JP2000052402A - 芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法Info
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶融成形時の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱
安定性が良好で、且つ塩素化合物の量が極めて少いポリ
カーボネート成形品の製造方法を提供する。 【解決手段】 芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押
出機によって成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯
蔵容器)から押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器
(二次貯蔵容器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送する際に、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂粉粒体の重量/不活性ガスの重量で示される混
合比が20以下となる量の不活性ガスを使用して該芳香
族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送し、次いで移送さ
れた二次貯蔵容器内の芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒
体を押出機に供給することを特徴する芳香族ポリカーボ
ネート成形品の製造方法。
安定性が良好で、且つ塩素化合物の量が極めて少いポリ
カーボネート成形品の製造方法を提供する。 【解決手段】 芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押
出機によって成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯
蔵容器)から押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器
(二次貯蔵容器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送する際に、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂粉粒体の重量/不活性ガスの重量で示される混
合比が20以下となる量の不活性ガスを使用して該芳香
族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送し、次いで移送さ
れた二次貯蔵容器内の芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒
体を押出機に供給することを特徴する芳香族ポリカーボ
ネート成形品の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリカーボネート
成形品の製造方法に関する。更に詳しくは、溶融成形時
の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱安定性が良好で色相に
優れ、且つ塩素化合物の量が極めて少いポリカーボネー
ト成形品の製造方法に関する。
成形品の製造方法に関する。更に詳しくは、溶融成形時
の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱安定性が良好で色相に
優れ、且つ塩素化合物の量が極めて少いポリカーボネー
ト成形品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】二価フェノールとカーボネート前駆物質
から得られる芳香族ポリカーボネート樹脂は、優れた透
明性、機械物性、成形性及び熱安定性等を有することか
ら多くの分野に用いられている。また近年光ディスク等
の分野で情報記録媒体用基板としても広く用いられてい
る。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、溶融成形する際に酸素が混入又は共存吸着した場
合、熱酸化劣化が起こることが明らかになった。従来、
芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体をベント付押出機に
よって溶融成形する際に、酸素等熱酸化劣化を誘発する
物質をベントから脱揮する方法や不活性ガス充填法が知
られている(特開昭60−184813号公報、特開昭
60−184814号公報、特開平8−132437号
公報、特開平9−31208号公報)。しかしながら、
これらの方法では熱酸化劣化を十分に抑制、改善するこ
とはできなかった。また、溶融成形する粉粒体の処理量
の増大に従って、不活性ガスの使用量も増大し、押出機
への粉粒体の安定供給性に影響を与える問題もある。
から得られる芳香族ポリカーボネート樹脂は、優れた透
明性、機械物性、成形性及び熱安定性等を有することか
ら多くの分野に用いられている。また近年光ディスク等
の分野で情報記録媒体用基板としても広く用いられてい
る。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂
は、溶融成形する際に酸素が混入又は共存吸着した場
合、熱酸化劣化が起こることが明らかになった。従来、
芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体をベント付押出機に
よって溶融成形する際に、酸素等熱酸化劣化を誘発する
物質をベントから脱揮する方法や不活性ガス充填法が知
られている(特開昭60−184813号公報、特開昭
60−184814号公報、特開平8−132437号
公報、特開平9−31208号公報)。しかしながら、
これらの方法では熱酸化劣化を十分に抑制、改善するこ
とはできなかった。また、溶融成形する粉粒体の処理量
の増大に従って、不活性ガスの使用量も増大し、押出機
への粉粒体の安定供給性に影響を与える問題もある。
【0003】また、この熱酸化劣化における結果の1つ
として着色し易いという問題を解決するために、ヒンダ
ードフェノール類やリン系化合物を熱安定剤として添加
する方法が公知である(特公昭38−16240号公
報、特公昭51−21430号公報)。しかしながら、
かかる熱安定剤は耐加水分解性に影響を与えるため使用
量や効果に限界がある。
として着色し易いという問題を解決するために、ヒンダ
ードフェノール類やリン系化合物を熱安定剤として添加
する方法が公知である(特公昭38−16240号公
報、特公昭51−21430号公報)。しかしながら、
かかる熱安定剤は耐加水分解性に影響を与えるため使用
量や効果に限界がある。
【0004】一方、芳香族ポリカーボネート樹脂の製造
法として最も多用されている溶液法においては、溶媒と
してハロゲン系の有機溶媒、特に塩化メチレンが用いら
れており、ポリカーボネートは塩化メチレンの溶液とし
て得られ、この溶液から塩化メチレンを分離除去する必
要がある。しかしながら、塩化メチレンはポリカーボネ
ートとの親和性が強いため、これの十分な分離除去は極
めて困難である。上記芳香族ポリカーボネート樹脂を溶
融成形する際に、塩化メチレン等のハロゲン系化合物が
混入又は共存吸着した場合、熱分解が誘発され易い。ま
た、近年環境や安全等の問題の高まりから、ポリカーボ
ネート成形品中の塩化メチレンの残存量の規制が厳しく
なり、特に米国規格では、ポリカーボネートボトルに保
存した水中の塩素溶出容認量は0.005ppm以下と
いう極めて厳しい規制がなされている。従来、ポリカー
ボネートの脱溶媒を容易にするために、種々の方法が提
案されている(特開平1−149827号公報、特開平
7−26024号公報)が、いずれも脱溶媒は不十分で
ある。
法として最も多用されている溶液法においては、溶媒と
してハロゲン系の有機溶媒、特に塩化メチレンが用いら
れており、ポリカーボネートは塩化メチレンの溶液とし
て得られ、この溶液から塩化メチレンを分離除去する必
要がある。しかしながら、塩化メチレンはポリカーボネ
ートとの親和性が強いため、これの十分な分離除去は極
めて困難である。上記芳香族ポリカーボネート樹脂を溶
融成形する際に、塩化メチレン等のハロゲン系化合物が
混入又は共存吸着した場合、熱分解が誘発され易い。ま
た、近年環境や安全等の問題の高まりから、ポリカーボ
ネート成形品中の塩化メチレンの残存量の規制が厳しく
なり、特に米国規格では、ポリカーボネートボトルに保
存した水中の塩素溶出容認量は0.005ppm以下と
いう極めて厳しい規制がなされている。従来、ポリカー
ボネートの脱溶媒を容易にするために、種々の方法が提
案されている(特開平1−149827号公報、特開平
7−26024号公報)が、いずれも脱溶媒は不十分で
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、芳香
族ポリカーボネート樹脂の溶融成形時の熱酸化劣化を十
分に抑制し、熱安定性が良好で色相に優れ、且つ塩素化
合物の量が極めて少い芳香族ポリカーボネート樹脂成形
品の製造方法を提供することにある。
族ポリカーボネート樹脂の溶融成形時の熱酸化劣化を十
分に抑制し、熱安定性が良好で色相に優れ、且つ塩素化
合物の量が極めて少い芳香族ポリカーボネート樹脂成形
品の製造方法を提供することにある。
【0006】本発明者は、上記目的を達成せんとして上
記芳香族ポリカーボネート樹脂の溶融成形について鋭意
研究を重ねた結果、上記芳香族ポリカーボネート樹脂の
粉粒体を溶融成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯
蔵容器)から押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器
(二次貯蔵容器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送する際に、特定量の不活性ガス
を使用して該芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送
することによって、押出処理量や粉粒体物性に依存する
ことなく不活性ガスへの置換を比較的効率よく、かつ容
易に行えることで溶融成形する際の熱酸化劣化を大幅に
抑制し、熱安定性が良好で、且つ塩素化合物の量が極め
て少いポリカーボネート成形品が得られることを知っ
た。
記芳香族ポリカーボネート樹脂の溶融成形について鋭意
研究を重ねた結果、上記芳香族ポリカーボネート樹脂の
粉粒体を溶融成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯
蔵容器)から押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器
(二次貯蔵容器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送する際に、特定量の不活性ガス
を使用して該芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送
することによって、押出処理量や粉粒体物性に依存する
ことなく不活性ガスへの置換を比較的効率よく、かつ容
易に行えることで溶融成形する際の熱酸化劣化を大幅に
抑制し、熱安定性が良好で、且つ塩素化合物の量が極め
て少いポリカーボネート成形品が得られることを知っ
た。
【0007】この知見に基いて更に研究を重ねたとこ
ろ、一次貯蔵容器、二次貯蔵容器にガス供給口及び排気
口を設け、ガス供給口から不活性ガスを導入し、排気口
からガスを導出して貯蔵容器内の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂粉粒体に含有されている空気の少くとも一部を不
活性ガスで置換すること、粉粒体を押出機に供給し、粉
粒体が押出機内の非溶融ゾーンに存在する間に、不活性
ガスを圧入し、脱気すること、芳香族ポリカーボネート
樹脂が押出機内の溶融ゾーンに存在する間に、水を注入
添加し、脱気することなどによって上記効果がさらに増
強されることを見出し、本発明を完成したものである。
ろ、一次貯蔵容器、二次貯蔵容器にガス供給口及び排気
口を設け、ガス供給口から不活性ガスを導入し、排気口
からガスを導出して貯蔵容器内の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂粉粒体に含有されている空気の少くとも一部を不
活性ガスで置換すること、粉粒体を押出機に供給し、粉
粒体が押出機内の非溶融ゾーンに存在する間に、不活性
ガスを圧入し、脱気すること、芳香族ポリカーボネート
樹脂が押出機内の溶融ゾーンに存在する間に、水を注入
添加し、脱気することなどによって上記効果がさらに増
強されることを見出し、本発明を完成したものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押出機によっ
て成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯蔵容器)か
ら押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器(二次貯蔵容
器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボネート樹脂粉
粒体を移送する際に、芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒
体の重量/不活性ガスの重量で示される混合比が20以
下となる量の不活性ガスを使用して該芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送し、次いで移送された二次貯蔵
容器内の芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押出機に
供給することを特徴するポリカーボネート成形品の製造
方法が提供される。
ば、芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押出機によっ
て成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯蔵容器)か
ら押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器(二次貯蔵容
器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボネート樹脂粉
粒体を移送する際に、芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒
体の重量/不活性ガスの重量で示される混合比が20以
下となる量の不活性ガスを使用して該芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送し、次いで移送された二次貯蔵
容器内の芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押出機に
供給することを特徴するポリカーボネート成形品の製造
方法が提供される。
【0009】本発明においては、一次貯蔵容器から押出
機上部に設置された二次貯蔵容器へ輸送配管を通じて芳
香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送する際に、芳香
族ポリカーボネート樹脂粉粒体の重量/不活性ガスの重
量で示される混合比が20以下、好ましくは0.3〜2
0、より好ましくは0.3〜10、さらに好ましくは
0.3〜5となる量の不活性ガスを使用して芳香族ポリ
カーボネート樹脂粉粒体を移送する。そうすることによ
り輸送配管中で芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体に含
有されている空気や塩化メチレン等の塩素化合物が効率
良く不活性ガスに置換され、次に行う押出機における溶
融成形時の熱酸化劣化を十分に抑制することができ、且
つ得られる成形品中の塩素化合物の量を少くすることが
