JP3593643B2 - 同期整流回路のfet駆動方式 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、直流−直流変換を行うための同期整流回路に関し、特に、同期整流回路における整流用FET(Field Effect Transistor )を高速駆動するための、同期整流回路のFET駆動方式に関するものである。
【0002】
同期整流回路は、伝送装置や交換機等の通信装置の電源部として、広く用いられている。近年における通信装置のシステム小型化に伴って、これらの通信装置に内蔵される電源部としての、同期整流回路に対する小型化の要求が強くなっている。
【0003】
電源の小型化のためには、電源部での発生損失を低減することが必要であり、そのため、同期整流回路においては、整流回路の損失低減のため、整流素子としてFETを用いるとともに、これを高速駆動することによって、より低損失化し高効率化することが要求されている。
【0004】
【従来の技術】
従来、直流−直流変換を行うDC−DCコンバータにおいて発生する損失は、整流回路中におけるものが約4〜5割を占め、全体の損失に対する比率が高い。そこで、整流回路における損失低減のため、従来から用いられているショットキーバリアダイオードを、M0S−FET(Metal Oxide Semiconductor FET)に置き換えて整流素子における損失を低減させた、同期整流回路が開発されている。
【0005】
図9は、従来の同期整流回路の構成を示したものである。図中において、1は直流電源、2は直流電源1の電流を断続するスイッチング用FETであって、nch MOS−FETからなっている。3は交流成分の分離と電圧変換を行うトランスであって、31 は一次巻線、32 は二次巻線である。4はトランス3の二次巻線出力を整流する整流用FET、5は転流作用を行う転流用FETであって、ともにnch MOS−FETからなっている。6は平滑コイル,7は出力平滑コンデンサであって、これらは出力の平滑回路を構成する。
【0006】
スイッチング用FET2のゲートに駆動パルスを与えることによって、トランス3の一次側において直流電源1からの電流をスイッチングする。そしてトランス3の二次側に直列に接続された整流用FET4を、一次電流のオンに同期して駆動して、トランス3の二次側に誘起される電圧によって、平滑コイル6を経て出力平滑コンデンサ7を充電する。さらに、平滑コイル6の入力側に接続された転流用FET5を、一次電流のオフに同期して駆動することによって、一次電流のオフ時、平滑コイル6に発生した逆起電力によって、出力平滑コンデンサ7を充電する。このようにして出力平滑コンデンサ7に充電された電圧によって、図示されない負荷に直流出力を供給する。
【0007】
図9の場合、整流用FET4の駆動用電圧は、トランス3の二次巻線の正極側からゲート抵抗8を介して与えられ、転流用FET5の駆動用電圧は、トランス3の二次巻線の負極側からゲート抵抗9を介して与えられるようになっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図9に示された従来技術における整流用FET4のゲートは、トランス3の二次巻線の正極側に接続され、ここに生じる誘起電圧によって駆動電圧を供給されることによって、整流用FET4がオンになる。この場合、FET4が実際にオンになるのは、FET4のゲート−ソース間に存在する寄生コンデンサの充電が完了した時点であり、オフになるのは、この寄生コンデンサの放電が終了した時点である。
【0009】
同期整流回路の駆動周波数が高い場合、整流用FET4のオンの遅れによって導通期間が短くなり、整流効率が低下するので、このような動作遅れを少なくすることが必要である。整流用FET4の動作遅れを改善するためには、FET4に存在する寄生容量を急速に充電しなければならない。FET4の寄生容量に対して急速に充電を行うためには、充電電流を大きくすることが必要であるが、これによってFET4のオン時に、瞬間的にトランス3の二次コイル−FET4のゲート−FET4のドレイン間の閉回路において電流の跳ね上がりが生じ、さらには、トランス3の一次側にも誘起されることによって、入力電流に跳ね上がりが生じるという現象があった。
【0010】
図10は、従来回路における整流用FETのゲート電流とゲート−ソース間電圧を示したものである。従来回路の場合、ゲート電流ig に跳ね上がりAを生じるため、ゲート−ソース間電圧vgsにも跳ね上がりBを生じることが示されている。
【0011】
