JP3687623B2 - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は精密電子部品である半導体装置用テープキャリア、特に絶縁フィルム上に設けた銅箔の配線パターン上にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリイミド樹脂に銅被覆を施す方法としては、従来はポリイミド樹脂と銅箔とを接着剤によって貼り合せる方法が採用されていた。すなわち、従来のテープキャリアの構造は、ポリイミド樹脂フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼り合わせ、この銅箔をパターニングして銅リードを含む配線パターンを形成する。
【０００３】
ただし、この構造によるときは、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を使用しているにも拘わらず、テープキャリア全体としての耐熱性が、接着剤の性能に制限されてしまう。そこで、最近ではポリイミド樹脂表面に接着剤を介さずに直接銅箔を被覆する方法が開発され実施されている。この方法はポリイミド樹脂表面にスパッタリング等によって直接銅皮膜層を形成させるものである。
【０００４】
上記のようにして、銅リードを形成した基板はさらに液中に銅の錯化剤を含有する置換析出型の無電解めっきを施して、回路上に置換金属を析出させることが行なわれている。すなわち、図５に示すように、銅リード（インナーリード）２１に安定した接合性を与えるために、配線パターン２０上に無電解スズめっき層２２を形成した構造である。しかし、基板にこのような置換析出型の無電解めっきを施した場合には、銅リード２１とポリイミド樹脂製絶縁フィルム１０との界面の銅層が侵食されて食われ部５０が生じやすく、その侵食の程度が著しい場合には、銅リード２１がポリイミド樹脂から剥離するという問題が発生し、しかもこの剥離問題を解決する技術は現在のところ確立されていない。
【０００５】
一方、配線パターンが形成されたテープキャリアには、インナーリードやはんだボール端子などの接続部分を除いて、図５に示すように、回路の保護層となるソルダーレジスト３０を塗布する。このようにしてソルダーレジスト３０を塗布した後、露出する部分である接続端子部分（銅リード２１）にスズめっき層２２を形成する。
【０００６】
しかし、このようにしてソルダーレジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズめっきを行うと、ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソルダーレジストの下面にめっき液が浸入し、局部電池を形成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図５に示すように、基材たる絶縁フィルム１０上に配線パターン３０を形成した後、ソルダーレジスト３０を塗布して乾燥硬化させ、これにスズめっき層２２を形成する際に、めっき液がソルダーレジスト３０の端部からソルダーレジスト３０の下面に浸入し、この部分で局部電池が形成され、この部分の銅箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図５にはこのえぐれた部分（食われ部）が４０で示されている。こうして食われ部４０が形成された半導体装置用テープキャリアに曲げ応力がかかると、食われ部４０に応力が集中して、最悪の場合、リード破断に至る。
【０００７】
そこで、従来より、上記食われ部４０をなくす工夫がなされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記食われ部４０や食われ部５０の生成を根本的になくすことは困難である。そこで、食われ部４０や食われ部５０の生成を許容しても、なお銅リード２１の強度を確保し得る簡易な技術の提供が望まれている。
【０００９】
そこで、本発明者等は、ソルダーレジストの流れ出しを防止して、銅リード２１の強度を確保することに想到した。
【００１０】
すなわち、従来の半導体装置用テープキャリアの場合、図６（ａ）（ｃ）に示すように、配線パターン２０における銅リード２１が平坦なパターン形状２１ａとなっており、このため、図６（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト３０の流れ出しが生じ、図６（ｂ）に流れ出し距離ａとして示すような流れ出し部３１が形成され易かった。このような流れ出しが生じた場合、例えば図５において、実線で示すソルダーレジスト３０の終端位置が、流れ出し部３１の生成により点線位置まで移動したとすると、食われ部４０の位置が流れ出し部３１の終端位置４１まで移動することになる。これは、食われ部４０の位置が絶縁フィルム１０の端部１１に近づくこと、つまり図６（ｂ）に示すデバイスホール１２の開口縁（食われ部５０）に近づくことを意味する。このため、銅リード２１が切れる又は強度不足となる等、銅リード２１の強度が確保できなくなる。そこで、この問題の解決策としては、ソルダーレジストの流れ出しを防止することが重要となる。
【００１１】
ところで、従来のソルダーレジストの塗布方法は、スクリーンマスクの形状に塗布後の流れ出しを想定した補正をかけたものを使用するものが主流となっている。本来、フォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）をスクリーン印刷し、露光を行えば、精度が向上するが、より安価な方法が求められている。
