JP3682046B2 - 圧力センサおよび圧力系統および圧力センサの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力センサの分野および圧力センサの製造分野に関する。本発明はまた、圧力センサを他のデバイスおよびシステムに組み込む分野にも関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の圧力センサは、特定圧力の維持が重要なデバイスまたはシステムにおける圧力を監視または制御するために、多種多様な用途に使用されている。しかし、従来の圧力センサは比較的大型である。
【0003】
したがって、従来の圧力センサは他のデバイスと集積することが容易ではなかった。従来の圧力センサは、載置面積が小さいものであっても、たとえば超小型電子デバイスとの集積は難しい。さらに、従来の圧力センサは、微小電子機械システム(MEMS)、すなわち超小型電子機器を備えた可動部を含む機械構造との集積も難しい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、他のデバイス、たとえば超小型電子デバイスとの集積が容易な圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施形態によれば、圧力センサは、圧力に応答して撓む第1の膜と、第1の膜で覆われた参照空洞であって、内部が真空になった参照空洞と、第1の膜に隣接し参照空洞の内部にない第2の膜とを備えることができる。第1および第2の膜はコンデンサを形成し、その静電容量は第1の膜の撓みおよび圧力に従って変化する。
【0006】
【発明の実施の形態】
以下の説明において、添付の図面は、本発明の実施形態を示し、本明細書の一部をなす。図面は、以下の説明を併せて、本発明の原理を具体的に説明する。示される実施形態は、本発明の例であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【0007】
図面を通して、同一の参照符号は、必ずしも同一とは限らないが等価な要素を指す。
【0008】
一実施形態では、本発明は、圧力に応答して撓む第1の膜と、第1の膜で覆われた内部が真空になった参照空洞と、第1の膜に隣接した第2の膜とを備える圧力センサとなし得る。第1および第2の膜は、第1の膜の撓みおよび圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成する。
【0009】
別の実施形態では、本発明は、加圧環境において圧力を調整する圧力調整器と、加圧環境に配置されるかまたは加圧環境に連通して、加圧環境における圧力の指示を出力する圧力センサとを備える圧力系統であって、圧力調整器は、圧力センサからの出力に応答して動作するように構成される圧力系統であることができる。上述した本発明の原理による圧力センサは、圧力に応答して撓む第1の膜と、第1の膜で覆われた内部が真空になった参照空洞と、第1の膜に隣接する第2の膜とを備え、第1および第2の膜は、第1の膜の撓みおよび圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成する。
【0010】
別の実施形態では、本発明は、微小電子機械システム(MEMS)と集積された圧力センサであることができる。この集積デバイスは、好ましくは、シリコン基板、基板上または基板に形成されたMEMS、および基板に形成された圧力センサを備える。上述した本発明の原理による圧力センサは、圧力に応答して撓む第1の膜と、第1の膜で覆われた内部が真空になった参照空洞と、第1の膜に隣接する第2の膜とを備え、第1および第2の膜は、第1の膜の撓みおよび圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成する。
【0011】
別の実施形態では、本発明は、ARS(atomic resolution storage)デバイスと集積された圧力センサであることができる。この集積デバイスは、好ましくは、第1の基板、第1の基板に形成されたARSデバイス、および第1の基板に形成された圧力センサを備える。上述した本発明の原理による圧力センサは、圧力に応答して撓む第1の膜と、第1の膜で覆われた内部が真空になった参照空洞と、第1の膜に隣接する第2の膜とを備え、第1および第2の膜は、第1の膜の撓みおよび圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成する。
【0012】