このような現象があると、ピーク電流によって整流用FETを損傷したり、または入力側に雑音障害を発生したりする恐れがあるので好ましくない。そこで、FET4のゲートと、トランス3の二次巻線との間にゲート抵抗8を挿入して、駆動電流の大きさを制限することによって、FET4のターンオン時における、トランス二次電流の跳ね上がりの発生を防止している。この場合、ゲート抵抗8を大きくするにつれて、二次電流の跳ね上がりは小さくなるが、FET4の駆動時間は長くなる。逆に、ゲート抵抗8を小さくするにつれて、FET4の駆動時間は短縮されるが、二次電流の跳ね上がりが大きくなる。
【0012】
図9に示された従来技術においては、ゲート抵抗8の値を可能なかぎり小さくすることによって、FET4の駆動遅れを防止するとともに、二次電流の跳ね上がりもなるべく小さく抑えるようにしていた。しかしながら、FET4の駆動時間と跳ね上がり電流の大きさとは、ゲート抵抗値を介して相反する方向に変化するため、FET4の駆動遅れを十分小さく保ちながら、二次電流の跳ね上がりを抑えることは困難であった。
【0013】
本発明は、このような従来技術の課題を解決しようとするものであって、同期整流回路において、整流用FETの駆動時間を短縮するとともに、整流用FETの駆動電流に基づいてトランスの二次側に生じる電流の跳ね上がりを防止することが可能な、同期整流回路のFET駆動方式を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の同期整流回路のFET駆動方式においては、整流用FETの駆動電流を、トランスの二次側の電流に影響を与えないような部分から供給することによって、整流用FETの駆動電流に基づいてトランスの二次側に生じる電流の跳ね上がりを防止する。
【0015】
このようにすることによって、トランスの誘起電圧に基づいて、整流用FETに対する駆動電流の供給が開始されるが、この場合の駆動電流は、トランスの二次側の電流に影響を与えないような部分から供給されるので、整流用FETの駆動電流に基づいて、トランスの二次側に電流の跳ね上がりが生じないようにすることができる。
【0016】
以下、本発明の課題を解決するための具体的手段とその作用を記述する。
【0017】
(1) トランス3の一次側において入力をスイッチングし、トランスの二次側に直列に接続された整流用FET4を一次電流のオンに同期して駆動して、トランスの二次側に誘起される電圧によって平滑コイル6を経て出力平滑コンデンサ7を充電するとともに、平滑コイル6の入力側に接続された転流用FET5を一次電流のオフに同期して駆動して、平滑コイル6の逆起電力によって出力平滑コンデンサ7を充電するようにした同期整流回路において、平滑コイル6の出力側と整流用FET4のゲート間に駆動電流供給用FET11を接続して、一次電流のオンに同期して駆動することによって、整流用FET4を駆動する。
【0018】
このように、整流用FET4の駆動電源を平滑コイル6の出力側から供給するようにしたので、整流用FET4のオン時の駆動電流の変化が妨げられる。従って、整流用FET4の寄生容量のチャージのために過大な電流が流れず、トランス3の二次電流において跳ね上がりが生じることが抑制される。
【0019】
(2) (1) の場合に、平滑コイル6に二次巻線を設け、この二次巻線の出力側と整流用FET4のゲート間に駆動電流供給用FET11を接続して、トランス3の一次電流のオンに同期して駆動することによって、整流用FET4を駆動する。
【0020】
このように、平滑コイル6の一次巻線を平滑コイルとして使用し、二次巻線の出力側の電圧によって、整流用FET4をトランス3の一次電流のオンに同期して駆動するようにしたので、平滑コイルの巻線比に応じて、整流用FET4に対する駆動電圧の大きさを任意に設定することができる。
【0021】
(3) (1) または(2) の場合に、駆動電流供給用FET11に代えて駆動電流供給用トランジスタ13を、平滑コイル6の出力側または平滑コイル6の二次巻線の出力側と整流用FET4のゲート間に接続して、一次電流のオンに同期して駆動する。
【0022】
整流用FET4に対する駆動用素子は、スピードの速いものであれば、FETに限らず、トランジスタを使用することも可能であり、これによってコストダウンを図ることができる。
【0023】
(4) (3) の場合に、駆動電流供給用トランジスタ13のベースと駆動源との間に抵抗14とコンデンサ15の並列回路からなるスピードアップ回路を設ける。
【0024】
このようにすることによって、駆動電流供給用トランジスタ13の動作を、より高速化することができる。
【0025】