できる。かかる混合比が20を超えると粉粒体が輸送配
管内に一様に分布された均一流とならず、粉粒体に含有
されている空気や塩素化合物が不活性ガスに置換され
ず、溶融成形時に芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体の
酸化劣化が起こり好ましくない。
機上部に設置された二次貯蔵容器へ輸送配管を通じて芳
香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送する際に、芳香
族ポリカーボネート樹脂粉粒体の重量/不活性ガスの重
量で示される混合比が20以下、好ましくは0.3〜2
0、より好ましくは0.3〜10、さらに好ましくは
0.3〜5となる量の不活性ガスを使用して芳香族ポリ
カーボネート樹脂粉粒体を移送する。そうすることによ
り輸送配管中で芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体に含
有されている空気や塩化メチレン等の塩素化合物が効率
良く不活性ガスに置換され、次に行う押出機における溶
融成形時の熱酸化劣化を十分に抑制することができ、且
つ得られる成形品中の塩素化合物の量を少くすることが
できる。かかる混合比が20を超えると粉粒体が輸送配
管内に一様に分布された均一流とならず、粉粒体に含有
されている空気や塩素化合物が不活性ガスに置換され
ず、溶融成形時に芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体の
酸化劣化が起こり好ましくない。
【0010】本発明で使用される輸送配管の形状として
は、円筒、楕円、角柱等があり、特に円筒型が好ましく
用いられる。かかる円筒型の配管の管径は、30〜25
0mmのものが好ましく採用される。また、配管の長さ
については、本輸送配管内で粉粒体に含有されている空
気や塩素化合物が不活性ガスに置換することが目的であ
るので、ある程度の長さが必要であり、10m以上であ
ることが望ましく、10m〜200mの配管の長さが好
ましい。さらに配管の材質については、オーステナイト
系ステンレス鋼、フェライト系ステンレス鋼、クロム−
モリブデン鋼、ニッケル−クロム鉄、アルミニウム、チ
タンなどの合金鋼管や炭素鋼管、また非金属系としては
ポリエチレン、塩化ビニル、ポリブテン管等各種材質等
が使用でき、特に強度、硬度などの機械的性質とコスト
面とのバランスに優れるという観点からオーステナイト
系ステンレス鋼およびそのサニタリー仕様のものが好適
に用いられる。
は、円筒、楕円、角柱等があり、特に円筒型が好ましく
用いられる。かかる円筒型の配管の管径は、30〜25
0mmのものが好ましく採用される。また、配管の長さ
については、本輸送配管内で粉粒体に含有されている空
気や塩素化合物が不活性ガスに置換することが目的であ
るので、ある程度の長さが必要であり、10m以上であ
ることが望ましく、10m〜200mの配管の長さが好
ましい。さらに配管の材質については、オーステナイト
系ステンレス鋼、フェライト系ステンレス鋼、クロム−
モリブデン鋼、ニッケル−クロム鉄、アルミニウム、チ
タンなどの合金鋼管や炭素鋼管、また非金属系としては
ポリエチレン、塩化ビニル、ポリブテン管等各種材質等
が使用でき、特に強度、硬度などの機械的性質とコスト
面とのバランスに優れるという観点からオーステナイト
系ステンレス鋼およびそのサニタリー仕様のものが好適
に用いられる。
【0011】芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体の移送
速度については、粉粒体の破砕や輸送配管の摩耗による
異物発生混入を防止する観点から、15〜40m/sの
範囲が望ましい。
速度については、粉粒体の破砕や輸送配管の摩耗による
異物発生混入を防止する観点から、15〜40m/sの
範囲が望ましい。
【0012】また、本発明において、上記一次貯蔵容器
および二次貯蔵容器は、ガス供給口及び排気口を設け
て、このガス供給口から不活性ガスを導入し、排気口か
らガスを導出して貯蔵容器内の粉粒体に含有されている
空気や塩素化合物の少くとも一部を前記不活性ガスで置
換する方法がさらに好ましく採用される。また、ガス供
給口には供給ガスの圧力を調整するための圧力調整バル
ブを設けておくのが好ましい。ガス供給は、不活性ガス
をガス供給口から導入して貯蔵容器内を常圧あるいは若
干の加圧状態にすることが好ましく、1.1気圧程度の
圧力が望ましい。この不活性ガスの導入速度は、押出機
に供給される粉粒体が貯蔵容器内で貯蔵容器の容積程
度、望ましくは貯蔵容器の容積の3倍程度の不活性ガス
の導入量となるように調整することが好ましい。
および二次貯蔵容器は、ガス供給口及び排気口を設け
て、このガス供給口から不活性ガスを導入し、排気口か
らガスを導出して貯蔵容器内の粉粒体に含有されている
空気や塩素化合物の少くとも一部を前記不活性ガスで置
換する方法がさらに好ましく採用される。また、ガス供
給口には供給ガスの圧力を調整するための圧力調整バル
ブを設けておくのが好ましい。ガス供給は、不活性ガス
をガス供給口から導入して貯蔵容器内を常圧あるいは若
干の加圧状態にすることが好ましく、1.1気圧程度の
圧力が望ましい。この不活性ガスの導入速度は、押出機
に供給される粉粒体が貯蔵容器内で貯蔵容器の容積程
度、望ましくは貯蔵容器の容積の3倍程度の不活性ガス
の導入量となるように調整することが好ましい。
【0013】本発明において、芳香族ポリカーボネート
樹脂粉粒体の輸送等に使用される不活性ガスは、芳香族
ポリカーボネート樹脂に対して不活性なガスであればよ
く、例えば窒素ガス、炭酸ガス、希ガス等が用いられ、
特に窒素ガスが好ましく用いられる。また、異物の混入
防止の点から目開きが0.5〜0.1μm程度のフィル
ターによって清浄にして用いるのが好ましい。
樹脂粉粒体の輸送等に使用される不活性ガスは、芳香族
ポリカーボネート樹脂に対して不活性なガスであればよ
く、例えば窒素ガス、炭酸ガス、希ガス等が用いられ、
特に窒素ガスが好ましく用いられる。また、異物の混入
防止の点から目開きが0.5〜0.1μm程度のフィル
ターによって清浄にして用いるのが好ましい。
【0014】また、本発明で用いるポリカーボネート樹
脂粉粒体は、その比表面積が通常0.01〜100m2
/g程度であり、0.05〜80m2/gであることが
望ましい。かかる範囲内の比表面積を有するポリカーボ
ネート樹脂粉粒体は、不活性ガスとの置換がより効果的
であり好ましい。
脂粉粒体は、その比表面積が通常0.01〜100m2
/g程度であり、0.05〜80m2/gであることが
望ましい。かかる範囲内の比表面積を有するポリカーボ
ネート樹脂粉粒体は、不活性ガスとの置換がより効果的
であり好ましい。
【0015】本発明で用いる押出機としては、非溶融ゾ
ーンに少くとも一箇所のベントとこのベントの前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機が好ましく、押出機に供
給された粉粒体に対して不活性なガスを、非溶融ゾーン
の少くとも一箇所の押出機用注入口から圧入すると共に
該注入口のうしろの最も近いベントから脱揮する。こう
することによって、押出機における溶融成形時の熱酸化
劣化を更に十分に抑制することができ且つ得られる成形
品中の塩素化合物の量を更に少くすることができる。
ーンに少くとも一箇所のベントとこのベントの前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機が好ましく、押出機に供
給された粉粒体に対して不活性なガスを、非溶融ゾーン
の少くとも一箇所の押出機用注入口から圧入すると共に
該注入口のうしろの最も近いベントから脱揮する。こう
することによって、押出機における溶融成形時の熱酸化
劣化を更に十分に抑制することができ且つ得られる成形
品中の塩素化合物の量を更に少くすることができる。
【0016】この非溶融ゾーンにおける押出機用注入口
1箇所当りの不活性ガスの圧入量は、押出機の空間容積
に対して1〜100倍/分になる量が好ましく、その後
ろの非溶融ゾーン内のベントからの脱揮によって、含酸
素ガスの流入がなく且つ粉粒体が押出機外に放出される
ことが無い安定な押出運転が維持される。この非溶融ゾ
ーンにおける不活性ガスの圧入は一箇所から行うことに
よって十分な効果が得られる。ここで圧入する不活性ガ
スとしては、上述したものと同様であり、清浄処理を施
した不活性ガスが好ましい。
1箇所当りの不活性ガスの圧入量は、押出機の空間容積
に対して1〜100倍/分になる量が好ましく、その後
ろの非溶融ゾーン内のベントからの脱揮によって、含酸
素ガスの流入がなく且つ粉粒体が押出機外に放出される
ことが無い安定な押出運転が維持される。この非溶融ゾ
ーンにおける不活性ガスの圧入は一箇所から行うことに
よって十分な効果が得られる。ここで圧入する不活性ガ
スとしては、上述したものと同様であり、清浄処理を施
した不活性ガスが好ましい。
【0017】また、溶融ゾーンに少くとも一箇所のベン
トと少くとも一箇所のベントの前に特にその直前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機を用い、供給された粉粒
体100重量部当り0.2〜4重量部になる量の水を、
少くとも一箇所の押出機用注入口から注入添加すると共
にこの注入口のうしろの最も近いベントから50Tor
r以下の真空度で脱揮すると、押出機における溶融成形
時の熱酸化劣化を更に十分に抑制することができ、且つ
得られる成形品中の塩素化合物の量を更に少くすること
ができるので好ましい。特に2〜3箇所の押出機用注入
口から注入添加すると共に、夫々の注入口のうしろの最
も近い夫々のベントから50Torr以下の真空度で脱
揮するのが好ましく、また夫々の脱揮を10Torr以
下の真空度で行うのが特に好ましい。
トと少くとも一箇所のベントの前に特にその直前に押出
機用注入口を設けた二軸押出機を用い、供給された粉粒
体100重量部当り0.2〜4重量部になる量の水を、
少くとも一箇所の押出機用注入口から注入添加すると共
にこの注入口のうしろの最も近いベントから50Tor
r以下の真空度で脱揮すると、押出機における溶融成形
時の熱酸化劣化を更に十分に抑制することができ、且つ
得られる成形品中の塩素化合物の量を更に少くすること
ができるので好ましい。特に2〜3箇所の押出機用注入
口から注入添加すると共に、夫々の注入口のうしろの最
も近い夫々のベントから50Torr以下の真空度で脱
揮するのが好ましく、また夫々の脱揮を10Torr以
下の真空度で行うのが特に好ましい。
【0018】特に二軸押出機を用い、上記の非溶融ゾー
ンにおける不活性ガスの圧入とベントからの脱揮吸引を
行い、更に上記の溶融ゾーンにおける2〜3箇所からの
水の注入添加とベントからの脱揮吸引を併用すること
は、押出機における溶融成形時の熱酸化劣化を更に十分
に抑制することができ、且つ得られる成形品中の塩素化
合物の量を更に十分に少くすることができるので好まし
い。
ンにおける不活性ガスの圧入とベントからの脱揮吸引を
行い、更に上記の溶融ゾーンにおける2〜3箇所からの
水の注入添加とベントからの脱揮吸引を併用すること
は、押出機における溶融成形時の熱酸化劣化を更に十分
に抑制することができ、且つ得られる成形品中の塩素化
合物の量を更に十分に少くすることができるので好まし
い。
【0019】なお、ベント数をあまりに多くすると押出
機が長くなり、樹脂のヤケ等の悪影響が発生し易くなる
ので、ベント数は合計で3〜5程度が適当である。ま
た、本発明で用いる芳香族ポリカーボネート樹脂の粉粒
体の二次貯蔵容器と押出機間の輸送ラインは、不活性ガ
スで充満させているのが好ましい。
機が長くなり、樹脂のヤケ等の悪影響が発生し易くなる
ので、ベント数は合計で3〜5程度が適当である。ま
た、本発明で用いる芳香族ポリカーボネート樹脂の粉粒
体の二次貯蔵容器と押出機間の輸送ラインは、不活性ガ
スで充満させているのが好ましい。
【0020】本発明で使用される芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体と
を溶液法または溶融法で反応させて得られるものであ
る。ここで使用される二価フェノールの代表的な例とし
ては、ハイドロキノン、レゾルシノール、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチ
ル)フェニル}メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン(通称ビスフェノールA)、
2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニ
ル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3,
5−ジメチル)フェニル}プロパン、2,2−ビス
{(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシ)フェニル}プ
ロパン、2,2−ビス{(3−イソプロピル−4−ヒド
ロキシ)フェニル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒ
ドロキシ−3−フェニル)フェニル}プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチルブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジ
メチルブタン、2,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−メチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ペンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−4−イソプロピルシクロ
ヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、9,9−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス
{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}フルオレ
ン、4,4′−(o−フェニレンジイソプロピリデン)
ジフェノール、4,4′−(m−フェニレンジイソプロ
ピリデン)ジフェノール、4,4′−(p−フェニレン
ジイソプロピリデン)ジフェノール、1,3−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−5,7−ジメチルアダマンタ
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4′−ジヒ
ドロキシジフェニルケトン、4,4′−ジヒドロキシジ
フェニルエーテルおよび4,4′−ジヒドロキシジフェ
ニルエステル等があげられ、これらは単独または2種以
上を混合して使用できる。
ト樹脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体と
を溶液法または溶融法で反応させて得られるものであ
る。ここで使用される二価フェノールの代表的な例とし
ては、ハイドロキノン、レゾルシノール、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)メタン、ビス{(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチ
ル)フェニル}メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェ
ニル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)プロパン(通称ビスフェノールA)、
2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニ
ル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3,
5−ジメチル)フェニル}プロパン、2,2−ビス
{(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシ)フェニル}プ
