JP3604996B2 - 3次元形状測定機及びその測定方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部品や金型等の表面形状を高精度に測定する3次元形状測定機及びその測定方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、光学部品や金型等の物体表面形状を高精度に測定するために、3次元形状測定機を利用することが広く知られている。一般に、3次元形状測定機は接触型若しくは非接触型のプローブを被測定物に近付け、両者が略一定の距離、若しくは略一定の力関係になるようにプローブ位置を制御した上で、これを被測定物上を走査させることにより形状測定を行うものである。
【0003】
このような3次元形状測定機の一例として、特開平4−299206号公報に開示されている超高精度3次元形状測定機について図9を参照して説明する。同図において、27はXステージであり、その上にYステージ28、さらにその上にZステージ4が構成されている。X−Y−Z軸に対してそれぞれ垂直な平面上となるYZ−XZ−XY面上にそれぞれX基準ミラー29、Y基準ミラー30、Z基準ミラー5が配置されている。Zステージ4上には被測定物1とZステージ4上の特定点の距離Z1を検出する光プローブ26、Zステージ4上の特定点と位置固定のZ基準ミラー5の距離Z2を検出する測定手段9c、Zステージ4上の特定点と位置固定のX基準ミラー29の距離Xを検出する測定手段9j、Zステージ4上の特定点と位置固定のY基準ミラー30の距離Yを検出する測定手段9k(Zステージ4の裏側になるため図示せず)が配置されている。
【0004】
したがって、Zステージ4上に設置された光プローブ26はX−Y−Z軸方向への移動が可能であり、また、その時の3次元座標は(X,Y,Z1とZ2とから算出したZ)とすることができる。光プローブ26を被測定物1の全面に走査させ、その時の3次元座標を検出することで、被測定物の3次元形状を測定することができる。
【0005】
また、別の従来例として、特許番号第2671479号公報に開示されている面形状測定装置について図10を参照して説明する。同図において、フィゾー型干渉計を利用し、被測定物1を使用状態と同じ水平方向に保持したまま両面1a,1b測定を実現している。
【0006】
レーザ光源15から射出された光束は、レンズ31及びハーフミラー32及びコリメータレンズ33を介して、反射ミラー34aに進んで行く。反射ミラー34aは光路への出し入れが可変であり、光路へ入れた場合は、光束が反射ミラー34aで垂直方向に曲げられ、さらに反射ミラー34b及び34cで反射された後、基準レンズ35に入射する。ここで光束の一部は基準レンズ35の基準面35aにて反射し、他は透過することになる。基準レンズ35を透過して被測定物1に入射した光束は、被測定物1の表面1aにて反射して測定光波となる。また、基準レンズ35の基準面35aで反射した光波は、基準光波となる。基準光波と測定光波は再び重なり合い干渉して、来た光路を戻ることになる。反射ミラー34c,34b,34aで光路を垂直方向にそれぞれ曲げられた後、コリメータレンズ33を介してハーフミラー32に入射する。ここで干渉光波は垂直方向に曲げられ、集光レンズ37を介してCCDカメラ等の干渉検出手段38で検出される。これにより、基準レンズ35の基準面35aと被測定物1の表面1aの面形状の差が測定できたことになる。
【0007】
さらに、被測定物1の裏面1bの面形状測定方法について説明する。先程光路に入れた反射ミラー34aを光路から出しておく。上記と同様に、レーザ光源15から射出した光束は反射ミラー34aまで進んでくるが、ここでは、反射ミラー34aが光路外に出されているので、光束はそのまま直進し、次の反射ミラー34dで垂直方向に曲げられることになる。その後、この光束は基準レンズ36に入射するが光束のほとんどは透過して、被測定物1の裏面1bで反射し、測定光波となる。一方、基準レンズ36の基準面36aで反射した光波は基準光波となる。この基準光波と測定光波は再び重なり合うことにより干渉して、来た光路を戻ることになる。反射ミラー34d、コリメータレンズ33、ハーフミラー32、集光レンズ37を介して、CCDカメラ等の干渉縞検出手段38で検出される。これにより、基準レンズ36の基準面36aと被測定物1の裏面1bの面形状の差が測定できることになる。
【0008】
このように、反射ミラー34aを光路から出し入れすることにより、光路の切り替えを行い、被測定物1を使用状態と同様に水平方向に保持したまま、被測定物1の表面1aの面形状あるいは被測定物1の裏面1bの面形状が測定することができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の上記3次元形状測定機の内、図9に示した装置においては、X−Y−Z軸に対してそれぞれ垂直なYZ−XZ−ZY面上に基準ミラー29,30,5を各々配置して高精度測定を可能としているが、被測定物1の両面を測定する場合、片面測定後に被測定物1の向きを反転させる手間が必要となる。また、被測定物1を水平方向に保持して使用する場合は、被測定物1の下面形状は使用時と異なる状態、即ち被測定物1の下面を反転させて上にした状態で測定することになり、測定結果には重力による歪みの影響分が誤差として含まれてしまうという問題点があった。
【0010】
また、図10に示した面形状測定装置では、被測定物1を水平方向に保持して使用する場合は、光学系の切り替えにより、被測定物1は使用状態と同様に水平方向に保持したまま、被測定物1の両面の面形状測定が可能であるが、面形状測定に干渉を利用しているため、測定光波と基準光波との差が大き過ぎると測定できなくなる等の問題点があった。
【0011】
本発明は、かかる従来例の有する不都合を改善し、被測定物を反転させたり、干渉を利用したりすることなく、被測定物を使用時と同じ水平方向に保持したまま、その面形状を高精度に測定することができる、簡単な構成の3次元形状測定機及びその測定方法を提供することを課題としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明の3次元形状測定機は、水平方向をR軸、垂直方向をZ軸、Z軸周りの回転方向をθ軸としたR−θ−Z座標系を用いて、水平方向に保持された被測定物の形状を非接触型の光プローブを走査させて測定する3次元形状測定機において、
