JP3635522B2 - 光集積装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CD(Compact Disc)、LVD(Laser Vision Disc)、DVD等の記録媒体に記録された情報を光学的に再生し、または記録媒体に情報を光学的に記録する光ピックアップ装置に用いられる光集積装置の技術分野に属するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、上述のような光ピックアップ装置としては、特開平4−89634号公報に開示されているように、半導体基板上に発光手段として半導体レーザを備えると共に、この半導体基板内に、位相膜層、偏光膜層、回折格子、光導波路、及び第1の受光部を積層形成し、更に光導波路の端部に第2の受光部を設けたものがある。
【0003】
この光ピックアップ装置においては、半導体レーザから位相膜層に対して所定の俯角でレーザ光が照射されると、レーザ光はこの位相膜層を透過し偏光膜層の表面で反射して光ディスクの情報面に集光投射される。そして、光ディスクの情報面で回折・反射したレーザ光は位相膜層及び偏光膜層を透過し、回折格子に入射する。大部分の反射レーザ光は、この回折格子を透過して基板下方へ向かう透過光となり、残りは光導波路によって伝搬される導波光となる。透過光は、第1の受光部に受光され、この第1の受光部によりトラッキングエラー信号、RF信号等が生成される。また、導波光は、光導波路の端部に形成された第2の受光部に受光され、この第2の受光部によりフォーカスカラー信号が生成される。
【0004】
この光ピックアップ装置によれば、各構成手段を半導体基板の製造工程により集積するので、装置全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上させることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の光ピックアップ装置においては、フォーカスエラー信号を生成するための第2の受光部が、RF信号等を生成するため第1の受光部及び光導波路と垂直に設けられた特殊な位置関係を有しているため、汎用的な受光デバイスを用いることができないという問題があった。
【0006】
その結果、この光ピックアップ装置を製造するには、受光部自体を新たに製作する必要があるだけでなく、上述のような特殊な位置関係のためにその製造工程も比較的複雑なものであるため、光ピックアップ装置の製造コストが上昇してしまうという問題があった。
【0007】
そこで、本発明は、このような問題を解決し、半導体基板の製造工程により集積化を図り、装置全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上させることができるだけでなく、既存の製造装置を有効に活用すると共に製造が容易であり、製造コストを低減することのできる光ピックアップ装置用の光集積装置を提供することを課題としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の光集積装置は、前記課題を解決するために、発光手段から発光出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前記透過光を受光する第1の受光手段と、前記導波光の前記光導波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を受光する第2の受光手段とが、半導体基板上に積層形成され、前記第1の受光手段と前記第2の受光手段は、同一層内に形成され、前記第2の受光手段と前記光導波路との間の距離は、前記第1の受光手段と前記光導波路との間の距離よりも短いことを特徴とする。
【0009】
請求項3に記載の光集積装置は、発光手段から発光出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前記反射光を受光する受光手段とが、半導体基板上に積層形成され、前記受光手段として、前記透過光を受光し前記記録情報を読み取ると共に、前記光情報記録担体に対する照射光の面内位置情報を読み取るための第1の受光手段と、前記導波光の前記光導波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を受光し前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るための第2の受光手段とが、互いに独立して設けられ、前記第2の受光手段と前記光導波路との間の距離が前記第1の受光手段と前記光導波路との間の距離よりも短いことを特徴とする。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について、添付図面を参照して説明する。まず、本実施形態における光ピックアップ装置の概要について説明する。