【００１２】
また、最近のソルダーレジスト塗布においては、塗布後すぐにインラインベークを施すことでソルダーレジストが流れ出す前に仮乾燥して流れ出しを抑える方法がとられている。しかし、ソルダーレジストを塗布後すぐに仮乾燥させるためには、印刷装置に仮乾燥用のインラインベーク炉を設置する必要があり、コストがかかる。また、使用しているソルダーレジストの粘度や種類の違いに起因して、塗布時にすでに発生しているソルダーレジストの流れ出しについては、インラインベークを適用しても改善することができない。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ソルダーレジスト塗布後の流れ出しを抑え、ソルダーレジストの塗布精度を向上させて、銅リードの強度を確保することが可能な半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１７】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンを屈曲させて、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部を前記銅リード上に形成したことを特徴とする。
【００１８】
請求項２の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さを一段下げて、ソルダーレジストの流れ出しを防止する凹部を形成したことを特徴とする。
【００１９】
請求項３の発明は、請求項２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さが、プレス加工により段差をつけられていることを特徴とする。
【００２０】
＜発明の要点＞
本発明は、配線パターンの形状を、機械加工により、ソルダーレジストが流れ出しにくい形状とすることで、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるものである（図２）。
【００２１】
請求項１は本発明の第一の形態に係るものであり、配線パターンの形状を、曲げ加工により、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部を形成し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるものである（図２）。
【００２２】
請求項２、３は本発明の第二の形態に係るものであり、配線パターンのソルダーレジスト塗布エリアの部分をプレス等で一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるのである（図４）。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２４】
図１は、本発明の半導体装置用テープキャリアのデバイスホール１２に臨む銅リード２１を斜視図的に示した平面図、図２は、その半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【００２５】
図１において、１０はポリイミド樹脂製の絶縁フィルムであり、この絶縁フィルム１０には、デバイスホール１２がその開口縁を端部１１として示したように長方形に形成され、このデバイスホール１２に臨ませて、インナーリードから成る銅リード２１が配設されている。
【００２６】
この銅リード２１は、絶縁フィルム１０上に直接に又はニッケルスパッタ層等の第一導電層を介して設けた銅箔をエッチングによりパターニングすることで形成した配線パターン２０の一部として設けられている。絶縁フィルム１０の領域は端部１１で終っており、この絶縁フィルム１０の端部１１よりデバイスホール１２の開口内に延びる銅リード２１の先端部分Ｂは、フライングリードとして存在している。
【００２７】
上記配線パターン２０上には、銅リード２１のデバイスホール１２に臨む端子部分Ａを除く所定の領域に、ソルダーレジスト３０が塗布されており、銅リード２１の端子部分Ａには、図２に示すように、置換析出型の無電解めっきにより、スズめっき層２２が形成されている。
【００２８】
上記ソルダーレジスト３０の塗布を精密に行わせるため、配線パターン２０は、ソルダーレジスト３０が塗布されるべき領域と、ソルダーレジスト３０で覆われずにデバイスホール１２側に存する銅リード２１の部分（端子部分Ａ）との境界部において、機械加工により屈曲されており、これにより銅リード２１上に、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部２７が形成されている。２３はこの屈曲部を示すものであり、この屈曲部２３において、絶縁フィルム１０には表面及び下面に段差２６と２５が形成され、また銅リード２１には表面及び下面に段差２５と２４が形成されている。
【００２９】
塗布したソルダーレジスト３０はこの段差２４により流れ出しが阻止されて凹部２７内に留まり、デバイスホール１２の側へ流れ出さない。従って、所望する位置に精密にソルダーレジスト３０が停留され、ソルダーレジスト３０の塗布精度が高く維持される。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置を導入すること無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リード２１の強度を確保することができる。
【００３０】
