JP2000215504A

JP2000215504A - 光集積装置

Info

Publication number: JP2000215504A
Application number: JP11018417A
Authority: JP
Inventors: Masataka Izawa; 正隆伊澤
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1999-01-27
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2000-08-04
Anticipated expiration: 2019-01-27
Also published as: US6639887B1; JP3635522B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板の製造工程により集積化を図り、
装置全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を
向上させることができるだけでなく、既存の資源を有効
に活用すると共に製造が容易であり、製造コストを低減
することのできる光ピックアップ装置用の光集積装置を
提供すること。【解決手段】半導体基板２０に第１の受光部２１と第
２の受光部２２が形成されたフォトディテクタを用い、
このフォトディテクタ上にバッファ層２６、光導波路２
７、ＳＯＧ層２８、グレーティング２９、及び往路復路
分離膜３０を半導体製造工程により積層形成する。この
時、第１の受光部２１はグレーティング２９の直下位置
に置くと共に、第２の受光部２２周辺のバッファ層２６
に傾斜を設けて、第２の受光部２２上のバッファ層の層
厚を他よりも薄くするように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（Compact Di
sc）、ＬＶＤ（Laser Vision Disc）、ＤＶＤ等の記録
媒体に記録された情報を光学的に再生し、または記録媒
体に情報を光学的に記録する光ピックアップ装置に用い
られる光集積装置の技術分野に属するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、上述のような光ピックアップ装置
としては、特開平４−８９６３４号公報に開示されてい
るように、半導体基板上に発光手段として半導体レーザ
を備えると共に、この半導体基板内に、位相膜層、偏光
膜層、回折格子、光導波路、及び第１の受光部を積層形
成し、更に光導波路の端部に第２の受光部を設けたもの
がある。

【０００３】この光ピックアップ装置においては、半導
体レーザから位相膜層に対して所定の俯角でレーザ光が
照射されると、レーザ光はこの位相膜層を透過し偏光膜
層の表面で反射して光ディスクの情報面に集光投射され
る。そして、光ディスクの情報面で回折・反射したレー
ザ光は位相膜層及び偏光膜層を透過し、回折格子に入射
する。大部分の反射レーザ光は、この回折格子を透過し
て基板下方へ向かう透過光となり、残りは光導波路によ
って伝搬される導波光となる。透過光は、第１の受光部
に受光され、この第１の受光部によりトラッキングエラ
ー信号、ＲＦ信号等が生成される。また、導波光は、光
導波路の端部に形成された第２の受光部に受光され、こ
の第２の受光部によりフォーカスカラー信号が生成され
る。

【０００４】この光ピックアップ装置によれば、各構成
手段を半導体基板の製造工程により集積するので、装置
全体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上
させることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の光ピックアップ装置においては、フォーカスエラー
信号を生成するための第２の受光部が、ＲＦ信号等を生
成するため第１の受光部及び光導波路と垂直に設けられ
た特殊な位置関係を有しているため、汎用的な受光デバ
イスを用いることができないという問題があった。

【０００６】その結果、この光ピックアップ装置を製造
するには、受光部自体を新たに製作する必要があるだけ
でなく、上述のような特殊な位置関係のためにその製造
工程も比較的複雑なものであるため、光ピックアップ装
置の製造コストが上昇してしまうという問題があった。

【０００７】そこで、本発明は、このような問題を解決
し、半導体基板の製造工程により集積化を図り、装置全
体を小型化できると共に、光量の有効利用効率を向上さ
せることができるだけでなく、既存の製造装置を有効に
活用すると共に製造が容易であり、製造コストを低減す
ることのできる光ピックアップ装置用の光集積装置を提
供することを課題としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光集積
装置は、前記課題を解決するために、発光手段から発光
出射された光を記録情報が記録された光情報記録担体に
対して照射すると共に、前記光情報記録担体で反射され
た反射光を受光する光ピックアップ装置に用いられる光
集積装置であって、前記反射光から導波光と透過光とを
それぞれ生成する光波結合手段と、前記導波光を伝搬さ
せる光導波路と、前記透過光を受光する第１の受光手段
と、前記導波光の前記光導波路からの位相整合による半
導体基板側への放射光を受光する第２の受光手段とが、
半導体基板上に積層形成され、前記第１の受光手段と前
記第２の受光手段は、同一層内に形成されていることを
特徴とする。

【０００９】請求項１に記載の光集積装置によれば、発
光手段から発光出射され光情報記録担体に対して照射さ
れた光は、光情報記録担体で反射され、その反射光は光
集積装置の光波結合手段に入射される。光波結合手段
は、前記反射光から導波光と透過光を生成し、透過光は
第１の受光手段により受光される。また、導波光は光導
波路によって伝搬され、光導波路から位相整合により半
導体基板側へ放射された放射光として第２の受光手段に
受光される。このように、光情報記録担体からの反射光
は、光波結合手段、光導波路、及び第１の受光手段また
は第２の受光手段へ至る光路を辿ることになるが、前記
光波結合手段、前記光導波路、前記第１の受光手段、及
び第２の受光手段は、半導体基板上に積層形成されてお
り、前記第１の受光手段及び第２の受光手段は同一層内
に形成されているので、半導体製造工程において容易に
製造されるものであり、製造コストを低減させる。

【００１０】請求項２に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１に記載の光集積装置におい
て、前記第１の受光手段は、前記記録情報を読み取るた
めの手段であると共に、前記光情報記録担体に対する照
射光の面内位置情報を読み取るための手段であり、前記
第２の受光手段は、前記光情報記録担体に対する照射光
の焦点位置情報を読み取るための手段であることを特徴
とする。

【００１１】請求項２に記載光集積装置によれば、光情
報記録担体からの反射光のうち、光波結合手段により生
成される透過光は、第１の受光手段によって受光され、
この第１の受光手段の出力に基づいて光情報記録担体の
記録情報を読み取るための信号、及び前記光情報記録担
体に対する照射光の面内位置情報を読み取るための信号
が生成される。また、前記反射光のうち、光波結合手段
によって生成される導波光は、光導波路を伝搬し、光導
波路からの位相整合による半導体基板側への放射光とし
て第２の受光手段によって受光され、この第２の受光手
段の出力に基づいて前記光情報記録担体に対する照射光
の焦点位置情報を読み取るための信号が生成される。以
上のように、十分な光量が得られる透過光に基づいて光
情報記録担体の記録情報を読み取るための信号及び前記
面内位置情報を読み取るための信号が生成されるので、
前記記録情報を読み取るための信号及び前記面内位置情
報を読み取るための信号が良好に生成されることにな
る。また、光導波路によって伝搬され十分な光路長を確
保することのできる導波光により、前記光情報記録担体
に対する照射光の焦点位置情報を読み取るための信号が
生成されるので、前記光情報記録担体に対する照射光の
焦点位置の微妙な変化が、第２の受光手段において大き
な光学的変化として捉えられ、前記焦点位置情報を読み
取るための信号が良好に生成されることになる。

