JP3612530B2 - 光ディスク - Google Patents
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
(i)該基板は、粘度平均分子量が13,000〜18,000である芳香族ポリカーボネート樹脂よりなり、
(ii)該ペレットは、芳香族ポリカーボネート樹脂をストランドに溶融押出しし、温水にて冷却後、切断して得られたペレットであり、かつ
(iii)運搬および輸送前のペレット(A)は、そのペレット5kgを秤量し、幅500mm、長さ864mm、厚み0.08mmのポリエチレン袋を2枚重ねたものの中に詰め、圧縮空気を吹き込み膨らませ(内容量約38L)、次いでそのペレット入りのポリエチレン袋をブレンダーに入れ、25r.p.m.でブレンダーを回転して60分間振り混ぜた後の、粒径1.0mm以下の微粉末の発生量が250ppm以下である、ことを特徴とする光ディスクの製造方法である。
[η]=1.23×10-4M0.83
c=0.7
温度計、撹拌機および還流冷却器付き反応器にイオン交換水219.4部、48%水酸化ナトリウム水溶液40.2部を吹き込み、これに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン57.5部(0.252モル)およびハイドロサルファイト0.12部を溶解した後、塩化メチレン181部を加え、攪拌下15〜25℃でホスゲン28.3部を40分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、48%水酸化ナトリウム水溶液7.2部およびp−tert−ブチルフェノール2.42部を加え、攪拌を始め、乳化後トリエチルアミン0.06部を加え、さらに28〜33℃で1時間攪拌して反応を終了した。反応終了後生成物を塩化メチレンで稀釈して水洗した後塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率イオン交換水とほとんど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、粘度平均分子量15000のパウダーを得た。このパウダーにトリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイトを0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリドを0.08重量%加えた。このパウダーを250〜270℃の温度範囲で30mm押出機によりストランドを押出し、カッターでペレット化し、微粉量(A)を前述の方法で測定した。この際冷却方法としてペレットの断面形状の凸凹を減少させるためストランドを温水を満たした冷却層につけて冷却する方法(バス冷却法)を用いた。またカッターで切断した直後のペレット温度は130℃とした。次にこのペレットを用い射出成形機(住友重機(株)製DISK3MIII)で厚み1.2mm、120mmφのAl付基板に成形し、この基板のBLERをBLER測定機(SONY製・CDplayer cotrol unit CDS−3000)により測定した。その結果を表1に示す。なお、ここで示すC1AVEとはC1エラー(C1コードで訂正出来るランダムエラー)の1秒間あたりの平均値である。
実施例1においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において冷却方法としてストランドを冷却水を流した波板の上に通して冷却する方法(波板冷却方法)を用いた以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリメチルホスフェート0.007重量%、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.06重量%にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例4においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃にした以外は実施例4と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例4においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例4と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリメチルホスフェート0.007重量%、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.06重量%にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例3においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は比較例3と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスフォイト0.007重量%、トリメチルホスフェートを0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.08重量%にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例7においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃にした以外は実施例7と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例7においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例7と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスファイト0.007重量%、トリメチルホスフェートを0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.08重量%にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例5においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は比較例5と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスファイト0.003重量%、トリメチルホスフェート0.005重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.045重量%にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例10においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃にした以外は実施例10と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例10においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例10と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスファイト0.003重量%、トリメチルホスフェート0.005重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.045重量%にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例7においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は比較例7と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質を亜リン酸0.0015重量%、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例13においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃とした以外は実施例13と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例13においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃とした以外は実施例13と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質を亜リン酸0.0015重量%、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例9においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は比較例9と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例1において粘度平均分子量15,00のパウダーに添加する物質を4,4'−ビフェニレンジホスフィン酸(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は実施例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例16においてカッターで切断した直後のペレット温度を120℃にした以外は実施例16と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