ロパン、2,2−ビス{(3−イソプロピル−4−ヒド
ロキシ)フェニル}プロパン、2,2−ビス{(4−ヒ
ドロキシ−3−フェニル)フェニル}プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチルブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3−ジ
メチルブタン、2,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−2−メチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ペンタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−4−イソプロピルシクロ
ヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、9,9−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス
{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}フルオレ
ン、4,4′−(o−フェニレンジイソプロピリデン)
ジフェノール、4,4′−(m−フェニレンジイソプロ
ピリデン)ジフェノール、4,4′−(p−フェニレン
ジイソプロピリデン)ジフェノール、1,3−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−5,7−ジメチルアダマンタ
ン、4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′
−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,4′−ジヒ
ドロキシジフェニルケトン、4,4′−ジヒドロキシジ
フェニルエーテルおよび4,4′−ジヒドロキシジフェ
ニルエステル等があげられ、これらは単独または2種以
上を混合して使用できる。
【0021】なかでもビスフェノールA、2,2−ビス
{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル
ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3−ジメチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシク
ロヘキサンおよび4,4′−(m−フェニレンジイソプ
ロピリデン)ジフェノールからなる群より選ばれた少な
くとも1種のビスフェノールより得られる単独重合体ま
たは共重合体が好ましく、さらに、ビスフェノールAの
単独重合体および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンとビスフ
ェノールA、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メ
チル)フェニル}プロパンまたは4,4′−(m−フェ
ニレンジイソプロピリデン)ジフェノールとの共重合体
が好ましく使用される。
{(4−ヒドロキシ−3−メチル)フェニル}プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、
2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メチル
ブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
3,3−ジメチルブタン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−4−メチルペンタン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−3,3,5−トリメチルシク
ロヘキサンおよび4,4′−(m−フェニレンジイソプ
ロピリデン)ジフェノールからなる群より選ばれた少な
くとも1種のビスフェノールより得られる単独重合体ま
たは共重合体が好ましく、さらに、ビスフェノールAの
単独重合体および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンとビスフ
ェノールA、2,2−ビス{(4−ヒドロキシ−3−メ
チル)フェニル}プロパンまたは4,4′−(m−フェ
ニレンジイソプロピリデン)ジフェノールとの共重合体
が好ましく使用される。
【0022】特に、芳香族ポリカーボネート樹脂は、全
芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも80モル%が、
(a)1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサン(成分a)及び
(b)4,4′−(m−フェニレンジイソプロピリデ
ン)ジフェノール及び2,2−ビス(3−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパンから選ばれた少くとも一
種の芳香族ジヒドロキシ成分(成分b)からなり且つ成
分aと成分bの割合がモル比で99:1〜20:80の
範囲で構成されたポリカーボネート共重合体であること
が好ましい。かかる共重合体は、優れた透明性、機械物
性、成形性、低吸水性および低複屈折性を有し(特開平
8−81549号公報、特開平8−293128号公
報)、さらに本発明の製造方法を採用することによっ
て、より熱安定性に優れた光学用材料殊に光ディスク基
板用材料に適したポリカーボネート共重合体を得ること
ができる。
芳香族ジヒドロキシ成分の少くとも80モル%が、
(a)1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,
3,5−トリメチルシクロヘキサン(成分a)及び
(b)4,4′−(m−フェニレンジイソプロピリデ
ン)ジフェノール及び2,2−ビス(3−メチル−4−
ヒドロキシフェニル)プロパンから選ばれた少くとも一
種の芳香族ジヒドロキシ成分(成分b)からなり且つ成
分aと成分bの割合がモル比で99:1〜20:80の
範囲で構成されたポリカーボネート共重合体であること
が好ましい。かかる共重合体は、優れた透明性、機械物
性、成形性、低吸水性および低複屈折性を有し(特開平
8−81549号公報、特開平8−293128号公
報)、さらに本発明の製造方法を採用することによっ
て、より熱安定性に優れた光学用材料殊に光ディスク基
板用材料に適したポリカーボネート共重合体を得ること
ができる。
【0023】かかる共重合体の成分aと成分bとの割合
は、モル比で99:1〜20:80の範囲が好ましく、
80:20〜20:80の範囲がより好ましく、80:
20〜30:70の範囲がさらに好ましい。成分aと成
分bとの割合がかかる範囲内であると、共重合体の溶融
流動性が良好で成形性に優れ、光学的に良好な成形品が
得られ、また、光弾性定数が小さく、ガラス転移温度も
適当で好ましい。
は、モル比で99:1〜20:80の範囲が好ましく、
80:20〜20:80の範囲がより好ましく、80:
20〜30:70の範囲がさらに好ましい。成分aと成
分bとの割合がかかる範囲内であると、共重合体の溶融
流動性が良好で成形性に優れ、光学的に良好な成形品が
得られ、また、光弾性定数が小さく、ガラス転移温度も
適当で好ましい。
【0024】上記カーボネート前駆体としてはカルボニ
ルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメー
ト等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカー
ボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が
挙げられる。
ルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメー
ト等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカー
ボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が
挙げられる。
【0025】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を溶液法または溶融法によって反応させて芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触
媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用
してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の
多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネー
ト樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カル
ボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であ
ってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の2
種以上を混合した混合物であってもよい。
を溶液法または溶融法によって反応させて芳香族ポリカ
ーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触
媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用
してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の
多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネー
ト樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カル
ボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であ
ってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の2
種以上を混合した混合物であってもよい。
【0026】溶液法による反応は、通常二価フェノール
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−n−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常0〜40℃、反応時間
は10分〜5時間程度、反応中のpHは9以上に保つの
が好ましい。
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−n−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−n−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常0〜40℃、反応時間
は10分〜5時間程度、反応中のpHは9以上に保つの
が好ましい。
【0027】また、かかる重合反応において、通常末端
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
又は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式
で表される単官能フェノール類を示すことができる。
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
又は低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式
で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【0028】
【化1】
【0029】[式中、Aは水素原子または炭素数1〜
9、好ましくは1〜8の脂肪族炭化水素基であり、rは
1〜5、好ましくは1〜3の整数である]。
9、好ましくは1〜8の脂肪族炭化水素基であり、rは
1〜5、好ましくは1〜3の整数である]。
【0030】上記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、p−tert−ブチルフェノー
ル、p−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。
は、例えばフェノール、p−tert−ブチルフェノー
ル、p−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。
【0031】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効
果があり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり
好ましく使用される。なかでも、下記一般式[I−a]
および[I−h]で表される長鎖のアルキル基を置換基
として有するフェノール類が好ましく使用される。
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効
果があり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり
好ましく使用される。なかでも、下記一般式[I−a]
および[I−h]で表される長鎖のアルキル基を置換基
として有するフェノール類が好ましく使用される。
【0032】
【化2】
【0033】
【化3】
【0034】
【化4】
【0035】
【化5】
【0036】
【化6】
【0037】
【化7】
【0038】
【化8】
【0039】
【化9】
【0040】[各式中、Xは−R−O−、−R−CO−
O−又は−R−O−CO−であり、ここでRは単結合又
は炭素数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭
化水素基であり、Tは単結合又は上記Xと同様の結合で
あり、nは10〜50の整数である。Qはハロゲン原子
又は炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族
炭化水素基であり、pは0〜4の整数てあり、Yは炭素
数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭化水素
基であり、W1は水素原子、−CO−R13、−CO−O
−R14又はR15であり、ここでR13、R14及びR15は夫
々炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭
化水素基、炭素数4〜8、好ましくは5〜6の一価の脂
環族炭化水素基又は炭素数6〜15、好ましくは6〜1
2の一価の芳香族炭化水素基を示す。aは4〜20、好
ましくは5〜10の整数であり、mは1〜100、好ま
しくは3〜60、特に好ましくは4〜50の整数であ
り、Zは単結合又は炭素数1〜10、好ましくは1〜5
の二価の脂肪族炭化水素基であり、W2は水素原子、炭
素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭化水
素基、炭素数4〜8、好ましくは5〜6の一価の脂環族
炭化水素基又は炭素数6〜15、好ましくは6〜12の
一価の芳香族炭化水素基である。]
O−又は−R−O−CO−であり、ここでRは単結合又
は炭素数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭
化水素基であり、Tは単結合又は上記Xと同様の結合で
あり、nは10〜50の整数である。Qはハロゲン原子
又は炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族
炭化水素基であり、pは0〜4の整数てあり、Yは炭素
数1〜10、好ましくは1〜5の二価の脂肪族炭化水素
基であり、W1は水素原子、−CO−R13、−CO−O
−R14又はR15であり、ここでR13、R14及びR15は夫
