JP2000187873A - 光導波路素子および光導波路型複合ヘッド並びに記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学系を一体小型化した光導波路素子を提供
すると共に、記録媒体に深さ方向に変調されたピットで
記録された情報を再生できる、または、記録媒体に屈折
率もしくは反射率を変えた記録マークとして記録された
情報を再生あるいは屈折率もしくは反射率を変えて記録
マークとして情報を記録可能な前記光導波路素子を備え
た光導波路型複合ヘッドの提供、並びに記録容量の大容
量化が可能な記録媒体を提供する 【解決手段】 光源１と一端が記録媒体に対向した光導
波路２と前記光源１から出射した光の前記光導波路２の
一端からの戻り光を受光する光電変換素子４と記録媒体
に対して磁界を印加するヨーク５およびコイル６が同一
素子上に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク等の記
録媒体に情報を記録および再生を行う光学的情報記録再
生装置のピックアップに使用する光導波路素子と光ヘッ
ドおよび記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量の情報を記録および再生する手段
として、光ディスク装置が知られている。

【０００３】近年、この記録容量をさらに高密度化する
ための方式が多数提案されている。例えば、光ディスク
に記録されるピットの深さを多段階に変化させ、その深
さに応じて異なる情報を記録することにより高密度化を
図る方法がある。

【０００４】このような光ディスクの再生装置として、
特開平３−１４１０３１号公報に示されるような、ディ
スクからの反射光の位相差を検出する方法を利用した再
生装置がある。

【０００５】これは、図８に示すように、照射手段３８
における半導体レーザ１０ａ、１０ｂより光ディスク２
４のトラック３０の上面３６およびピット３２が形成さ
れた部分に、互いに波長が異なる第１および第２の光が
照射され、これらの光の反射光が光電変換素子２６に入
射させられることにより、その反射光の干渉によって信
号強度が変化するビート信号が出力されるものである。

【０００６】具体的には、１５、２８はコリメートレン
ズ、１４はビームスプリッタであり、一部の光はこのビ
ームスプリッタ１４を経て参照ビームとして光電変換素
子１６に入射され参照信号ＳＲが出力される。

【０００７】また、一部の光は計測ビームとして偏光ビ
ームスプリッタ１８、１／４波長板２０、集光レンズ２
２を経て光ディスク２４に照射される。

【０００８】光ディスク２４からの反射光は集光レンズ
２２、１／４波長板２０、偏光ビームスプリッタ１８を
経て光電変換素子２６に入射され計測信号（ビート信
号）ＳＭが出力される。

【０００９】そして、この２つの信号ＳＭ、ＳＲの位相
変化量を検出することにより、ピット３２の深さ寸法に
対応する情報が検知される。

【００１０】照射手段３８はトラック３０に沿って光デ
ィスク２４に対して相対移動させられるが、第１の光は
常にピットの形成されていないトラック３０の上面３６
に照射されるのに対し、第２の光はピット３２の底面３
４およびトラック３０の上面３６へ交互に照射されるこ
とになり、そのピットの深さ寸法に応じて第１および第
２の光の光路差が変化させられ、それに伴って上記ビー
ト信号の位相も変化させられる。

【００１１】そして、このビート信号の位相変化量が図
示されない位相検出手段によって検出され、その位相変
化量に基づいて上記ピット深さ寸法に対応する情報が取
り出される。

【００１２】なお、第１、第２の光が照射されるトラッ
ク上面は必ずしも一致させる必要はなく、それらの間に
一定の段差があっても差し支えない。

【００１３】この装置は、いわゆるヘテロダイン干渉を
用いてピットの深さ寸法に対応する情報を取り出すよう
になっているため、深さ方向に多段階に変化するピット
を用いて光記録媒体に記録された情報が高精度、高速度
で読み出される。

【００１４】特に、前記第１の光はトラックの上面に照
射され、そのトラック上面を基準としてピットの深さ寸
法に対応する情報が取り出されるようになっているた
め、光記録媒体と照射手段とのピット深さ方向における
相対的な振動などに起因するノイズが相殺され、より高
い検出精度が得られる。