【0027】
(光ピックアップ装置の概要)
図1は、本発明の一実施形態における光ピックアップ装置1の概略構成を示す斜視図である。図1において、光ピックアップ装置1は、発光手段としての半導体レーザ12を備えた半導体レーザ部2と、半導体基板20上に積層形成された光集積装置3とから構成されている。半導体基板20とサブマウント11はマウントベース10上にボンディングされており、半導体レーザ12は、前記光集積装置3の上面に対して所定の角度でレーザ光を発光出射するように設定されている。
【0028】
光集積装置3は、図1に示すX−X’線における断面図である図2に示すように、第1の受光部21及び第2の受光部22が形成された半導体基板20上に、アルミ遮光膜23と、前記アルミ遮光膜23によって生じた段差を平坦化するために設けられたSOG(Spin On Glass)層24と、前記SOG層24上に設けられたSiO2バッファ層25と、前記SiO2バッファ層25上に設けられレーザ光を透過させると共に導波光として伝搬させる光導波路27と、前記光導波路27上に形成されレーザ光を透過光と導波光とに分離する光波結合手段としてのグレーティング29と、前記グレーティング29上に設けられたSOG層28と、前記SOG層28上に設けられた往路復路分離膜30とが、積層形成されて構成されている。
【0029】
最上層である往路復路分離膜30は、誘電体等の多層膜で形成され、一例として、前記半導体レーザ1から出射されるTEモードのレーザ光を反射させると共に、1/4波長板を通った光ディスクからのTMモードの戻り光を透過させるように構成されている。
【0030】
グレーティング29は、厚さ0.10μmのTiO2からなり、光導波路27と共にグレーティングカップラを構成している。グレーティングカップラは往路復路分離膜30を透過したTMモードのレーザ光の大部分を下方へ透過させると共に、一部を導波光として光導波路27によって伝搬させる。このように本実施形態におけるグレーティングカップラは、光ディスクからの戻り光を光導波路27に入力結合させる構成であるため、グレーティング周期は使用するレーザ光の波長と同程度あるいはそれ以下に設定されている。また、本実施形態におけるグレーティング29は、図1に示すように光導波路27による導波光の伝搬方向に沿った中心線Oを境にして左右に2分割されており、グレーティング29のパターンは左右で異なるように設定されている。グレーティング29のパターンは左右いずれも曲線で、グレーティングの周期が場所によって異なる、いわゆるチャーピングされた状態になっている。
【0031】
光導波路27は、厚さ0.65μmのコーニング7059からなり、屈折率は1.53である。また、光導波路27の上層側には、屈折率1.43、厚さ0.40μmのSOG層28が設けられており、下層側には、屈折率1.43、厚さ0.40μmのSOG層24と、屈折率1.47、厚さ0.70μmのSiO2層25とからなるバッファ層26が設けられている。このように、光導波路27は、屈折率が周囲の層よりも高くなるように設定され、更に所定の厚さに形成されることにより、所定の導波条件を満たしており、グレーティング29によって入力結合される導波光を導波モードで伝搬させる。また、第2の受光部22とアルミ遮光膜23の境界位置周辺は、図2に示すように長さW1の領域においてバッファ層26がアルミ遮光層23側から第2の受光部22側に下がる傾斜を有しており、第2の受光部22の上部のバッファ層26は他の部分よりも薄く形成されている。このような構成により、第2の受光部22の上部においては、基板との位相整合により、光導波路27は放射モードとなり、導波光を放射する。放射モードにおけるTMモードのレーザ光の電磁界分布の強度変化の一例を図3に示す。図3は、第2の受光部22の大きさ(図2において紙面に平行な伝搬方向の長さ)を200μmとし光導波路27と第2の受光部22との間のバッファ層26の厚さを0.5μmとしたときの、光導波路27の伝搬長さに対する電磁界分布の強度を示す図である。ここで、光導波路27の伝搬長さとは、図2に示す長さW2の領域における伝搬長さであり、W1の領域側の端部aを原点として、反対側の端部bまでの伝搬長さを示している。なお、図3においては、バッファ層26の厚さを、第2の受光部22の表面とバッファ層26の境界位置をゼロとして正の値で表しており、半導体基板20側の位置を負の値で表している。