【００１２】請求項３に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、発光手段から発光出射された光を記
録情報が記録された光情報記録担体に対して照射すると
共に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光す
る光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であっ
て、前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成す
る光波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路
と、前記反射光を受光する受光手段とが、半導体基板上
に積層形成され、前記受光手段として、前記透過光を受
光し前記記録情報を読み取ると共に、前記光情報記録担
体に対する照射光の面内位置情報を読み取るための第１
の受光手段と、前記導波光の前記光導波路からの位相整
合による半導体基板側への放射光を受光し前記光情報記
録担体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るための
第２の受光手段とが、互いに独立して設けられているこ
とを特徴とする。

【００１３】請求項３に記載の光集積装置によれば、発
光手段から発光出射され光情報記録担体に対して照射さ
れた光は、光情報記録担体で反射され、その反射光は光
集積装置の光波結合手段に入射される。光波結合手段
は、前記反射光から導波光と透過光を生成し、透過光は
第１の受光手段により受光される。また、導波光は光導
波路によって伝搬され、光導波路から位相整合により半
導体基板側へ放射された放射光として第２の受光手段に
受光される。このように、光情報記録担体からの反射光
は、光波結合手段、光導波路、及び第１の受光手段また
は第２の受光手段へ至る光路を辿ることになるが、前記
光波結合手段、前記光導波路、前記第１の受光手段、及
び第２の受光手段は、半導体基板上に積層形成されてお
り、半導体製造工程において容易に製造されるものであ
り、製造コストを低減させる。また、前記第１の受光手
段と第２の受光手段は互いに独立に設けられており、十
分な光量が得られる透過光に基づいて光情報記録担体の
記録情報を読み取るための信号、及び前記面内位置情報
を読み取るための信号が生成されるので、前記記録情報
を読み取るための信号及び前記面内位置情報を読み取る
ための信号が良好に生成されることになる。また、光導
波路によって伝搬され十分な光路長を確保することので
きる導波光により、前記光情報記録担体に対する照射光
の焦点位置情報を読み取るための信号が生成されるの
で、前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置の微
妙な変化が、第２の受光手段において大きな光学的変化
として捉えられ、前記焦点位置情報を読み取るための信
号が良好に生成されることになる。

【００１４】請求項４に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項３に記載の光集積装置におい
て、前記第１の受光手段と前記第２の受光手段は、同一
層内に形成されていることを特徴とする光集積装置。

【００１５】請求項４に記載の光集積装置によれば、前
記第１の受光手段と第２の受光手段は、半導体基板上に
積層形成される光集積装置において同一層内に形成され
ているので、半導体製造工程において容易に製造される
ものであり、製造コストを低減させる。

【００１６】請求項５に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１乃至請求項４の何れか一項
に記載の光集積装置において、前記第１の受光手段は、
光集積装置の積層方向において前記光波結合手段の直下
位置または直下位置近傍に設けられていることを特徴と
する。

【００１７】請求項５に記載の光集積装置によれば、光
情報記録担体からの反射光のうち、光波結合手段によっ
て生成された透過光は、第１の受光手段によって受光さ
れる。そして、この第１の受光手段は、光集積装置の積
層方向において前記光波結合手段の直下位置または直下
位置からややずれた近傍位置に設けられているので、光
波結合手段を透過する非常に多くの光量の透過光を受光
することになる。従って、第１の受光手段の出力に基づ
いて良好な信号が生成されることになる。また、第１の
受光手段を発光手段に対してファーフィールドの位置に
設けることが可能になり、発光手段の位置ずれ等の影響
を受け難くして安定した信号生成を行うことができる。

【００１８】請求項６に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１乃至請求項５の何れか一項
に記載の光集積装置において、前記第２の受光手段は、
前記光波結合手段が形成された位置よりも前記光導波路
による導波光の伝搬方向前側の位置に形成され、前記第
２の受光手段が形成された層と前記光導波路の層との間
には、絶縁性のバッファ層が形成されており、前記バッ
ファ層は、前記光波結合手段側の所定位置から前記第２
の受光手段上の位置にかけて、前記バッファ層の層厚を
減少させる傾斜面を有していることを特徴とする。

【００１９】請求項６に記載の光集積装置によれば、光
情報記録担体からの反射光のうち、光波結合手段によっ
て生成される導波光は、光導波路によって伝搬され、前
記光波結合手段が形成された位置よりも前記光導波路に
よる導波光の伝搬方向前側の位置に形成された第２の受
光手段の位置に至る。ここで、前記第２の受光手段が形
成された層と前記光導波路の層との間には、絶縁性のバ
ッファ層が形成されており、前記バッファ層は、前記光
波結合手段側の所定位置から前記第２の受光手段上の位
置にかけて、前記バッファ層の層厚を減少させる傾斜面
が設けられている。従って、第２の受光手段の上部のバ
ッファ層の層厚は、他の部分のバッファ層の層厚よりも
薄くなっており、前記光導波路によって伝搬された導波
光は確実且つ十分なパワーを持って光導波路から放射さ
れ、第２の受光手段によって受光される。このように、
第２の受光手段には、十分な光路長を確保できる光導波
路によって伝搬され、且つ十分な放射パワーにより放射
されて必要十分な光量で光が入射するので、感度の良い
良好な信号の生成が行われる。

【００２０】請求項７に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１乃至請求項６の何れか一項
に記載の光集積装置において、光集積装置の最上層に
は、前記最上層に入射する光の光路を、光集積装置の外
部への反射光路と、光集積装置の内部への透過光路とに
分離する光路分離層が設けられており、前記光路分離層
は誘電体多層膜から形成されていることを特徴とする。