本発明はまた、シリコン基板をエッチングして、参照空洞、第1の膜、および第2の膜を形成することによって圧力センサを製造る方法も包含する。より具体的には、本発明の原理による方法は、電気接続を備える第2の基板に第1の基板を接着することと、第1の基板をエッチングして第1の膜、第1の膜に隣接してそこから離間された第2の膜、および前記第1の膜によって接着された参照空洞を形成することであって、第1および第2の膜は第2の基板上の接続との電気接続に配置されることと、および第3の基板を第1の基板に接着して参照空洞内に真空を密閉することとによって圧力センサを製造る方法であることができる。
【0013】
最後に、別の実施形態では、本発明は、電気接続を有する第2の基板に第1の基板を接着することと、第1の基板をエッチングして第1の膜、第1の膜に隣接してそこから離間された第2の膜、および前記第1の膜によって接着された参照空洞、およびARSデバイスのフレクチュア(flexture)を形成することであって、第1および第2の膜は第2の基板上の接続との電気接続に配置されることと、第3の基板を第1の基板に接着して参照空洞およびARS装置に真空を密閉することと、ならびにARSデバイスにエミッタ空洞を設けること、によって圧力センサおよびARS(Atomic Resolution Storage)デバイスを一体的に製造る方法であることができる。
【0014】
本発明は、とりわけ、極微デバイスおよび超小型電子デバイスへとの集積がより容易な改良型圧力センサを提供する。図1aは、本発明の一実施形態による圧力センサの断面図である。
【0015】
図1aに示すように、本発明の原理による圧力センサ100は、第1のシリコン膜であるシリコン薄膜101(以下「第1の膜101」と称する。)を備える。第1の膜101の厚さは、第1の膜101がセンサ100に加えられた圧力110に応答するとともに、この圧力に比例して撓むようなものである。第1の膜101の背後には、参照空洞103がある。密閉された参照空洞103の内部は真空である。
【0016】
第2のシリコン膜102は、第1の膜101よりも厚く可撓性の低いことが好ましく、参照空洞103の外部で第1の膜101に隣接して形成される。第1、第2の膜101、102と参照空洞103を画定する壁とは、上部基板104と下部基板105の間に支持される。接着層106が第1、第2の膜101、102を上部基板104と下部基板105の間に固定する。
【0017】
図1bは、圧力センサ100の平面図である。図1bに示すように、第1の膜101は、ポリシリコンアンカ109を使用して側面に沿って固定される。ポリシリコン台座109により、第1の膜101の両側面を、参照空洞103を画定する壁に固定する。
【0018】
図1aに戻ると、接着層106と上部基板104および下部基板105との間に誘電体層108が配置される。誘電体層下において、いずれかの基板に電気相互接続107をパターニングすることができる。図1aの実施形態では、接続107は下部基板105に設けられる。図1aに示す接続107は、誘電体層108および接着層106を貫通して、第1、第2の膜101、102それぞれに接触する。
【0019】
併せて、第1の膜101および第2の膜102は、たとえば、電気接続107を通して測定可能な特定の静電容量を有するコンデンサを形成する。様々な量の圧力110がセンサ100に加えられると、第1の膜101は加えられた圧力の量に比例して撓む。
【0020】
第1の膜101が撓むと、第1の膜101と第2の膜102の間の空間が変化する。第1の膜101と第2の膜102の間の空間の変化は、センサ100に加えられる圧力110の量に対応する。また、第1の膜101と第2の膜102の間の空間の変化により、第1、第2の膜101、102によって形成されるコンデンサの静電容量も変化する。この静電容量の変化は以下の式によって与えられる。
【0021】
△C=Co−∫∫{ε/(d0−d(x、y)}dxdy
静電容量の変化△Cは、センサ100に加えられた圧力110の量に直接関連する。したがって、加えられた圧力110の指示値は、接続107を備え、第1の膜101と第2の膜102の間の静電容量を監視する回路によって出力することが可能である。所望により、静電容量の変化から、該圧力の読み値を計算することができる。
【0022】
あるいは、第1の膜101は、圧力がかかった第1の膜101の撓みに伴って変化する圧電抵抗を有する。したがって、膜に加えられた圧力の指示値は、第1の膜101の圧電抵抗を測定することによっても得ることができる。この圧電抵抗測定値から、加えられた圧力を計算することが可能である。
【0023】
図2は、図1の圧力センサが圧力制御回路に使用される本発明の別の実施形態を示すブロック図である。図2に示すように、特定圧力の維持、または指定された範囲内での圧力の維持が重要な加圧環境122が作り出される。
【0024】
加圧環境122における圧力を変化させるために、圧力調整器120が設けられる。圧力調整器120は、環境122における圧力を変化させる任意の装置または手段であることができる。たとえば、圧力調整器120は、真空ポンプ、圧縮器、ゲッタ等であることができる。