(5) (1) 〜(4) の場合に、整流用FET4の駆動電圧をNOT回路17を介して反転して与えることによって、転流用FET5を駆動する。
【0026】
これによって、整流用FET4に対して、転流用FET5を、より正確に逆相に駆動することができ、同期整流回路の効率を向上することができる。
【0027】
(6) トランス3の一次側において入力をスイッチングし、トランスの二次側に直列に接続された整流用FET4を一次電流のオンに同期して駆動して、トランスの二次側に誘起される電圧によって平滑コイル6を経て出力平滑コンデンサ7を充電するとともに、平滑コイル6の入力側に接続された転流用FET5を一次電流のオフに同期して駆動して、平滑コイル6の逆起電力によって出力平滑コンデンサ7を充電するようにした同期整流回路において、トランス3に三次巻線を設け、この三次巻線の電圧を可飽和リアクトル18を介して整流用FET4に駆動電圧として供給するとともに、この電圧をNOT回路17を介して反転して転流用FET5に駆動電圧として与える。
【0028】
このように、トランス3の三次巻線から整流用FET4と転流用FET5の駆動用電源を得るようにしたので、同期整流回路の出力の損失を低減することができるとともに、トランスの巻線比に応じて、駆動電圧の大きさを任意に設定することができる。
【0029】
(7) (6) の場合に、整流用FET4に代えて逆極性の整流用FET20を設け、三次巻線の反転電圧を整流用FET20に駆動電圧として供給するとともに、この電圧を転流用FET5に駆動電圧として与える。
【0030】
このようにすることによって、(6) の場合と比較して、回路構成が簡単になるとともに、転流用FET5に対する駆動電圧供給用のNOT回路が不要になり、コストダウンを図ることができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施形態(1) を示したものであって、図9の場合と同じものを同じ番号で示し、整流用FET4の駆動電圧を平滑コイル6の出力側からとる例を示している。10は本実施形態における整流用FET4に対する駆動電圧供給部であって、平滑コイル6およびnch M0S−FETからなる駆動電流供給用FET11とダイオード12とからなっている。
【0032】
FET11は、トランス3の二次側の正極側の誘起電圧をゲートに与えられることによってオンして、平滑コイル6の出力側における出力平滑コンデンサ7の電圧を、駆動用電源として整流用FET4のゲートに与えて、FET4をオンさせる。トランス3の電圧の極性が反転するとFET11はオフとなるので、整流用FET4は駆動用電源が遮断されてオフとなる。このとき、FET4がオンの期間にそのゲート−ソース間の寄生容量にチャージされた電荷は、ダイオード12を経て放電される。
【0033】
実施形態(1) においては、整流用FET4の駆動用電源を、平滑コイル6の出力側からとるようにしたので、FET4のオン時の駆動電流の変化が妨げられて、FET4の寄生容量のチャージのために過大な電流が流れることがなく、従ってトランス3の二次電流に跳ね上がりが生じることが防止される。
【0034】
図2は、本発明回路における整流用FETのゲート電流とゲート−ソース間電圧を示したものである。本発明回路の場合、ゲート電流ig における跳ね上がりAが小さくなり、そのため、ゲート−ソース間電圧vgsにおける跳ね上がりBも小さいことが示されている。
【0035】
図3は、本発明の実施形態(2) を示したものであって、駆動電流供給用としてトランジスタを使用した例を示している。図1の場合と同じものを同じ番号で示し、13は駆動電流供給用トランジスタ、14は抵抗、15はコンデンサである。
【0036】
実施形態(1) における、駆動電流供給用FET11はスピードの速いスイッチング素子であればよいので、実施形態(2) においては、FET11に代えて駆動電流供給用トランジスタ13を使用する。トランジスタ13のベース回路に挿入された抵抗14,コンデンサ15の並列回路は、トランス3の二次巻線の正極側からトランジスタ13のベースに供給される駆動電流に対するスピードアップ回路を構成し、トランジスタ13の駆動時間を短縮する作用を行う。
【0037】
駆動電流供給用としてトランジスタを用いた場合、トランジスタは、FETに比較して安価であるとともに、動作速度の点でも、FETより有利である。
【0038】
図4は、本発明の実施形態(3) を示したものであって、整流出力の平滑用および整流用FETの駆動用電源としてトランスを使用した例を示している。図2の場合と同じものを同じ番号で示し、16はトランスである。