【００２１】請求項７に記載の光集積装置によれば、発
光手段から発光出射された光は、光集積装置の最上層に
形成された光路分離層に入射される。この光路分離層
は、入射した光を反射させ、光情報記録担体の情報記録
面への照射光を生成する。一方、光情報記録担体からの
戻り光は、前記照射光と同じ経路を辿って前記光路分離
層に入射するが、前記光路分離層はこの戻り光を光集積
装置の内部へと透過させる。このような光路分離層は、
誘電体多層膜から形成されており、発光手段から発光出
射された光の位相を必要程度変化させ、必要なモードの
光を光集積装置内に透過させる。従って、上述のような
光集積装置の各受光手段による受光動作が適切に行われ
ることになる。

【００２２】請求項８に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１乃至請求項６の何れか一項
に記載の光集積装置において、光集積装置の最上層位置
には、前記最上層に入射する光の光路を、光集積装置の
外部への反射光路と、光集積装置の内部の光導波路とに
分離する光路分離手段が設けられており、前記光路分離
手段は、前記入射する光から導波光を生成する第２の光
波結合手段と、前記導波光を伝搬させる第２の光導波路
と、前記第２の光導波路によって伝搬される前記導波光
を光集積装置の外部に放射させる第３の光波結合手段と
を備えていることを特徴とする。

【００２３】請求項８に記載の光集積装置によれば、発
光手段から発光出射された光は、請求項１に記載した光
波結合手段を第１の光波結合手段とした時に、この第１
の光波結合手段とは別に、光集積装置の最上層位置に形
成された第２の光波結合手段に入射される。この第２の
光波結合手段は、入射した光から導波光を生成し、この
導波光は、請求項１に記載した光導波路を第１の光導波
路とした時に、この第１の光導波路とは別に、光集積装
置の最上層位置に形成された第２の光導波路により伝搬
される。そして、このように伝搬される導波光は、第３
の光波結合手段に至り、この第３の光波結合手段によっ
て、光集積装置の外部に放射され、１／４波長板を通
り、光情報記録担体の情報記録面に照射されることにな
る。一方、光情報記録担体からの戻り光は、前記照射光
と同じ経路を辿って前記第３の光波結合手段に入射し、
前記第３の光波結合手段はこのモードの変った戻り光を
光集積装置の内部へと透過させる。以上のような第２及
び第３の光波結合手段と第２の光導波路からなるグレー
ティングカップラは、発光手段から発光出射された光の
うち、特定のモードの光を光導波路に伝搬及び反射さ
せ、特定のモードの光を光集積装置内に透過させるの
で、上述のような光集積装置の各受光手段による受光動
作が適切に行われることになる。

【００２４】請求項９に記載の光集積装置は、前記課題
を解決するために、請求項１乃至請求項７の何れか一項
に記載の光集積装置において、前記第２の受光手段の受
光面は、前記光導波路によって伝搬される前記導波光の
光軸と略平行に形成されており、前記第２の受光手段
は、前記光導波路からの放射光の焦点位置の変動に基づ
く前記受光面上の像面積の変動により前記光情報記録担
体に対する照射光の焦点位置情報を読み取るため手段で
あることを特徴とする。

【００２５】請求項９に記載の光集積装置によれば、光
情報記録担体からの反射光のうち、光波結合手段により
生成される導波光は、光導波路を伝搬し、光導波路から
の放射光として第２の受光手段に受光される。そして、
この第２の受光手段の受光面は、前記光導波路によって
伝搬される前記導波光の光軸と略平行に形成されてお
り、前記光導波路からの放射光の焦点位置が変動する
と、前記受光面上の像の面積も変動として捉えられる。
従って、前記光情報記録担体に対する照射光の焦点位置
の変化は、前記受光面上に形成される像の面積の変化と
して容易且つ確実に認識される。また、第２の受光手段
における受光量の調整は、前記受光面の光軸方向の大き
さを変えることにより、あるいは光導波路と前記受光面
との距離を変えることにより容易に行われる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について、添付図面を参照して説明する。まず、本実施
形態における光ピックアップ装置の概要について説明す
る。

【００２７】（光ピックアップ装置の概要）図１は、本
発明の一実施形態における光ピックアップ装置１の概略
構成を示す斜視図である。図１において、光ピックアッ
プ装置１は、発光手段としての半導体レーザ１２を備え
た半導体レーザ部２と、半導体基板２０上に積層形成さ
れた光集積装置３とから構成されている。半導体基板２
０とサブマウント１１はマウントベース１０上にボンデ
ィングされており、半導体レーザ１２は、前記光集積装
置３の上面に対して所定の角度でレーザ光を発光出射す
るように設定されている。

【００２８】光集積装置３は、図１に示すＸ−Ｘ’線に
おける断面図である図２に示すように、第１の受光部２
１及び第２の受光部２２が形成された半導体基板２０上
に、アルミ遮光膜２３と、前記アルミ遮光膜２３によっ
て生じた段差を平坦化するために設けられたＳＯＧ（Sp
in On Glass）層２４と、前記ＳＯＧ層２４上に設けら
れたＳｉＯ₂バッファ層２５と、前記ＳｉＯ₂バッファ層
２５上に設けられレーザ光を透過させると共に導波光と
して伝搬させる光導波路２７と、前記光導波路２７上に
形成されレーザ光を透過光と導波光とに分離する光波結
合手段としてのグレーティング２９と、前記グレーティ
ング２９上に設けられたＳＯＧ層２８と、前記ＳＯＧ層
２８上に設けられた往路復路分離膜３０とが、積層形成
されて構成されている。

【００２９】最上層である往路復路分離膜３０は、誘電
体等の多層膜で形成され、一例として、前記半導体レー
ザ１から出射されるＴＥモードのレーザ光を反射させる
と共に、１／４波長板を通った光ディスクからのＴＭモ
ードの戻り光を透過させるように構成されている。

【００３０】グレーティング２９は、厚さ０．１０μｍ
のＴｉＯ₂からなり、光導波路２７と共にグレーティン
グカップラを構成している。グレーティングカップラは
往路復路分離膜３０を透過したＴＭモードのレーザ光の
大部分を下方へ透過させると共に、一部を導波光として
光導波路２７によって伝搬させる。このように本実施形
態におけるグレーティングカップラは、光ディスクから
の戻り光を光導波路２７に入力結合させる構成であるた
め、グレーティング周期は使用するレーザ光の波長と同
程度あるいはそれ以下に設定されている。また、本実施
形態におけるグレーティング２９は、図１に示すように
光導波路２７による導波光の伝搬方向に沿った中心線Ｏ
を境にして左右に２分割されており、グレーティング２
９のパターンは左右で異なるように設定されている。グ
レーティング２９のパターンは左右いずれも曲線で、グ
レーティングの周期が場所によって異なる、いわゆるチ
ャーピングされた状態になっている。