【0025】
本発明の原理による圧力センサ100は、好ましくは、加圧環境122内に配置されるか、または加圧環境122と連通して配置される。したがって、圧力センサ100は、加えられた圧力、すなわち加圧環境122における圧力の指示値を与える出力123を出力する。
【0026】
図2に示すように、この出力123は、圧力調整器120に提供されることが好ましい。圧力調整器120は、圧力センサ100からの入力に応答する。たとえば、圧力センサ100が、加圧環境における圧力が最適なレベルまたは最適な範囲内にあることを示す場合、圧力調整器120は非活性化されるか、または反応しない。
【0027】
しかし、圧力センサ100が、環境122における圧力が最適なレベルまたは範囲を上回るか下回ることを示す場合、圧力調整器120は適宜応答して、環境122における圧力を最適なレベルかまたは最適な範囲内に戻す。所望の圧力が環境122内で元に戻ると、圧力センサ100は圧力が戻ったことを圧力調整器120に通知する。次いで、調整器120は再び非活性化されるか、またはさらには反応せず、圧力が所望のレベルまたは所望の範囲内に留まるようにする。
【0028】
図3は、図1の圧力センサを微小電子機械システム(MEMS)と集積した本発明の別の実施形態の図である。MEMSは、機械的構造(可動部)と超小型電子機器を組み合わせたシステムである。MEMS130は、半導体ウェハまたはダイ131上に形成されることが多い。
【0029】
図3に示すように、単一ダイ131上に形成された一つあるいは沢山のMEMS130が、圧力下で空気、ガス、または液体等の入力を必要としうる。したがって、図3は、5個の異なる加圧入力132a〜132eを使用するMEMS130を示す。
【0030】
容易にわかるように、これら加圧入力132a〜132eそれぞれの圧力を監視する必要がありうる。MEMS130が適宜動作するには、最小圧力が求められる場合がある。あるいは、あまりに高い圧力はMEMS130にダメージを与える恐れがある。
【0031】
したがって、図3に示すように、本発明の原理による圧力センサ100a〜100eを加圧入力132a〜132eそれぞれに使用して入力の圧力を監視するのよい。次いで、圧力センサ100a〜100eからの出力を圧力調整器が使用して、加圧入力132a〜132eの圧力を制御することができる。
【0032】
図4は、図1の圧力センサをARS(Atomic Resolution Storage:原子レベルの解像度を有する高密度記憶装置)デバイスと集積した本発明の別の実施形態の図である。ARSは、たとえば、1平方インチあたり1テラビット(すなわち、1000ギガビット)を越える記憶密度を有する親指サイズのデータ記憶装置の提供を目的とする新生技術である。この技術は、データが記憶される材料の表面を単一原子ほどの小さなプローブ先端で走査して、数ナノメートル以内までの精度でイメージを生成する原子プローブ顕微鏡の進歩に基づいている。プローブ記憶技術は、原子サイズのプローブ先端の配列を使用して、データを記憶媒体上のスポットに読み書きする。マイクロムーバが記憶媒体をプローブ先端に相対して位置決めする。
【0033】
最適な動作のために、ARSデバイスは一般に、読み書きビームからの電子散乱の可能性を低減するため、またデータスポット間の熱の流れを低減するために、真空内もしくは少なくとも制御された雰囲気内に保持される。したがって、本発明の原理によれば、ARSデバイスが動作する真空または制御された雰囲気の圧力を継続的に監視することが可能なように、ARSデバイスを圧力センサと集積することが有利である。このような集積デバイスを図4に示す。
【0034】
図4に示すように、ARSデバイスおよび圧力センサは、集積デバイスとして形成することができる。図4では、ARSデバイスは図面の左側にあるが、前の図面から馴染みのあるように、圧力センサ構造は図面の右側にある。
【0035】
ARSデバイスは、ロータウェハ(rotor wafer)143として知られているシリコン基板に形成されるシリコンフレクチャ141を備える。第1の膜101、第2の膜102、および参照空洞103を備える圧力センサは100は、ロータウェハ143にも形成される。
【0036】
ロータウェハ143は、ステータウェハ144およびエミッタウェハ142として知られる上部基板と下部基板の間に挟まれる。ARSデバイスは、ロータウェハ143をエミッタウェハ142に露出させるエミッタ空洞145を備える。
【0037】
図5a〜図8bは、図4に示す集積された圧力センサおよびARSデバイスの製造工程を示す。図5a〜図8bでは、集積された装置が各種製造段階において示される。以下の文章で、これらステップおよび全体的な製造工程について説明する。