々炭素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭
化水素基、炭素数4〜8、好ましくは5〜6の一価の脂
環族炭化水素基又は炭素数6〜15、好ましくは6〜1
2の一価の芳香族炭化水素基を示す。aは4〜20、好
ましくは5〜10の整数であり、mは1〜100、好ま
しくは3〜60、特に好ましくは4〜50の整数であ
り、Zは単結合又は炭素数1〜10、好ましくは1〜5
の二価の脂肪族炭化水素基であり、W2は水素原子、炭
素数1〜10、好ましくは1〜5の一価の脂肪族炭化水
素基、炭素数4〜8、好ましくは5〜6の一価の脂環族
炭化水素基又は炭素数6〜15、好ましくは6〜12の
一価の芳香族炭化水素基である。]
【0041】これらのうち好ましいのは[I−a]及び
[I−b]の置換フェノール類である。この[I−a]
の置換フェノール類としては、nが10〜30、特に1
0〜26のものが好ましく、その具体例としては例えば
デシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフ
ェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェ
ノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール及
びトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
また、[I−b]の置換フェノール類としてはXが−R
−CO−O−であり、Rが単結合である化合物が適当で
あり、nが10〜30、特に10〜26のものが好適で
あって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸
デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息
香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、
ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ド
コシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げら
れる。前記一般式[I−a]〜[I−g]で示される置
換フェノール類又は置換安息香酸クロライドにおいて置
換基の位置は、p位又はo位が一般的に好ましく、その
両者の混合物が好ましい。前記単官能フェノール類は、
得られるポリカーボネート共重合体の全末端に対して少
くとも5モル%、好ましくは少くとも10モル%末端に
導入されることが望ましく、また単官能フェノール類は
単独で又は2種以上混合して用いてもよい。
[I−b]の置換フェノール類である。この[I−a]
の置換フェノール類としては、nが10〜30、特に1
0〜26のものが好ましく、その具体例としては例えば
デシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフ
ェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェ
ノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノール及
びトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
また、[I−b]の置換フェノール類としてはXが−R
−CO−O−であり、Rが単結合である化合物が適当で
あり、nが10〜30、特に10〜26のものが好適で
あって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸
デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息
香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、
ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ド
コシル及びヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げら
れる。前記一般式[I−a]〜[I−g]で示される置
換フェノール類又は置換安息香酸クロライドにおいて置
換基の位置は、p位又はo位が一般的に好ましく、その
両者の混合物が好ましい。前記単官能フェノール類は、
得られるポリカーボネート共重合体の全末端に対して少
くとも5モル%、好ましくは少くとも10モル%末端に
導入されることが望ましく、また単官能フェノール類は
単独で又は2種以上混合して用いてもよい。
【0042】溶融法による反応は、通常二価フェノール
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常120〜350℃の範囲である。
反応後期には系を10〜0.1Torr程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常1〜4時間程度である。
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常120〜350℃の範囲である。
反応後期には系を10〜0.1Torr程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常1〜4時間程度である。
【0043】カーボネートエステルとしては、置換され
ていてもよい炭素数6〜10のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数1〜4のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス(クロロフェニル)カーボネー
ト、m―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス(ジフェニル)カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。
ていてもよい炭素数6〜10のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数1〜4のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス(クロロフェニル)カーボネー
ト、m―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス(ジフェニル)カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。
【0044】また、重合速度を速めるために重合触媒を
用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸
化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等
のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩
基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩
類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合
物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ
化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモ
ン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコ
ニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交
換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は
単独で使用してもよいし、2種以上組み合わせ使用して
もよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェ
ノール1モルに対し、好ましくは1×10-9〜1×10
-3当量、より好ましくは1×10-8〜5×10-4当量の
範囲で選ばれる。
用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸
化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等
のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩
基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩
類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合
物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ
化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモ
ン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコ
ニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交
換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は
単独で使用してもよいし、2種以上組み合わせ使用して
もよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェ
ノール1モルに対し、好ましくは1×10-9〜1×10
-3当量、より好ましくは1×10-8〜5×10-4当量の
範囲で選ばれる。
【0045】また、かかる重合反応において、フェノー
ル性の末端基を減少するために、重縮合反応の後期ある
いは終了後に、例えばビス(クロロフェニル)カーボネ
ート、ビス(ブロモフェニル)カーボネート、ビス(ニ
トロフェニル)カーボネート、ビス(フェニルフェニ
ル)カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネー
ト、ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェ
ニルフェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネ
ート、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネー
トおよびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネ
ート等の化合物を加えることが好ましい。なかでも2−
クロロフェニルフェニルカーボネート、2−メトキシカ
ルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび2−エト
キシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好まし
く、特に2−メトキシカルボニルフェニルフェニルカー
ボネートが好ましく使用される。
ル性の末端基を減少するために、重縮合反応の後期ある
いは終了後に、例えばビス(クロロフェニル)カーボネ
ート、ビス(ブロモフェニル)カーボネート、ビス(ニ
トロフェニル)カーボネート、ビス(フェニルフェニ
ル)カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネー
ト、ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェ
ニルフェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネ
ート、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネー
トおよびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネ
ート等の化合物を加えることが好ましい。なかでも2−
クロロフェニルフェニルカーボネート、2−メトキシカ
ルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび2−エト
キシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好まし
く、特に2−メトキシカルボニルフェニルフェニルカー
ボネートが好ましく使用される。
【0046】芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量は、
その0.7gを100mlの塩化メチレンに溶解し、2
0℃で測定した比粘度が0.2〜0.5のものが好まし
く、0.25〜0.4のものがより好ましい。この比粘
度の範囲のものは、成形品の機械的強度が十分で、ま
た、溶融流動性が良好で成形性に優れ、光学的に良好な
成形品が得られる。
その0.7gを100mlの塩化メチレンに溶解し、2
0℃で測定した比粘度が0.2〜0.5のものが好まし
く、0.25〜0.4のものがより好ましい。この比粘
度の範囲のものは、成形品の機械的強度が十分で、ま
た、溶融流動性が良好で成形性に優れ、光学的に良好な
成形品が得られる。
【0047】本発明で使用される芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、光ディスク基板として好適に使用され、その
中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが望ま
しい。即ち、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂は、そ
の20gを塩化メチレン1リットルに溶解した溶液をハ
イアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル
4100を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光をラ
テックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径0.5
μm以上の未溶解粒子が、芳香族ポリカーボネート樹脂
1g当り40,000個以下、好ましくは25,000
個以下、より好ましくは15,000個以下、さらに好
ましくは12,000個以下であることが好ましい。ま
た、1μm以上の未溶解粒子が900個以下のものが好
ましく、500個以下のものがより好ましい。また、1
0μm以上の未溶解粒子は実質的に存在しないことが好
ましい。これらの未溶解粒子数が少ない芳香族ポリカー
ボネート樹脂は、光ディスクに書込まれた情報ピットに
悪影響を及ぼすことが少なくエラーレートが減少し好ま
しい。
ト樹脂は、光ディスク基板として好適に使用され、その
中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが望ま
しい。即ち、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂は、そ
の20gを塩化メチレン1リットルに溶解した溶液をハ
イアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル
4100を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光をラ
テックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径0.5
μm以上の未溶解粒子が、芳香族ポリカーボネート樹脂
1g当り40,000個以下、好ましくは25,000
個以下、より好ましくは15,000個以下、さらに好
ましくは12,000個以下であることが好ましい。ま
た、1μm以上の未溶解粒子が900個以下のものが好
ましく、500個以下のものがより好ましい。また、1