前記光プローブは、前記被測定物の上面形状に沿って走査する上面光プローブと、前記被測定物の下面形状に沿って走査する下面光プローブとから成っており、前記上面光プローブは前記R軸方向に移動可能な上面Rステージ及び前記Z軸方向に移動可能な上面Zステージ上に配置され、前記下面光プローブは前記R軸方向に移動可能な下面Rステージ及び前記Z軸方向に移動可能な下面Zステージ上に配置され、前記被測定物は、ロータ部とこのロータ部を支持するハウジング部より成る前記θ軸方向に回転可能なθステージに支持されており
前記上面光プローブと前記下面光プローブの走査位置及び前記被測定物のθ軸回転角度を3次元位置情報として検出するもので、同一なR−Z面上に配置されている、前記上面Rステージまたは上面Zステージに設けられた、前記上面光プローブのR軸方向の位置情報を検出するためのR軸位置検出手段及び前記上面光プローブのZ軸方向の位置情報を検出するためのZ軸位置検出手段と、前記下面Rステージまたは下面Zステージに設けられた、前記下面光プローブのR軸方向の位置情報を検出するためのR軸位置検出手段及び前記下面光プローブのZ軸方向の位置情報を検出するためのZ軸位置検出手段と、前記θステージの回転角度を検出するためのθ軸位置検出手段と、
前記光プローブの走査や前記被測定物の回転の運動誤差を検出するもので、同一なR−Z面上に配置された運動誤差検出手段と、
を備え、前記位置検出手段と前記運動誤差検出手段の検出結果から前記被測定物の上面及び下面の形状を算出することを特徴としている。
【0013】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記R軸位置検出手段は、前記Z軸に対して平行配置された上面及び下面R基準ミラーと、前記上面Zステージ及び下面Zステージに各々2つずつ取り付けられ、前記上面及び下面R基準ミラーに対して垂直方向に射出するレーザ測長器とから成ることを特徴としている。
【0014】
請求項3の発明は、請求項1の発明において、前記Z軸位置検出手段は、前記R軸に対して平行配置された上面及び下面Z基準ミラーと、前記上面Zステージ及び下面Zステージに各々1つずつ取り付けられ、前記上面及び下面Z基準ミラーに対して垂直方向に射出するレーザ測長器とから成ることを特徴としている。
【0015】
請求項4の発明は、請求項1の発明において、前記θ軸位置検出手段は、前記θステージの回転角度を検出するために前記ロータ部上に設置されたθスケールと、これを検出するスケール検出部とから成ることを特徴としている。
【0016】
請求項5の発明は、請求項1の発明において、前記運動誤差検出手段は、前記θステージの前記ロータ部上に配置されたθスラスト基準ミラー、前記ロータ部の外周面に配置されたθラジアル基準ミラー、このθラジアル基準ミラーに対し所定間隔を置いて対向して少なくとも2面設けたθラジアル測定用基準ミラー、前記上面及び下面Z基準ミラーの両端側近傍にそれぞれ配置され、当該上面及び下面Z基準ミラーの距離変動を検出するために4面設けた上下伸縮測定用基準ミラー、これらの基準ミラー間の距離を測定するための少なくとも6つのレーザ測長器とから成ることを特徴としている。
【0017】
請求項6の発明の3次元形状測定方法は、水平方向をR軸、垂直方向をZ軸、Z軸周りの回転方向をθ軸としたR−θ−Z座標系を用い、θ軸方向に回転可能なθステージに支持されることにより水平方向に保持された被測定物の3次元形状を、光プローブを走査させて測定する3次元形状測定方法において、
前記被測定物の上面形状に沿って走査する上面光プローブと、前記被測定物の下面形状に沿って走査する下面光プローブを設け、前記上面光プローブ及び下面光プローブで同時に走査させる際、前記被測定物と光プローブの距離が常に略一定となるように、当該光プローブをR軸方向及びZ軸方向に移動させながら被測定物の形状に沿って走査させ、この走査中に複数の任意の位置で、前記光プローブの位置情報と前記光プローブや前記θステージの駆動による運動誤差情報を検出し、これらの情報から算出した3次元位置情報を基にして前記被測定物の上面及び下面の形状を算出することを特徴としている。
【0018】
請求項7の発明は、請求項6の発明において前記位置情報は、上面R基準ミラーと上面光プローブ問の距離Ru、上面Z基準ミラーと上面光プローブ間の距離Zu、下面R基準ミラーと下面光プローブ間の距離Rd、下面Z基準ミラーと下面光プローブ間の距離Zd、上面光プローブ及び下面光プローブの走査中に生じる光プローブと被測定物問の距離の偏差Pu及びPd、被測定物の回転角度Rθ、から検出することを特徴としている。
【0019】
請求項8の発明は、請求項6の発明において、前記運動誤差情報は、前記θステージのスラスト方向の運動誤差θSD、当該θステージのラジアル方向の運動誤差θRD、前記上面Z基準ミラーと下面Z基準ミラー間の変動VD、から検出することを特徴としている。
【0020】
請求項9の発明は、請求項6の発明において前記被測定物の上面形状を測定する際、前記上面光プローブが上面形状に沿って走査している間、前記下面光プローブを前記θステージの回転軸上に留めて被測定物の上下振動成分を検出し、且つ、前記被測定物の下面形状を測定する際、前記下面光プローブが下面形状に沿って走査している間、前記上面光プローブを前記θステージの回転軸上に留めて被測定物の上下振動成分を検出し、これら検出した上下振動成分を基にして前記上面形状あるいは前記下面形状に補正を加えることを特徴としている。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
【0026】
