2007-07-24 | Axcellis Technologies, Inc. | System and method for rapidly controlling the output of an ion source for ion implantation |
JP3797160B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2006-07-12 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源およびその運転方法 |
JP3374842B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2003-02-10 | 日新電機株式会社 | インジウムイオンビームの発生方法および関連装置 |
JP4175604B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2008-11-05 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源 |
JP2004165034A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源のフィラメント寿命予測方法およびイオン源装置 |
US7906080B1 (en) | 2003-09-05 | 2011-03-15 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a liquid holder and a bipolar ionization device |
US7724492B2 (en) | 2003-09-05 | 2010-05-25 | Tessera, Inc. | Emitter electrode having a strip shape |
US7767169B2 (en) | 2003-12-11 | 2010-08-03 | Sharper Image Acquisition Llc | Electro-kinetic air transporter-conditioner system and method to oxidize volatile organic compounds |
CN100481306C (zh) * | 2003-12-22 | 2009-04-22 | 中国科学院半导体研究所 | 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 |
US20060016333A1 (en) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Sharper Image Corporation | Air conditioner device with removable driver electrodes |
KR100585160B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 이온 전류 밀도를 향상시킬 수 있는 아크 챔버를 갖는이온 주입 장치 |
JP4111186B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2008-07-02 | 日新電機株式会社 | イオン照射装置 |
US7446326B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving ion implanter productivity |
US7833322B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-16 | Sharper Image Acquisition Llc | Air treatment apparatus having a voltage control device responsive to current sensing |
US7714306B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8253118B2 (en) | 2009-10-14 | 2012-08-28 | Fei Company | Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes |
JP2013004272A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源およびイオン注入装置 |
WO2014050401A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | レンズ駆動装置及び方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4754200A (en) * | 1985-09-09 | 1988-06-28 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for ion source control in ion implanters |
US4743804A (en) * | 1986-04-25 | 1988-05-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | E-beam ionized channel guiding of an intense relativistic electron beam |
GB2230644B (en) * | 1989-02-16 | 1994-03-23 | Tokyo Electron Ltd | Electron beam excitation ion source |
KR0148385B1 (ko) | 1990-01-30 | 1998-10-15 | 이노우에 키요시 | 이온 발생장치 |
US5079481A (en) * | 1990-08-02 | 1992-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Plasma-assisted processing magneton with magnetic field adjustment |
US5455081A (en) * | 1990-09-25 | 1995-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip |
GB9021629D0 (en) * | 1990-10-04 | 1990-11-21 | Superion Ltd | Apparatus for and method of producing ion beams |
US5262652A (en) * | 1991-05-14 | 1993-11-16 | Applied Materials, Inc. | Ion implantation apparatus having increased source lifetime |
JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
JP3075129B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2000-08-07 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
JPH0935648A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
US5977552A (en) * | 1995-11-24 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Boron ion sources for ion implantation apparatus |
US6335534B1 (en) * | 1998-04-17 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes |
JPH11339674A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源 |
US6151384A (en) * | 1998-07-14 | 2000-11-21 | Sandia Corporation | X-ray tube with magnetic electron steering |
US6037717A (en) * | 1999-01-04 | 2000-03-14 | Advanced Ion Technology, Inc. | Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam |
-
2000
- 2000-02-25 JP JP2000048470A patent/JP3716700B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-02 GB GB0102633A patent/GB2360390B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-02 US US09/773,664 patent/US6797964B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-15 KR KR1020010007400A patent/KR100642353B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-23 TW TW090104148A patent/TW486713B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-23 CN CN01104953A patent/CN1312578A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0102633D0 (en) | 2001-03-21 |
JP2001236897A (ja) | 2001-08-31 |
US6797964B2 (en) | 2004-09-28 |
US20010017353A1 (en) | 2001-08-30 |
KR20010085391A (ko) | 2001-09-07 |
KR100642353B1 (ko) | 2006-11-03 |
GB2360390A (en) | 2001-09-19 |
GB2360390B (en) | 2004-04-07 |
CN1312578A (zh) | 2001-09-12 |
TW486713B (en) | 2002-05-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050727 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090909 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100909 Year of fee payment: 5 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100909 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110909 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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