0μm以上の未溶解粒子は実質的に存在しないことが好
ましい。これらの未溶解粒子数が少ない芳香族ポリカー
ボネート樹脂は、光ディスクに書込まれた情報ピットに
悪影響を及ぼすことが少なくエラーレートが減少し好ま
しい。
【0048】かかる芳香族ポリカーボネート樹脂中にお
ける未溶解粒子の量を前記範囲にするためには、重合過
程及び造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか又
は除去し得る手段を採用すべきである。そのような手段
としては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未
溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること
(具体的例としては、軸受け部に異物取出口を有する隔
離室を設けたニーダー等)又は摺動部分に樹脂粒子が触
れない構造の装置(例えばスプレードライヤー形式の造
粒機)で造粒すること等がある。また、未溶解粒子を除
去する他の手段として、樹脂の溶液を目開きの小さいフ
ィルター(0.5〜1μm)により濾過する方法又は樹
脂を溶融して後、金属フィルター(10〜40μm)に
より固体粒子を除去する方法等が採用される。
ける未溶解粒子の量を前記範囲にするためには、重合過
程及び造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか又
は除去し得る手段を採用すべきである。そのような手段
としては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未
溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること
(具体的例としては、軸受け部に異物取出口を有する隔
離室を設けたニーダー等)又は摺動部分に樹脂粒子が触
れない構造の装置(例えばスプレードライヤー形式の造
粒機)で造粒すること等がある。また、未溶解粒子を除
去する他の手段として、樹脂の溶液を目開きの小さいフ
ィルター(0.5〜1μm)により濾過する方法又は樹
脂を溶融して後、金属フィルター(10〜40μm)に
より固体粒子を除去する方法等が採用される。
【0049】本発明で使用される芳香族ポリカーボネー
ト樹脂は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
し、また溶媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を使用
した場合、塩素化合物が少からず残存している。この塩
素化合物の含有量が多いと成形金型が腐食したり、芳香
族ポリカーボネート樹脂の熱安定性が低下したり、また
光ディスク基板として用いた場合、その金属膜の腐食が
起こったりするので望ましくない。従って、塩素化合物
の含量は10ppm以下、好ましくは7ppm以下、特
に好ましくは5ppm以下であるのが推奨される。ここ
でいう塩素化合物含量とは、ポリカーボネート共重合体
を三菱化学(株)製全有機ハロゲン分析装置TOX10
型を用いて燃焼法により測定された値を意味するものと
する。
ト樹脂は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用
し、また溶媒として塩化メチレン等の塩素系溶媒を使用
した場合、塩素化合物が少からず残存している。この塩
素化合物の含有量が多いと成形金型が腐食したり、芳香
族ポリカーボネート樹脂の熱安定性が低下したり、また
光ディスク基板として用いた場合、その金属膜の腐食が
起こったりするので望ましくない。従って、塩素化合物
の含量は10ppm以下、好ましくは7ppm以下、特
に好ましくは5ppm以下であるのが推奨される。ここ
でいう塩素化合物含量とは、ポリカーボネート共重合体
を三菱化学(株)製全有機ハロゲン分析装置TOX10
型を用いて燃焼法により測定された値を意味するものと
する。
【0050】本発明で用いる芳香族ポリカーボネート樹
脂にはリン化合物を配合して、芳香族ポリカーボネート
樹脂の熱安定性を向上し、成形時における分子量の低下
や色相の悪化を防止することができる。かかるリン化合
物としては、例えば、亜リン酸、リン酸、亜ホスホン
酸、ホスホン酸及びこれらのエステル等が挙げられ、好
ましくは下記一般式[1]〜[4]
脂にはリン化合物を配合して、芳香族ポリカーボネート
樹脂の熱安定性を向上し、成形時における分子量の低下
や色相の悪化を防止することができる。かかるリン化合
物としては、例えば、亜リン酸、リン酸、亜ホスホン
酸、ホスホン酸及びこれらのエステル等が挙げられ、好
ましくは下記一般式[1]〜[4]
【0051】
【化10】
【0052】
【化11】
【0053】
【化12】
【0054】
【化13】
【0055】よりなる群から選択される少くとも1種の
リン化合物である。ここで、R1〜R12は夫々独立して
水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシル等の炭素数1〜20の
アルキル基、フェニル、トリル、ナフチル等の炭素数6
〜15のアリール基又はベンジル、フェネチル等の炭素
数7〜18のアラルキル基を表している。また、1つの
化合物中に2つのアルキル基が存在する場合は、その2
つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよ
い。
リン化合物である。ここで、R1〜R12は夫々独立して
水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシ
ル、ヘキサデシル、オクタデシル等の炭素数1〜20の
アルキル基、フェニル、トリル、ナフチル等の炭素数6
〜15のアリール基又はベンジル、フェネチル等の炭素
数7〜18のアラルキル基を表している。また、1つの
化合物中に2つのアルキル基が存在する場合は、その2
つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよ
い。
【0056】上記[1]式で示されるリン化合物として
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−
ブチルフェニル)ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス(2,6−ジ−tert
−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール
ジホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−
tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビ
ス(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)
ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペ
ンタエリスリトールジホスファイト等が挙げられ、上記
[2]式で示されるリン化合物としては、例えばトリブ
チルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェ
ニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニ
ルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフ
ェート等が挙げられ、上記[3]式で示されるリン化合
物としてはテトラキス(2,4−ジ−tert−ブチル
フェニル)−4,4−ジフェニレンホスホナイト等が挙
げられ、また上記[4]式で示される化合物としては、
例えばベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン
酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル等が挙げら
れる。
は、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフ
ェニルホスファイト、トリス(2,4−ジ−tert−
ブチルフェニル)ホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホス
ファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオク
チルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフ
ェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイ
ト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチル
ジフェニルホスファイト、ビス(2,6−ジ−tert
−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリスリトール
ジホスファイト、2,2−メチレンビス(4,6−ジ−
tert−ブチルフェニル)オクチルホスファイト、ビ
ス(ノニルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファ
イト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)
ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペ
ンタエリスリトールジホスファイト等が挙げられ、上記
[2]式で示されるリン化合物としては、例えばトリブ
チルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェ
ニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニ
ルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフ
ェート等が挙げられ、上記[3]式で示されるリン化合
物としてはテトラキス(2,4−ジ−tert−ブチル
フェニル)−4,4−ジフェニレンホスホナイト等が挙
げられ、また上記[4]式で示される化合物としては、
例えばベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン
酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピル等が挙げら
れる。
【0057】なかでもトリスノニルフェニルホスファイ
ト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)
ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホ
スファイト、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、ベンゼンホスホン酸ジメチルが好ましく用い
られる。かかるリン化合物の配合量は、芳香族ポリカー
ボネート樹脂に対して0.0001〜0.05重量%が
好ましく、0.0005〜0.02重量%がより好まし
く、0.001〜0.01重量%が特に好ましい。配合
量がかかる範囲内であるとより熱安定性に優れた芳香族
ポリカーボネート樹脂が得られる。
ト、トリス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)
ホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホ
スファイト、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、ベンゼンホスホン酸ジメチルが好ましく用い
られる。かかるリン化合物の配合量は、芳香族ポリカー
ボネート樹脂に対して0.0001〜0.05重量%が
好ましく、0.0005〜0.02重量%がより好まし
く、0.001〜0.01重量%が特に好ましい。配合
量がかかる範囲内であるとより熱安定性に優れた芳香族
ポリカーボネート樹脂が得られる。
【0058】本発明で使用される芳香族ポリカーボネー
ト樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤
を配合することができる。その例としてはフェノール系
酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエ
チレングリコール−ビス[3−(3−tert−ブチル
−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5
−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロピオネート]、ペンタエリスリトール−テトラキス
[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−
(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N−ヘキサメチレ
ンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シ−ヒドロシンナマイド)、3,5−ジ−tert−ブ
チル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチ
ルエステル、トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、3,9−
ビス{1,1−ジメチル−2−[β−(3−tert−
ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピ
オニルオキシ]エチル}−2,4,8,10−テトラオ
キサスピロ(5,5)ウンデカン等が挙げられる。これ
ら酸化防止剤の好ましい配合量の範囲は芳香族ポリカー
ボネート樹脂100重量部に対して0.0001〜0.
05重量部である。
ト樹脂には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤
を配合することができる。その例としてはフェノール系
酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエ
チレングリコール−ビス[3−(3−tert−ブチル
−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5
−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロピオネート]、ペンタエリスリトール−テトラキス
[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−
(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロピオネート、1,3,5−トリメチル−2,
4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−
ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N−ヘキサメチレ
ンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキ
シ−ヒドロシンナマイド)、3,5−ジ−tert−ブ
チル−4−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチ
ルエステル、トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、3,9−
ビス{1,1−ジメチル−2−[β−(3−tert−
ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピ
オニルオキシ]エチル}−2,4,8,10−テトラオ
キサスピロ(5,5)ウンデカン等が挙げられる。これ
ら酸化防止剤の好ましい配合量の範囲は芳香族ポリカー
ボネート樹脂100重量部に対して0.0001〜0.