図1は本発明の実施形態を示す3次元形状測定機の要部構成図、図2は図1の3次元形状測定機を示す側面図、図3はR−Z面上の光プローブ及びレーザ測長器を示す配置構成図、図4はθステージを示す配置構成図、図5は光プローブを示す光学配置図、図6はZ軸のサーボ構成を示すブロック図、図7はレーザ測長器を示す光学配置図である。 図1及び図2において、1は被測定物であり、ここでは水平方向に保持して使用される軸対象の非球面レンズとしている。被測定物1の上面側及び下面側には、被測定物1の形状に沿って走査する上面光プローブ2u、及び下面光プローブ2dを配置している。ここでは、レンズに傷を付けない非接触型の光プローブを採用している。
【0027】
先ず、被測定物1の上面1u側の測定系の構成について説明する。3uは被測定物1と平行、即ち水平方向に移動する上面Rステージ、4uは被測定物1に対して垂直方向に移動する上面Zステージである。したがって、上面Rステージ3u及び上面Zステージ4u上にある光プローブ2uはR−Z方向に移動可能な構成となっている。5uはR軸に対して平行で且つR−Z面の位置に配置した上面Z基準ミラー、6uはZ軸に対して平行で且つR−Z面の位置に配置した上面R基準ミラーである。
【0028】
次に、被測定物1の下面1dの測定系の構成について説明する。3dは被測定物1と平行、即ち水平方向に移動する下面Rステージ、4dは被測定物1に対して垂直方向に移動する下面Zステージである。したがって、下面Rステージ3d及び下面Zステージ4d上にある光プローブ2dはR−Z方向に移動可能な構成となっている。5dはR軸に対して平行、且つR−Z面の位置に配置した下面Z基準ミラー、6dはZ軸に対して平行で、且つR−Z面の位置に配置した下面R基準ミラーである。40はエアーベアリングより成るθステージで、被測定物1をθ軸方向(Z軸の回転方向)に回転させる手段である。θステージ40は、回転側のロータ部8と、このロータ部を回転可能に支持する固定側のハウジング部7とから成っている。詳細は後述するが、ロータ部8上にはスケール13及びθ基準ミラー14a,14b(図4参照)が配置されている。
【0029】
9が付されている部品はR−Z面上における光プローブ2u,2dの位置を検出するためのレーザ測長器(総称してレーザ測長器9と言う)である。9au,9buは上面R測定用、9ad,9bdは下面R測定用であり、ここではアッベ誤差の影響をなくすためにそれぞれ2つずつ用いている。9cuは上面Z測定用、9cdは下面Z測定用であり、それぞれ光プローブ2u,2dが作り出すキャッツアイポイントをZ軸と平行に延長させた線上にそれぞれ配置されているので、アッベ誤差は発生しない。
【0030】
これら上面及び下面R基準ミラー6u,6d、レーザ測長器9au,9bu,9ad,9bdにより光プローブ2u,2dのR軸位置検出手段が構成され、上面及び下面Z基準ミラー5u,5d、レーザ測長器9cu,9cdによりZ軸位置検出手段が構成されている。
【0031】
さらに、9d,9eはθスラスト測定用、9f,9gはθラジアル測定用、9h,9iは上下伸縮測定用のレーザ測長器であり、それぞれ測定中における距離変動分を検出する運動誤差検出手段の一部として使用される。10はエアーベアリングのロータ部8上のθスケール13(図4参照)の回転角度の検出を行うスケール検出部である。このスケール13及びスケール検出部10によりθ軸位置検出手段が構成されている。
【0032】
11a,11bはθラジアル測定用基準ミラー、11c,11dは上面Z基準ミラー5uの両側近傍に、11e,11fは下面Z基準ミラー5dの両側近傍にそれぞれ配置された上下伸縮測定用基準ミラーである。12uは上面Rステージ3uと上面Zステージ4uを搭載する架台、12dは下面Rステージ3dと下面Zステージ4dを搭載する架台である。
【0033】
図2に示すように、上面光プローブ2u、下面光プローブ2d、及び光プローブ2u,2dのレーザ測長器9(同図では代表的なレーザ測長器のみ図示)は、全てR−Z面上に配置されていることが分かる。
【0034】
上記R軸位置検出手段、Z軸位置検出手段、θ軸位置検出手段により位置検出手段が構成されている。
【0035】
レーザ測長器9の配置を図3に示している。同図において、レーザ測長器9と上面R基準ミラー6u間の距離はRuであって、Rluはレーザ測長器9auと上面R基準ミラー6u間の距離を、R2uはレーザ測長器9buと上面R基準ミラー6u間の距離をそれぞれ示しており、上面Rステージ3u移動量及び移動時に発生するアッベ誤差補正に使用する。Zuはレーザ測長器9cuと上面Z基準ミラー5u間の距離を示し、又Puは上面光プローブ2uから出力される位相差の偏差を示し、上面Zステージ4u移動量及びZ方向振動等のZ方向に発生する測定誤差要因の補正に使用する。同様に、レーザ測長器9と下面R基準ミラー6d間の距離はRdであって、Rldはレーザ測長器9adと下面R基準ミラー6d間の距離を、R2dはレーザ測長器9bdと下面R基準ミラー6d問の距離を示し、下面Rステージ3d移動量及び移動時に発生するアッベ誤差補正に使用する。Zdはレーザ測長器9cdと下面Z基準ミラー5d間の距離を示し、又Pdは下面光プローブ2dから出力される位相差の偏差を示し、下面Zステージ4d移動量及びZ方向振動等のZ方向に発生する測定誤差要因の補正に使用する。θSD(θSDl,θSD2)はθステージ40のスラスト面にあるθ基準ミラー14aと上面Z基準ミラー5u間の距離を示し、θステージ40のスラスト方向のぶれ量(面ぶれ)の検出に使用する。又、θRD(θRD1,θRD2)はθステージ40のラジアル面にあるθ基準ミラー14bとラジアル測定用ミラー11a,11b間の距離をそれぞれ示し、θステージ40のラジアル方向のぶれ量(軸ぶれ)の検出に使用する。VD(VDl,VD2)は上面及び下面に設置された上下伸縮測定用基準ミラー11c,11d,11e,11f間の距離を示し、測定中における上面Z基準ミラー5uと下面Z基準ミラー5d問の距離変動分の誤差補正に使用する。Rθはθスケール13を基準に検出されたθステージ40の回転角度を示す。
【0036】