【００３１】光導波路２７は、厚さ０．６５μｍのコー
ニング７０５９からなり、屈折率は１．５３である。ま
た、光導波路２７の上層側には、屈折率１．４３、厚さ
０．４０μｍのＳＯＧ層２８が設けられており、下層側
には、屈折率１．４３、厚さ０．４０μｍのＳＯＧ層２
４と、屈折率１．４７、厚さ０．７０μｍのＳｉＯ₂層
２５とからなるバッファ層２６が設けられている。この
ように、光導波路２７は、屈折率が周囲の層よりも高く
なるように設定され、更に所定の厚さに形成されること
により、所定の導波条件を満たしており、グレーティン
グ２９によって入力結合される導波光を導波モードで伝
搬させる。また、第２の受光部２２とアルミ遮光膜２３
の境界位置周辺は、図２に示すように長さＷ１の領域に
おいてバッファ層２６がアルミ遮光層２３側から第２の
受光部２２側に下がる傾斜を有しており、第２の受光部
２２の上部のバッファ層２６は他の部分よりも薄く形成
されている。このような構成により、第２の受光部２２
の上部においては、基板との位相整合により、光導波路
２７は放射モードとなり、導波光を放射する。放射モー
ドにおけるＴＭモードのレーザ光の電磁界分布の強度変
化の一例を図３に示す。図３は、第２の受光部２２の大
きさ（図２において紙面に平行な伝搬方向の長さ）を２
００μｍとし光導波路２７と第２の受光部２２との間の
バッファ層２６の厚さを０．５μｍとしたときの、光導
波路２７の伝搬長さに対する電磁界分布の強度を示す図
である。ここで、光導波路２７の伝搬長さとは、図２に
示す長さＷ２の領域における伝搬長さであり、Ｗ１の領
域側の端部ａを原点として、反対側の端部ｂまでの伝搬
長さを示している。なお、図３においては、バッファ層
２６の厚さを、第２の受光部２２の表面とバッファ層２
６の境界位置をゼロとして正の値で表しており、半導体
基板２０側の位置を負の値で表している。

【００３２】図３から判るように、前記端部ａの位置
（０．００ｍｍ）において１．００であった強度が、前
記端部ｂ側に進むに従って徐々に低下し、０．２０ｍｍ
の位置ではほぼゼロになっている。本実施形態において
は、長さＷ２（ｂ−ａ）を０．２ｍｍに設定しているの
で、導波光がこの長さＷ２の領域を伝搬し終えるまでの
間には、ほぼ全ての導波光が光導波路２７から放射され
ていることが判る。

【００３３】また、第２の受光部２２との間のバッファ
層２６の厚さを種々変更して実験を行ったところ、長さ
Ｗ２の領域でほぼ全ての導波光を光導波路２７から放射
させるには、バッファ層２６の厚さを０．５μｍ以下と
する必要があることが判った。

【００３４】なお、本実施形態においては、ＴＭモード
のレーザ光を導波光として伝搬するように構成してお
り、図３に示した結果及び前記実験の結果は、ＴＭモー
ドのレーザ光を用いて求めたものであるが、ＴＥモード
のレーザ光を導波光として伝搬させる構成においても同
様なことが言える。一例として、図４に、ＴＥモードの
レーザ光を用い、第２の受光部２２の大きさを２００μ
ｍとし光導波路２７と第２の受光部２２との間のバッフ
ァ層２６の厚さを０．２μｍとしたときの、光導波路２
７の伝搬長さに対する電磁界分布の強度を示す。図４か
ら判るように、ＴＥモードのレーザ光を用いた場合に
は、バッファ層２６の厚さを０．２μｍとすることによ
り、導波光がこの長さＷ２の領域を伝搬し終えるまでの
間にほぼ全ての導波光を光導波路２７から放射できるこ
とが判る。また、ＴＥモードのレーザ光を用いて第２の
受光部２２との間のバッファ層２６の厚さを種々変更し
て実験を行ったところ、ＴＥモードのレーザ光の場合
に、長さＷ２の領域でほぼ全ての導波光を光導波路２７
から放射させるには、バッファ層２６の厚さを０．２μ
ｍ以下とする必要があることが判った。

【００３５】第１の受光部２１は、ＲＦ信号及びトラッ
キングエラー信号生成用の４分割された受光部であり、
グレーティング２９の直下位置、もしくは直下位置から
ややずれた位置に設けられている。

【００３６】第２の受光部２２は、フォーカスエラー信
号生成用の２分割された受光部であり、グレーティング
２９から離れた位置に設けられ、十分な光路長が確保さ
れている。

【００３７】（光集積装置の製造方法）次に、以上のよ
うな本実施形態における光集積装置２の製造方法につい
て説明する。本実施形態においては、まず、図５に示す
ように半導体基板２０及びアルミ遮光膜２３からなり、
第１の受光部２１と第２の受光部２２の受光面が半導体
基板２０の同一平面に形成されたフォトディテクタ４を
製造する。あるいはフォトディテクタ４の代わりにＯＥ
ＩＣ（Opto-Electronic-Integrated Circuit(アンプ付
きフォトディテクタ) ）を用いても良い。このようなフ
ォトディテクタ４またはＯＥＩＣは、一般にＣＤ（Comp
act Disc）、ＬＶＤ（Laser Vision Disc）、ＤＶＤ等
の再生装置において用いられているものと同様な構成を
有しているため、パターン変更を行うだけで製造するこ
とができ、プロセス変更等は不要である。従って、既存
の装置を使用して製造することが可能である。

【００３８】次に、上述のようなフォトディテクタ４ま
たはＯＥＩＣには、アルミ配線やアルミ遮光膜２３が設
けられ、これらが第１の受光部２１及び第２の受光部２
２の受光面に対して段差を形成しているため、この段差
の埋め込みのために図２に示すようにバッファ層（絶縁
膜）２６を塗布（成膜）する。このバッファ層２６は、
一例としてＳＯＧ層２４とスパッタによるＳｉＯ₂層２
５の多層構造とする。ＳＯＧ層２４によって前記段差を
緩和し、ＳｉＯ₂層２５によって第１の受光部２１と光
導波路２７との距離を調整する。この調整は第１の受光
部２１と光導波路２７との距離の最適化により行われ
る。これは、バッファ層厚によりグレーティングカップ
ラの入力結合効率が変化するためである。