【0038】
図5aは、製造工程における第1工程を説明するための図である。図5aに示すように、この製造工程はシリコン基板150から開始される。この基板150は最終的に、図4に示すロータ基板143になる。好ましくは、基板はN+基板である。図5aは、基板150の断面を示す。
【0039】
基板150を貫通して2つの穴151がエッチングされる。好ましくは、穴151のエッチングにはDRIE(Deep Reactive Ion Etching)が使用される。穴151の一方の断面を図5aに示す。図5cは基板の平面図であり、図5aに示す穴151の好ましい相対位置を見つけるためにも参照することができる。2つの穴は、基板150の相対する縁の付近にある。
【0040】
図5bもまた基板150の断面である。図5bに示すように、図5aにおいてエッチングされた穴151は、ポリシリコン152で埋め戻される。図5cは、2つの穴151がポリシリコン152で充填された基板150の平面図を示す。このポリシリコン152は、図1bに示すポリシリコンアンカの形成に使用される。
【0041】
図6aに示すように、穴151がエッチングされポリシリコン152で充填されたシリコン基板150、143は、下部基板144に接着される。この下部基板144は、図4に示すステータ基板144になる。下部基板144をロータ基板150、143に接着する前に、電気相互接続107が基板144上にパターニングされる。次いで、誘電体層108を基板144上に堆積することができる。接続107は誘電体層108を貫通して、圧力センサの薄膜および第2の膜が形成されることになるポイントでシリコン基板150、143に接触する。
【0042】
接着層106が塗布される。次いで、図6aに示すように、ロータ基板150、143およびステータ基板144が共に接着される。
【0043】
図6bに示すように、次いで、接着された基板が研磨され薄膜化される。ロータ基板150、143は、好ましくは、約100μm厚に研磨される。
【0044】
図7aに示すように、次に、ARSデバイス170のシリコンフレクチュア141および圧力センサの参照空洞103が、基板150、143に切り込まれる。ここでも、これら構造を基板150、143に切り込むにはDRIEが使用されることが好ましい。図7aは、この製造段階にあるデバイスの断面図である。さらなるエッチングが行われて、圧力センサ100のシリコン第1の膜101および第2の膜102が画定される。
【0045】
図7bは、この製造段階にあるデバイスの上から下を見た図である。図7bの図から、第1の膜101、第2の膜102、および参照空洞103を備える圧力センサ100の構造がより容易に観察される。図7bはまた、ARSデバイス170のシリコンフレクチュア141のもう一つの図も提供する。
【0046】
図8aに示すように、次に、上部基板すなわちエミッタ基板142が基板150、143に接着される。この接着工程は、好ましくは、圧力センサ100の参照空洞103に真空封じするため真空内部で行われる。
【0047】
ARS170と圧力センサ100の第1の膜101との間を連通させるるために、通路180が画定される。通路180は、上部基板142および下部基板144とロータ基板150、143との間、および第2の膜102の側面の周りにあることができる。したがって、圧力センサ100は、ARSデバイス170の最適な動作のために、ARSデバイス170に維持すべき圧力、すなわち真空を監視することができる。図8bは、図8aに示す完成したデバイスの平面図を提供する。
【0048】
これは、本発明の原理による垂直圧力センサの製造に使用することができる可能な製造工程の一例にすぎない。本開示の恩恵を受けた当業者には他の工程が明白であろう。かかる製造工程は、ARS、MEMS、または他のデバイスとの圧力センサの集積を含んでも含まなくてもよい。要するに、本発明の垂直圧力センサは、小型サイズにでき、また多くの他のタイプのデバイスも構築することができるシリコン基板上に構築できる。そのため、既存の圧力センサに比べはるかに良好に多くの異なるMEMS、ARS、または他の設計と集積することができる。
【0049】
図9aおよび図9bは、圧力センサの膜の1枚が凸形または凹形になるように湾曲を付けて形成される本発明のさらに可能な実施形態を示す。図9aでは、第1の膜100は、薄膜101aとして変形実施され、第2の膜102に関して湾曲するとともに、第2の膜102に向かうように湾曲する。図9bでは、薄膜101bもまた第2の膜102に関して湾曲するが、第2の膜102から離れるように湾曲する。
【0050】