図３及び図４に本発明の他の実施形態を示す。図３は、半導体装置用テープキャリアのデバイスホール１２に臨む銅リード２１を示した平面図、図４は、その半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【００３１】
この半導体装置用テープキャリアも、絶縁フィルム１０上に銅リード２１を含む配線パターン２０を形成し、該配線パターン２０における銅リード２１のデバイスホール１２に臨む端子部分Ａを除く所定の領域にソルダーレジスト３０を塗布し、銅リード２１の端子部分Ａにスズめっき層２２を形成した構造となっている。図１及び図２のものと異なる点は、配線パターン２０のソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さを一段下げて、ソルダーレジストの流れ出しを防止する凹部２８を形成した構造となっていることである。
【００３２】
この凹部２８を形成する手段、すなわち配線パターン２０のソルダーレジスト３０の塗布部に対応する領域の高さを一段下げる加工は、プレス加工によりなされており、これにより銅リード２１の表面に凹部２８が形成されると同時に、その下面に肉薄部２１ａが形成され、また凹部２８先端側に段差２９をつけられている。図１及び図２の場合と異なり、絶縁フィルム１０及び銅リード２１には曲げによる段差は付けられていない。
【００３３】
塗布したソルダーレジスト３０は上記段差２９により流れ出しが阻止されて凹部２８内に留まり、デバイスホール１２の側へ流れ出さない。従って、所望する位置に精密にソルダーレジスト３０が停留され、ソルダーレジスト３０の塗布精度が高く維持される。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置の導入無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リード２１の強度を確保することができる。
【００３４】
上記したように、配線パターンの形状をソルダーレジストが流れ出しにくい形状とすることで、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして塗布精度を上げることができる（図２）。
【００３５】
また配線パターンのソルダーレジスト塗布エリアの部分を一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして塗布精度を上げることができる（図４）。
【００３６】
本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、(i) 配線基板のパターン形状をソルダーレジストの流れ出しを抑える形状とすることでソルダーレジストの塗布精度を向上する、(ii) パターンのソルダーレジスト塗布部の高さを一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止してソルダーレジストの塗布精度を向上する、(iii) 上記(ii) の塗布部の高さが、プレスにより段差をつけられる、(iv) ソルダーレジストの流れ出しを抑えるため、パターン形状に凸凹をつける、等の構成を採ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、配線パターンを曲げ又はプレスにより機械加工して、銅リード上に凹部又は凹凸等のソルダーレジストの流れ出し難い形状を付加したので、塗布したソルダーレジストのデバイスホール側への流れ出しを阻止し、ソルダーレジストの塗布精度を高く維持することができる。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置の導入を行うこと無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リードの強度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのデバイスホールに臨む銅リードを斜視図的に示した平面図である。
【図２】図１の半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのデバイスホールに臨む銅リードを斜視図的に示した平面図である。
【図４】図３の半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアの銅リードに生ずる食われ部を示した断面図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアの銅リードとソルダーレジストの位置関係を示したもので、（ａ）はソルダーレジストの流れ出しがない状態を示した平面図、（ｂ）は流れ出しが生じた状態を示した平面図、（ｃ）は流れ出しが生じた状態を示した断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁フィルム
１２ デバイスホール
２０ 配線パターン
２１ 銅リード（インナーリード）
２２ スズめっき層
２３ 屈曲部
２４〜２６、２９ 段差
２７、２８ 凹部
３０ ソルダーレジスト
３１ 流れ出し部
４０ 食われ部
５０ 食われ部
【発明の属する技術分野】
本発明は精密電子部品である半導体装置用テープキャリア、特に絶縁フィルム上に設けた銅箔の配線パターン上にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリイミド樹脂に銅被覆を施す方法としては、従来はポリイミド樹脂と銅箔とを接着剤によって貼り合せる方法が採用されていた。すなわち、従来のテープキャリアの構造は、ポリイミド樹脂フィルムに接着剤層を介して銅箔を貼り合わせ、この銅箔をパターニングして銅リードを含む配線パターンを形成する。