【0032】
図3から判るように、前記端部aの位置(0.00mm)において1.00であった強度が、前記端部b側に進むに従って徐々に低下し、0.20mmの位置ではほぼゼロになっている。本実施形態においては、長さW2(b−a)を0.2mmに設定しているので、導波光がこの長さW2の領域を伝搬し終えるまでの間には、ほぼ全ての導波光が光導波路27から放射されていることが判る。
【0033】
また、第2の受光部22との間のバッファ層26の厚さを種々変更して実験を行ったところ、長さW2の領域でほぼ全ての導波光を光導波路27から放射させるには、バッファ層26の厚さを0.5μm以下とする必要があることが判った。
【0034】
なお、本実施形態においては、TMモードのレーザ光を導波光として伝搬するように構成しており、図3に示した結果及び前記実験の結果は、TMモードのレーザ光を用いて求めたものであるが、TEモードのレーザ光を導波光として伝搬させる構成においても同様なことが言える。一例として、図4に、TEモードのレーザ光を用い、第2の受光部22の大きさを200μmとし光導波路27と第2の受光部22との間のバッファ層26の厚さを0.2μmとしたときの、光導波路27の伝搬長さに対する電磁界分布の強度を示す。図4から判るように、TEモードのレーザ光を用いた場合には、バッファ層26の厚さを0.2μmとすることにより、導波光がこの長さW2の領域を伝搬し終えるまでの間にほぼ全ての導波光を光導波路27から放射できることが判る。また、TEモードのレーザ光を用いて第2の受光部22との間のバッファ層26の厚さを種々変更して実験を行ったところ、TEモードのレーザ光の場合に、長さW2の領域でほぼ全ての導波光を光導波路27から放射させるには、バッファ層26の厚さを0.2μm以下とする必要があることが判った。
【0035】
第1の受光部21は、RF信号及びトラッキングエラー信号生成用の4分割された受光部であり、グレーティング29の直下位置、もしくは直下位置からややずれた位置に設けられている。
【0036】
第2の受光部22は、フォーカスエラー信号生成用の2分割された受光部であり、グレーティング29から離れた位置に設けられ、十分な光路長が確保されている。
【0037】
(光集積装置の製造方法)
次に、以上のような本実施形態における光集積装置2の製造方法について説明する。
本実施形態においては、まず、図5に示すように半導体基板20及びアルミ遮光膜23からなり、第1の受光部21と第2の受光部22の受光面が半導体基板20の同一平面に形成されたフォトディテクタ4を製造する。あるいはフォトディテクタ4の代わりにOEIC(Opto-Electronic-Integrated Circuit(アンプ付きフォトディテクタ) )を用いても良い。このようなフォトディテクタ4またはOEICは、一般にCD(Compact Disc)、LVD(Laser Vision Disc)、DVD等の再生装置において用いられているものと同様な構成を有しているため、パターン変更を行うだけで製造することができ、プロセス変更等は不要である。従って、既存の装置を使用して製造することが可能である。
【0038】
次に、上述のようなフォトディテクタ4またはOEICには、アルミ配線やアルミ遮光膜23が設けられ、これらが第1の受光部21及び第2の受光部22の受光面に対して段差を形成しているため、この段差の埋め込みのために図2に示すようにバッファ層(絶縁膜)26を塗布(成膜)する。このバッファ層26は、一例としてSOG層24とスパッタによるSiO2層25の多層構造とする。SOG層24によって前記段差を緩和し、SiO2層25によって第1の受光部21と光導波路27との距離を調整する。この調整は第1の受光部21と光導波路27との距離の最適化により行われる。これは、バッファ層厚によりグレーティングカップラの入力結合効率が変化するためである。
【0039】
次に、第2の受光部22の上部のバッファ層26を、図2に示す長さW1,W2の領域において取り除き、非常に緩やかな傾斜を持つ形状に加工する。加工方法は、ウェットエッチングなどを用いれば良い。このような傾斜を形成することにより、第2の受光部22と光導波路27の距離を第1の受光部21と光導波路27の距離よりも短くすることができ、光導波路27を伝搬する導波光のモードを導波モードから放射モードに変更させて第2の受光部22に対して良好に伝搬光を漏洩させることができる。なお、傾斜による伝搬ロスを少なくするためには、傾斜の角度はできるだけ揺るかな方が望ましい。