05重量部である。
【0059】更に、本発明で用いられる芳香族ポリカー
ボネート樹脂には、必要に応じて一価又は多価アルコー
ルの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一
価又は多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合する
ことにより、芳香族ポリカーボネート樹脂の成形時の金
型からの離型性が改良され、ディスク基板の成形におい
ては、離型荷重が少く、離型不良によるディスク基板の
変形、ピットずれを防止できる。また、芳香族ポリカー
ボネート樹脂の溶融流動性が改善される利点もある。か
かる高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数1〜20
の一価又は多価アルコールと炭素原子数10〜30の飽
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルであるのが好
ましい。
ボネート樹脂には、必要に応じて一価又は多価アルコー
ルの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一
価又は多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合する
ことにより、芳香族ポリカーボネート樹脂の成形時の金
型からの離型性が改良され、ディスク基板の成形におい
ては、離型荷重が少く、離型不良によるディスク基板の
変形、ピットずれを防止できる。また、芳香族ポリカー
ボネート樹脂の溶融流動性が改善される利点もある。か
かる高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数1〜20
の一価又は多価アルコールと炭素原子数10〜30の飽
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルであるのが好
ましい。
【0060】また、かかる一価又は多価アルコールと飽
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルとしてはステ
アリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテー
ト、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトール
モノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステア
レート、プロピレングリコールモノステアレート、ステ
アリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチル
ステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミ
テート、2−エチルヘキシルステアレート等が挙げら
れ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリ
スリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量
は、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して0.01〜2
重量%が好ましく、0.015〜0.5重量%がより好
ましく、0.02〜0.2重量%がさらに好ましい。配
合量がかかる範囲内であると芳香族ポリカーボネート樹
脂の成形時の金型からの離型性が改良され、また、金型
表面の汚れもなく好ましい。
和脂肪酸との部分エステル又は全エステルとしてはステ
アリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテー
ト、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトール
モノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステア
レート、プロピレングリコールモノステアレート、ステ
アリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチル
ステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミ
テート、2−エチルヘキシルステアレート等が挙げら
れ、なかでもステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリ
スリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量
は、芳香族ポリカーボネート樹脂に対して0.01〜2
重量%が好ましく、0.015〜0.5重量%がより好
ましく、0.02〜0.2重量%がさらに好ましい。配
合量がかかる範囲内であると芳香族ポリカーボネート樹
脂の成形時の金型からの離型性が改良され、また、金型
表面の汚れもなく好ましい。
【0061】本発明で用いるポリカーボネート樹脂に
は、更に光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加
剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。ま
た、他のポリカーボネート、熱可塑性樹脂を本発明の目
的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。
は、更に光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加
剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。ま
た、他のポリカーボネート、熱可塑性樹脂を本発明の目
的を損なわない範囲で少割合添加することもできる。
【0062】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明する。な
お、実施例中の部及び%は重量部及び重量%であり、評
価は下記の方法によった。
お、実施例中の部及び%は重量部及び重量%であり、評
価は下記の方法によった。
【0063】(1)比粘度:ポリマー0.7gを100
mlの塩化メチレンに溶解し20℃で測定した。
mlの塩化メチレンに溶解し20℃で測定した。
【0064】(2)塩化メチレン未溶解粒子:ポリカー
ボネート20gを塩化メチレン1リットルに溶解した溶
液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンター
モデル4100を用いたレーザーセンサー法にて散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。
ボネート20gを塩化メチレン1リットルに溶解した溶
液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンター
モデル4100を用いたレーザーセンサー法にて散乱光
をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。
【0065】(3)全光線透過率:ASTM D−10
03に従って日本電色シグマ80を用いて測定した。
03に従って日本電色シグマ80を用いて測定した。
【0066】(4)熱安定性(色相及び比粘度の変
化):試料のペレットを120℃で5時間乾燥した後、
射出成形機[住友重機(株)製SG−150]を用い、
シリンダー温度340℃で10分間滞留させたものとさ
せないものの試験片(縦70mm、横50mm、厚み2
mm)を夫々作成し、その比粘度の変化(△ηsp)及び
色相の変化(△E)を測定した。色相の変化はJIS
Z−8730に従って日本電色(株)モデルZ−100
1DPを用いて夫々のL、a、b値を測定して次式によ
り算出した。
化):試料のペレットを120℃で5時間乾燥した後、
射出成形機[住友重機(株)製SG−150]を用い、
シリンダー温度340℃で10分間滞留させたものとさ
せないものの試験片(縦70mm、横50mm、厚み2
mm)を夫々作成し、その比粘度の変化(△ηsp)及び
色相の変化(△E)を測定した。色相の変化はJIS
Z−8730に従って日本電色(株)モデルZ−100
1DPを用いて夫々のL、a、b値を測定して次式によ
り算出した。
【0067】
【数1】
【0068】(5)塩素化合物の含有量:三菱化学
(株)製の塩素イオン分析装置TSX10型を用いて燃
焼法により測定した。
(株)製の塩素イオン分析装置TSX10型を用いて燃
焼法により測定した。
【0069】(6)ペレット色相(b値):日本電色
(株)製モデルZ−1001DPを用いてb値を測定し
た。b値が大きいほど黄色みがあることを意味する。
(株)製モデルZ−1001DPを用いてb値を測定し
た。b値が大きいほど黄色みがあることを意味する。
【0070】(7)色相差(Δb値):実施例で得られ
たペレットのb値と、その実施例に対応する粉粒体の移
送時に窒素ガスの代わりに空気を用いた比較例において
得られたペレットのb値との差を算出した。
たペレットのb値と、その実施例に対応する粉粒体の移
送時に窒素ガスの代わりに空気を用いた比較例において
得られたペレットのb値との差を算出した。
【0071】[実施例1] (A)温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオ
ン交換水929.2部、48%水酸化ナトリウム水溶液
61.3部を仕込み、これに1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサ
ン(以下“ビスフェノールTMC”と略称することがあ
る)39部、4,4′−(m−フェニレンジイソプロピ
リデン)ジフェノール(以下“ビスフェノールM”と略
称することがある)43.6部及びハイドロサルファイ
ト0.17部を溶解した後、塩化メチレン637.9部
を加え、撹拌下15〜20℃でホスゲン32.4部を4
0分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後p−ter
t−ブチルフェノール1.51部及び48%水酸化ナト
リウム水溶液15.6部を加え、攪拌して乳化させた後
トリエチルアミン0.09部を加え、28〜33℃で1
時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を
多孔板付遠心抽出機[(株)日立製作所製ウルトレック
スEP−02]にてイオン交換水流量1,000ml/
分、反応生成物溶液流量1,500ml/分、回転数
3,500rpmの条件で遠心分離した後、塩化メチレ
ン相を塩酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を
繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになっ
たところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設け
たニーダーにより塩化メチレンを蒸発してビスフェノー
ルTMCとビスフェノールMの割合がモル比で50:5
0、比粘度が0.285である粉粒状の無色のポリカー
ボネート共重合体75.7部(収率97%)を得た。
ン交換水929.2部、48%水酸化ナトリウム水溶液
61.3部を仕込み、これに1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサ
ン(以下“ビスフェノールTMC”と略称することがあ
る)39部、4,4′−(m−フェニレンジイソプロピ
リデン)ジフェノール(以下“ビスフェノールM”と略
称することがある)43.6部及びハイドロサルファイ
ト0.17部を溶解した後、塩化メチレン637.9部
を加え、撹拌下15〜20℃でホスゲン32.4部を4
0分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後p−ter
t−ブチルフェノール1.51部及び48%水酸化ナト
リウム水溶液15.6部を加え、攪拌して乳化させた後
トリエチルアミン0.09部を加え、28〜33℃で1
時間撹拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を
多孔板付遠心抽出機[(株)日立製作所製ウルトレック
スEP−02]にてイオン交換水流量1,000ml/
分、反応生成物溶液流量1,500ml/分、回転数
3,500rpmの条件で遠心分離した後、塩化メチレ
ン相を塩酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を
繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになっ
たところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設け
たニーダーにより塩化メチレンを蒸発してビスフェノー
ルTMCとビスフェノールMの割合がモル比で50:5
0、比粘度が0.285である粉粒状の無色のポリカー
ボネート共重合体75.7部(収率97%)を得た。
【0072】(B)この粉粒体を120℃で5時間乾燥
した後、内容積5m3の一次貯蔵容器に投入し、目開き
0.2μmのフィルターによって清浄にした圧力2kg
f/cm2の窒素ガスを15m3/時の速度でガス供給口
より導入しながら排気口より導出する処理を2時間続け
た。次に、この粉粒体を一次貯蔵容器から、輸送配管を
通じて窒素ガスにより(混合比は粉粒体重量/窒素ガス
重量=2.11)、押出機上部に設置した内容積0.2
m3の二次貯蔵容器へ移送した(移送速度は32.4m
/sであった)。その後、目開き0.2μmのフィルタ
ーによって清浄にした圧力2kgf/cm2の窒素ガス