【0039】
実施形態(3) においては、トランス16の一次側を整流出力の平滑用として使用し、トランス16の二次巻線の出力側をトランジスタ13のコレクタに接続して、整流用FET4の駆動用電源を得るようにしている。
【0040】
実施形態(3) によれば、整流用FET4に対する駆動電圧の大きさを、トランス16の巻線比に応じて任意に設定することができる利点がある。
【0041】
図5は、本発明の実施形態(4) を示したものであって、転流用FETの駆動用電源を、整流用FETの駆動電圧を反転して得るようにした例を示している。図4の場合と同じものを同じ番号で示し、17は、整流用FET4の駆動電圧を反転させるNOT(否定)回路である。
【0042】
実施形態(4) においては、トランス16の二次巻線の出力側から駆動電流供給用トランジスタ13を介して得られた、整流用FET4に対する駆動電圧を、NOT回路17を経て反転させて、転流用FET5の駆動電圧として用いるようにしている。
【0043】
実施形態(4) によれば、整流用FET4および転流用FET5に対する駆動電圧の大きさを、トランス16の巻線比に応じて任意に設定することができるとともに、整流用FET4の駆動と転流用FET5の駆動を、正確に逆相にすることができる。
【0044】
図6は、本発明による同期整流回路の動作を説明するための図であって、(a) は回路構成を示し、(b) は各部波形を示している。図6は対比のために示されたものであって、(a) に示す回路構成は図9に示された従来の同期整流回路の構成を示し、(b) に示す各部波形は図9に示された従来の同期整流回路の各部波形を示している。
【0045】
図6(a) に示す同期整流回路では、転流用FET5の駆動用電源を、トランス3の二巻線の負側からとっている。このため、図6(b) 中においてAで示すように、整流用FET4と転流用FET5の電圧がともに零になる期間が存在し、この期間中は、転流FET5に存在する寄生容量を通じて電流が流れるため、同期整流回路の効率が低下する。
【0046】
このような現象が生じないようにするためには、整流用FET4と転流用FET5の動作が交互に、互いに逆の関係で行われることが望ましい。上述の実施形態(4) においては、整流用FET4 の駆動電圧をNOT回路17を経て反転して転流用FET5に与えるようにしているので、整流用FET4と転流用FET5の動作を理想的に逆相の関係に保つことができる。
【0047】
図7は、本発明の実施形態(5) を示したものであって、整流用FETおよび転流用FETの駆動用電源を、トランスの三次巻線から得るようにした例を示している。図1および図4の場合と同じものを同じ番号で示し、33 はトランス3の三次巻線、18は可飽和リアクトル、19は逆流防止用ダイオードである。
【0048】
実施形態(5) においては、トランス3に設けられた三次巻線33 から、整流用FET4の駆動電圧を供給するとともに、この駆動電圧をNOT回路17を経て反転して、転流用FET5に駆動電圧として供給する。この際、三次巻線33 に直列に可飽和リアクトル18を挿入することによって、三次巻線33 における、整流用FET4の寄生容量のチャージに基づく、駆動電流の跳ね上がりを防止する。
【0049】
また、ダイオード19は、三次巻線33 の逆相時における整流用FET4 および転流用FET5の無用な駆動を防止するために設けられている。図6に示すように、スイッチング用FET2のオフ時、電流の変化率に応じてトランス3に逆起電力が発生することによって、スイッチング用FET2のドレイン−ソース間電圧vdsおよび、トランスの一次電圧vt1, 二次電圧vt2に大きな跳ね上がりの電圧Bを発生し、これに従ってトランスの三次巻線にも逆相時に、大きな跳ね上がりの電圧が発生する。逆流防止用ダイオード19は、このような大きな逆電圧を阻止して、整流用FET4 および転流用FET5の無用な駆動を防止する作用を行う。
【0050】
実施形態(5) によれば、トランス3に三次巻線を設けて、整流用FETおよび転流用FETの駆動用電源を得るようにしたので、同期整流回路の整流出力を、これらのFETの駆動のために消費しなくても済むという利点がある。
【0051】
図8は、本発明の実施形態(6) を示したものであって、整流用FETおよび転流用FETの駆動電圧を、トランスの三次巻線から得るとともに、整流用FETとして逆極性のものを使用して、転流用FETの駆動回路におけるNOT回路を不要にした例を示している。図5の場合と同じものを同じ番号で示し、34 はトランス3の三次巻線、20はpch MOS−FETからなる整流用FET、21は逆流防止用ダイオードである。