【0040】
次に、以上のようなバッファ層26の上に光導波路27を成膜し、更に光導波路27の上には光学素子の機能を持たせたグレーティングカップラを形成する。グレーティング29の位置は第1の受光部22の真上もしくはやや伝搬方向とは逆方向にずらした位置とする。グレーティングカップラは、導波光に比べて透過光の光量を多くする構成の方が製造し易く、本実施形態においてもこのような構成になっている。従って、導波光に比べて十分な光量の透過光を効率良く受光できる位置に受光部を置くことにより、信号再生に重要なRF信号を良好に生成することができる。また、同様にトラッキングエラー信号についても良好に生成することができる。
【0041】
次に、グレーティング29を形成した後は、再びSOG層28で埋め込む。この際、埋め込みグレーティングによる入力結合を効果的に出すため、屈折率の構成は、
SOG層28≦SiO2バッファ層25<光導波路27<グレーティング29とすることが望ましい。一例として、各層の材質の種類と屈折率を示す。
【0042】
SOGバッファ層24 : SOG : n=1.43
SiO2バッファ層25 : SiO2 : n=1.47
光導波路27 : コーニング7059 : n=1.53
グレーティング29 : TiO2 : n=2.00
SOGバッファ層28 : SOG : n=1.43
また、各層の膜厚の一例も示す。
【0043】
SOGバッファ層24(第1の受光部の上部) : 0.40μm
SiO2バッファ層25 : 0.70μm
光導波路27 : 0.65μm
グレーティング29 : 0.10μm
SOGバッファ層28 : 0.40μm
SOG層28による埋め込みが終了した後は、表面研磨を行い、良好な面精度を持つ面を作り、最後に往路復路分離膜を蒸着する。
【0044】
以上のように、本実施形態における光集積装置は、一般的なフォトディテクタまたはOEICを用いることができるので、容易に製造することができ、また、従来の製造装置を用いることができるので、製造コストを低減することができる。
(光ピックアップ装置1の動作)
次に、以上のような本実施形態の光ピックアップ装置1の動作について図6乃至図8を用いて説明する。なお、図6は本実施形態の光ピックアップ装置を用いたディスクを含めた光学系の全体構成図、図7は図2と同様な断面図、図8は光集積装置3を図6における上方から見た場合のグレーティングと第2の受光部22との位置関係及びレーザ光の集光状態を示す図である。
【0045】
まず、半導体レーザ12から放射されたレーザ光は、所定の角度で光集積装置3のグレーティング29に向けて出射される。光集積装置3の最上層には往路復路分離膜30が設けられているため、レーザ光は往路復路分離膜30の偏光ビームスプリッター効果もしくはハーフミラー効果によってTEモードのレーザ光のみが反射され、図6に示すように反射ミラー5に向けて照射される。そして、このTEモードのレーザ光は反射ミラー5によって反射され、コリメーターレンズ6によって平行光化され、図示しない1/4波長板を介して対物レンズ7に入射し、対物レンズ7よって光ディスク8の情報記録面に集光させられる。
【0046】
次に、光ディスク8の情報記録面において反射された戻り光は、逆の経路を辿って再び往路復路分離膜30に入射する。戻り光はTMモードになっているので、誘電体多層膜からなる往路復路分離膜30を用いた場合には、往路復路分離膜30はこのTMモードのレーザ光を透過させる。透過したレーザ光は、グレーティング29に照射され、グレーティング29と光導波路27とから構成されるグレーティングカップラによって、図7に矢印Aで示す透過光と矢印Bで示す導波光とに分けられる。大部分は透過光となり、グレーティング29の直下位置または直下位置近傍に設けられている第1の受光部21によって受光される。本実施形態では、第1の受光部21は4分割の受光部であり、この第1の受光部21の出力に基づいてRF信号が生成される。また、この第1の受光部21の出力から位相差法もしくはプッシュプル法によりトラッキングエラー信号が生成される。
【0047】