【００１５】一方、光ディスク装置のピックアップは高
速アクセス、高速転送のための小型・軽量化が進められ
ている。

【００１６】その方法として、例えばスライダーに光導
波路で構成された光学系を搭載する方法があり、特許第
２７０７５８８号公報に開示されている。

【００１７】以下に、特許第２７０７５８８号公報に記
載されている磁気光学ピックアップの構成を示す。

【００１８】図９、図１０において、４１は磁気記録媒
体、例えば基板４２上に記録層４３を有してなる光磁気
ディスク、４４はスライダーであり、その端面４４Ａに
磁気光学ピックアップ４５が形成されている。

【００１９】磁気光学ピックアップ４５は、図１０に示
すようにフェライト基板４６（スライダー４４と兼ねる
こともできる）と略コ字状のフェライトコア４７よりな
り、光磁気ディスク４１に対向する先端に磁気空隙ｇを
形成した閉磁路を構成する磁気回路４８と、この磁気回
路４８を励磁するためフェライトコア４７に巻装された
巻線４９と、フェライト基板４６上に例えばＳｉＯ₂ 等
の絶縁層５０を介して配され磁気空隙ｇを通って光磁気
ディスク４１に対向する光導波路５１を含む光回路５２
とから構成される。

【００２０】図１１は光回路５２の例である。

【００２１】光回路５２は、一端が光磁気ディスク４１
に対向し、他端にレーザダイオード５６を配した第１の
光導波路５８と、一端が第１の光導波路５８の一端に隣
接し、かつ、第１の光導波路５８の一端の断面積より広
い断面積を有して、他端に光検知器５７を配した第２の
光導波路６０からなり、各々の光導波路５８、６０の途
上に偏光子６６および検光子６７を設けて構成される。

【００２２】この磁気光学ピックアップ４５は、記録時
には、例えば光変調方式では磁気回路４８の磁気空隙ｇ
より、光磁気ディスク４１に補助磁界を印加し、レーザ
ダイオード５６からの記録光を第１の光導波路５８を通
じて光磁気ディスク４１に入射させて記録する。

【００２３】磁界変調方式ではレーザダイオード５６か
らの記録光を第１の光導波路５８を通じて光磁気ディス
ク４１に入射し、磁気回路４８に記録信号を入力してそ
の磁気空隙ｇにより光磁気ディスク４１に記録信号に応
じた磁界を印加して記録する。

【００２４】再生するときは、レーザダイオード５６か
らの再生光が第１の光導波路５８を通じて光磁気ディス
ク４１に入射され、その反射光が第２の光導波路６０を
通じて光検出器５７で検出されて、これにより再生信号
が取り出される。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のものも
以下のような問題点があった。

【００２６】特開平３−１４１０３１号公報に開示され
た再生装置は、構成部品点数が多く光学系の一体小型化
がなされていないため、高速アクセスの妨げとなってお
り、また信頼性にも問題があった。

【００２７】また、特許第２７０７５８８号公報に開示
された磁気光学ピックアップ装置は、数十ｎｍ程度の微
小マーク再生のための工夫が成されておらず、例えば磁
気光学ピックアップ４５が光磁気ディスク４１に数十ｎ
ｍまで近接した場合、光磁気ディスク４１からの反射光
のうち第２の光導波路６０へ戻る光の入射位置は、ギャ
ップの減少につれて第１の光導波路５８の方へ移動する
ため、第１の光導波路５８へほとんどが戻るようにな
り、信号検出は不可能となるので、更なる大容量化が困
難であった。

【００２８】本発明は、光学系を一体小型化した光導波
路素子を提供すると共に、記録媒体に深さ方向に変調さ
れたピットで記録された情報を再生できる、または、記
録媒体に屈折率もしくは反射率を変えた記録マークとし
て記録された情報を再生あるいは屈折率もしくは反射率
を変えて記録マークとして情報を記録可能な前記光導波
路素子を備えた光導波路型複合ヘッドの提供、並びに記
録容量の大容量化が可能な記録媒体を提供することを目
的とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の光導波
路素子は、少なくとも、光源と、一端が記録媒体に対向
した光導波路と、前記光源から出射した光を受光する光
電変換素子を備え、前記光導波路は、前記光源から出射
された光を記録媒体に対向する光導波路の一端で全反射
し、前記光電変換素子へ導く構成であることを特徴とす
る。