θステージ40となるエアーベアリング部は、図4に示すように、被測定物1をθ軸方向に回転させる手段である。同図において、7は固定側のハウジング部、8は回転側のロータ部である。ロータ部8の表面の一部には、精密加工後にアルミ蒸着と研磨によりθ基準ミラー14a,14bを形成しており、ロータ部8の上面の一部に、スラスト方向用のθスラスト基準ミラー14aを、ロータ部8の外周面全体にラジアル方向用のθラジアル基準ミラー14bを設けている。レーザ測長器9d及び9e(図2参照)を用いて上面Z基準ミラー5uとθスラスト基準ミラー14a間の距離を測ることで、θステージ駆動時のスラスト方向変動が検出できる。同様に、レーザ測長器9f及び9g(図2参照)を用いてラジアル測定用基準ミラー11a,11bとθラジアル基準ミラー14b間の距離を測ることで、θステージ運動時のラジアル方向変動が検出できる。また、ラジアル方向にはθスケール13が貼り付けられており、スケール検出部10を利用してθステージ40の回転角度Rθが検出できる。
【0037】
上記θスラスト基準ミラー14a、θラジアル基準ミラー14b、ラジアル測定用基準ミラー11a,11b、上下伸縮測定用基準ミラー11c,11d,11e,11f、レーザ測長器9d,9e,9f,9g,9h,9iにより運動誤差検出手段が構成されている。
【0038】
上記上面及び下面光プローブ2u,2dの詳細構成を図5に示している。同図において、15は偏光方向が互いに直交する2つの光波を作り出すレーザ光源である。レーザ光源15から射出した光波は、ビームエキスパンダ16で光波を拡大された後、偏光ビームスプリッタ17aで反射光波と透過光波に分けられる。反射光波はλ/4板18aを通ることで直線偏光から円偏光へ変わり、集光レンズ20aを介して被測定物1へ入射する。ここでは、集光レンズ20aにより光束が焦点に絞られた状態(キャッツアイポイント)で被測定物1に入射し、測定光波となって反射させている。尚、詳細は後述するが、被測定物1には常にキャッツアイポイントで入射するようにZ軸サーボで調整されることになる。反射した測定光波は元の光路を戻り、再び通るλ/4板18aで往きと比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17aで今度は透過することになる。偏光ビームスプリッタ17aでのもう一方の透過光波は、λ/4板18bを通って直線偏光から円偏光へ変わって参照平面ミラー19に入射し、参照光波となって反射する。反射した参照光波は、再び通るλ/4板18bで往きと比べて90°回転した直線偏光となり、偏光ビームスプリッタ17aで今度は反射することになる。偏光ビームスプリッタ17aで測定光波と参照光波が重なり合い、45°方位の偏光板21を通ることで干渉光波となる。この干渉光波はビームスプリッタ17bで2分割され、そのまま透過した干渉光波はラインセンサ22で検出されることになる。ラインセンサ22が通常数十から数千チャンネル数のものがあり、ここでは干渉光波を検出可能な高周波応答タイプの数10チャンネル程度のものを使用する。また、複数のラインセンサ出力のチャンネルから1チャンネルを選び出して測定信号とする際の選択条件は、測定点上での被測定物1の設計形状から傾斜角を算出し、被測定物1に対して法線方向、即ち正反射する光波の光線追跡により、その光束がラインセンサ22上のどのチャンネルに取り込まれるか、予め算出して記憶しておき、測定位置によって使用するチャンネルをマルチプレクサによって選択することになる。又、ビームスプリッタ17bで反射した干渉光波は集光レンズ20bを介してフォトディテクタ23で取り込み、参照信号となる。
【0039】
Z軸サーボの構成を図6に示している。但し、被測定物1の上面1u側及び下面1d側共に同様な構成となるが、ここでは上面1u側を例に説明する。光プローブ2uからの光束がキャッツアイポイントで被測定物1に入射するように上面Zステージ4uを移動させる。その状態における干渉光波から、ラインセンサ22(図5参照)及びマルチプレクサ44を介して検出した測定信号、及びフォトディテクタ23(図5参照)からの参照信号は、それぞれ位相計41に入力される。この位相計41にて位相差Puoを算出し、コンピュータ42に記憶すると、Zサーボコントローラ43によるZ軸サーボが開始状態となる。次に、上面Rステージ4uやθステージ40を同時に若しくは単独で移動させ、その時得られる位相差Puiと記憶させている位相差Puoを比較し、その偏差量ΔPuiが常にゼロ若しくは略ゼロとなるように、Zサーボコントローラ43は上面Zステージ4uを移動させる(サーボロック状態)。
【0040】
偏差量ΔPui = Pui − Puo
この時の偏差量ΔPuiは、後ほど測定データに補正して反映させれば、サーボロックでの誤差を補正した正確な値が得られる。このようにして、被測定物1と上面光プローブ2u間の距離を常に一定若しくは略一定に保ちながら、被測定物1の上面1uを上面光プローブ2uがスキャンして測定する。
【0041】
レーザ測長器9の構成を図7に示している。図7(A)は、レーザ測長器と一つの基準ミラー間の距離を測定するタイプであって、レーザ測長器9au,9bu,9cu,9ad,9bd,9cdの構成を示す。ここでは共に、測定したい光路を2往復させるダブルパス方式としているため、レーザ測長器の測定分解能は2倍となる。同図(A)において、15は偏光方向が互いに直交する2つの光波を作り出すレーザ光源である。レーザ光源15から出射した光束は、偏光ビームスプリッタ17cで反射光波と透過光波に分けられる。透過光波はコーナーキューブ24aで2度反射して参照光波となり、再び偏光ビームスプリッタ17cを透過することになる。一方の反射光波は、λ/4板18cを通ることで直線偏光から円偏光へ変わり、基準ミラー(例えば上面Z基準ミラー5u)で反射して測定光波となる。測定光波は元の光路を戻り、再び通るλ/4板18cで往きと比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17cで今度は透過し、コーナーキューブ24bで2度反射して再び偏光ビームスプリッタ17c及びλ/4板18cを通り、基準ミラーに戻ってくる。再度反射した測定光波はλ/4板18cで往きと比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17cで反射することになる。ここでは測定光波と参照光波が重なり、偏光板21を通過すると干渉光波となり、測長器レシーバ25で検出される。測定光波と参照光波の位相差の変動は、干渉光波の縞のカウントとして測長器レシーバ25で観測される。参照光波の光路長は常に一定となっているため、ここでは干渉光波の縞のカウントから測定光波の変動、即ち、ここでは各基準ミラーからの各ステージ移動量の2往復分が検出できる。