一方、第2の受光部22上のバッファ層26は上述したような傾斜により他の部分よりも薄くなっているため、光導波路27によって導波モードで伝搬されてきた導波光は、第2の受光部22上で放射モードとなり、矢印Cで示すように第2の受光部22に放射される。この時、この放射光は、グレーティングカップラの集光効果によって、図8に示すように第2の受光部22の受光部A及び受光部Bに向けて集光される。本実施形態では、上述したように、グレーティング29のパターンを左右で異なるように構成し、具体的には、図8(B)(i)に示すように左右のグレーティング29に対して対称にレーザ光が入射した場合でも、一方が焦点距離f1で焦点位置が受光部Aの前方になり、他方が焦点距離f2で焦点位置が受光部Bの後方になるように設定されている。従って、光ディスク6の偏心等により、光ディスク6上のレーザ光の焦点位置が変動し、図8(A)(i)または図8(C)(i)に点線で示すようにレーザ光がずれると、図8(A)(ii)または図8(C)(ii)に示すように受光部Aと受光部Bとでビームスポットの面積が変わる。この面積の変動による受光部の出力変化を図8(C)(ii)に示すようにアンプ40〜42を用いた演算処理により算出し、フォーカスエラー信号を生成する。このように本実施形態においては、信頼性のあるビームサイズ法(フーコー法)を用いてフォーカスエラー信号を生成することができる。また、本実施形態においては、光導波路27における導波光の伝搬モードを放射モードに変えて第2の受光部22で検知する構成なので、第2の受光部22における受光量は第2の受光部22の大きさ(結合長)またはバッファ層26の厚さにより調整可能である。
【0048】
なお、図示はしていないが、本実施形態の光ピックアップ装置には、半導体レーザのモニター用受光部が設けられており、このモニター用受光部において得られた信号に基づいて半導体レーザのパワーをモニターすることができ、随時パワーの調節を行っている。例えば、モニター用受光部への光の入射は、チップ後ろからの光を反射ミラーにて反射させる等により行えば良い。
【0049】
以上説明したように、本実施形態においては、グレーティングカプラを用いて光ディスク8からの戻り光を透過光と導波光とに分け、4分割の受光部である第1の受光部21を光量の多い透過光が照射されるグレーティング29の直下位置または直下位置近傍に配置するので、第1の受光部21において十分な光量が得られ、良好にRF信号及びトラッキングエラー信号を生成することができる。特に、特開昭63−61430号公報に開示されているように、導波路伝搬光を使用してRF信号を生成する従来例に比べると、非常に多くの光量を得ることができ、極めて良好にRF信号を生成することができる。
【0050】
また、第1の受光部21上のバッファ層26は、SOG層24だけでなく、SOG層24上にSiO2層25を積層して構成すると共に、SiO2層25により光導波路27と第1の受光部21との間隔を最適化するので、第1の受光部21をファーフィールドの位置に設けることができ、結果として半導体レーザ1の位置ずれの影響等を受けづらくすることができる。
【0051】
また、フォーカスエラー信号生成用の第2の受光部22周辺のバッファ層26に傾斜を設け、第2の受光部22上のバッファ層26の厚さを薄くして光導波路27の導波モードを放射モードに変え、グレーティング29からの第2の受光部22までの光路長を十分に確保してビームサイズ法を用いてフォーカスエラー信号を生成するようにしたので、光ディスク8上におけるレーザ光の焦点位置の変動を、第2の受光部22上における放射光の面積の増減として大きく反映させることができ、従来に比べてS/N比を良くすることができる。また、放射光の放射パワーについても、グレーティング29の下方のバッファ層26を最適化することにより、光導波路27の入射結合効率を高くすると共に、上述のような傾斜により第2の受光部22上のバッファ層26の厚さを薄くして放射パワーを増大させているので、第2の受光部22において必要十分な光量を得ることができる。
【0052】
また、フォーカスエラー信号生成用の第2の受光部22に対しては、上述のように放射モードによる光を用いるので、第2の受光部22の受光面は、光導波路27による導波光の光軸に対して水平に構成することができ、RF信号を生成する第1の受光部21と、フォーカスエラー信号を生成する第2の受光部22とを、半導体基板20の同一平面上に設けることができる。その結果、受光部と、光導波路及びグレーティング等を同一基板上にICプロセスによって容易に積層することができ、光集積装置自体を小型化することができる。
【0053】
特に、上述のような受光部は、一般的なフォトディテクタまたはOEICと同様な構成であるため、プロセス変更を行うことなく、パターン変更のみでフォトディテクタまたはOEICの製造、更には光集積装置の製造を行うことができ、製造コストを著しく低減することができる。