【００３９】次に、第２の受光部２２の上部のバッファ
層２６を、図２に示す長さＷ１，Ｗ２の領域において取
り除き、非常に緩やかな傾斜を持つ形状に加工する。加
工方法は、ウェットエッチングなどを用いれば良い。こ
のような傾斜を形成することにより、第２の受光部２２
と光導波路２７の距離を第１の受光部２１と光導波路２
７の距離よりも短くすることができ、光導波路２７を伝
搬する導波光のモードを導波モードから放射モードに変
更させて第２の受光部２２に対して良好に伝搬光を漏洩
させることができる。なお、傾斜による伝搬ロスを少な
くするためには、傾斜の角度はできるだけ揺るかな方が
望ましい。

【００４０】次に、以上のようなバッファ層２６の上に
光導波路２７を成膜し、更に光導波路２７の上には光学
素子の機能を持たせたグレーティングカップラを形成す
る。グレーティング２９の位置は第１の受光部２２の真
上もしくはやや伝搬方向とは逆方向にずらした位置とす
る。グレーティングカップラは、導波光に比べて透過光
の光量を多くする構成の方が製造し易く、本実施形態に
おいてもこのような構成になっている。従って、導波光
に比べて十分な光量の透過光を効率良く受光できる位置
に受光部を置くことにより、信号再生に重要なＲＦ信号
を良好に生成することができる。また、同様にトラッキ
ングエラー信号についても良好に生成することができ
る。

【００４１】次に、グレーティング２９を形成した後
は、再びＳＯＧ層２８で埋め込む。この際、埋め込みグ
レーティングによる入力結合を効果的に出すため、屈折
率の構成は、ＳＯＧ層２８≦ＳｉＯ₂バッファ層２５＜
光導波路２７＜グレーティング２９とすることが望まし
い。一例として、各層の材質の種類と屈折率を示す。

【００４２】ＳＯＧバッファ層２４：ＳＯＧ：ｎ＝１．４３ＳｉＯ₂バッファ層２５：ＳｉＯ₂：ｎ＝１．４７光導波路２７：コーニング７０５９：ｎ＝１．５３グレーティング２９：ＴｉＯ₂：ｎ＝２．００ＳＯＧバッファ層２８：ＳＯＧ：ｎ＝１．４３また、各層の膜厚の一例も示す。

【００４３】ＳＯＧバッファ層２４（第１の受光部の上部）：０．４０μｍＳｉＯ₂バッファ層２５：０．７０μｍ光導波路２７：０．６５μｍグレーティング２９：０．１０μｍＳＯＧバッファ層２８：０．４０μｍＳＯＧ層２８による埋め込みが終了した後は、表面研磨
を行い、良好な面精度を持つ面を作り、最後に往路復路
分離膜を蒸着する。

【００４４】以上のように、本実施形態における光集積
装置は、一般的なフォトディテクタまたはＯＥＩＣを用
いることができるので、容易に製造することができ、ま
た、従来の製造装置を用いることができるので、製造コ
ストを低減することができる。（光ピックアップ装置１
の動作）次に、以上のような本実施形態の光ピックアッ
プ装置１の動作について図６乃至図８を用いて説明す
る。なお、図６は本実施形態の光ピックアップ装置を用
いたディスクを含めた光学系の全体構成図、図７は図２
と同様な断面図、図８は光集積装置３を図６における上
方から見た場合のグレーティングと第２の受光部２２と
の位置関係及びレーザ光の集光状態を示す図である。

【００４５】まず、半導体レーザ１２から放射されたレ
ーザ光は、所定の角度で光集積装置３のグレーティング
２９に向けて出射される。光集積装置３の最上層には往
路復路分離膜３０が設けられているため、レーザ光は往
路復路分離膜３０の偏光ビームスプリッター効果もしく
はハーフミラー効果によってＴＥモードのレーザ光のみ
が反射され、図６に示すように反射ミラー５に向けて照
射される。そして、このＴＥモードのレーザ光は反射ミ
ラー５によって反射され、コリメーターレンズ６によっ
て平行光化され、図示しない１／４波長板を介して対物
レンズ７に入射し、対物レンズ７よって光ディスク８の
情報記録面に集光させられる。

【００４６】次に、光ディスク８の情報記録面において
反射された戻り光は、逆の経路を辿って再び往路復路分
離膜３０に入射する。戻り光はＴＭモードになっている
ので、誘電体多層膜からなる往路復路分離膜３０を用い
た場合には、往路復路分離膜３０はこのＴＭモードのレ
ーザ光を透過させる。透過したレーザ光は、グレーティ
ング２９に照射され、グレーティング２９と光導波路２
７とから構成されるグレーティングカップラによって、
図７に矢印Ａで示す透過光と矢印Ｂで示す導波光とに分
けられる。大部分は透過光となり、グレーティング２９
の直下位置または直下位置近傍に設けられている第１の
受光部２１によって受光される。本実施形態では、第１
の受光部２１は４分割の受光部であり、この第１の受光
部２１の出力に基づいてＲＦ信号が生成される。また、
この第１の受光部２１の出力から位相差法もしくはプッ
シュプル法によりトラッキングエラー信号が生成され
る。