【０００３】
ただし、この構造によるときは、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を使用しているにも拘わらず、テープキャリア全体としての耐熱性が、接着剤の性能に制限されてしまう。そこで、最近ではポリイミド樹脂表面に接着剤を介さずに直接銅箔を被覆する方法が開発され実施されている。この方法はポリイミド樹脂表面にスパッタリング等によって直接銅皮膜層を形成させるものである。
【０００４】
上記のようにして、銅リードを形成した基板はさらに液中に銅の錯化剤を含有する置換析出型の無電解めっきを施して、回路上に置換金属を析出させることが行なわれている。すなわち、図５に示すように、銅リード（インナーリード）２１に安定した接合性を与えるために、配線パターン２０上に無電解スズめっき層２２を形成した構造である。しかし、基板にこのような置換析出型の無電解めっきを施した場合には、銅リード２１とポリイミド樹脂製絶縁フィルム１０との界面の銅層が侵食されて食われ部５０が生じやすく、その侵食の程度が著しい場合には、銅リード２１がポリイミド樹脂から剥離するという問題が発生し、しかもこの剥離問題を解決する技術は現在のところ確立されていない。
【０００５】
一方、配線パターンが形成されたテープキャリアには、インナーリードやはんだボール端子などの接続部分を除いて、図５に示すように、回路の保護層となるソルダーレジスト３０を塗布する。このようにしてソルダーレジスト３０を塗布した後、露出する部分である接続端子部分（銅リード２１）にスズめっき層２２を形成する。
【０００６】
しかし、このようにしてソルダーレジストを塗布し、乾燥硬化させた後スズめっきを行うと、ソルダーレジストの端部から配線パターンに沿ってソルダーレジストの下面にめっき液が浸入し、局部電池を形成してこの部分の銅が溶出する。すなわち、図５に示すように、基材たる絶縁フィルム１０上に配線パターン３０を形成した後、ソルダーレジスト３０を塗布して乾燥硬化させ、これにスズめっき層２２を形成する際に、めっき液がソルダーレジスト３０の端部からソルダーレジスト３０の下面に浸入し、この部分で局部電池が形成され、この部分の銅箔が溝状にえぐれた孔蝕が形成されてしまう。図５にはこのえぐれた部分（食われ部）が４０で示されている。こうして食われ部４０が形成された半導体装置用テープキャリアに曲げ応力がかかると、食われ部４０に応力が集中して、最悪の場合、リード破断に至る。
【０００７】
そこで、従来より、上記食われ部４０をなくす工夫がなされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記食われ部４０や食われ部５０の生成を根本的になくすことは困難である。そこで、食われ部４０や食われ部５０の生成を許容しても、なお銅リード２１の強度を確保し得る簡易な技術の提供が望まれている。
【０００９】
そこで、本発明者等は、ソルダーレジストの流れ出しを防止して、銅リード２１の強度を確保することに想到した。
【００１０】
すなわち、従来の半導体装置用テープキャリアの場合、図６（ａ）（ｃ）に示すように、配線パターン２０における銅リード２１が平坦なパターン形状２１ａとなっており、このため、図６（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト３０の流れ出しが生じ、図６（ｂ）に流れ出し距離ａとして示すような流れ出し部３１が形成され易かった。このような流れ出しが生じた場合、例えば図５において、実線で示すソルダーレジスト３０の終端位置が、流れ出し部３１の生成により点線位置まで移動したとすると、食われ部４０の位置が流れ出し部３１の終端位置４１まで移動することになる。これは、食われ部４０の位置が絶縁フィルム１０の端部１１に近づくこと、つまり図６（ｂ）に示すデバイスホール１２の開口縁（食われ部５０）に近づくことを意味する。このため、銅リード２１が切れる又は強度不足となる等、銅リード２１の強度が確保できなくなる。そこで、この問題の解決策としては、ソルダーレジストの流れ出しを防止することが重要となる。
【００１１】
ところで、従来のソルダーレジストの塗布方法は、スクリーンマスクの形状に塗布後の流れ出しを想定した補正をかけたものを使用するものが主流となっている。本来、フォトソルダーレジスト（ＰＳＲ）をスクリーン印刷し、露光を行えば、精度が向上するが、より安価な方法が求められている。
【００１２】
また、最近のソルダーレジスト塗布においては、塗布後すぐにインラインベークを施すことでソルダーレジストが流れ出す前に仮乾燥して流れ出しを抑える方法がとられている。しかし、ソルダーレジストを塗布後すぐに仮乾燥させるためには、印刷装置に仮乾燥用のインラインベーク炉を設置する必要があり、コストがかかる。また、使用しているソルダーレジストの粘度や種類の違いに起因して、塗布時にすでに発生しているソルダーレジストの流れ出しについては、インラインベークを適用しても改善することができない。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ソルダーレジスト塗布後の流れ出しを抑え、ソルダーレジストの塗布精度を向上させて、銅リードの強度を確保することが可能な半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１７】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンを屈曲させて、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部を前記銅リード上に形成したことを特徴とする。