本発明の1つの重大な利点は、第1、第2の膜101、102が形成される様式により、他方の膜に関して凸形または凹形になるように湾曲を付けて形成することが可能なことである。上述したように、第1、第2の膜101、102は、好ましくは、シリコンまたは他の基板をエッチングすることによって形成することができる。したがって、第1、第2の膜101、102の一方または他方に湾曲を与えるようにエッチングを行うことができる。
【0051】
第1、第2の膜101、102の1枚が凸形状または凹形状を有する場合、圧力センサ100はより広い範囲の圧力を感知することができる。加えて、第1、第2の膜101、102の1枚が凸形状または凹形状を有する場合、圧力センサ100の感度をさらに高くする、すなわち、そうしない場合に検出可能な圧力変化よりも小さな圧力変化を記録することができる。
【0052】
上記説明は、本発明を例示し説明するためにのみ提示された。網羅的である、すなわち本発明を開示したどの厳密な形態にも限定する意図はない。上記教示を鑑みて、多くの変更および変形が可能である。
【0053】
実施形態は、本発明の原理および本発明の実際の適用を最もよく説明するために選択され説明された。上記説明は、意図する特定の使用に合うように各種実施形態で、また各種変更を行って当業者が本発明を最もよく利用できるようにすることを意図する。本発明の範囲は併記の特許請求の範囲によって定義されるものである。しかしながら、本発明の広範な実施の可能性に鑑み、本願発明の実施者への便宜をはかるため本願発明の実施態様の一部を下記して参考に供する。なお、各実施態様の理解を助けるために、図面の参照番号を付記するが、該付記は本願発明の範囲を限定するためのものではない。
(実施態様1)
圧力に応答して撓む第1の膜(101)と、
該第1の膜(101)で覆われ内部が真空になった参照空洞(103)と、
前記第1の膜(101)に隣接し、前記参照空洞(103)の前記内部以外に設けられた第2の膜(102)とを備え、前記第1、第2の膜(101、102)は、前記第1の膜(101)の撓みおよび前記圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成することを特徴とする圧力センサ。
【0054】
(実施態様2)
前記第1、第2の膜(101、102)はシリコン製であることを特徴とする実施態様1に記載の圧力センサ。
【0055】
(実施態様3)
上部基板(104)と、
下部基板(105)と、をさらに備え、
前記第1、第2の膜(101、102)は、前記上部および下部基板(104、105)の間に支持され、前記上部および下部基板(104、105)に接着されることを特徴とする実施態様1あるいは実施態様2のいずれかに記載の圧力センサ。
【0056】
(実施態様4)
前記第1または第2の膜(101a、101b、102)が湾曲を有することを特徴とする実施態様1から実施態様3のいずれかに記載の圧力センサ。
【0057】
(実施態様5)
微小電子機械システム(MEMS)と集積されることを特徴とする実施態様1から実施態様4のいずれかに記載の圧力センサ。
【0058】
(実施態様6)
ARS(atomic resolution storage)デバイスと集積されることを特徴とする実施態様1から実施態様5のいずれかに記載の圧力センサ。
【0059】
(実施態様7)
加圧環境(122)において圧力を調整する圧力調整器(120)と、
前記加圧環境(122)に配置されるか、または前記加圧環境(122)に連通して配置されて、前記加圧環境(122)における前記圧力の指示値を与える出力を供給する圧力センサ(100)とを備える圧力系統であって、
前記圧力調整器(120)は、前記圧力センサ(100)からの前記出力に応答して動作するように構成され、
前記圧力センサ(100)は、
圧力に応答して撓む第1の膜(101)と、
該第1の膜(101)で覆われ内部が真空になった参照空洞(103)と、前記第1の膜(101)に隣接し、前記参照空洞(103)の前記内部以外に設けられた第2の膜(102)とを備え、前記第1、第2の膜(101、102)は、前記第1の膜(101)の撓みおよび前記圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成することを特徴とする圧力系統。
【0060】
(実施態様8)
シリコン基板(150、143)をエッチングして、参照空洞(103)、第1の膜(101)、および第2の膜(102)を形成することを含むことを特徴とする圧力センサの製造方法。
【0061】
(実施態様9)
前記エッチングは、湾曲(101a、101b)を有する前記第1または第2の膜(101、102)を形成することをさらに含むことを特徴とする実施態様8記載の圧力センサの製造方法。
【0062】
(実施態様10)
基板(150、143)をエッチングすることによって前記基板(150、143)に集積され、圧力に応答して撓む第1の膜(101)と、
該第1の膜(101)によって覆われ、内部が真空になった参照空洞(103)と、