【００４７】一方、第２の受光部２２上のバッファ層２
６は上述したような傾斜により他の部分よりも薄くなっ
ているため、光導波路２７によって導波モードで伝搬さ
れてきた導波光は、第２の受光部２２上で放射モードと
なり、矢印Ｃで示すように第２の受光部２２に放射され
る。この時、この放射光は、グレーティングカップラの
集光効果によって、図８に示すように第２の受光部２２
の受光部Ａ及び受光部Ｂに向けて集光される。本実施形
態では、上述したように、グレーティング２９のパター
ンを左右で異なるように構成し、具体的には、図８
（Ｂ）（ｉ）に示すように左右のグレーティング２９に
対して対称にレーザ光が入射した場合でも、一方が焦点
距離ｆ１で焦点位置が受光部Ａの前方になり、他方が焦
点距離ｆ２で焦点位置が受光部Ｂの後方になるように設
定されている。従って、光ディスク６の偏心等により、
光ディスク６上のレーザ光の焦点位置が変動し、図８
（Ａ）（ｉ）または図８（Ｃ）（ｉ）に点線で示すよう
にレーザ光がずれると、図８（Ａ）（ｉｉ）または図８
（Ｃ）（ｉｉ）に示すように受光部Ａと受光部Ｂとでビ
ームスポットの面積が変わる。この面積の変動による受
光部の出力変化を図８（Ｃ）（ｉｉ）に示すようにアン
プ４０〜４２を用いた演算処理により算出し、フォーカ
スエラー信号を生成する。このように本実施形態におい
ては、信頼性のあるビームサイズ法（フーコー法）を用
いてフォーカスエラー信号を生成することができる。ま
た、本実施形態においては、光導波路２７における導波
光の伝搬モードを放射モードに変えて第２の受光部２２
で検知する構成なので、第２の受光部２２における受光
量は第２の受光部２２の大きさ（結合長）またはバッフ
ァ層２６の厚さにより調整可能である。

【００４８】なお、図示はしていないが、本実施形態の
光ピックアップ装置には、半導体レーザのモニター用受
光部が設けられており、このモニター用受光部において
得られた信号に基づいて半導体レーザのパワーをモニタ
ーすることができ、随時パワーの調節を行っている。例
えば、モニター用受光部への光の入射は、チップ後ろか
らの光を反射ミラーにて反射させる等により行えば良
い。

【００４９】以上説明したように、本実施形態において
は、グレーティングカプラを用いて光ディスク８からの
戻り光を透過光と導波光とに分け、４分割の受光部であ
る第１の受光部２１を光量の多い透過光が照射されるグ
レーティング２９の直下位置または直下位置近傍に配置
するので、第１の受光部２１において十分な光量が得ら
れ、良好にＲＦ信号及びトラッキングエラー信号を生成
することができる。特に、特開昭６３−６１４３０号公
報に開示されているように、導波路伝搬光を使用してＲ
Ｆ信号を生成する従来例に比べると、非常に多くの光量
を得ることができ、極めて良好にＲＦ信号を生成するこ
とができる。

【００５０】また、第１の受光部２１上のバッファ層２
６は、ＳＯＧ層２４だけでなく、ＳＯＧ層２４上にＳｉ
Ｏ₂層２５を積層して構成すると共に、ＳｉＯ₂層２５に
より光導波路２７と第１の受光部２１との間隔を最適化
するので、第１の受光部２１をファーフィールドの位置
に設けることができ、結果として半導体レーザ１の位置
ずれの影響等を受けづらくすることができる。

【００５１】また、フォーカスエラー信号生成用の第２
の受光部２２周辺のバッファ層２６に傾斜を設け、第２
の受光部２２上のバッファ層２６の厚さを薄くして光導
波路２７の導波モードを放射モードに変え、グレーティ
ング２９からの第２の受光部２２までの光路長を十分に
確保してビームサイズ法を用いてフォーカスエラー信号
を生成するようにしたので、光ディスク８上におけるレ
ーザ光の焦点位置の変動を、第２の受光部２２上におけ
る放射光の面積の増減として大きく反映させることがで
き、従来に比べてＳ／Ｎ比を良くすることができる。ま
た、放射光の放射パワーについても、グレーティング２
９の下方のバッファ層２６を最適化することにより、光
導波路２７の入射結合効率を高くすると共に、上述のよ
うな傾斜により第２の受光部２２上のバッファ層２６の
厚さを薄くして放射パワーを増大させているので、第２
の受光部２２において必要十分な光量を得ることができ
る。

【００５２】また、フォーカスエラー信号生成用の第２
の受光部２２に対しては、上述のように放射モードによ
る光を用いるので、第２の受光部２２の受光面は、光導
波路２７による導波光の光軸に対して水平に構成するこ
とができ、ＲＦ信号を生成する第１の受光部２１と、フ
ォーカスエラー信号を生成する第２の受光部２２とを、
半導体基板２０の同一平面上に設けることができる。そ
の結果、受光部と、光導波路及びグレーティング等を同
一基板上にＩＣプロセスによって容易に積層することが
でき、光集積装置自体を小型化することができる。

【００５３】特に、上述のような受光部は、一般的なフ
ォトディテクタまたはＯＥＩＣと同様な構成であるた
め、プロセス変更を行うことなく、パターン変更のみで
フォトディテクタまたはＯＥＩＣの製造、更には光集積
装置の製造を行うことができ、製造コストを著しく低減
することができる。

【００５４】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態を図９及び図１０に基づいて説明する。なお、
第１の実施形態との共通箇所には同一符合を付して説明
を省略する。

【００５５】本実施形態は、第１の実施形態で用いた往
路復路分離膜３０の代わりに、図９に示すように、グレ
ーティング４０，４１と光導波路４２からなるグレーテ
ィングカプラを往路復路分離手段として用いたところが
第１の実施形態と異なる。また、光導波路４２とＳＯＧ
層２８との間には、光導波路４２とグレーティング２９
の距離を調節するためのＳｉＯ₂層３１が設けられてい
る。

【００５６】第２の光波結合手段としてのグレーティン
グ４０は、半導体レーザ１２からの発散光を、第２の光
導波路としての光導波路４２に結合させるものであり、
一例としてＴＥモードのレーザ光を光導波路４２に結合
させる。パターンはチャーピングした曲線のパターンと
なる。

【００５７】第３の光波結合手段としてのグレーティン
グ４１は、光導波路４２を伝搬してきた発散光を外部に
所定の角度で放射させるもので、一例としてＴＥモード
のレーザ光を放射させる。また、グレーティング４１
は、外部からの入射光を透過させる。一例としてＴＭモ
ードのレーザ光を透過させる。

【００５８】以上のような構成において、半導体レーザ
１２からレーザ光がグレーティング４０に対して照射さ
れると、ＴＥモードのレーザ光がグレーティング４０に
よって光導波路４２に結合され、光導波路４２内を図９
に示す矢印Ｄ方向に伝搬される。

【００５９】そして、このように伝搬されるＴＥモード
のレーザ光は、グレーティング４１によって、外部に放
射され、図６に示すように反射ミラー５、コリメータレ
ンズ６、及び対物レンズ７を介して光ディスク８の情報
記録面に集光される。なお、往路復路分離手段としてグ
レーティングカップラを用いた場合にも、第１の実施形
態と同様に、１／４波長板は必要である。