【００１８】
請求項２の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さを一段下げて、ソルダーレジストの流れ出しを防止する凹部を形成したことを特徴とする。
【００１９】
請求項３の発明は、請求項２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さが、プレス加工により段差をつけられていることを特徴とする。
【００２０】
＜発明の要点＞
本発明は、配線パターンの形状を、機械加工により、ソルダーレジストが流れ出しにくい形状とすることで、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるものである（図２）。
【００２１】
請求項１は本発明の第一の形態に係るものであり、配線パターンの形状を、曲げ加工により、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部を形成し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるものである（図２）。
【００２２】
請求項２、３は本発明の第二の形態に係るものであり、配線パターンのソルダーレジスト塗布エリアの部分をプレス等で一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして、塗布精度を上げるのである（図４）。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００２４】
図１は、本発明の半導体装置用テープキャリアのデバイスホール１２に臨む銅リード２１を斜視図的に示した平面図、図２は、その半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【００２５】
図１において、１０はポリイミド樹脂製の絶縁フィルムであり、この絶縁フィルム１０には、デバイスホール１２がその開口縁を端部１１として示したように長方形に形成され、このデバイスホール１２に臨ませて、インナーリードから成る銅リード２１が配設されている。
【００２６】
この銅リード２１は、絶縁フィルム１０上に直接に又はニッケルスパッタ層等の第一導電層を介して設けた銅箔をエッチングによりパターニングすることで形成した配線パターン２０の一部として設けられている。絶縁フィルム１０の領域は端部１１で終っており、この絶縁フィルム１０の端部１１よりデバイスホール１２の開口内に延びる銅リード２１の先端部分Ｂは、フライングリードとして存在している。
【００２７】
上記配線パターン２０上には、銅リード２１のデバイスホール１２に臨む端子部分Ａを除く所定の領域に、ソルダーレジスト３０が塗布されており、銅リード２１の端子部分Ａには、図２に示すように、置換析出型の無電解めっきにより、スズめっき層２２が形成されている。
【００２８】
上記ソルダーレジスト３０の塗布を精密に行わせるため、配線パターン２０は、ソルダーレジスト３０が塗布されるべき領域と、ソルダーレジスト３０で覆われずにデバイスホール１２側に存する銅リード２１の部分（端子部分Ａ）との境界部において、機械加工により屈曲されており、これにより銅リード２１上に、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部２７が形成されている。２３はこの屈曲部を示すものであり、この屈曲部２３において、絶縁フィルム１０には表面及び下面に段差２６と２５が形成され、また銅リード２１には表面及び下面に段差２５と２４が形成されている。
【００２９】
塗布したソルダーレジスト３０はこの段差２４により流れ出しが阻止されて凹部２７内に留まり、デバイスホール１２の側へ流れ出さない。従って、所望する位置に精密にソルダーレジスト３０が停留され、ソルダーレジスト３０の塗布精度が高く維持される。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置を導入すること無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リード２１の強度を確保することができる。
【００３０】
図３及び図４に本発明の他の実施形態を示す。図３は、半導体装置用テープキャリアのデバイスホール１２に臨む銅リード２１を示した平面図、図４は、その半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【００３１】
この半導体装置用テープキャリアも、絶縁フィルム１０上に銅リード２１を含む配線パターン２０を形成し、該配線パターン２０における銅リード２１のデバイスホール１２に臨む端子部分Ａを除く所定の領域にソルダーレジスト３０を塗布し、銅リード２１の端子部分Ａにスズめっき層２２を形成した構造となっている。図１及び図２のものと異なる点は、配線パターン２０のソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さを一段下げて、ソルダーレジストの流れ出しを防止する凹部２８を形成した構造となっていることである。
【００３２】