【００３０】請求項２に記載の光導波路素子は、光源
と、一端が記録媒体に対向した光導波路と、前記光源か
ら出射した光の前記光導波路の一端からの戻り光を受光
する光電変換素子と、記録媒体に対して磁界を印加する
ヨークおよびコイルが同一素子上に形成されていること
を特徴とする。

【００３１】請求項３に記載の光導波路素子は、請求項
２に記載の光導波路素子において、前記光源と、前記光
導波路と、前記光電変換素子が、前記ヨークおよび前記
コイルと積層構造によりモノリシックに集積一体化され
ていることを特徴とする。

【００３２】請求項４に記載の光導波路素子は、請求項
３に記載の光導波路素子において、記録媒体に対向する
前記光導波路の一端において、前記ヨークの両端が前記
光導波路を挟んでお互い重なるように積層され、前記ヨ
ークに挟まれた部分の端面で導波光が全反射される構成
となっていることを特徴とする。

【００３３】請求項５に記載の光導波路素子は、請求項
１乃至４のいずれかに記載の光導波路素子において、前
記光導波路が、スラブ状の光導波路であることを特徴と
する。

【００３４】請求項６に記載の光導波路素子は、請求項
１乃至５のいずれかに記載の光導波路素子において、前
記光電変換素子が、複数の領域に分割されていることを
特徴とする。

【００３５】請求項７に記載の光導波路型複合ヘッド
は、請求項１乃至６のいずれかに記載の光導波路素子が
浮上型スライダーに搭載せれていることを特徴とする。

【００３６】請求項８に記載の光導波路型複合ヘッド
は、情報が深さあるいは高さが厚み方向に変調された記
録マークとして記録されている記録媒体に記録された記
録情報を再生することを特徴とする。

【００３７】請求項９に記載の記録媒体は、情報が異な
る屈折率あるいは反射率をもつ複数の種類の記録マーク
として形成されていることを特徴とする。

【００３８】請求項１０に記載の光導波路型複合ヘッド
は、情報を異なる屈折率あるいは反射率をもつ複数の種
類のマークとして記録可能な記録媒体に対して、情報を
記録および再生することを特徴とする。

【００３９】

【発明の実施の形態】以下に図を用いて本発明の実施の
形態について説明する。

【００４０】図１は、本発明における光導波路素子を示
す平面図である。

【００４１】光源１、光導波路２、光電変換素子４、ヨ
ーク５、コイル６が光導波路素子７に配されている。

【００４２】なお、図ではヨーク５の一部は省略してあ
る。

【００４３】端面結合などにより結合された光源１の光
は、光導波路２の中を導波し、記録媒体３に対向する端
面で全反射する。

【００４４】このとき近接場光Ｎが端面に発生する。

【００４５】そしてここで反射した光は再び光導波路２
の中を導波し、光電変換素子４へと導かれる。

【００４６】光電変換素子４は導波方向にほぼ平行な３
つの領域に分割されており、後述する信号検出方法によ
って検出光強度のバランスからトラッキングエラー信号
を得ることができるようになっている。

【００４７】ここで、光導波路素子７の構造について説
明する。

【００４８】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ
図１におけるＡ断面、Ｂ断面、Ｃ断面を表している。

【００４９】図２（ａ）のＡ断面に示すように、光電変
換素子４’の形成された半導体基板１１には光源１が配
置されている。

【００５０】光電変換素子４’は光源１の後方に位置
し、光源１の出力をモニターしている。

【００５１】光源１から前方へ向けて出射した光は、端
面結合によって光導波路２に結合される。

【００５２】光導波路２を導波する光は、平坦化材料で
ある誘電体膜１２の厚さが徐々に増すテーパ導波路領域
Ｔを伝わり、下層ヨーク５ａと上層ヨーク５ｂとの間へ
と導かれ、記録媒体３と対向する端面で全反射する。