【0042】
同様に、図7(B)は、2つの基準ミラー間の距離を測定するタイプであって、レーザ測長器9f,9g,9i,9hの構成を示している。同図(B)において、レーザ光源15から出射した直交する2つの光波は、偏光ビームスプリッタ17cで反射光波と透過光波に分けられる。透過光波はコーナーキューブ24aで2度反射して参照光波となり、再び偏光ビームスプリッタ17cを透過することになる。一方の反射光波は、λ/4板18cを通ることで直線偏光から円偏光へ代わり、基準ミラー(例えば上面Z基準ミラー5u)で反射して測定光波となる。測定光波は元の光路を戻り、再び通るλ/4板18cで往路と比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17cで今度は透過し、λ/4板18dを通って基準ミラー(例えばθスラスト基準ミラー14a)で反射して元の光路を戻る。再びλ/4板18dに入射した測定光波は、往路と比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17cで今度は反射してコーナーキューブ24aに入射する。測定光波はコーナーキューブ24aで2度反射して再び偏光ビームスプリッタ17cに入射し、ここで反射する。この後、測定光波はλ/4板18dを通って再び基準ミラー(例えばθスラスト基準ミラー14a)で反射し、λ/4板18d及び偏光ビームスプリッタ17c及びλ/4板18cを透過して、再度基準ミラー(例えば上面Z基準ミラー5u)に入射し反射する。この基準ミラーで反射した測定光波は、再度λ/4板18cを通過することで往路と比べて90°回転した直線偏光となって、偏光ビームスプリッタ17cで今度は反射する。ここでは測定光波と参照光波が重なり、偏光板21を通過すると干渉光波となり、測長器レシーバ25で検出される。測定光波と参照光波の位相差の変動は、干渉光波の縞のカウントとして測長器レシーバ25で観測される。参照光波の光路長は常に一定となっているため、ここでは干渉光波の縞のカウントから測定光波の光路長の変動、即ちここでは2つの基準ミラー間の距離の変動量の2往復分が検出できる。
【0043】
次に、本実施形態の3次元形状測定機を用いた具体的な測定方法について、図1を参照して説明する。被測定物1である軸対象非球面レンズを、その軸をθステージ40の回転軸と略一致するようにセッティングする。これにより、被測定物1側でのθ軸回転、及び光プローブ2u,2d側でのR−Z軸走査を組み合わせることで、光プローブ2u,2dを被測定物1の形状に合わせて全面に走査できることになる。
【0044】
先ず、被測定物1の上面1u形状の測定方法について説明する。上面光プローブ2uをθ軸の回転中心まで上面Rステージ3uを用いて移動させ、その後に上面Zステージ4uを下げて被測定物1に近付けて行き、上面光プローブ2uの光束が作り出すキャッツアイポイントが被測定物1に入射する状態に調整し、サーボロックを開始させる。尚、上面光プローブ2uは、上面Rステージ3uをスキャンさせながら被測定物1の面形状に合わせてZ軸サーボを追従させて使用し、上面Zステージ4uを動かすことになる。
【0045】
また、同様にして、下面光プローブ2dをθ軸の回転中心まで下面Rステージ3dを用いて移動させ、その後に下面Zステージ4dを上げて被測定物1に近づけていき、下面光プローブ2dの光束が作り出すキャッツアイポイントが被測定物1に入射する状態に調整し、サーボロックを開始させる。尚、下面光プローブ2dは、測定している間はR軸の位置は保持したまま動かさず、被測定物1が振動等によりZ軸の上下変動した分のみZ軸サーボで追従させて動かすことになる。
【0046】
ここで、サーボロックを開始するに当たり、開始時の各測定データを基準データとして取り込む。即ち、レーザ測長器9au〜9cu,9cd,9d〜9iの出力値のR1u,R2u,Z1u,Z1d,θD1,θD2,θD3,θD4,VD1,VD2、ロータリーエンコーダ10の出力値RE、及びZ軸サーボの位相の偏差Pu,Pdのデータをそれぞれ、R1uo,R2o,Z1o,Z1o,θD1o,θD2o,θD3o,θD4o,VD1o,VD2o,REo,Puo,Pdoとしてコンピュータ42に記憶させておく。次に、サーボロック状態のまま、上面Rステージ3u及びθステージ40を単独で、若しくは同時に移動させ、測定した任意の複数点(i=1〜n,i:取り込み順)でレーザ測長器9au〜9cu,9cd,9d〜9iの出力値、ロータリーエンコーダ10の出力値RE、Z軸サーボの位相の偏差を同時に取り込み、それぞれR1ui,R2ui,Z1i,Z1i,θD1i,θD2i,θD3i,θD4i,VD1i,VD2i,REi,Pui,Pdiとしてコンピュータ42に記憶させておく。同様にして、被測定物1の測定エリアに光プローブ2u,2dを走査させながら、合計n組の測定データを取り込んでおく。例えば、この後、次に示すような演算処理を行うと、被測定物1の上面1u形状はn組のR−θ−Z座標系の3次元データ(R2ui,θui,Zui)として表現でき、測定精度はnmオーダーを実現できる。
【0047】
1.R座標:Rui
Ridata =((R1ui−R1uo)+(R2ui−R2uo))/2
アッベ誤差 =((R1ui−R1uo)+(R2ui−R2uo))×(D1u/D2u)
軸振れ誤差 =((θD3i−θD3o)+(θD4i−θD4o))/2
Rui = Ridata + アッベ誤差 + 軸振れ誤差
2.θ座標:θui
θui = REi − REo
3.Z座標:Zui
サーボ偏差 = Pui − Puo
