JPS61121759U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61121759U JPS61121759U JP432285U JP432285U JPS61121759U JP S61121759 U JPS61121759 U JP S61121759U JP 432285 U JP432285 U JP 432285U JP 432285 U JP432285 U JP 432285U JP S61121759 U JPS61121759 U JP S61121759U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure sensor
- plasma cvd
- thin film
- strain gauge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010277 boron hydride Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本考案に係るダイヤフラム型圧力セン
サの一実施例を示す断面図、第２図はその平面図
、第３図は本考案に係るダイヤフラム型圧力セン
サの製造装置である容量結合型プラズマＣＶＤ装
置の概略図、第４図は従来のダイヤフラム型圧力
センサの断面図である。 １……ダイヤフラム、２……受圧面、３……酸
化圭素薄膜、４……歪ゲージ型成面、５……酸化
圭素薄膜、６……歪ゲージ。
サの一実施例を示す断面図、第２図はその平面図
、第３図は本考案に係るダイヤフラム型圧力セン
サの製造装置である容量結合型プラズマＣＶＤ装
置の概略図、第４図は従来のダイヤフラム型圧力
センサの断面図である。 １……ダイヤフラム、２……受圧面、３……酸
化圭素薄膜、４……歪ゲージ型成面、５……酸化
圭素薄膜、６……歪ゲージ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ ダイヤフラムの少なくとも受圧面にプラズマ
ＣＶＤ法により絶縁・耐食性圭素系薄膜を形成し
、前記受圧面の反対側の面に歪ゲージを設けたこ
とを特徴とするダイヤフラム型圧力センサ。 ２ 前記ダイヤフラムの両面にプラズマＣＶＤ法
により絶縁・耐食性圭素系薄膜を形成したことを
特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の
ダイヤフラム型圧力センサ。 ３ 前記歪ゲージが水素化ホウ素を含む水素化ケ
イ素ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により生成さ
れたことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
１項記載のダイヤフラム型圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP432285U JPS61121759U (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP432285U JPS61121759U (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121759U true JPS61121759U (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=30479779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP432285U Pending JPS61121759U (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121759U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128141U (ja) * | 1988-02-25 | 1989-09-01 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169183A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-25 | Toshiba Corp | ストレインゲ−ジ型半導体圧力センサ− |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP432285U patent/JPS61121759U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169183A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-25 | Toshiba Corp | ストレインゲ−ジ型半導体圧力センサ− |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128141U (ja) * | 1988-02-25 | 1989-09-01 |