【0054】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態を図9及び図10に基づいて説明する。なお、第1の実施形態との共通箇所には同一符合を付して説明を省略する。
【0055】
本実施形態は、第1の実施形態で用いた往路復路分離膜30の代わりに、図9に示すように、グレーティング40,41と光導波路42からなるグレーティングカプラを往路復路分離手段として用いたところが第1の実施形態と異なる。また、光導波路42とSOG層28との間には、光導波路42とグレーティング29の距離を調節するためのSiO2層31が設けられている。
【0056】
第2の光波結合手段としてのグレーティング40は、半導体レーザ12からの発散光を、第2の光導波路としての光導波路42に結合させるものであり、一例としてTEモードのレーザ光を光導波路42に結合させる。パターンはチャーピングした曲線のパターンとなる。
【0057】
第3の光波結合手段としてのグレーティング41は、光導波路42を伝搬してきた発散光を外部に所定の角度で放射させるもので、一例としてTEモードのレーザ光を放射させる。また、グレーティング41は、外部からの入射光を透過させる。一例としてTMモードのレーザ光を透過させる。
【0058】
以上のような構成において、半導体レーザ12からレーザ光がグレーティング40に対して照射されると、TEモードのレーザ光がグレーティング40によって光導波路42に結合され、光導波路42内を図9に示す矢印D方向に伝搬される。
【0059】
そして、このように伝搬されるTEモードのレーザ光は、グレーティング41によって、外部に放射され、図6に示すように反射ミラー5、コリメータレンズ6、及び対物レンズ7を介して光ディスク8の情報記録面に集光される。なお、往路復路分離手段としてグレーティングカップラを用いた場合にも、第1の実施形態と同様に、1/4波長板は必要である。
【0060】
一方、光ディスク8からの戻り光は、逆の経路を辿ってグレーティング41に入射する。この戻り光は、TMモードのレーザ光であり、グレーティング41はこのTMモードのレーザ光を透過させる。透過したレーザ光は、第1の実施形態と同様に、グレーティング29によって、透過光と導波光とに分離され、第1の実施形態と同様に第1の受光部21及び第2の受光部22において受光される。
【0061】
なお、グレーティングカップラの出力結合は、一般に光量分布を生じるので、図10に示すように、グレーティング41の高さを変化させることにより、前記光量分布を補正してガウス分布に近づけることができる。このような形状は、グレーティングカップラの放射損失係数と伝搬距離から決定することができ、その作製はマスクスパッタ法を用いたリフトオフにて可能となる。
【0062】
以上のように、誘電体等の多層膜からなる往路復路分離膜の代わりに、グレーティングカップラからなる往路復路分離手段を用いる場合でも、第1の実施形態と同様に、十分な光量のRF信号及びトラッキングエラー信号生成用の受光、並びにS/N比の良いフォーカスエラー信号生成用の受光を行うことができる。
【0063】
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形が可能であることは容易に推察できるものである。
【0064】
【発明の効果】
本願にかかる光集積装置によれば、小型で光量の有効利用効率の高く無調整の光集積装置を、ICプロセスによって低コストで大量生産することが可能である。
【0065】
また、十分な光量が得られる透過光に基づいて、記録情報を読み取るための信号及び前記面内位置情報を読み取るための信号を良好に生成することができる。また更に、光情報記録担体に対する照射光の焦点位置の微妙な変化を、第2の受光手段において大きな光学的変化として捉えることができるので、焦点位置情報を読み取るための信号を良好に生成することができる。
【0067】
請求項4に記載の光集積装置によれば、第1の受光手段と第2の受光手段を、同一層内に形成したので、半導体製造工程において容易に製造することができ、製造コストを低減させることができる。
【0068】
更に、請求項11に記載の光集積装置によれば、第1の受光手段を、光集積装置の積層方向において光波結合手段の直下位置または直下位置近傍に設けたので、光波結合手段を透過する非常に多くの光量の透過光により、良好な信号を生成することができる。また、第1の受光手段を発光手段に対してファーフィールドの位置に設けることが可能になり、発光手段の位置ずれ等の影響を受け難くして安定した信号生成を行わせることができる。
【0069】