を10m3/時の速度でガス供給口より導入しながら排
気口より導出する処理を2時間続けた。
した後、内容積5m3の一次貯蔵容器に投入し、目開き
0.2μmのフィルターによって清浄にした圧力2kg
f/cm2の窒素ガスを15m3/時の速度でガス供給口
より導入しながら排気口より導出する処理を2時間続け
た。次に、この粉粒体を一次貯蔵容器から、輸送配管を
通じて窒素ガスにより(混合比は粉粒体重量/窒素ガス
重量=2.11)、押出機上部に設置した内容積0.2
m3の二次貯蔵容器へ移送した(移送速度は32.4m
/sであった)。その後、目開き0.2μmのフィルタ
ーによって清浄にした圧力2kgf/cm2の窒素ガス
を10m3/時の速度でガス供給口より導入しながら排
気口より導出する処理を2時間続けた。
【0073】次いで、かかる粉粒体を計量器を介して4
ベント式の46mmφ二軸押出機(原料供給口に最も近
接しているベントをベントA、以下順次押出口に向かっ
てベントB〜Dとし、各ベント直前の押出機用注入口を
夫々押出機用注入口A〜Dとする。ベントA及び押出機
用注入口Aは非溶融ゾーンにあり、残りのベントB〜D
及び押出機用注入口B〜Dはいずれも溶融ゾーンにあ
る)に40kg/時の速度で供給した。押出機用注入口
Aから表1記載の量(リットル/時)の目開き0.2μ
mのフィルターによって清浄にした窒素ガスを圧入し、
次に、押出機用注入口Aの後に付設した非溶融ゾーンに
ある添加剤注入口よりポリカーボネートに対してトリス
(ノニルフェニル)ホスファイトを0.003%、トリ
メチルホスフェートを0.005%及びステアリン酸モ
ノグリセリドを0.045%となる量加えた。続いて、
押出機用注入口B〜Dから表1記載の量(部/ポリマー
100部)のイオン交換水を注入し、且つベントAから
は圧入窒素ガスを排出し、ベントB〜Dから表1記載の
真空度(Torr)で減圧に引きながら押出してペレッ
ト化した。得られたペレットの評価結果を表2に示し
た。
ベント式の46mmφ二軸押出機(原料供給口に最も近
接しているベントをベントA、以下順次押出口に向かっ
てベントB〜Dとし、各ベント直前の押出機用注入口を
夫々押出機用注入口A〜Dとする。ベントA及び押出機
用注入口Aは非溶融ゾーンにあり、残りのベントB〜D
及び押出機用注入口B〜Dはいずれも溶融ゾーンにあ
る)に40kg/時の速度で供給した。押出機用注入口
Aから表1記載の量(リットル/時)の目開き0.2μ
mのフィルターによって清浄にした窒素ガスを圧入し、
次に、押出機用注入口Aの後に付設した非溶融ゾーンに
ある添加剤注入口よりポリカーボネートに対してトリス
(ノニルフェニル)ホスファイトを0.003%、トリ
メチルホスフェートを0.005%及びステアリン酸モ
ノグリセリドを0.045%となる量加えた。続いて、
押出機用注入口B〜Dから表1記載の量(部/ポリマー
100部)のイオン交換水を注入し、且つベントAから
は圧入窒素ガスを排出し、ベントB〜Dから表1記載の
真空度(Torr)で減圧に引きながら押出してペレッ
ト化した。得られたペレットの評価結果を表2に示し
た。
【0074】[実施例2]実施例1(B)における粉粒
体の溶融押出において、押出機用注入口B〜Dからイオ
ン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1と同様
にして、ペレット化した。得られたペレットの評価結果
を表2に示した。
体の溶融押出において、押出機用注入口B〜Dからイオ
ン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1と同様
にして、ペレット化した。得られたペレットの評価結果
を表2に示した。
【0075】[実施例3]実施例1(B)における粉粒
体の溶融押出において、押出機用注入口Aから窒素ガス
の圧入を行なわないことおよび押出機用注入口B〜Dか
らイオン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1
と同様にして、ペレット化した。得られたペレットの評
価結果を表2に示した。
体の溶融押出において、押出機用注入口Aから窒素ガス
の圧入を行なわないことおよび押出機用注入口B〜Dか
らイオン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1
と同様にして、ペレット化した。得られたペレットの評
価結果を表2に示した。
【0076】[実施例4]実施例1(B)において、二
次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さないこと
以外は実施例1と同様にして、ペレット化した。得られ
たペレットの評価結果を表2に示した。
次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さないこと
以外は実施例1と同様にして、ペレット化した。得られ
たペレットの評価結果を表2に示した。
【0077】[実施例5]実施例1(B)において、二
次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さないこと
および押出機用注入口B〜Dからイオン交換水の注入を
行なわないこと以外は実施例1と同様にして、ペレット
化した。得られたペレットの評価結果を表2に示した。
次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さないこと
および押出機用注入口B〜Dからイオン交換水の注入を
行なわないこと以外は実施例1と同様にして、ペレット
化した。得られたペレットの評価結果を表2に示した。
【0078】[実施例6]実施例1(B)において、一
次貯蔵容器および二次貯蔵容器における窒素ガスによる
処理を施さないこと、押出機用注入口Aから窒素ガスの
圧入を行なわないこと並びに押出機用注入口B〜Dから
イオン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1と
同様にして、ペレット化した。得られたペレットの評価
結果を表2に示した。
次貯蔵容器および二次貯蔵容器における窒素ガスによる
処理を施さないこと、押出機用注入口Aから窒素ガスの
圧入を行なわないこと並びに押出機用注入口B〜Dから
イオン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例1と
同様にして、ペレット化した。得られたペレットの評価
結果を表2に示した。
【0079】[比較例1〜6]実施例1〜6における粉
粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの代わりに空気を使用した以外は実施例1
〜6と同様にしてペレット化した。得られたペレットの
評価結果を表2に示した。
粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの代わりに空気を使用した以外は実施例1
〜6と同様にしてペレット化した。得られたペレットの
評価結果を表2に示した。
【0080】[比較例7]実施例1における粉粒体の一
次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送において、窒素ガ
スの量を粉粒体重量/窒素ガス重量=42.5の混合比
とした(移送速度は8.8m/sであった)以外は実施
例1と同様にしてペレット化をした。得られたペレット
の評価結果を表2に示した。
次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送において、窒素ガ
スの量を粉粒体重量/窒素ガス重量=42.5の混合比
とした(移送速度は8.8m/sであった)以外は実施
例1と同様にしてペレット化をした。得られたペレット
の評価結果を表2に示した。
【0081】
【表1】
【0082】
【表2】
【0083】[実施例7] (A)温度計、撹拌機及び還流冷却器付き反応器にイオ
ン交換水11057.0部、48%水酸化ナトリウム水
溶液1559.9部を仕込み、これにビスフェノールA
2133.9部及びハイドロサルファイト2.12部を
溶解した後、塩化メチレン6445.3部を加え、撹拌
下15〜20℃でホスゲン1005.6部を60分要し
て吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後p−tert−ブチ
ルフェノール92.3部及び48%水酸化ナトリウム水
溶液829.9部を加え、攪拌して乳化させた後トリエ
チルアミン0.09部を加え、28〜33℃で1時間撹
拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板
付遠心抽出機[(株)日立製作所製ウルトレックスEP
−02]にてイオン交換水流量1,000ml/分、反
応生成物溶液流量1,500ml/分、回転数3,50
0rpmの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩
酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、
水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところ
で、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダ
ーにより塩化メチレンを蒸発して、比粘度が0.290
である粉粒状の無色のポリカーボネート樹脂2,400
部(収率92%)を得た。
ン交換水11057.0部、48%水酸化ナトリウム水
溶液1559.9部を仕込み、これにビスフェノールA
2133.9部及びハイドロサルファイト2.12部を
溶解した後、塩化メチレン6445.3部を加え、撹拌
下15〜20℃でホスゲン1005.6部を60分要し
て吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後p−tert−ブチ
ルフェノール92.3部及び48%水酸化ナトリウム水
溶液829.9部を加え、攪拌して乳化させた後トリエ
チルアミン0.09部を加え、28〜33℃で1時間撹
拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板
付遠心抽出機[(株)日立製作所製ウルトレックスEP
−02]にてイオン交換水流量1,000ml/分、反
応生成物溶液流量1,500ml/分、回転数3,50
0rpmの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩
酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、
水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところ
で、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダ
ーにより塩化メチレンを蒸発して、比粘度が0.290
である粉粒状の無色のポリカーボネート樹脂2,400
部(収率92%)を得た。
【0084】(B)この粉粒体を120℃で5時間乾燥
した後、内容積5m3の一次貯蔵容器に投入し、目開き
0.2μmのフィルターによって清浄にした圧力2kg
f/cm2の窒素ガスを15m3/時の速度でガス供給口
より導入しながら排気口より導出する処理を2時間続け
た。次に、この粉粒体を一次貯蔵容器から、輸送配管を
通じて窒素ガスにより(混合比は粉粒体重量/窒素ガス
重量=2.11)、押出機上部に設置した内容積0.2
m3の二次貯蔵容器へ移送した(移送速度は25.1m
/sであった)。その後、目開き0.2μmのフィルタ
ーによって清浄にした圧力2kgf/cm2の窒素ガス
を10m3/時の速度でガス供給口より導入しながら排
気口より導出する処理を2時間続けた。
した後、内容積5m3の一次貯蔵容器に投入し、目開き
0.2μmのフィルターによって清浄にした圧力2kg
f/cm2の窒素ガスを15m3/時の速度でガス供給口
より導入しながら排気口より導出する処理を2時間続け
た。次に、この粉粒体を一次貯蔵容器から、輸送配管を
通じて窒素ガスにより(混合比は粉粒体重量/窒素ガス
重量=2.11)、押出機上部に設置した内容積0.2
m3の二次貯蔵容器へ移送した(移送速度は25.1m
/sであった)。その後、目開き0.2μmのフィルタ
ーによって清浄にした圧力2kgf/cm2の窒素ガス
を10m3/時の速度でガス供給口より導入しながら排
気口より導出する処理を2時間続けた。
【0085】次いで、かかる粉粒体を計量器を介して4
ベント式の46mmφ二軸押出機(原料供給口に最も近
接しているベントをベントA、以下順次押出口に向かっ
てベントB〜Dとし、各ベント直前の押出機用注入口を
夫々押出機用注入口A〜Dとする。ベントA及び押出機
用注入口Aは非溶融ゾーンにあり、残りのベントB〜D
及び押出機用注入口B〜Dはいずれも溶融ゾーンにあ
る)に40kg/時の速度で供給した。押出機用注入口
Aから表1記載の量(リットル/時)の目開き0.2μ
mのフィルターによって清浄にした窒素ガスを圧入し、
次に、押出機用注入口Aの後に付設した非溶融ゾーンに
ある添加剤注入口よりポリカーボネートに対してトリス
(ノニルフェニル)ホスファイトを0.003%、トリ
メチルホスフェートを0.005%及びステアリン酸モ
ノグリセリドを0.045%となる量加えた。続いて、
押出機用注入口B〜Dから表3記載の量(部/ポリマー
100部)のイオン交換水を注入し、且つベントAから
は圧入窒素ガスを排出し、ベントB〜Dから表3記載の
真空度(Torr)で減圧に引きながら押出してペレッ
ト化した。得られたペレットの評価結果を表4に示し
た。
ベント式の46mmφ二軸押出機(原料供給口に最も近
接しているベントをベントA、以下順次押出口に向かっ