【0052】
実施形態(6) において、トランス3の三次巻線34 は、実施形態(5) の場合の三次巻線33 と巻線の極性が逆である。整流用FET20としてpch MOS−FETを使用することによって、nch MOS−FETからなる転流用FET5を同一ラインから駆動することができる。なお逆流防止用ダイオード21は、実施形態(5) の場合と逆方向に挿入されている。
【0053】
実施形態(6) によれば、実施形態(5) の場合と比較して、転流用FETの駆動のためのNOT回路が不要になるという利点がある。
【0054】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、同期整流回路において整流用FETを高速に駆動することができるとともに、駆動時に整流用FETのゲートに瞬間的に流れる電流の跳ね上がりを抑制することができるので、動作時の損失を低減することができる。
【0055】
従って、同期整流回路をDC−DCコンバータ等の電源として用いた場合の効率を向上することができるとともに、素子にかかるストレスを減少させることができるので、電源装置の信頼性を高くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態(1) を示す図である。
【図2】本発明回路における整流用FETのゲート電流とゲート−ソース間電圧を示す図である。
【図3】本発明の実施形態(2) を示す図である。
【図4】本発明の実施形態(3) を示す図である。
【図5】本発明の実施形態(4) を示す図である。
【図6】本発明による同期整流回路の動作を説明するための図であって、(a) は回路構成を示し、(b) は各部波形を示す。
【図7】本発明の実施形態(5) を示す図である。
【図8】本発明の実施形態(6) を示す図である。
【図9】従来の同期整流回路の構成を示す図である。
【図10】従来回路における整流用FETのゲート電流とゲート−ソース間電圧を示す図である。
【符号の説明】
1 直流電源
2 スイッチング用FET
3 トランス
4 整流用FET
5 転流用FET
6 平滑コイル
7 出力平滑コンデンサ
11 駆動電流供給用FET
13 駆動電流供給用トランジスタ
14 抵抗
15 コンデンサ
17 NOT回路
18 可飽和リアクトル
20 整流用FET
Claims (5)
- トランスの一次側において入力をスイッチングし、該トランスの二次側に直列に接続された整流用FETを一次電流のオンに同期して駆動して、該トランスの二次側に誘起される電圧によって平滑コイルを経て出力平滑コンデンサを充電するとともに、該平滑コイルの入力側に接続された転流用FETを前記一次電流のオフに同期して駆動して、該平滑コイルの逆起電力によって前記出力平滑コンデンサを充電する同期整流回路において、
該平滑コイルの出力側と整流用FETのゲート間に駆動電流供給用FETを接続し、該駆動電流供給用FETのゲートに前記トランスの二次側の正電極の誘起電圧を与え、該平滑コンデンサの電圧を駆動用電源として整流用FETのゲートに与え、前記一次電流のオンに同期して駆動することによって、該整流用FETを駆動することを特徴とする同期整流回路のFET駆動方式。 - 請求項1に記載の同期整流回路のFET駆動方式において、前記平滑コイルに二次巻線を設け、該二次巻線の出力側と前記整流用FETのゲート間に前記駆動電流供給用FETを接続して前記一次電流のオンに同期して駆動することによって、該整流用FETを駆動することを特徴とする同期整流回路のFET駆動方式。
- 請求項1または2に記載の同期整流回路のFET駆動方式において、前記駆動電流供給用FETに代えて駆動電流供給用トランジスタを前記平滑コイルの出力側または平滑コイルの二次巻線の出力側と前記整流用FETのゲート間に接続して前記一次電流のオンに同期して駆動するようにしたことを特徴とする同期整流回路のFET駆動方式。
- 請求項3に記載の同期整流回路のFET駆動方式において、前記駆動電流供給用トランジスタのベースと駆動源との間に抵抗とコンデンサの並列回路からなるスピードアップ回路を設けたことを特徴とする同期整流回路のFET駆動方式。
- 請求項1から4までのうちのいずれかに記載の同期整流回路のFET駆動方式において、前記整流用FETの駆動電圧をNOT回路を介して反転して与えることによって前記転流用FETを駆動するようにしたことを特徴とする同期整流回路のFET駆動方式。
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