【００５３】光導波路２には上層ヨーク５ｂが積層され
るため、これらの間に上部クラッド１３を設けて導波光
の損失を抑えるようにしてある。

【００５４】誘電体膜１２は同様に下部クラッドとして
機能するように設計してあり、その厚さは屈折率１．４
５の石英であれば、最も薄いところでも最低数μｍは必
要である。

【００５５】図２（ｂ）のＢ断面に示すように、半導体
基板１１には下層ヨーク５ａが形成され、上層ヨーク５
ｂと連結してヨーク５を構成している。

【００５６】下層ヨーク５ａと上層ヨーク５ｂの連結部
にはコイル６が形成されており、これらで磁気ヘッドを
構成している。

【００５７】下層ヨーク５ａと上層ヨーク５ｂの間には
光導波路２が位置するが、導波損失を抑えるため、下層
は誘電体膜１２、上層は上部クラッド１３によってヨー
ク材料との間は隔てられている。

【００５８】図２（ｃ）のＣ断面に示すように、誘電体
膜１２および上部クラッド１３により、各々下層ヨーク
５ａおよび上層ヨーク５ｂから隔てられた光導波路２
は、テーパ導波路領域Ｔを経て、光電変換素子４へとつ
ながっており、光導波路２内を伝わる導波光は光電変換
素子４へと導かれる。

【００５９】光電変換素子４は、図では示されていない
が、複数の領域に分割されており、記録媒体３に対向す
る端面からの戻り光の強度と分布を検出することができ
る。

【００６０】図３は、記録媒体３に対向する光導波路素
子７の端面を表している。

【００６１】下層ヨーク５ａと上層ヨーク５ｂとの間の
光導波路２の端面で導波光は全反射し、破線で示したよ
うな横長の線状の近接場光Ｎのスポットが発生する。

【００６２】このスポットは短軸方向の大きさは光導波
路２の層厚に関連して限定されるので、光導波路２の層
厚と同程度のマークの再生が可能である。

【００６３】例えば、特開平１−２７９４３２号公報に
よれば、光導波路をＧａＰ（Ｎ＝３．０）、誘電体膜を
石英（Ｎ＝１．４５）とすれば、層厚０．０６μｍのと
きのスポット直径は０．２μｍ以下となる。

【００６４】次に図５（ａ）〜（ｅ）を用いて、上記光
導波路素子の作製工程について説明する。

【００６５】光電変換素子４、４’が形成され、その上
に窒化ケイ素などからなる保護膜が積層された、図５
（ａ）に示すような半導体基板１１に、図５（ｂ）に示
すように下層ヨーク５ａを形成し、さらにこの上から誘
電体膜を１２を積層し平坦化する。

【００６６】平坦化は、ＣＶＤなどで誘電体膜を積層
し、研磨処理を施すことにより行われる。

【００６７】このあと、図には示していないが、光源１
および光電変換素子４の周囲の部分にテーパ形状を加工
しておく。

【００６８】続いて図５（ｃ）に示すようにコイル６を
形成する。

【００６９】コイル６は、小型・薄型の点で、成膜やエ
ッチングなどの半導体プロセスで作製される薄膜コイル
がふさわしい。

【００７０】そして図５（ｄ）に示すように光導波路２
を積層し、さらにこの上から図示されない上部クラッド
１３を積層して、最後に図５（ｅ）に示すように上層ヨ
ーク５ｂを形成し、光源１を固定して光導波路素子７が
完成する。

【００７１】次に、上記光導波路素子を備えた光導波路
型複合ヘッドと該光導波路型複合ヘッドによる信号検出
方法について説明する。

【００７２】図４は、スライダー８の側面に光導波路素
子７を配置して構成した光導波路型複合ヘッド１０を示
している。

【００７３】図中の矢印は記録媒体の運動方向を示して
いる。

【００７４】スライダー８は板ばね９で図示されない記
録媒体に押し付けられるが、スライダー８には進行方向
に切り欠き８’が設けてあるので、矢印の方向に記録媒
体が運動すると、スライダー８は空気の流れにより浮上
し、一定の間隔を保つようになる。