前記第1の膜(101)の圧電抵抗を測定するための前記第1の膜(101)への電気接続(107)とを備え、
前記圧電抵抗は、前記第1の膜(101)の撓みおよび前記圧力に従って変化することを特徴とする圧力センサ。
【0063】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の実施により、他のデバイス、たとえば超小型電子デバイスとの集積が容易な圧力センサおよびその製造方法が得られ、当業者に至便である。
【図面の簡単な説明】
【図1a】本発明の一実施形態による圧力センサの断面図である。
【図1b】図1aに示す圧力センサの上から下を見た平面図である。
【図2】図1a、図1bの圧力センサが圧力制御回路に使用される本発明の別の実施形態を示すブロック図である。
【図3】図1の圧力センサをMEMSデバイスと集積した本発明の別の実施形態の図である。
【図4】図1a、図1bの圧力センサをARS(Atomic Resolution Storage)デバイスと集積した本発明の別の実施形態の図である。
【図5a】図5aは、製造工程のある段階における、図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程の第1工程を説明するための基板の断面図である。
【図5b】図5aを参照して説明した製造工程の第2の工程を説明するための基板の断面図である。
【図5c】図5a、図5bを参照して説明した製造工程の第1、第2の工程を説明するための基板の平面図である。
【図6a】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程を説明するための図である。
【図6b】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程を説明するための図である。
【図7a】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程のある段階における構造を説明するための図である。
【図7b】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程のある段階における構造を説明するための図である。
【図8a】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程のある段階における該系統の構造を示す図である。
【図8b】図4に示すようにARSデバイスと集積した圧力センサの製造工程のある段階における該系統の構造を示す平面図である。
【図9a】凸形状または凹形状の膜を有する本発明のさらなる実施形態を示す図である。
【図9b】凸形状または凹形状の膜を有する本発明のさらなる実施形態を示す図である。
【符号の説明】
100 圧力センサ
120 圧力調整器
122 加圧環境
130 MEMSデバイス
131 ダイ
132 圧力
141 シリコンフレクチャ
142 エミッタウェハ;上部基板
143 ロータウェハ
144 ステータウェハ:下部基板
150 シリコン基板
170 ARSデバイス
Claims (6)
- 圧力に応答して撓む第1の膜と、
該第1の膜で覆われ内部が真空になった参照空洞と、
前記第1の膜に隣接し、前記参照空洞の前記内部以外に設けられた第2の膜と、
を備え、前記第1、第2の膜は、前記第1の膜の撓みおよび前記圧力に従って変化する静電容量を有するコンデンサを形成し、前記第1、第2の膜がシリコン基板に形成され、前記第1の膜の両端にあるポリシリコンアンカで前記第1の膜が前記シリコン基板に固定されていることを特徴とする圧力センサ。 - 上部基板と、下部基板とをさらに備え、
前記第1、第2の膜は、前記上部および下部基板の間に支持され、前記上部および下部基板に接着されることを特徴とする請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記第1または第2の膜が湾曲を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記第2の膜が前記参照空洞から離れていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧力センサ。
- 微小電子機械システム(MEMS)と集積されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の圧力センサ。
- ARS( atomic resolution storage )デバイスと集積されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の圧力センサ。
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