更にまた、請求項6に記載の光集積装置によれば、バッファ層を設け当該バッファ層に層厚を減少させる傾斜面を設けたので、光導波路によって伝搬された導波光を確実且つ十分なパワーにて光導波路から放射させることができ、感度の良い良好な信号の生成を行うことができる。
【0070】
また、請求項12に記載の光集積装置によれば、発光手段から発光出射された光の位相を必要程度変化させることができ、必要なモードの光を光集積装置内に透過させることができるので、上述のような光集積装置の各受光手段による受光動作を適切に行わせることができる。
【0071】
また更に、請求項13に記載の光集積装置によれば、発光手段から発光出射された光のうち、特定のモードの光を光導波路に伝搬及び反射させることができ、特定のモードの光を光集積装置内に透過させることができるので、上述のような光集積装置の各受光手段による受光動作を適切に行わせることができる。
【0072】
請求項14に記載の光集積装置によれば、光情報記録担体に対する照射光の焦点位置の変化を、受光面上に形成される像の面積の変化として容易且つ確実に認識することができる。また、第2の受光手段における受光量の調整を、受光面の光軸方向の大きさを変えることにより、あるいは光導波路と受光面との距離を変えることにより容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における光ピックアップ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図2】図1のX−X’線における断面を示す断面図である。
【図3】TMモードのレーザ光の伝搬長さに対する電磁界分布の強度変化の一例を示す図である。
【図4】TEモードのレーザ光の伝搬長さに対する電磁界分布の強度変化の一例を示す図である。
【図5】図1に示す光集積装置の製造に用いられるフォトディテクタを示す断面図である。
【図6】第1の実施形態の光ピックアップ装置を用いたディスクを含めた光学系の全体構成図である。
【図7】第1の実施形態における光ピックアップ装置の動作を説明するための断面図である。
【図8】図6に示す光ピックアップ装置における光集積装置を図6における上方から見た場合のグレーティングと第2の受光部22との位置関係及びレーザ光の集光状態を示す図である。
【図9】第2の実施形態における光集積装置の概略構成を示す断面図である。
【図10】図9の光集積装置におけるグレーティングの変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 光ピックアップ装置
2 半導体レーザ部
3 光集積装置
4 フォトディテクタ
8 光ディスク
12 半導体レーザ
20 半導体基板
21 第1の受光部
22 第2の受光部
23 アルミ遮光層
26 バッファ層
27 光導波路
28 SOG層
29 グレーティング
30 往路復路分離膜
40,41 グレーティング
42 光導波路
Claims (14)
- 発光手段から発光出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、
前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前記透過光を受光する第1の受光手段と、前記導波光の前記光導波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を受光する第2の受光手段とが、半導体基板上に積層形成され、
前記第1の受光手段と前記第2の受光手段は、同一層内に形成され、前記第2の受光手段と前記光導波路との間の距離は、前記第1の受光手段と前記光導波路との間の距離よりも短い
ことを特徴とする光集積装置。 - 前記第1の受光手段は、前記記録情報を読み取るための手段であると共に、前記光情報記録担体に対する照射光の面内位置情報を読み取るための手段であり、前記第2の受光手段は、前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るための手段であることを特徴とする請求項1に記載の光集積装置。
- 発光手段から発光出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、