この凹部２８を形成する手段、すなわち配線パターン２０のソルダーレジスト３０の塗布部に対応する領域の高さを一段下げる加工は、プレス加工によりなされており、これにより銅リード２１の表面に凹部２８が形成されると同時に、その下面に肉薄部２１ａが形成され、また凹部２８先端側に段差２９をつけられている。図１及び図２の場合と異なり、絶縁フィルム１０及び銅リード２１には曲げによる段差は付けられていない。
【００３３】
塗布したソルダーレジスト３０は上記段差２９により流れ出しが阻止されて凹部２８内に留まり、デバイスホール１２の側へ流れ出さない。従って、所望する位置に精密にソルダーレジスト３０が停留され、ソルダーレジスト３０の塗布精度が高く維持される。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置の導入無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リード２１の強度を確保することができる。
【００３４】
上記したように、配線パターンの形状をソルダーレジストが流れ出しにくい形状とすることで、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして塗布精度を上げることができる（図２）。
【００３５】
また配線パターンのソルダーレジスト塗布エリアの部分を一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止し、ソルダーレジスト印刷版の設定通りの形状に仕上がる様にして塗布精度を上げることができる（図４）。
【００３６】
本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、(i) 配線基板のパターン形状をソルダーレジストの流れ出しを抑える形状とすることでソルダーレジストの塗布精度を向上する、(ii) パターンのソルダーレジスト塗布部の高さを一段下げておくことで、ソルダーレジストの流れ出しを防止してソルダーレジストの塗布精度を向上する、(iii) 上記(ii) の塗布部の高さが、プレスにより段差をつけられる、(iv) ソルダーレジストの流れ出しを抑えるため、パターン形状に凸凹をつける、等の構成を採ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、配線パターンを曲げ又はプレスにより機械加工して、銅リード上に凹部又は凹凸等のソルダーレジストの流れ出し難い形状を付加したので、塗布したソルダーレジストのデバイスホール側への流れ出しを阻止し、ソルダーレジストの塗布精度を高く維持することができる。すなわち、ソルダーレジスト塗布装置の改造や新規装置の導入を行うこと無しに、ソルダーレジストの塗布精度を向上させることが可能になる。よって、図５で説明した、食われ部４０が絶縁フィルム１０の端部に近づくことを防止して、銅リードの強度を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのデバイスホールに臨む銅リードを斜視図的に示した平面図である。
【図２】図１の半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのデバイスホールに臨む銅リードを斜視図的に示した平面図である。
【図４】図３の半導体装置用テープキャリアの配線パターンの部分断面図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアの銅リードに生ずる食われ部を示した断面図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアの銅リードとソルダーレジストの位置関係を示したもので、（ａ）はソルダーレジストの流れ出しがない状態を示した平面図、（ｂ）は流れ出しが生じた状態を示した平面図、（ｃ）は流れ出しが生じた状態を示した断面図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁フィルム
１２ デバイスホール
２０ 配線パターン
２１ 銅リード（インナーリード）
２２ スズめっき層
２３ 屈曲部
２４〜２６、２９ 段差
２７、２８ 凹部
３０ ソルダーレジスト
３１ 流れ出し部
４０ 食われ部
５０ 食われ部
Claims (3)
- 絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンを屈曲させて、ソルダーレジストの流れ出しを抑える凹部を前記銅リード上に形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
- 絶縁フィルム上に銅リードを含む配線パターンを形成し、該配線パターンにおける前記銅リードのデバイスホールに臨む端子部分を除く所定の領域にソルダーレジストを塗布し、前記銅リードの端子部分にスズめっき層を形成した半導体用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さを一段下げて、ソルダーレジストの流れ出しを防止する凹部を形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
- 請求項２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記配線パターンのソルダーレジスト塗布部に対応する領域の高さが、プレス加工により段差をつけられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
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