面振れ誤差 =((θD1i−θD1o)+(θD2i−θD2o))/D3×formu(Ridata)
Z方向振動 = (Z1di−Z1do)+ (Pdi−Pdo)
Zui = Z1ui + サーボ偏差 + 面振れ誤差 + Z方向振動尚、D1u:レーザ測長器9au,9buの中間と光プローブのキャッツアイポイント間のZ方向成分の距離
D2u:レーザ測長器9au,9buのZ方向成分の距離
D3 :レーザ測長器9d,9e間のR方向成分の距離
formu(Ridata):上面設計形状とRidataの関係から算出される関数
また、被測定物1の下面1d形状の測定は、次のようにして行う。上面光プローブ2uはθ軸の回転軸上のサーボロック位置まで上面Rステージ3u及び上面Zステージ4uを用いて移動させた後に、測定中はR軸の位置は保持したまま動かさず、被測定物1が振動等によりZ軸の上下変動した分のみZ軸サーボで追従させて動かす。下面光プローブ2dはθ軸の回転軸上のサーボロック位置まで、下面Rステージ3d及び下面Zステージ4dを用いて移動させた後、下面Rステージ3d及びθステージ40を単独に若しくは同時に移動させることになる。上面1uの場合と同様に、サーボロック開始時の基準データを取り込めば良い。尚、この時の取り込む測定データは、上面測定時と同じデータであるR1d,R2d,Z1u,Z1d,θD1,θD2,θD3,θD4,RE,Pu,Pdである。
【0048】
被測定物1の下面1d形状は以下のように演算処理を行うことで、n組のR−θ−Z座標系の3次元データ(Rdi,θdi,Zdi)として表現することができ、測定精度はnmオーダーを実現できる。
【0049】
1.R座標:Rdi
Ridata =((R1di−R1do)+(R2di−R2do))/2
アッベ誤差 =((R1di−R1do)+(R2di−R2do))×(D1d/D2d)
軸振れ誤差 =((θD3i−θD3o)+(θD4i−θD4o))/2
Rdi = Ridata + アッベ誤差 + 軸振れ誤差
2.θ座標:θdi
θdi = REi − REo
3.Z座標:Zdi
サーボ偏差 = Pdi − Pdo
面振れ誤差 =((θD1i−θD1o)+(θD2i−θD2o))/D3×formd(Ridata)
Z方向振動 = (Z1ui−Z1uo)+ (Pui−Puo)
基準ミラー間伸縮=((VD1i−VD1o)+(VD2i−VD2o))/2
Zdi = Z1di + サーボ偏差 + 面振れ誤差 + Z方向振動+ 基準ミラー間伸縮
尚、D1d:レーザ測長器9ad,9bdの中間と光プローブのキャッツアイポイント間のZ方向成分の距離
D2d:レーザ測長器9ad,9bdのZ方向成分の距離
D3 :レーザ測長器9d,9e間のR方向成分の距離
formu(Ridata):上面設計形状とRidataの関係から算出される関数
尚、運動誤差の内、θスラスト測定は上面Z基準ミラー5uを基準にして測定しており、また被測定物1の厚みを測定することも考えられるので、下面形状の測定結果には上記したように基準ミラー間伸縮分の補正分を加えることになる。
【0050】
R−θ断面上で見た3パターンのデータ取り込み例を、図8に示している。但し、同図における軸は、一般によく使われているX−Y座標系に変換したものを示している。 本発明では、Rステージ3u,3d及びθステージ40を単独で動かしながらデータを等間隔で取り込めば、同図(A)に示す渦巻きデータとして、またRステージ3u,3dとθステージ40とを同時に動かさず、いずれかのステージのみを単独で動かしながらデータを等間隔で取り込めば、同図(B)に示す同心円データとして検出できる。また、一般に、3次元形状測定機等でよく用いられる同図(C)に示す格子データは、Rステージ3u,3d及びθステージ40の移動量を格子状に合わせる、若しくは渦巻きデータや同心円データを座標変換や補間を用いて変換するといった方法により本発明でも対応可能となる。
【0051】
本発明では、被測定物1の形状が軸対象の場合、渦巻データによってデータ検出を行うとθステージ40や微小なRステージ3u,3d移動に対して、サーボロック状態によって移動する光プローブ2u,2dのZ方向移動量は極めて小さくなるため、高速な光プローブ走査が可能となる。また、同心円データによってデータ検出を行う場合は、Rステージ3u,3d移動後に、その状態を保持しておき、θステージ40を単独で動かしながらデータを等間隔で取り込むようにすれば、上記と同様に、θステージ40移動に対して、サーボロック状態によって移動する光プローブ2u,2dのZ方向移動量は極めて小さくなるため、高速な光プローブ走査が可能となる。
【0052】
このように、本発明の3次元形状測定機は、被測定物1をθステージ40に搭載し、光プローブ2u,2dを被測定物1の上面1u側及び下面1d側にそれぞれ配置し、光プローブ2u,2d走査中に複数の任意の位置で光プローブ2u,2dのR軸及びZ軸の位置、及び被測定物1のθ軸回転位置、及び各種の運動誤差を同期で検出し、そこから算出した3次元位置情報を基にして被測定物1の上面1u及び下面1dの形状測定を行うものである。
【0053】
以上説明した本実施形態が、図9及び図10に示した従来例と大きく異なる3つの点を挙げることができる。その1つは、被測定物1の上面1u側及び下面1d側にそれぞれに独立した上面光プローブ2u及び下面光プローブ2dを配置し、被測定物1を水平方向に保持したまま光プローブ2u,2dを被測定物1の上面1u及び下面1dにスキャンさせて、被測定物1の上面1u及び下面1dの3次元形状を測定する点である。2番目は、座標系をR−θ−Z系として構成し、R軸及びZ軸における光プローブ2u,2dの位置情報の検出手段として、被測定物1の上面1u側と下面1d側にそれぞれにR基準ミラー5u,5d、Z基準ミラー6u,6dを配置して、レーザ測長器9au,9ad等を用いて検出し、又θ軸の位置情報の検出手段として、θステージ40に取り付けられたθスケール13をスケール検出器10で読み込む点である。3番目は、測定中の運動誤差を検出するために、複数の基準ミラーを配置して測定結果を補正している点である。