前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前記反射光を受光する受光手段とが、半導体基板上に積層形成され、前記受光手段として、前記透過光を受光し前記記録情報を読み取ると共に、前記光情報記録担体に対する照射光の面内位置情報を読み取るための第1の受光手段と、前記導波光の前記光導波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を受光し前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るための第2の受光手段とが、互いに独立して設けられ、
前記第2の受光手段と前記光導波路との間の距離が前記第1の受光手段と前記光導波路との間の距離よりも短い
ことを特徴とする光集積装置。 - 前記第1の受光手段と前記第2の受光手段は、同一層内に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の光集積装置。
- 前記半導体基板と前記光導波路の設けられた層との間に、遮光膜とバッファ層が更に積層され、
前記遮光膜は、前記半導体基板上において前記第1の受光手段及び第2の受光手段が設けられていない領域の少なくとも一部に積層形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の光集積装置。 - 前記第2の受光手段は、前記光波結合手段が形成された位置よりも前記光導波路による導波光の伝搬方向前側の位置に形成され、前記バッファ層は、前記光波結合手段側の所定位置から前記第2の受光手段上の位置にかけて、前記バッファ層の層厚を減少させる傾斜面を有していることを特徴とする請求項5に記載の光集積装置。
- 前記バッファ層は、前記傾斜面における前記第2の受光手段上の位置にて
(a)前記導波光がTMモードの前記光の場合、0.5μm以下、
(b)前記導波光がTEモードの前記光の場合、0.2μm以下
の厚さにて形成されることを特徴とする請求項6に記載の光集積装置。 - 前記バッファ層は、前記傾斜面における前記第2の受光手段上の位置から少なくとも0.2mm以上の距離に渡って前記第2の受光手段の設けられた層と平行な面を有することを特徴とする請求項7に記載の光集積装置。
- 前記バッファ層は、
前記遮光膜の設けられた領域と前記第1の受光手段及び第2の受光手段の設けられた領 域との間に生じた段差を平坦化するように形成されたスピンオングラス層である第1バッファ層と、
当該スピンオングラス層上の特定領域に積層された絶縁性の第2バッファ層により形成され、
前記光導波路は、前記第2の受光手段上で前記第1バッファ層に接していることを特徴とする請求項5乃至請求項8の何れか一項に記載の光集積装置。 - 前記第1バッファ層の屈折率は1.43、第2バッファ層の屈折率は1.47、前記光導波路の屈折率は1.53、前記光波結合手段の屈折率は2.00であることを特徴とする請求項9に記載の光集積装置。
- 前記第1の受光手段は、光集積装置の積層方向において前記光波結合手段の直下位置また直下位置近傍に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか一項に記載の光集積装置。
- 光集積装置の最上層には、前記最上層に入射する光の光路を、光集積装置の外部への反射光路と、光集積装置の内部への透過光路とに分離する光路分離層が設けられており、前記光路分離層は誘電体多層膜から形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項11の何れか一項に記載の光集積装置。
- 光集積装置の最上層位置には、前記最上層に入射する光の光路を、光集積装置の外部への反射光路と、光集積装置の内部の光導波路とに分離する光路分離手段が設けられており、前記光路分離手段は、前記入射する光から導波光を生成する第2の光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる第2の光導波路と、前記第2の光導波路によって伝搬される前記導波光を光集積装置の外部に放射させる第3の光波結合手段とを備えていることを特徴とする請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の光集積装置。
- 前記第2の受光手段の受光面は、前記光導波路によって伝搬される前記導波光の光軸と略平行に形成されており、前記第2の受光手段は、前記光導波路からの放射光の焦点位置の変動に基づく前記受光面上の像面積の変動により前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るため手段であることを特徴とする請求項1乃至請求項13の何れか一項に記載の光集積装置。
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