【００７５】このため、フォーカシングサーボの光学的
機構を省略することが可能となる。

【００７６】トラックに垂直な方向への移動は、スライ
ダー８が浮上した状態で機械的に移動させることで行わ
れる。

【００７７】図１で説明したように、光源１から出射さ
れた光は、光導波路２を伝搬し、該光導波路２の記録媒
体３に対向する端面で反射されて光電変換素子４へと導
かれる。

【００７８】このとき前記端面には近接場光Ｎが発生し
ている。

【００７９】記録媒体３と前記端面との距離が数十ｎｍ
にまで近づくと、この近接場光は記録媒体へ伝搬しはじ
め、伝搬した光は記録媒体基板へ向けて放射していく。

【００８０】このように端面において近接場光から伝搬
光への変換が起こると、端面で反射して光電変換素子４
へ導かれる戻り光は減少する。

【００８１】つまり、記録媒体３が光導波路型複合ヘッ
ドに搭載された光導波路素子７の前記端面に近い位置に
あると、伝搬光への変換が多くなって光電変換素子４へ
の戻り光は弱くなる。

【００８２】逆に記録媒体３が光導波路型複合ヘッドに
搭載された光導波路素子７の前記端面から遠い位置にあ
ると、伝搬光への変換が少なくなって光電変換素子４へ
の戻り光は強くなる。

【００８３】このことを利用することにより、前記端面
と記録媒体３の距離、つまり記録マークの深さを検出す
ることができる。

【００８４】したがって、情報が深さあるいは高さの異
なる記録マークとして記録された記録媒体を再生するこ
とができる。

【００８５】図６は光電変換素子への戻り光強度と記録
マーク深さの関係をグラフで示したものである。

【００８６】上述の理由で、光導波路素子の光導波路端
面が深い記録マークに近接した場合の戻り光強度は、浅
い記録マークに近接した場合のときの戻り光強度よりも
大きい。

【００８７】記録マーク以外の部分は、光導波路素子の
光導波路端面との間隔が狭く、常に近接場光から伝搬光
への変換が起こっているため、光電変換素子の領域１と
３で検出される戻り光強度は小さくなる。

【００８８】ここでもし、例えば記録マークが図中右方
向へずれると、戻り光強度のピークも右方向に移動し、
光電変換素子の領域３からの信号が大きくなる。

【００８９】したがって、領域１と領域３との信号強度
の差から、トラッキングエラー信号が得られる。

【００９０】また、光導波路素子の光導波路端面からの
反射光の強度変化を光電変換素子の領域２で検出するこ
とにより、記録マークの深さを識別することができるの
で、予め記録マーク深さの段階を決めておけば、深さ方
向に変調された多値記録情報の再生が可能となる。

【００９１】一方、近接場光から伝搬光への変換の程度
は、記録媒体の記録マークの屈折率あるいは反射率によ
っても変わるので、屈折率変化により記録された情報を
再生することもできる。

【００９２】この原理を利用すると、記録媒体に異なる
屈折率あるいは反射率をもつ複数の種類の記録マークを
認識することができ、多値記録情報の記録および再生が
可能となる。

【００９３】この場合、記録材料としては、温度により
屈折率の変化する材料に対して書き込み光の強度を変調
させることで行われる。

【００９４】例えば、組成がＧｅＯ₂ ：ＳｉＯ₂ ＝３：
９７のガラスでは、波長８１０ｎｍの光の照射により最
大０．０３５の屈折率増加が起こることがＯｐｔ．Ｌｅ
ｔｔ．ｖｏｌ．２１，ｐ．１７２９（１９９６）に報告
されている。