【0054】
したがって、被測定物1を水平方向に保持して使用する場合に、使用時と同じ状態で被測定物1の上面1u及び下面1dの形状測定が可能になるため、従来のように、下面1d形状の測定結果には被測定物1を反転させることによる重力による歪み誤差が生じることなく、高精度な面形状測定が可能となる。また、光プローブ2u,2dを利用して面形状測定を行うため、干渉測定で用いる基準波面を必要とせず、多様な被測定物の形状測定に対応することができる。
【0055】
また、被測定物1の上面1u及び下面1d形状を同時に測定することで、測定時間の短縮を図ることができる。
【0056】
次に、第2の実施形態について説明する。この実施形態は上記第1の実施形態と同様に、被測定物1の上面1u形状及び下面1d形状の測定を同時に行う構成であるが、多少の測定精度を犠牲にしても、測定時間を略半分程度に短縮することができる例である。 図1に示すように、上面光プローブ2uをθ軸の回転中心まで上面Rステージ3uを用いて移動させ、その後に上面Zステージ4uを下げて被測定物1に近付けていき、上面光プローブ2uの光束が作り出すキャッツアイポイントが被測定物1に入射する状態に調整し、サーボロックを開始させる。また同様に、下面光プローブ2dをθ軸の回転中心まで下面Rステージ3dを用いて移動させた後、下面Zステージ4dを上げて被測定物1に近付けていき、下面光プローブ2dの光束が作り出すキャッツアイポイントが被測定物1に入射する状態に調整し、サーボロックを開始させる。尚、上面光プローブ2u、下面光プローブ2dの走査は、被測定物1の面形状に合わせてZ軸サーボを追従させて使用することになる。
【0057】
サーボロック開始時の基準データ(i=0)及び測定したい任意の複数点(i=1〜n,i:取込み順)での各測定データを取り込めば良い。尚、この取り込む測定データは、R1u,R2u,Z1,Z1,θSD1,θSD2,θRD1,θRD2,VD1,VD2,Rθ,Pu,Pdである。
【0058】
被測定物1の上面1u形状及び下面1d形状は、以下のように演算処理を行うことで、n組みのR−θ−Z座標系の3次元データ(Rui−θui−Zui)及び(Rdi−θdi−Zdi)として表現でき、精度測定はnmオーダーを実現できる。尚、Rui−θui−Zui、Rdi−θdi−Zdiは、実施例1と同じ式で表せるのでここでは省略する。
【0059】
・上面Z座標:Zui
サーボ偏差 = Pui − Puo
面振れ誤差 =((θSD1i−θSD1o)+(θSD2i−θSD2o))/D3×formu(Ridata)
Zui = Z1ui + サーボ偏差 + 面振れ誤差
・下面Z座標:Zdi
サーボ偏差 = Pdi − Pdo
面振れ誤差 =((θSD1i−θSD1o)+(θSD2i−θSD2o))/D3×formd(Ridata)
基準ミラー間伸縮=((VD1i−VD1o)+(VD2i−VD2o))/2
Zdi = Z1di + サーボ偏差 + 面振れ誤差 + 基準ミラー間伸縮
このように、被測定物1の上面1u形状及び下面1d形状の測定を同時に行うと、測定時間の短縮を期待することができる。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したように、光プローブは、前記被測定物の上面形状に沿って走査する上面光プローブと、及び被測定物の下面形状に沿って走査する下面光プローブとから成っており、前記上面光プローブは、水平方向となるR軸方向に移動可能な上面Rステージ、及び鉛直方向となるZ軸方向に移動可能な上面Zステージ上に設けられ、前記下面光プローブは、前記R軸方向に移動可能な下面Rステージ、及び前記Z軸方向に移動可能な下面Zステージ上に設けられ、前記被測定物はZ軸回転成分となるθ軸方向に移動可能なθステージ上に水平方向に保持された状態で載置され、前記上面光プローブと前記下面光プローブの走査位置、及び前記被測定物のθ軸回転角度を3次元位置情報として検出するもので、同一なR−Z面上に配置された位置検出手段と、前記光プローブの走査や前記被測定物の回転に起因する運動誤差を検出するもので、同一なR−Z面上に配置された運動誤差検出手段とを備え、前記光プローブは前記被測定物との距離が常に略一定となるようにZ軸方向に移動させながら当該被測定物の形状に沿って走査させ、走査中に複数の任意の位置で、前記位置検出手段と前記運動誤差検出手段により光プローブの位置及びその運動誤差を同期で検出し、この情報から前記被測定物の上面及び下面の形状を算出するので、
被測定物を水平方向に保持して使用する場合、反転機構等を設けることなく、使用時と同じ状態で被測定物の上面及び下面の形状測定を実施することができるため、従来のように、下面形状の測定結果に、被測定物を反転させて生じた重力による歪み誤差が付加されるといった不具合を避けることができ、高精度な面形状測定が行うことができる。 また、光プローブを利用した面形状測定であって、光の干渉を利用していないため、干渉測定で用いる基準波面を必要とせず、干渉を利用した装置よりも多様な形状の被測定物の測定が可能となる。
【0061】
さらに、被測定物の上面形状及び下面形状の同時測定を実施するなら、測定時間の短縮を図ることができるという、以上のような効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示す3次元形状測定機の要部概略図
【図2】図1の3次元形状測定機を示す側面図
【図3】R−Z面上の光プローブ及びレーザ測長器を示す配置構成図
【図4】θステージを示す概略構成図
【図5】光プローブの概略構成を示す光学配置図
【図6】Z軸のサーボの構成を示すブロック図
【図7】レーザ測長器の概略構成を示す光学配置図
【図8】光プローブの位置データの取り込みパターン例を示す説明図
【図9】従来のX−Y−Z座標を用いた3次元形状測定機を示す概略構成図
【図10】従来の干渉を利用した3次元形状測定機を示す光学配置図
【符号の説明】
1 被測定物
1u 被測定物の上面
1d 被測定物の下面
2u 上面光プローブ
2d 下面光プローブ
3u 上面Rステージ
3d 下面Rステージ