実施例16においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例16と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例1において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質を4,4'−ビフェニレンジホスフィン酸(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は比較例1と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
比較例11においてカッターで切断した直後のペレット温度を110℃にした以外は実施例11と同様の操作を実施した。その結果を表1に示す。
撹拌機および蒸留塔を備えた反応器に2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(ビスフェノールA)228部(約1モル)、ジフェニルカーボネート(バイエル社製)220部(約1.03モル)および触媒として水酸化ナトリウム0.000024部(約6×10-7モル/ビスフェノールA1モル)とテトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.0073部(約8×10-5モル/ビスフェノールA1モル)を仕込み、窒素置換した。この混合物を200℃まで加熱して攪拌しながら溶解させた。次いで減圧度を30Torrとして加熱しながら1時間半で大半のフェノールを留去し、さらに270℃まで温度を上げ、減圧度を1Torrとして重合反応を行ったところで、末端停止剤として2−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート2.3部を添加した。その後270℃、1Torr以下で5分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩0.00023部添加し、さらに270℃、10Torr以下で10分間反応を継続し、粘度平均分子量15,000のポリマーを得た。このポリマーをギアポンプで30mm押出機に送った。押出機の途中でトリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイトを0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%加え、250℃〜270℃の温度範囲で30mm押出機によりストランドを押出し、カッターでペレット化し、微粉量(A)を前述の方法で測定した。この際ペレットの断面形状の凸凹を減少させるためストランドを温水を満たした冷却層につけて冷却する方法を用いた。またカッターで切断した直後のペレット温度は130℃とした。このペレットを用いて実施例1と同様に基板を成形し、評価した。その結果を表2に示す。
実施例19において、ストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例20)または110℃(実施例21)とした以外は実施例19と同様の操作を実施した。それぞれの結果を表2に示す。
実施例19において粘度平均分子量15,000のポリマーに添加する物質をトリメチルホスフェート0.007重量%、トリス(2,4―ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.06重量%にした以外は実施例19と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例22において、ストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例23)または110℃(実施例24)とした以外は実施例22と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例19において粘度平均分子量15,000のポリマーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスファイト0.007重量%、トリメチルホスフェート0.003重量%、ペンタエリスリトールテトラステアレート0.08重量%にした以外は実施例19と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例19において、ストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例26)または110℃(実施例27)とした以外は実施例25と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例19において粘度平均分子量15,000のポリマーに添加する物質をトリスノニルフェニルホスファイト0.003重量%、トリメチルホスフェート0.005重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.045重量%にした以外は実施例19と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例28においてストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例29)または110℃(実施例30)とした以外は実施例28と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例19において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質を亜リン酸0.0015重量%、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ホスファイト0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は実施例19と同様の評価を実施した。その結果を表2に示す。
実施例31において、ストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例32)または110℃(実施例33)とした以外は実施例31と同様の評価を実施した。その結果を表2に示す。
実施例19において粘度平均分子量15,000のパウダーに添加する物質を4,4'−ビフェニレンジホスフィン酸(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)0.01重量%、ステアリン酸モノグリセリド0.08重量%にした以外は実施例19と同様の操作を実施した。その結果を表2に示す。
実施例34において、ストランドをカッターで切断した直後のペレット温度を120℃(実施例35)または110℃(実施例36)とした以外は実施例34と同様の評価を実施した。その結果を表2に示す。
Claims (5)
- 運搬および輸送されたペレットを射出成形することにより基板を成形し、該基板の上にアルミニウム層を形成することを含む光ディスクの製造方法であって、
(i)該基板は、粘度平均分子量が13,000〜18,000である芳香族ポリカーボネート樹脂よりなり、
(ii)該ペレットは、芳香族ポリカーボネート樹脂をストランドに溶融押出しし、温水にて冷却後、切断して得られたペレットであり、かつ
(iii)運搬および輸送前のペレット(A)は、そのペレット5kgを秤量し、幅500mm、長さ864mm、厚み0.08mmのポリエチレン袋を2枚重ねたものの中に詰め、圧縮空気を吹き込み膨らませ(内容量約38L)、次いでそのペレット入りのポリエチレン袋をブレンダーに入れ、25r.p.m.でブレンダーを回転して60分間振り混ぜた後の、粒径1.0mm以下の微粉末の発生量が250ppm以下である、ことを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 該ペレット(A)は、粒径1.0mm以下の微粉末の発生量が150ppm以下である請求項1記載の光ディスクの製造方法。
- 該ペレット(A)は、その形状が内径2.0〜3.3mmで長さが2.5〜3.5mmである請求項1記載の光ディスクの製造方法。
- 該芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとしてビスフェノールAを使用して得られたポリカーボネート樹脂である請求項1記載の光ディスクの製造方法。
- 該光ディスクは、CD、DVD、DVD−ROMまたはDVD−RAMである請求項1記載の光ディスクの製造方法。
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