JPS6413158U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6413158U JPS6413158U JP10610887U JP10610887U JPS6413158U JP S6413158 U JPS6413158 U JP S6413158U JP 10610887 U JP10610887 U JP 10610887U JP 10610887 U JP10610887 U JP 10610887U JP S6413158 U JPS6413158 U JP S6413158U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- pressure
- partition wall
- deformation
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図〜第４図は一実施例を説明するもので、
第１図ａは圧力センサの平面図、第１図ｂはその
ｂ−ｂ線断面図、第１図ｃは同じくそのｃ−ｃ線
断面図である。第２図は圧力センサの斜視図であ
る。第３図ａ〜ｄは製造プロセスを示す図である
。第４図ａ，ｂは圧力検知部を示す図で、ａが変
形前、ｂが変形後を示す。第５図は従来の圧力セ
ンサを示す図である。 １０：シリコン基板、１１：真空室、１２Ａ，
１２Ｂ：圧力室、１３：蓋、１４ａ，１４ｂ：電
極、４１ａ，４１ｂ：隔壁。
第１図ａは圧力センサの平面図、第１図ｂはその
ｂ−ｂ線断面図、第１図ｃは同じくそのｃ−ｃ線
断面図である。第２図は圧力センサの斜視図であ
る。第３図ａ〜ｄは製造プロセスを示す図である
。第４図ａ，ｂは圧力検知部を示す図で、ａが変
形前、ｂが変形後を示す。第５図は従来の圧力セ
ンサを示す図である。 １０：シリコン基板、１１：真空室、１２Ａ，
１２Ｂ：圧力室、１３：蓋、１４ａ，１４ｂ：電
極、４１ａ，４１ｂ：隔壁。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板の表面からあけられた第１の溝と、 この第１の溝と隔壁を介して隣接する第２の溝
と、 前記第１の溝を所定基準圧力で密閉する蓋部材
と、 前記第１、第２の溝の圧力差に応動する前記隔
壁の変形量を検出する圧力検知手段とを具備する
ことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10610887U JPS6413158U (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10610887U JPS6413158U (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6413158U true JPS6413158U (ja) | 1989-01-24 |
Family
ID=31339323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10610887U Pending JPS6413158U (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6413158U (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294666A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Nec Corp | 半導体センサと半導体歪みゲージの製造方法 |
| JP2003322576A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-11-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 圧力センサおよび圧力系統および圧力センサの製造方法 |
| JP2011220885A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Denso Corp | 力学量検出装置およびその製造方法 |
| JP2012027026A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | マイクロホン製造に特に応用する、ｍｅｍｓ動的圧力センサー |
| WO2013115270A1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | Hosaka Takashi | 半導体センサー・デバイスおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP10610887U patent/JPS6413158U/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294666A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Nec Corp | 半導体センサと半導体歪みゲージの製造方法 |
| JP2003322576A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-11-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | 圧力センサおよび圧力系統および圧力センサの製造方法 |
| JP2011220885A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Denso Corp | 力学量検出装置およびその製造方法 |
| US8604565B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-12-10 | Denso Corporation | Physical quantity detection device and method for manufacturing the same |
| JP2012027026A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | マイクロホン製造に特に応用する、ｍｅｍｓ動的圧力センサー |
| WO2013115270A1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | Hosaka Takashi | 半導体センサー・デバイスおよびその製造方法 |
| JP2013156102A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Shun Hosaka | 半導体センサー・デバイスおよびその製造方法 |