【００９５】このような材料からなる記録媒体を用いて
照射光強度を変調してやれば、屈折率変化を０．０３５
までの間で任意に設定することができる。

【００９６】屈折率変化に伴って反射率も変化するの
で、これを利用すると、記録媒体上の記録マークが複数
の異なる屈折率あるいは反射率をもつ領域として記録す
ることができ、多値記録情報の記録が可能となる。

【００９７】更に、上記信号検出方法を利用することに
より、光電変換素子４を複数の領域に分割しておけば、
記録マークと記録マーク以外の部分を判別することがで
きるので、トラッキングサーボが可能となる。

【００９８】本実施の形態で説明した光導波路素子のヨ
ークとコイルの配置として、図７（ａ）、（ｂ）のよう
にしても良い。

【００９９】これによれば、図１に比べてヨークに所望
の磁界を発生させるために必要な、ヨークに直交するコ
イルの面積が増加するため、発生する磁界を強くするこ
とができ、効率が向上する。

【０１００】これらの構成も上述の半導体プロセスを応
用して作製することができる。

【０１０１】コイル６の配置により、ヨーク５は両側に
開いた形となっているが、導波光が全反射し近接場光を
発生する端面は、上下のヨークが重なった領域となって
いる。

【０１０２】なお、上述した光導波路素子において、図
中には示していないが、光導波路中の光路にレンズを設
けて、光の広がりを抑えることも可能である。

【０１０３】また、記録の場合は、記録専用として第２
の光源を設けてもよい。

【０１０４】このとき光路にレンズ素子を配置して、導
波路中の伝搬光を記録媒体３へ向けて集束させると、集
光点での光強度が高められるので効果的である。

【０１０５】

【発明の効果】請求項１に記載の光導波路素子は、前記
光源から出射され前記光導波路に結合した導波光が、記
録媒体に対向する前記光導波路の一端で全反射し、前記
光電変換素子へ導かれる構成とすることにより、前記光
導波路端面において近接場光を発生することができるの
で、高密度情報の近接場光による再生が可能となる。

【０１０６】請求項２に記載の光導波路素子は、光源、
光導波路、光電変換素子、ヨーク、コイルが同一素子上
に形成されることにより、光ヘッドと磁気ヘッドを集積
一体化することができるので、高機能化が図られる。

【０１０７】請求項３に記載の光導波路素子は、前記光
源、前記光導波路、前記光電変換素子で構成される導波
路型受光発光素子を、前記ヨークおよび前記コイルと積
層構造によってモノリシックに集積一体化することによ
り、フォトリソグラフィーや成膜、エッチングなどのＩ
Ｃのプロセスの応用が可能となるので、コストダウンが
図られる。

【０１０８】請求項４に記載の光導波路素子は、記録媒
体に対向する前記光導波路の一端において、前記ヨーク
の両端が前記光導波路を挟んでお互い重なるように積層
し、前記ヨークに挟まれた部分の端面で導波光が全反射
されるような構成とすることにより、前記ヨーク両端の
間に近接場光を発生させることができるので、高密度情
報の近接場光による記録および再生が可能となる。

【０１０９】請求項５に記載の光導波路素子は、前記光
導波路をスラブ導波路とすることにより、導波光が面の
広がり方向での反射や屈折などの制限を受けることがな
くなるので、導波光の面内の強度分布が保たれ、トラッ
キングエラー信号の検出が可能となる。

【０１１０】請求項６に記載の光導波路素子は、前記光
電変換素子を複数の領域に分割することにより、前記光
電変換素子に導かれた導波光の強度分布が検出できるの
で、トラッキングエラー信号が得られる。

【０１１１】請求項７に記載の光導波路型複合ヘッド
は、上記の光導波路素子を空気浮上型スライダーに搭載
することにより、小型の光導波路型複合ヘッドを構成す
ることができるので、高速アクセスが可能となる。

【０１１２】請求項８に記載の光導波路型複合ヘッド
は、上記光導波路型複合ヘッドを、深さあるいは高さが
を厚み方向に変調された記録マークを有する多値記録情
報媒体を再生することにより、高密度情報の再生が可能
となる。