てベントB〜Dとし、各ベント直前の押出機用注入口を
夫々押出機用注入口A〜Dとする。ベントA及び押出機
用注入口Aは非溶融ゾーンにあり、残りのベントB〜D
及び押出機用注入口B〜Dはいずれも溶融ゾーンにあ
る)に40kg/時の速度で供給した。押出機用注入口
Aから表1記載の量(リットル/時)の目開き0.2μ
mのフィルターによって清浄にした窒素ガスを圧入し、
次に、押出機用注入口Aの後に付設した非溶融ゾーンに
ある添加剤注入口よりポリカーボネートに対してトリス
(ノニルフェニル)ホスファイトを0.003%、トリ
メチルホスフェートを0.005%及びステアリン酸モ
ノグリセリドを0.045%となる量加えた。続いて、
押出機用注入口B〜Dから表3記載の量(部/ポリマー
100部)のイオン交換水を注入し、且つベントAから
は圧入窒素ガスを排出し、ベントB〜Dから表3記載の
真空度(Torr)で減圧に引きながら押出してペレッ
ト化した。得られたペレットの評価結果を表4に示し
た。
【0086】[実施例8]実施例7(B)における粉粒
体の溶融押出において、押出機用注入口B〜Dからイオ
ン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例7と同様
にして、ペレット化した。得られたペレットの評価結果
を表4に示した。
体の溶融押出において、押出機用注入口B〜Dからイオ
ン交換水の注入を行なわないこと以外は実施例7と同様
にして、ペレット化した。得られたペレットの評価結果
を表4に示した。
【0087】[実施例9]実施例7(B)における粉粒
体の溶融押出において、押出機用注入口Aから窒素ガス
の圧入を行なわないこと、押出機用注入口B〜Dからイ
オン交換水の注入を行なわないこと並びに一次貯蔵容器
および二次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さ
ないこと以外は実施例7と同様にして、ペレット化し
た。得られたペレットの評価結果を表4に示した。
体の溶融押出において、押出機用注入口Aから窒素ガス
の圧入を行なわないこと、押出機用注入口B〜Dからイ
オン交換水の注入を行なわないこと並びに一次貯蔵容器
および二次貯蔵容器における窒素ガスによる処理を施さ
ないこと以外は実施例7と同様にして、ペレット化し
た。得られたペレットの評価結果を表4に示した。
【0088】[比較例8〜10]実施例7〜9における
粉粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの代わりに空気を使用した以外は実施例7
〜9と同様にしてペレット化をした。得られたペレット
の評価結果を表4に示した。
粉粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの代わりに空気を使用した以外は実施例7
〜9と同様にしてペレット化をした。得られたペレット
の評価結果を表4に示した。
【0089】[比較例11]実施例7(B)における粉
粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの量を粉粒体重量/窒素ガス重量=42.
5の混合比とした(移送速度は8.8m/sであった)
以外は実施例7と同様にしてペレット化をした。得られ
たペレットの評価結果を表4に示した。
粒体の一次貯蔵容器から二次貯蔵容器への移送におい
て、窒素ガスの量を粉粒体重量/窒素ガス重量=42.
5の混合比とした(移送速度は8.8m/sであった)
以外は実施例7と同様にしてペレット化をした。得られ
たペレットの評価結果を表4に示した。
【0090】
【表3】
【0091】
【表4】
【0092】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、溶融成形時
の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱安定性が良好で、且つ
塩素化合物の量を極めて少い芳香族ポリカーボネート樹
脂成形品を得ることができ、その奏する工業的効果は格
別なものである。
の熱酸化劣化を十分に抑制し、熱安定性が良好で、且つ
塩素化合物の量を極めて少い芳香族ポリカーボネート樹
脂成形品を得ることができ、その奏する工業的効果は格
別なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F071 AA50 AA80 AA81 BA01 BB06 4F207 AA28 AC01 AC04 AJ02 AL01 AL08 AL17 AM30 KA01 KA17 KF01 KK13 KL45 KL47 4J029 AA10 AB07 AC01 AC02 AD01 BB13A BB13B BD09C HC01 HC02 KD09 KH08
Claims (10)
- 【請求項1】 芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒体を押
出機によって成形するに当り、粉粒体貯蔵容器(一次貯
蔵容器)から押出機上部に設置された粉粒体貯蔵容器
(二次貯蔵容器)へ輸送配管を通じて芳香族ポリカーボ
ネート樹脂粉粒体を移送する際に、芳香族ポリカーボネ
ート樹脂粉粒体の重量/不活性ガスの重量で示される混
合比が20以下となる量の不活性ガスを使用して該芳香
族ポリカーボネート樹脂粉粒体を移送し、次いで移送さ
れた二次貯蔵容器内の芳香族ポリカーボネート樹脂粉粒
体を押出機に供給することを特徴する芳香族ポリカーボ
ネート成形品の製造方法。 - 【請求項2】 芳香族ポリカーボネート樹脂は、全芳香
族ジヒドロキシ成分の少くとも80モル%が、(a)
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3,3,5
−トリメチルシクロヘキサン(成分a)及び(b)4,
4′−(m−フェニレンジイソプロピリデン)ジフェノ
ール及び2,2−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフ
ェニル)プロパンから選ばれた少くとも一種の芳香族ジ
ヒドロキシ成分(成分b)からなり且つ成分aと成分b
の割合がモル比で99:1〜20:80の範囲で構成さ
れたポリカーボネート共重合体である請求項1記載の芳
香族ポリカーボネート成形品の製造方法。 - 【請求項3】 一次貯蔵容器は、ガス供給口及び排気口
を設けた貯蔵容器であり、ガス供給口から不活性ガスを
導入し、排気口からガスを導出して貯蔵容器内の芳香族
ポリカーボネート樹脂粉粒体を処理する請求項1記載の
芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法。 - 【請求項4】 二次貯蔵容器は、ガス供給口及び排気口
を設けた貯蔵容器であり、ガス供給口から不活性ガスを
導入し、排気口からガスを導出して貯蔵容器内の芳香族
ポリカーボネート樹脂粉粒体を処理する請求項1記載の
芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法。 - 【請求項5】 押出機として非溶融ゾーンに少くとも一
箇所のベントと該ベントの前に押出機用注入口を設けた
押出機を用い、供給された粉粒体に対して不活性なガス
を、非溶融ゾーンの少くとも一箇所の押出機用注入口か
ら圧入すると共に該注入口のうしろの最も近いベントか
ら脱揮する請求項1記載の芳香族ポリカーボネート成形
品の製造方法。 - 【請求項6】 押出機が、二軸押出機である請求項5記
載の芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法。 - 【請求項7】 押出機として溶融ゾーンに少くとも一箇
所のベントと少くとも一箇所のベントの前に押出機用注
入口を設けた押出機を用い、供給された粉粒体100重
量部当り0.2〜4重量部になる量の水を少くとも一箇
所の押出機用注入口から注入添加すると共に該注入口の
うしろの最も近いベントから50Torr以下の真空度
で脱揮する請求項1記載の芳香族ポリカーボネート成形
品の製造方法。 - 【請求項8】 押出機として溶融ゾーンに少くとも二箇
所のベントと少くとも二箇所のベントの前に押出機用注
入口を設けた押出機を用い、供給された粉粒体100重
量部当り0.2〜4重量部になる量の水を少くとも二箇
所の押出機用注入口の夫々から注入添加すると共に夫々
の注入口のうしろの最も近いベントから50Torr以
下の真空度で脱揮する請求項1記載の芳香族ポリカーボ
ネート成形品の製造方法。 - 【請求項9】 芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量
が、その0.7gを塩化メチレン100mlに溶解した
溶液の20℃において測定された比粘度で0.2〜0.
5の範囲である請求項1記載の芳香族ポリカーボネート
成形品の製造方法。 - 【請求項10】 芳香族ポリカボネート樹脂の塩化メチ
レン溶液中で測定された未溶解粒子が、芳香族ポリカー
ボネート樹脂1g当り、粒子換算直径0.5μm以上の
ものが40000個以下である請求項1記載の芳香族ポ
リカーボネート成形品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10221464A JP2000052402A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10221464A JP2000052402A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000052402A true JP2000052402A (ja) | 2000-02-22 |
Family
ID=16767137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10221464A Pending JP2000052402A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 芳香族ポリカーボネート成形品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000052402A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006341449A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 粉体原料の供給装置および供給方法 |
JP2009119826A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットの製造方法 |
JP2009144020A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2011037164A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | ポリカーボネート樹脂成形材料の製造方法 |
CN102781640A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-11-14 | 三菱工程塑料株式会社 | 聚碳酸酯树脂粒料的制造方法 |
JP2014028980A (ja) * | 2013-11-14 | 2014-02-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2016108481A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 三菱化学株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP10221464A patent/JP2000052402A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006341449A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 粉体原料の供給装置および供給方法 |
JP4544043B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2010-09-15 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | 粉体原料の供給装置および供給方法 |
JP2009119826A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Teijin Chem Ltd | 芳香族ポリカーボネート樹脂ペレットの製造方法 |
JP2009144020A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2011037164A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | ポリカーボネート樹脂成形材料の製造方法 |
CN102781640A (zh) * | 2011-02-09 | 2012-11-14 | 三菱工程塑料株式会社 | 聚碳酸酯树脂粒料的制造方法 |
JP2014028980A (ja) * | 2013-11-14 | 2014-02-13 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリカーボネート樹脂組成物及びその製造方法 |
JP2016108481A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 三菱化学株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物の製造方法 |
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