4u 上面Zステージ
4d 下面Zステージ
5u 上面Z基準ミラー
5d 下面Z基準ミラー
6u 上面R基準ミラー
6d 下面R基準ミラー
7 ハウジング部(θステージ)
8 ロータ部(θステージ)
9au等 レーザ測長器
10 スケール検出部(ロータリーエンコーダ)
11a,11b θラジアル測定用基準ミラー
11c〜11f 上下伸縮測定用基準ミラー
12u,12d 架台
13 スケール
14a θスラスト基準ミラー
14b θラジアル基準ミラー
15 レーザ光源
Claims (9)
- 水平方向をR軸、垂直方向をZ軸、Z軸周りの回転方向をθ軸としたR−θ−Z座標系を用いて、水平方向に保持された被測定物の形状を非接触型の光プローブを走査させて測定する3次元形状測定機において、
前記光プローブは、前記被測定物の上面形状に沿って走査する上面光プローブと、前記被測定物の下面形状に沿って走査する下面光プローブとから成っており、前記上面光プローブは前記R軸方向に移動可能な上面Rステージ及び前記Z軸方向に移動可能な上面Zステージ上に配置され、前記下面光プローブは前記R軸方向に移動可能な下面Rステージ及び前記Z軸方向に移動可能な下面Zステージ上に配置され、前記被測定物は、ロータ部とこのロータ部を支持するハウジング部より成る前記θ軸方向に回転可能なθステージに支持されており
前記上面光プローブと前記下面光プローブの走査位置及び前記被測定物のθ軸回転角度を3次元位置情報として検出するもので、同一なR−Z面上に配置されている、前記上面Rステージまたは上面Zステージに設けられた、前記上面光プローブのR軸方向の位置情報を検出するためのR軸位置検出手段及び前記上面光プローブのZ軸方向の位置情報を検出するためのZ軸位置検出手段と、前記下面Rステージまたは下面Zステージに設けられた、前記下面光プローブのR軸方向の位置情報を検出するためのR軸位置検出手段及び前記下面光プローブのZ軸方向の位置情報を検出するためのZ軸位置検出手段と、前記θステージの回転角度を検出するためのθ軸位置検出手段と、
前記光プローブの走査や前記被測定物の回転の運動誤差を検出するもので、同一なR−Z面上に配置された運動誤差検出手段と、
を備え、前記位置検出手段と前記運動誤差検出手段の検出結果から前記被測定物の上面及び下面の形状を算出することを特徴とする3次元形状測定機。 - 前記R軸位置検出手段は、前記Z軸に対して平行配置された上面及び下面R基準ミラーと、前記上面Zステージ及び下面Zステージに各々2つずつ取り付けられ、前記上面及び下面R基準ミラーに対して垂直方向に射出するレーザ測長器とから成ることを特徴とする請求項1記載の3次元形状測定機。
- 前記Z軸位置検出手段は、前記R軸に対して平行配置された上面及び下面Z基準ミラーと、前記上面Zステージ及び下面Zステージに各々1つずつ取り付けられ、前記上面及び下面Z基準ミラーに対して垂直方向に射出するレーザ測長器とから成ることを特徴とする請求項1記載の3次元形状測定機。
- 前記θ軸位置検出手段は、前記θステージの回転角度を検出するために前記ロータ部上に設置されたθスケールと、これを検出するスケール検出部とから成ることを特徴とする請求項1記載の3次元形状測定機。
- 前記運動誤差検出手段は、前記θステージの前記ロータ部上に配置されたθスラスト基準ミラー、前記ロータ部の外周面に配置されたθラジアル基準ミラー、このθラジアル基準ミラーに対し所定間隔を置いて対向して少なくとも2面設けたθラジアル測定用基準ミラー、前記上面及び下面Z基準ミラーの両端側近傍にそれぞれ配置され、当該上面及び下面Z基準ミラーの距離変動を検出するために4面設けた上下伸縮測定用基準ミラー、これらの基準ミラー間の距離を測定するための少なくとも6つのレーザ測長器とから成ることを特徴とする請求項1記載の3次元形状測定機。
- 水平方向をR軸、垂直方向をZ軸、Z軸周りの回転方向をθ軸としたR−θ−Z座標系を用い、θ軸方向に回転可能なθステージに支持されることにより水平方向に保持された被測定物の3次元形状を、光プローブを走査させて測定する3次元形状測定方法において、
前記被測定物の上面形状に沿って走査する上面光プローブと、前記被測定物の下面形状に沿って走査する下面光プローブを設け、前記上面光プローブ及び下面光プローブで同時に走査させる際、前記被測定物と光プローブの距離が常に略一定となるように、当該光プローブをR軸方向及びZ軸方向に移動させながら被測定物の形状に沿って走査させ、この走査中に複数の任意の位置で、前記光プローブの位置情報と前記光プローブや前記θステ ージの駆動による運動誤差情報を検出し、これらの情報から算出した3次元位置情報を基にして前記被測定物の上面及び下面の形状を算出することを特徴とする3次元形状測定方法。 - 前記位置情報は、上面R基準ミラーと上面光プローブ問の距離Ru、上面Z基準ミラーと上面光プローブ間の距離Zu、下面R基準ミラーと下面光プローブ間の距離Rd、下面Z基準ミラーと下面光プローブ間の距離Zd、上面光プローブ及び下面光プローブの走査中に生じる光プローブと被測定物問の距離の偏差Pu及びPd、被測定物の回転角度Rθ、から検出することを特徴とする請求項6記載の3次元形状測定方法。
- 前記運動誤差情報は、前記θステージのスラスト方向の運動誤差θSD、当該θステージのラジアル方向の運動誤差θRD、前記上面Z基準ミラーと下面Z基準ミラー間の変動VD、から検出することを特徴とする請求項6記載の3次元形状測定方法。
- 前記被測定物の上面形状を測定する際、前記上面光プローブが上面形状に沿って走査している間、前記下面光プローブを前記θステージの回転軸上に留めて被測定物の上下振動成分を検出し、且つ、前記被測定物の下面形状を測定する際、前記下面光プローブが下面形状に沿って走査している間、前記上面光プローブを前記θステージの回転軸上に留めて被測定物の上下振動成分を検出し、これら検出した上下振動成分を基にして前記上面形状あるいは前記下面形状に補正を加えることを特徴とした請求項6記載の3次元形状測定方法。
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