【０１１３】請求項９に記載の記録媒体は、異なる屈折
率あるいは反射率をもつ複数の種類の記録マークにより
情報が記録されるので、高密度情報の記録が可能とな
る。

【０１１４】請求項１０に記載の光導波路型複合ヘッド
は、情報を異なる屈折率あるいは反射率をもつ複数の種
類のマークとして記録可能な記録媒体に対して、情報を
記録および再生することが可能であるため、高密度情報
の記録および再生が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光導波路素子を示す平面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す光導波路素子の
断面図である。

【図３】図１に示す光導波路素子の端面を示す側面図で
ある。

【図４】本発明の光導波路素子を備えた光導波路型複合
ヘッドを示す斜視図である。

【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の光導波路素子の作
製工程を示す平面図である。

【図６】本発明の光導波路素子による信号検出原理を示
すグラフである。

【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の光導波路素子の別
の構成を示す平面図である。

【図８】従来の深さ方向に多値記録された情報を再生す
る装置を示す図である。

【図９】従来の磁気光学ピックアップ装置を示す斜視図
である。

【図１０】図９に示す従来の磁気光学ピックアップ装置
の断面図である。

【図１１】図９、図１０に示す従来の磁気光学ピックア
ップ装置の光回路を示す平面図である。

【符号の説明】

１ 光源 ２ 光導波路 ３ 記録媒体 ４，４’ 光電変換素子 ５ ヨーク ５ａ 下層ヨーク ５ｂ 上層ヨーク ６ コイル ７ 光導波路素子 ８ スライダー ８’ 切り欠き ９ 板ばね １０ 光導波路型複合ヘッド １１ 半導体基板 １２ 誘電体膜 １３ 上部クラッド Ｎ 近接場光 Ｔ テーパ導波路領域

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、光源と、一端が記録媒体に
   対向した光導波路と、前記光源から出射した光を受光す
   る光電変換素子を備え、前記光導波路は、前記光源から
   出射された光を記録媒体に対向する光導波路の一端で全
   反射し、前記光電変換素子へ導く構成であることを特徴
   とする光導波路素子。
2. 【請求項２】 光源と、一端が記録媒体に対向した光導
   波路と、前記光源から出射した光の前記光導波路の一端
   からの戻り光を受光する光電変換素子と、記録媒体に対
   して磁界を印加するヨークおよびコイルが同一素子上に
   形成されていることを特徴とする光導波路素子。
3. 【請求項３】 前記光源と、前記光導波路と、前記光電
   変換素子が、前記ヨークおよび前記コイルと積層構造に
   よりモノリシックに集積一体化されていることを特徴と
   する請求項２に記載の光導波路素子。
4. 【請求項４】 記録媒体に対向する前記光導波路の一端
   において、前記ヨークの両端が前記光導波路を挟んでお
   互い重なるように積層され、前記ヨークに挟まれた部分
   の端面で導波光が全反射される構成となっていることを
   特徴とする請求項３に記載の光導波路素子。
5. 【請求項５】 前記光導波路は、スラブ状の光導波路で
   あることを特徴とする請求項１乃至４にいずれかに記載
   の光導波路素子。
6. 【請求項６】 前記光電変換素子は、複数の領域に分割
   されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
   に記載の光導波路素子。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載の光導
   波路素子が浮上型スライダーに搭載されていることを特
   徴とする光導波路型複合ヘッド。
8. 【請求項８】 情報が深さあるいは高さが厚み方向に変
   調された記録マークとして記録されている記録媒体に記
   録された記録情報を再生することを特徴とする請求項７
   に記載の光導波路型複合ヘッド。
9. 【請求項９】 情報が異なる屈折率あるいは反射率をも
   つ複数の種類の記録マークとして形成されていることを
   特徴とする記録媒体。
10. 【請求項１０】 情報を異なる屈折率あるいは反射率を
    もつ複数の種類のマークとして記録可能な記録媒体に対
    して、情報を記録および再生することを特徴とする請求
    項７に記載の光導波路型複合ヘッド。