【００６０】一方、光ディスク８からの戻り光は、逆の
経路を辿ってグレーティング４１に入射する。この戻り
光は、ＴＭモードのレーザ光であり、グレーティング４
１はこのＴＭモードのレーザ光を透過させる。透過した
レーザ光は、第１の実施形態と同様に、グレーティング
２９によって、透過光と導波光とに分離され、第１の実
施形態と同様に第１の受光部２１及び第２の受光部２２
において受光される。

【００６１】なお、グレーティングカップラの出力結合
は、一般に光量分布を生じるので、図１０に示すよう
に、グレーティング４１の高さを変化させることによ
り、前記光量分布を補正してガウス分布に近づけること
ができる。このような形状は、グレーティングカップラ
の放射損失係数と伝搬距離から決定することができ、そ
の作製はマスクスパッタ法を用いたリフトオフにて可能
となる。

【００６２】以上のように、誘電体等の多層膜からなる
往路復路分離膜の代わりに、グレーティングカップラか
らなる往路復路分離手段を用いる場合でも、第１の実施
形態と同様に、十分な光量のＲＦ信号及びトラッキング
エラー信号生成用の受光、並びにＳ／Ｎ比の良いフォー
カスエラー信号生成用の受光を行うことができる。

【００６３】以上、実施形態に基づき本発明を説明した
が、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではな
く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良変形
が可能であることは容易に推察できるものである。

【００６４】

【発明の効果】請求項１に記載の光集積装置によれば、
光情報記録担体からの反射光から導波光と透過光とを生
成する光波結合手段と、導波光を伝搬させる光導波路
と、透過光を受光する第１の受光手段と、導波光の光導
波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を受
光する第２の受光手段とを半導体基板上に積層形成し、
第１の受光手段と第２の受光手段を、同一層内に形成し
たので、小型で光量の有効利用効率の高く無調整の光集
積装置を、ＩＣプロセスによって低コストで大量生産す
ることが可能である。

【００６５】請求項２に記載の光集積装置によれば、第
１の受光手段により記録情報を読み取ると共に、前記光
情報記録担体に対する照射光の面内位置情報を読み取
り、第２の受光手段により光情報記録担体に対する照射
光の焦点位置情報を読み取るので、十分な光量が得られ
る透過光に基づいて、記録情報を読み取るための信号及
び前記面内位置情報を読み取るための信号を良好に生成
することができる。また、光情報記録担体に対する照射
光の焦点位置の微妙な変化を、第２の受光手段において
大きな光学的変化として捉えることができ、焦点位置情
報を読み取るための信号を良好に生成することができ
る。

【００６６】請求項３に記載の光集積装置によれば、光
情報記録担体からの反射光から導波光と透過光とを生成
する光波結合手段と、導波光を伝搬させる光導波路と、
反射光を受光する受光手段とを半導体基板上に積層形成
し、受光手段として、透過光を受光し記録情報を読み取
ると共に、前記光情報記録担体に対する照射光の面内位
置情報を読み取るための第１の受光手段と、導波光の光
導波路からの位相整合による半導体基板側への放射光を
受光し光情報記録担体に対する照射光の焦点位置情報を
読み取るための第２の受光手段とを互いに独立して設け
たので、半導体製造工程において容易に製造することが
でき、製造コストを低減させることができる。また、十
分な光量が得られる透過光に基づいて光情報記録担体の
記録情報を読み取るための信号及び前記面内位置情報を
読み取るための信号を良好に生成することができる。ま
た、光情報記録担体に対する照射光の焦点位置の微妙な
変化を、第２の受光手段において大きな光学的変化とし
て捉えることができるので、焦点位置情報を読み取るた
めの信号を良好に生成することができる。

【００６７】請求項４に記載の光集積装置によれば、第
１の受光手段と第２の受光手段を、同一層内に形成した
ので、半導体製造工程において容易に製造することがで
き、製造コストを低減させることができる。

【００６８】請求項５に記載の光集積装置によれば、第
１の受光手段を、光集積装置の積層方向において光波結
合手段の直下位置または直下位置近傍に設けたので、光
波結合手段を透過する非常に多くの光量の透過光によ
り、良好な信号を生成することができる。また、第１の
受光手段を発光手段に対してファーフィールドの位置に
設けることが可能になり、発光手段の位置ずれ等の影響
を受け難くして安定した信号生成を行わせることができ
る。

【００６９】請求項６に記載の光集積装置によれば、第
２の受光手段を、光波結合手段が形成された位置よりも
光導波路による導波光の伝搬方向前側の位置に形成し、
第２の受光手段が形成された層と光導波路の層との間
に、絶縁性のバッファ層を形成すると共に、当該バッフ
ァ層に、光波結合手段側の所定位置から第２の受光手段
上の位置にかけて、バッファ層の層厚を減少させる傾斜
面を設けたので、光導波路によって伝搬された導波光を
確実且つ十分なパワーにて光導波路から放射させること
ができ、感度の良い良好な信号の生成を行うことができ
る。

【００７０】請求項７に記載の光集積装置によれば、光
集積装置の最上層に、最上層に入射する光の光路を光集
積装置の外部への反射光路と光集積装置の内部への透過
光路とに分離する光路分離層を設け、光路分離層を誘電
体多層膜から形成したので、発光手段から発光出射され
た光の位相を必要程度変化させることができ、必要なモ
ードの光を光集積装置内に透過させることができるの
で、上述のような光集積装置の各受光手段による受光動
作を適切に行わせることができる。

【００７１】請求項８に記載の光集積装置によれば、光
集積装置の最上層位置に、最上層に入射する光の光路を
光集積装置の外部への反射光路と光集積装置の内部の光
導波路とに分離する光路分離手段を設け、光路分離手段
を、入射する光から導波光を生成する第２の光波結合手
段と、導波光を伝搬させる第２の光導波路と、第２の光
導波路によって伝搬される導波光を光集積装置の外部に
放射させる第３の光波結合手段とから構成したので、発
光手段から発光出射された光のうち、特定のモードの光
を光導波路に伝搬及び反射させることができ、特定のモ
ードの光を光集積装置内に透過させることができるの
で、上述のような光集積装置の各受光手段による受光動
作を適切に行わせることができる。

【００７２】請求項９に記載の光集積装置によれば、第
２の受光手段の受光面を、光導波路によって伝搬される
導波光の光軸と略平行に形成し、第２の受光手段によ
り、光導波路からの放射光の焦点位置の変動に基づく受
光面上の像面積の変動により光情報記録担体に対する照
射光の焦点位置情報を読み取るので、光情報記録担体に
対する照射光の焦点位置の変化を、受光面上に形成され
る像の面積の変化として容易且つ確実に認識することが
できる。また、第２の受光手段における受光量の調整
を、受光面の光軸方向の大きさを変えることにより、あ
るいは光導波路と受光面との距離を変えることにより容
易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における光ピックアッ
プ装置の概略構成を示す斜視図である。

【図２】図１のＸ−Ｘ’線における断面を示す断面図で
ある。

【図３】ＴＭモードのレーザ光の伝搬長さに対する電磁
界分布の強度変化の一例を示す図である。

【図４】ＴＥモードのレーザ光の伝搬長さに対する電磁
界分布の強度変化の一例を示す図である。

【図５】図１に示す光集積装置の製造に用いられるフォ
トディテクタを示す断面図である。

【図６】第１の実施形態の光ピックアップ装置を用いた
ディスクを含めた光学系の全体構成図である。

【図７】第１の実施形態における光ピックアップ装置の
動作を説明するための断面図である。

【図８】図６に示す光ピックアップ装置における光集積
装置を図６における上方から見た場合のグレーティング
と第２の受光部２２との位置関係及びレーザ光の集光状
態を示す図である。

【図９】第２の実施形態における光集積装置の概略構成
を示す断面図である。

【図１０】図９の光集積装置におけるグレーティングの
変形例を示す断面図である。

【符号の説明】

１光ピックアップ装置２半導体レーザ部３光集積装置４フォトディテクタ８光ディスク１２半導体レーザ２０半導体基板２１第１の受光部２２第２の受光部２３アルミ遮光層２６バッファ層２７光導波路２８ＳＯＧ層２９グレーティング３０往路復路分離膜４０，４１グレーティング４２光導波路

フロントページの続きＦターム(参考） 2H037 AA04 BA02 BA11 BA25 CA33 CA34 2H047 KA04 KB06 KB08 LA03 LA11 MA01 MA07 PA02 PA04 PA24 PA30 QA02 RA04 TA05 TA22 TA31 TA43 TA44 5D118 AA02 AA03 BA01 BB02 BF02 BF03 CD02 CD03 CD08 CF02 CF03 DA35 5D119 AA02 AA04 AA38 AA43 BA01 CA11 DA01 DA05 EA02 EA03 FA05 JA36 JA39 JA40 JA41 KA02 NA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光手段から発光出射された光を記録情
報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共
に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する
光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光
波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前
記透過光を受光する第１の受光手段と、前記導波光の前
記光導波路からの位相整合による半導体基板側への放射
光を受光する第２の受光手段とが、半導体基板上に積層
形成され、前記第１の受光手段と前記第２の受光手段は、同一層内
に形成されている、ことを特徴とする光集積装置。
【請求項２】前記第１の受光手段は、前記記録情報を
読み取るための手段であると共に、前記光情報記録担体
に対する照射光の面内位置情報を読み取るための手段で
あり、前記第２の受光手段は、前記光情報記録担体に対
する照射光の焦点位置情報を読み取るための手段である
ことを特徴とする請求項１に記載の光集積装置。
【請求項３】発光手段から発光出射された光を記録情
報が記録された光情報記録担体に対して照射すると共
に、前記光情報記録担体で反射された反射光を受光する
光ピックアップ装置に用いられる光集積装置であって、前記反射光から導波光と透過光とをそれぞれ生成する光
波結合手段と、前記導波光を伝搬させる光導波路と、前
記反射光を受光する受光手段とが、半導体基板上に積層
形成され、前記受光手段として、前記透過光を受光し前記記録情報
を読み取ると共に、前記光情報記録担体に対する照射光
の面内位置情報を読み取るための第１の受光手段と、前
記導波光の前記光導波路からの位相整合による半導体基
板側への放射光を受光し前記光情報記録担体に対する照
射光の焦点位置情報を読み取るための第２の受光手段と
が、互いに独立して設けられている、ことを特徴とする光集積装置。
【請求項４】前記第１の受光手段と前記第２の受光手
段は、同一層内に形成されていることを特徴とする請求
項３に記載の光集積装置。
【請求項５】前記第１の受光手段は、光集積装置の積
層方向において前記光波結合手段の直下位置また直下位
置近傍に設けられていることを特徴とする請求項１乃至
請求項４の何れか一項に記載の光集積装置。
【請求項６】前記第２の受光手段は、前記光波結合手
段が形成された位置よりも前記光導波路による導波光の
伝搬方向前側の位置に形成され、前記第２の受光手段が
形成された層と前記光導波路の層との間には、絶縁性の
バッファ層が形成されており、前記バッファ層は、前記
光波結合手段側の所定位置から前記第２の受光手段上の
位置にかけて、前記バッファ層の層厚を減少させる傾斜
面を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項５
の何れか一項に記載の光集積装置。
【請求項７】光集積装置の最上層には、前記最上層に
入射する光の光路を、光集積装置の外部への反射光路
と、光集積装置の内部への透過光路とに分離する光路分
離層が設けられており、前記光路分離層は誘電体多層膜
から形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求
項６の何れか一項に記載の光集積装置。
【請求項８】光集積装置の最上層位置には、前記最上
層に入射する光の光路を、光集積装置の外部への反射光
路と、光集積装置の内部の光導波路とに分離する光路分
離手段が設けられており、前記光路分離手段は、前記入
射する光から導波光を生成する第２の光波結合手段と、
前記導波光を伝搬させる第２の光導波路と、前記第２の
光導波路によって伝搬される前記導波光を光集積装置の
外部に放射させる第３の光波結合手段とを備えているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記
載の光集積装置。
【請求項９】前記第２の受光手段の受光面は、前記光
導波路によって伝搬される前記導波光の光軸と略平行に
形成されており、前記第２の受光手段は、前記光導波路
からの放射光の焦点位置の変動に基づく前記受光面上の
像面積の変動により前記光情報記録担体に対する照射光
の焦点位置情報を読み取るため手段であることを特徴と
する請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の光集積
装置。